Title:
接合型半導体装置およびその製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2010024237
Kind Code:
A1
Abstract:
電流増幅率を向上する接合型半導体装置が開示される。接合型半導体装置は、ゲート領域（１３）の少なくとも側面を覆うように形成された再結合抑制領域（１６）を有する。再結合抑制領域（１６）は、ゲート領域（１３）よりも抵抗率の高いｐ−半導体あるいは高抵抗層（１４）よりも抵抗率の高いｎ−半導体で形成されている。これにより、ゲート領域等の周囲領域での電子と正孔の再結合確率を低減し、主電極間に流れる主電流と制御電極に流れる制御電流との間の再結合を抑制し、電流増幅率を向上することができ、併せて微細化による電流密度の向上も実現することができる。
Inventors:
Kenichi Nonaka
Application Number:
JP2010526710A
Publication Date:
January 26, 2012
Filing Date:
August 25, 2009
Export Citation:
Assignee:
Honda motor industry stock company
International Classes:
H01L29/80; H01L21/331; H01L21/337; H01L29/732; H01L29/808
Attorney, Agent or Firm:
Yoichiro Shimoda
Norimasa Shimoda
Katsuhiko Sumiyoshi
Tadanori Masanori
Toshitake Nozaki
Norimasa Shimoda
Katsuhiko Sumiyoshi
Tadanori Masanori
Toshitake Nozaki
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