Title:
エピタキシャル成長用ＣｄＴｅ系半導体基板及び基板収納物
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2011040566
Kind Code:
A1
Abstract:
基板ユーザがエピタキシャル成長前にエッチング処理を施すことなく、良質なエピタキシャル結晶を成長可能なエピタキシャル成長用ＣｄＴｅ系半導体基板を提供する。原子間力顕微鏡で基板表面を観察したときに１０μｍ×１０μｍの視野範囲内に深さ１ｎｍ以上の線状の研磨ダメージの痕跡が観察されず、かつ、蛍光灯下目視で基板表面を観察したときにオレンジピールが観察されないＣｄＴｅ系半導体基板であれば、良質なエピタキシャル結晶を成長させることができる。
Inventors:
Kenji Suzuki
Hideyuki Taniguchi
Hideki Kurita
Ritsuichi Hirano
Hideyuki Taniguchi
Hideki Kurita
Ritsuichi Hirano
Application Number:
JP2011534332A
Publication Date:
February 28, 2013
Filing Date:
September 30, 2010
Export Citation:
Assignee:
jx Nippon Mining & Metals Co., Ltd.
International Classes:
C30B29/48; C30B25/18; H01L21/304; H01L21/306; H01L21/308
Attorney, Agent or Firm:
Hiroshi Arafune
Previous Patent: 抗ポドプラニン抗体、及び抗ポドプラニン抗体を含む医薬組成物
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