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Title:
INSPECTING APPARATUS AND INSPECTING METHOD
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2009/072484
Kind Code:
A1
Abstract:
An inspecting apparatus (1) obtains a pixel from among pixels of a DMD element (31) for guiding light from a wafer (W) to detecting elements (36a, 36b, 36c), based on luminance information on Fourier image obtained by detection by a two-dimensional imaging element (33) when the inspecting apparatus is set to guide all the light from the wafer (W) to the two-dimensional imaging element (33) by having all the pixels (micro mirrors) of the DMD element (31) in the on-state. Then, the inspecting device brings the obtained pixel of the DMD element (31) into the off-state, reflects a part of the light from the wafer (W) by the pixel in the off-state and guides the light to the detecting elements (36a, 36b, 36c).

Inventors:
YOSHIKAWA TORU (JP)
Application Number:
PCT/JP2008/071851
Publication Date:
June 11, 2009
Filing Date:
December 02, 2008
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Assignee:
NIKON CORP (JP)
YOSHIKAWA TORU (JP)
International Classes:
G01N21/956; G01B11/24; G01B11/245; H01L21/66
Foreign References:
JPH10504905A1998-05-12
JP2005535869A2005-11-24
JP2008116405A2008-05-22
JP2006227198A2006-08-31
Attorney, Agent or Firm:
OHNISHI, Shogo (HIGASHI-IKEBUKURO SS BUILDING 1F 3-20-3, Higashi-Ikebukuro, Toshima-k, Tokyo 13, JP)
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Claims:
 被検基板の表面に照明光を照射する照明部と、
 複数の光路切替素子を有し、前記複数の光路切替素子のそれぞれの反射方向を一方向と他方向とに切替可能な光路切替部と、
 前記光路切替素子が前記一方向に向いているときに、前記照明光が照射された前記被検基板からの光を検出可能な2次元イメージセンサと、
 前記光路切替素子が前記他方向に向いているときに、前記照明光が照射された前記被検基板からの光を検出可能な光センサと、
 前記光路切替部の作動を制御する制御部と、
 前記光センサで検出して得られる情報に基づいて、前記被検基板の表面を検査する検査部とを備え、
 前記制御部は、前記光路切替素子を前記一方向に向けて、前記2次元イメージセンサで検出して得られる情報に基づいて前記2次元イメージセンサの検出領域のうち前記検査に適する部分を求め、前記求めた前記検査に適する部分に対応する前記光路切替素子を前記他方向に向ける制御を行い、
 前記検査部は、前記検査に適する部分に対応する前記光路切替素子が前記他方向に向いた状態での前記光センサで検出して得られる情報に基づいて、前記検査を行うことを特徴とする検査装置。
 前記照明光は、繰り返しパターンを有する前記被検基板の表面に照射される直線偏光であり、
 前記2次元イメージセンサおよび前記光センサは、前記被検基板からの光のうち前記直線偏光と偏光方向が略直交する直線偏光成分を検出することを特徴とする請求項1に記載の検査装置。
 前記照明部は、落射照明により前記照明光を前記被検基板の表面に照射することを特徴とする請求項2に記載の検査装置。
 前記2次元イメージセンサで検出して得られる情報は、前記2次元イメージセンサで検出して得られたフーリエ画像における輝度情報であることを特徴とする請求項1から請求項3のうちいずれか一項に記載の検査装置。
 前記光路切替素子から前記光センサへ導かれる光を複数の波長毎に分光する分光プリズムを備え、
 前記光センサは、前記分光プリズムによって分光された前記複数の波長毎に設けられることを特徴とする請求項1から請求項4のうちいずれか一項に記載の検査装置。
 前記複数の光路切替素子は、デジタルマイクロミラーデバイスを構成する複数のマイクロミラーであることを特徴とする請求項1から請求項5のうちいずれか一項に記載の検査装置。
 被検基板の表面に照明光を照射する照明部と、
 複数の光路切替素子を有し、前記複数の光路切替素子のそれぞれの反射方向を一方向と他方向とに切替可能な光路切替部と、
 前記光路切替素子が前記一方向に向いているときに、前記照明光が照射された前記被検基板からの光を検出可能な2次元イメージセンサと、
 前記光路切替素子が前記他方向に向いているときに、前記照明光が照射された前記被検基板からの光を検出可能な光センサとを備えた検査装置により、前記被検基板の表面を検査する検査方法であって、
 前記光路切替素子を前記一方向に向け、前記2次元イメージセンサで検出して得られる情報に基づいて前記2次元イメージセンサの検出領域のうち前記検査に適する部分を求める第1のステップと、
 前記第1のステップで求めた前記検査に適する部分に対応する前記光路切替素子を前記他方向に向け、前記光センサで検出して得られる情報に基づいて前記検査を行う第2のステップとを有することを特徴とする検査装置。
 前記照明光は、繰り返しパターンを有する前記被検基板の表面に照射される直線偏光であり、
 前記2次元イメージセンサおよび前記光センサは、前記被検基板からの光のうち前記直線偏光と偏光方向が略直交する直線偏光成分を検出することを特徴とする請求項7に記載の検査方法。
 落射照明により前記照明光を前記被検基板の表面に照射することを特徴とする請求項8に記載の検査方法。
 前記2次元イメージセンサで検出して得られる情報は、前記2次元イメージセンサで検出して得られたフーリエ画像における輝度情報であることを特徴とする請求項7から請求項9のうちいずれか一項に記載の検査方法。
 前記第1のステップにおいて、前記被検基板の表面状態の変化に基づく前記検出する光の輝度変化が大きい部分を前記検査に適する部分とすることを特徴とする請求項7から請求項10のうちいずれか一項に記載の検査方法。
 前記第2のステップにおいて、前記光路切替素子から前記光センサへ導かれる光を複数の波長毎に分光するサブステップを有し、
 前記サブステップにより前記複数の波長毎に分光された光をそれぞれ、前記光センサで検出することを特徴とする請求項7から請求項11のうちいずれか一項に記載の検査方法。
 前記複数の光路切替素子は、デジタルマイクロミラーデバイスを構成する複数のマイクロミラーであることを特徴とする請求項7から請求項12のうちいずれか一項に記載の検査方法。
 被検基板の表面に照明光を照射する照明部と、
 前記照明光が照射された前記被検基板のフーリエ画像を検出可能な2次元イメージセンサと、
 前記フーリエ画像の一部分の輝度を検出し、他の部分を検出しない選択検出部と、
 前記選択検出部の作動を制御する制御部と、
 前記選択検出部で検出して得られる情報に基づいて、前記被検基板の表面を検査する検査部とを備え、
 前記制御部は、前記2次元イメージセンサで検出して得られた前記フーリエ画像の情報に基づいて、前記選択検出部が検出する前記一部分を選択することを特徴とする検査装置。
Description:
検査装置および検査方法

