Title:
不揮発性記憶装置及び不揮発性記憶装置への書き込み方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2011121971
Kind Code:
A1
Abstract:
書き込み動作の安定性及び信頼性を向上した不揮発性記憶装置を提供する。その不揮発性記憶装置は、抵抗変化型素子（１０６）と、抵抗変化型素子（１０６）に情報を書き込む書き込み回路（１０１）とを備え、抵抗変化型素子（１０６）は、第１電圧（Ｖｈ又はＶｌ）のパルスが印加されると第１抵抗状態（ＬＲ状態又はＨＲ状態）から第２抵抗状態（ＨＲ状態又はＬＲ状態）へと変化し、第１電圧とは極性が異なる第２電圧（Ｖｌ又はＶｈ）のパルスが印加されると第２抵抗状態から第１抵抗状態へと変化する特性を有し、書き込み回路（１０１）は、抵抗変化型素子（１０６）を第１抵抗状態から第２抵抗状態に変化せしめるときに、抵抗変化型素子（１０６）に対して、少なくとも、第１電圧（Ｖｈ又はＶｌ）のパルスと、第２電圧よりも電圧の絶対値が小さく、かつ、第２電圧と極性が等しい第３電圧（ＶｌＬｏｗ又はＶｈＬｏｗ）のパルスと、第１電圧（Ｖｈ又はＶｌ）のパルスとを、この順で印加する。
Inventors:
Keiichi Kato
Application Number:
JP2011529093A
Publication Date:
July 04, 2013
Filing Date:
March 28, 2011
Export Citation:
Assignee:
Panasonic Corporation
International Classes:
G11C13/00
Attorney, Agent or Firm:
Hiromori Arai