Title:
半導体装置
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2019163102
Kind Code:
A1
Abstract:
半導体装置のＥＳＤ保護ダイオードは、半導体基板（１２）と、半導体基板（１２）上に形成され、半導体材料を有し、それぞれ下端（１９ａ）及び上端（１９ｂ）を持つＶＮＷ（１９）を有するＶＮＷダイオード（１１）が複数集合したダイオード群（１０）と、ダイオード群（１０）の上方に形成され、各々のＶＮＷダイオード（１１）のＶＮＷ（１９）の上端（１９ｂ）と電気的に接続された導電層であるトッププレート（２４）とを備えており、ＶＮＷダイオード（１１）に大電流が流れても電流集中を抑制してＶＮＷダイオード（１１）の破壊を防止することができる半導体装置が実現する。
Inventors:
Hidetoshi Tanaka
Application Number:
JP2020501961A
Publication Date:
March 04, 2021
Filing Date:
February 23, 2018
Export Citation:
Assignee:
Socionext Inc.
International Classes:
H01L21/329; H01L21/28; H01L21/3205; H01L21/768; H01L21/822; H01L21/8234; H01L21/8238; H01L23/532; H01L27/04; H01L27/06; H01L27/088; H01L27/092; H01L29/866
Domestic Patent References:
| JPS61111574A | 1986-05-29 | |||
| JP2008505476A | 2008-02-21 | |||
| JPS4843077B1 | 1973-12-17 |
Foreign References:
| US20130207075A1 | 2013-08-15 |
Attorney, Agent or Firm:
Takayoshi Kokubun