 本発明は、半導体素子や液晶表示素子等 製造過程において、被検基板の表面に形成 れたパターンを検出する検査装置および検 方法に関する。

 従来、半導体ウェハや液晶ガラス基板等 被検基板の表面に形成されたパターンから 生する反射光を利用して、基板表面のムラ 傷等の欠陥を検査する装置が種々提案され いる(例えば、特許文献1を参照)。特に、近 では半導体プロセスの微細化に伴って、被 基板の欠陥管理にもより高い精度が求めら ている。

 例えば、被検基板のパターン幅の測定をSEM 行った場合、測定精度は高いが、観察倍率 高く何点かをサンプリングして測定を行う め、測定に膨大な時間がかかってしまう。 こで、光源から射出された所定波長の光を 光子および対物レンズを介して落射照明に り被検基板の表面に照射し、当該照明によ 被検基板からの反射光を、対物レンズおよ 、偏光子とクロスニコルの条件を満足する 光子を介して得た画像を用いて評価する方 が提案されている。

特開2000-155099号公報

 しかしながら、上述のような方法では、 検基板からの反射光は非常に微弱であり、 検基板によっては画像を得るために長い露 時間が必要になってしまう。

 本発明は、このような問題に鑑みてなさ たものであり、高い感度で高速に検査を行 ことが可能な検査装置および検査方法を提 することを目的とする。

 このような目的達成のため、本発明に係 検査装置は、被検基板の表面に照明光を照 する照明部と、複数の光路切替素子を有し 前記複数の光路切替素子のそれぞれの反射 向を一方向と他方向とに切替可能な光路切 部と、前記光路切替素子が前記一方向に向 ているときに、前記照明光が照射された前 被検基板からの光を検出可能な2次元イメー ジセンサと、前記光路切替素子が前記他方向 に向いているときに、前記照明光が照射され た前記被検基板からの光を検出可能な光セン サと、前記光路切替部の作動を制御する制御 部と、前記光センサで検出して得られる情報 に基づいて、前記被検基板の表面を検査する 検査部とを備え、前記制御部は、前記光路切 替素子を前記一方向に向けて、前記2次元イ ージセンサで検出して得られる情報に基づ て前記2次元イメージセンサの検出領域のう 前記検査に適する部分を求め、前記求めた 記検査に適する部分に対応する前記光路切 素子を前記他方向に向ける制御を行い、前 検査部は、前記検査に適する部分に対応す 前記光路切替素子が前記他方向に向いた状 での前記光センサで検出して得られる情報 基づいて、前記検査を行うようになってい 。

