Title:
ｎ型有機半導体薄膜の製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2014203887
Kind Code:
A1
Abstract:
式（１）で表されるフラーレン誘導体を含む溶液を基材に塗布し、４５０℃以上で焼成してｎ型有機半導体薄膜を製造することで、好適なイオン化ポテンシャルを有するとともに、成膜面に微小な凹凸や細孔を有するｎ型有機半導体薄膜が得られる。（式中、Ｒ1〜Ｒ5は、それぞれ独立して、水素原子、糖基、または糖基の任意の水酸基が置換基によって置換された糖基である置換糖基を表し、Ｒ6は、炭素数１〜５のアルキル基を表す。ただし、Ｒ1〜Ｒ5のうちの少なくとも１つは、前記糖基または置換糖基である。）
Inventors:
Naoki Otani
Application Number:
JP2015522928A
Publication Date:
February 23, 2017
Filing Date:
June 17, 2014
Export Citation:
Assignee:
Nissan Chemical Industry Co., Ltd.
International Classes:
H01L21/368; H01L51/48
Domestic Patent References:
| JP2011258944A | 2011-12-22 | |||
| JP2008034764A | 2008-02-14 | |||
| JP2013216638A | 2013-10-24 |
Foreign References:
| WO2009084078A1 | 2009-07-09 | |||
| WO2010055898A1 | 2010-05-20 | |||
| WO2011136800A1 | 2011-11-03 |
Other References:
HARALD HOPPE ET AL.: "Nanoscale Morphology of Conjugated Polymer/Fullerene-Based Bulk-Heterojunction Solar Cells", ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, vol. 14, no. 10, JPN6017016589, 18 October 2004 (2004-10-18), US, pages 1005 - 1011, XP001211440, ISSN: 0003555108, DOI: 10.1002/adfm.200305026
Attorney, Agent or Firm:
Takashi Kojima
Saori Shigematsu
Katsunari Kobayashi
Takeshi Ishikawa
Katsuhiko Masaki
Saori Shigematsu
Katsunari Kobayashi
Takeshi Ishikawa
Katsuhiko Masaki
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