Login| Sign Up| Help| Contact|

Patent Searching and Data


Title:
薄膜キャパシタ充電装置
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2012001810
Kind Code:
A1
Abstract:
薄膜キャパシタの充電時の過大電流防止を安価な構成で行うことを可能とする。複数の薄膜キャパシタに直流電流を供給する直流電源ＤＣと、それぞれの薄膜キャパシタに直列接続されて直流電源ＤＣから薄膜キャパシタに供給される直流電流の電流値を制限する抵抗器と、キャパシタに直列接続され、一方の接点の選択時は薄膜キャパシタの両端を短絡し直列接続を行い、他方の接点選択時は並列接続として直流電流を抵抗器に通して薄膜キャパシタＣに供給する直列と並列の系統切替スイッチＳＷとを有し、充電時操作スイッチＳＷ１と放電時操作スイッチＳＷ２を切り替えて、充電時には並列で薄膜キャパシタＣに供給される電流を抵抗により抑制し、放電時には直列接続で抵抗器に関係なく放電可能とした。

More Like This:
WO/2000/042621EPITAXIAL THIN FILMS
JP2023010330SEMICONDUCTOR CAPACITOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
JP5509508Electronic components and manufacturing methods for electronic components
Inventors:
Mikiharu Shimizu
Application Number:
JP2012522409A
Publication Date:
August 22, 2013
Filing Date:
July 01, 2010
Export Citation:
Click for automatic bibliography generation   Help
Assignee:
Mikiharu Shimizu
Japan Silicon Electronics Technology Co., Ltd.
Enzo Planning Co., Ltd.
Kazuhiko Takanashi
International Classes:
H01G4/33; H02J7/00
Domestic Patent References:
JP3147685U
JP2006320077A2006-11-24
JPH0279730A1990-03-20
JP2006014589A2006-01-12
Attorney, Agent or Firm:
Yoshihisa Nishi



 
Previous Patent: 監視制御装置、サーバ装置、監視制御方法及び監視制御プログラム

Next Patent: APPARATUS, APPARATUS SYSTEM AND METHOD FOR TREATMENT OF METAL DROSS