 なお、上述の検査装置において、前記照 光は、繰り返しパターンを有する前記被検 板の表面に照射される直線偏光であり、前 2次元イメージセンサおよび前記光センサは 、前記被検基板からの光のうち前記直線偏光 と偏光方向が略直交する直線偏光成分を検出 することが好ましい。

 またこのとき、前記照明部は、落射照明 より前記照明光を前記被検基板の表面に照 することが好ましい。

 また、上述の検査装置において、前記2次 元イメージセンサで検出して得られる情報は 、前記2次元イメージセンサで検出して得ら たフーリエ画像における輝度情報であるこ が好ましい。

 また、上述の検査装置において、前記光 切替素子から前記光センサへ導かれる光を 数の波長毎に分光する分光プリズムを備え 前記光センサは、前記分光プリズムによっ 分光された前記複数の波長毎に設けられる とが好ましい。

 また、上述の検査装置において、前記複 の光路切替素子は、デジタルマイクロミラ デバイスを構成する複数のマイクロミラー あることが好ましい。

 また、本発明に係る検査方法は、被検基 の表面に照明光を照射する照明部と、複数 光路切替素子を有し、前記複数の光路切替 子のそれぞれの反射方向を一方向と他方向 に切替可能な光路切替部と、前記光路切替 子が前記一方向に向いているときに、前記 明光が照射された前記被検基板からの光を 出可能な2次元イメージセンサと、前記光路 切替素子が前記他方向に向いているときに、 前記照明光が照射された前記被検基板からの 光を検出可能な光センサとを備えた検査装置 により、前記被検基板の表面を検査する検査 方法であって、前記光路切替素子を前記一方 向に向け、前記2次元イメージセンサで検出 て得られる情報に基づいて前記2次元イメー センサの検出領域のうち前記検査に適する 分を求める第1のステップと、前記第1のス ップで求めた前記検査に適する部分に対応 る前記光路切替素子を前記他方向に向け、 記光センサで検出して得られる情報に基づ て前記検査を行う第2のステップとを有して る。

 なお、上述の検査方法において、前記照 光は、繰り返しパターンを有する前記被検 板の表面に照射される直線偏光であり、前 2次元イメージセンサおよび前記光センサは 、前記被検基板からの光のうち前記直線偏光 と偏光方向が略直交する直線偏光成分を検出 することが好ましい。

 またこのとき、落射照明により前記照明 を前記被検基板の表面に照射することが好 しい。

 また、上述の検査方法において、前記2次 元イメージセンサで検出して得られる情報は 、前記2次元イメージセンサで検出して得ら たフーリエ画像における輝度情報であるこ が好ましい。

 また、上述の検査方法では、前記第1のス テップにおいて、前記被検基板の表面状態の 変化に基づく前記検出する光の輝度変化が大 きい部分を前記検査に適する部分とすること が好ましい。

 また、上述の検査方法では、前記第2のス テップにおいて、前記光路切替素子から前記 光センサへ導かれる光を複数の波長毎に分光 するサブステップを有し、前記サブステップ により前記複数の波長毎に分光された光をそ れぞれ、前記光センサで検出することが好ま しい。

 また、上述の検査方法において、前記複 の光路切替素子は、デジタルマイクロミラ デバイスを構成する複数のマイクロミラー あることが好ましい。

 また、第2の本発明に係る検査装置は、被 検基板の表面に照明光を照射する照明部と、 前記照明光が照射された前記被検基板のフー リエ画像を検出可能な2次元イメージセンサ 、前記フーリエ画像の一部分の輝度を検出 、他の部分を検出しない選択検出部と、前 選択検出部の作動を制御する制御部と、前 選択検出部で検出して得られる情報に基づ て、前記被検基板の表面を検査する検査部 を備え、前記制御部は、前記2次元イメージ ンサで検出して得られた前記フーリエ画像 情報に基づいて、前記選択検出部が検出す 前記一部分を選択するようになっている。

