Title:
半導体装置、および半導体装置の作製方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2019048987
Kind Code:
A1
Abstract:
微細化または高集積化が可能な半導体装置を提供する。第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、容量、および第１乃至第３の導電体を有し、第１のトランジスタは、第１のゲート、ソース、およびドレインを有し、第２のトランジスタは、第２のゲート、第２のゲート上の第３のゲート、および第１および第２の低抵抗領域を有し、かつ第２のゲートと第３のゲートの間に挟まれた酸化物を有し、容量は、第１の電極、第２の電極、およびこれらに挟まれた絶縁体を有し、第１の低抵抗領域は、第１のゲートと重畳し、第１の導電体は、第１のゲートと電気的に接続し、かつ、第１の低抵抗領域の底面と接続し、容量は、第１の低抵抗領域と重畳し、容量の第１の電極は、第１の低抵抗領域と電気的に接続し、第２の導電体は、ドレインと電気的に接続し、第３の導電体は、第２の導電体と重畳し、かつ、第２の導電体、および第２の低抵抗領域の側面と接続する。
Inventors:
Takanori Matsuzaki
Yoshinobu Asami
Daisuke Matsubayashi
Tatsuya Onuki
Yoshinobu Asami
Daisuke Matsubayashi
Tatsuya Onuki
Application Number:
JP2019540137A
Publication Date:
October 15, 2020
Filing Date:
August 29, 2018
Export Citation:
Assignee:
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
International Classes:
H01L21/8242; H01L21/336; H01L21/8234; H01L27/06; H01L27/088; H01L27/108; H01L27/1156; H01L29/786
Domestic Patent References:
| JP2017135378A | 2017-08-03 | |||
| JP2001053164A | 2001-02-23 | |||
| JP2017139047A | 2017-08-10 | |||
| JP2017034249A | 2017-02-09 |