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Title:
半導体装置の製造方法、基板処理装置及び記録媒体
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2015140933
Kind Code:
A1
Abstract:
処理室内の基板に対して酸化剤を先行して供給する工程と、処理室内の基板に対して酸化剤と原料とを同時に供給する工程とを、それらの間に前記処理室内のパージを挟むことなく連続的に行う工程と、処理室内の基板に対する酸化剤と原料との供給を停止して処理室内をパージする工程と、パージ後の処理室内の基板に対して酸化剤を供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行う。

Inventors:
Takuro Ushida
Kamakura Tsukasa
Yoji Ashihara
Kimihiko Nakatani
Application Number:
JP2016508375A
Publication Date:
April 06, 2017
Filing Date:
March 18, 2014
Export Citation:
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Assignee:
Hitachi Kokusai Electric Co., Ltd.
International Classes:
H01L21/316; C23C16/40; C23C16/455; H01L21/31
Domestic Patent References:
JP2004023042A2004-01-22
JP2004296814A2004-10-21
JP2009239246A2009-10-15
Foreign References:
WO2007043709A12007-04-19
WO2010050291A12010-05-06



 
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