Title:
薄膜トランジスタ及びその製造方法、薄膜トランジスタを備える画像表示装置
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2012043338
Kind Code:
A1
Abstract:
【課題】高品質且つ低コストで製造が可能な薄膜トランジスタ及びその製造方法と、薄膜トランジスタを備える画像表示装置を提供する。【解決手段】絶縁基板上に、少なくともゲート電極と、ゲート絶縁層と、ソース電極及びドレイン電極と、同一金属酸化物から成る半導体領域と絶縁領域を有する金属酸化物層と、絶縁性保護層と、を備えた薄膜トランジスタであって、半導体領域はソース電極とドレイン電極の間の領域を含み、かつソース電極及びドレイン電極の一部と重なっており、半導体領域は少なくともゲート絶縁層又は絶縁性保護層のいずれかと接するようゲート絶縁層及び絶縁性保護層の間に形成され、ゲート絶縁層又は絶縁性保護層の半導体領域と接する部分の水素原子の濃度は、１×１０２０／ｃｍ３以上５×１０２２／ｃｍ３以下であり、ゲート絶縁層又は絶縁性保護層の半導体領域と接しない部分の水素原子の濃度は、１×１０２０／ｃｍ３未満とする。【選択図】図１
Inventors:
Chihiro Imamura
Miyairi Yukari
Hiroaki Koyama
Miyairi Yukari
Hiroaki Koyama
Application Number:
JP2012536369A
Publication Date:
February 06, 2014
Filing Date:
September 21, 2011
Export Citation:
Assignee:
Toppan Printing Co., Ltd.
International Classes:
H01L21/336; G02F1/1368; H01L21/316; H01L21/762; H01L29/786