Title:
光電変換素子
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2014157521
Kind Code:
A1
Abstract:
第1導電型の半導体上に設けられた水素化アモルファスシリコンを含有する真性層と、真性層の一部を被覆する第1導電型の水素化アモルファスシリコンを含有する第1導電型層と、第2導電型の水素化アモルファスシリコンを含有する第2導電型層と、絶縁層とを備え、第1電極は、第2導電型層を介して、第1導電型層上に設けられているとともに、第1電極の少なくとも一部が第1導電型層と真性層とが接する領域の上方に位置しており、第2電極の少なくとも一部が第2導電型層と真性層とが接する領域の上方に位置している光電変換素子である。
Inventors:
Kenji Kimoto
Application Number:
JP2015508697A
Publication Date:
February 16, 2017
Filing Date:
March 27, 2014
Export Citation:
Assignee:
Sharp Corporation
International Classes:
H01L31/0747; H01L31/0224
Foreign References:
WO2011105554A1 | 2011-09-01 | |||
WO2010113750A1 | 2010-10-07 | |||
WO2011093329A1 | 2011-08-04 | |||
US20020182801A1 | 2002-12-05 | |||
GB2503513A | 2014-01-01 |
Attorney, Agent or Firm:
Fukami patent office
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