Title:
半導体装置及びその製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2012074131
Kind Code:
A1
Abstract:
少ない工程数で製造することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。半導体装置は、抵抗変化素子と、第１層間絶縁膜と、第１層間絶縁膜より上方に形成された第２層間絶縁膜と、少なくとも一部が第１層間絶縁膜中に形成されている第１配線と、第１層間絶縁膜と第２層間絶縁膜の間に介在し、第２層間絶縁膜加工時にエッチング停止層として機能するバリア絶縁膜と、少なくとも一部が第２層間絶縁膜中に形成されている導電材と、を備える。抵抗変化素子は、第１配線の一部と兼用の下部電極と、バリア絶縁膜の層に形成され、第１配線と電気的に接続されている抵抗変化層と、バリア絶縁膜の層に形成され、抵抗変化層及び導電材と電気的に接続されている上部電極と、を有する。上部電極の上面とバリア絶縁膜の上面とは同一面を形成する。
Inventors:
Naoki Banno
Munehiro Tada
Toshiji Sakamoto
Munehiro Tada
Toshiji Sakamoto
Application Number:
JP2012546970A
Publication Date:
May 19, 2014
Filing Date:
December 05, 2011
Export Citation:
Assignee:
NEC
International Classes:
H01L45/00; H01L21/3205; H01L21/768; H01L21/82; H01L23/522; H01L27/105; H01L49/00
Domestic Patent References:
| JP2006294970A | 2006-10-26 | |||
| JP2009246085A | 2009-10-22 |
Foreign References:
| WO2010079829A1 | 2010-07-15 | |||
| WO2010079827A1 | 2010-07-15 |
Attorney, Agent or Firm:
Kato Asamichi