 本発明によれば、高い感度で高速に検査 行うことが可能になる。

本発明に係る検査装置の概要図である ウェハへの照明光の入射角度と瞳内で 結像位置との関係を示す説明図である。 2次元撮像素子とDMD素子との画素対応テ ーブルの作成方法を示すフローチャートであ る。 パターンの変化に対して感度の高い領 の決定方法を示すフローチャートである。 高い感度で高速にパターンの変化を検 する方法を示すフローチャートである。 フーリエ画像を領域分割した状態の一 を示す図である。 輝度データの抽出状態を示す模式図で る。 フーリエ画像におけるRの階調差の分布 状態を示す図である。 フーリエ画像におけるGの階調差の分布 状態を示す図である。 フーリエ画像におけるBの階調差の分 状態を示す図である。 検査装置の変形例を示す概要図である 。 感度の高い領域の決定方法の変形例を 示すフローチャートである。

符号の説明

  W ウェハ(被検物)
  1 検査装置
 10 照明光学系(照明部)
 17 偏光子
 20 検出光学系
 21 検光子
 30 撮像部
 31 DMD素子(光路切替素子)
 33 2次元撮像素子(2次元イメージセンサ)
 35 分光プリズム
 36a 第1の検出素子(光学センサ)
 36b 第2の検出素子(光学センサ)
 36c 第3の検出素子(光学センサ)
 40 制御ユニット
 43 CPU(制御部等)

 以下、図面を参照して本発明の好ましい 施形態について説明する。本発明に係る検 装置を図1に示している。本実施形態の検査 装置1は、図1に示すように、ウェハステージ5 と、対物レンズ(100倍)6と、ハーフミラー7と 照明光学系10と、検出光学系20と、撮像部30 、制御ユニット40とを主体に構成される。

 ウェハステージ5には、パターン(繰り返 パターン)の形成面を上にした状態で被検基 である半導体ウェハW(以下、ウェハWと称す )が載置される。このウェハステージ5は、 いに直交するx,y,z軸の3方向へ移動可能に構 されている(なお、図1の上下方向をz軸方向 する)。これにより、ウェハステージ5は、ウ ェハWをx,y,z軸方向へ移動可能に支持すること ができる。また、ウェハステージ5は、z軸を 心に回転できるように構成されている。

 照明光学系10は、図1の左側から右側へ向 て配置順に、光源11(例えば、白色LEDやハロ ンランプ等)と、集光レンズ12と、照度均一 ユニット13と、開口絞り14と、視野絞り15と コリメータレンズ16と、着脱可能な偏光子17 (偏光フィルタ)とを有して構成される。

 ここで、照明光学系10の光源11から放出さ れた光は、集光レンズ12および照度均一化ユ ット13を介して、開口絞り14および視野絞り 15に導かれる。照度均一化ユニット13は、照 光を散乱し、光量分布を均一化する。また 干渉フィルタを含めることもできる。開口 り14および視野絞り15は、照明光学系10の光 に対して開口部の大きさおよび位置が変更 能に構成されている。したがって、照明光 系10では、開口絞り14および視野絞り15の操 によって、照明領域の大きさおよび位置の 更と、照明の開口角の調整とを行うことが きる。そして、開口絞り14および視野絞り15 通過した光は、コリメータレンズ16でコリ ートされた後に偏光子17を通過してハーフミ ラー7に入射する。

 ハーフミラー7は、照明光学系10からの光 下方に反射して対物レンズ6に導く。これに より、対物レンズ6を通過した照明光学系10か らの光でウェハWが落射照明される。一方、 ェハWに落射照明された光は、ウェハWで反射 して再び対物レンズ6に戻り、ハーフミラー7 透過して検出光学系20に入射することがで る。

 検出光学系20は、図1の下側から上側に向 て配置順に、着脱可能な検光子21(偏光フィ タ)と、レンズ22と、ハーフプリズム23と、 ルトランレンズ24と、視野絞り25とを有して 成される。検光子21は、照明光学系10の偏光 子17に対してクロスニコルの状態(偏光方向が 直交する状態)となるように配置されている 照明光学系10の偏光子17と検出光学系20の検 子21とはクロスニコルの条件を満たすので、 ウェハWのパターンで偏光主軸が回転しない り、検出光学系20で検出される光量は零に近 くなる。

 ハーフプリズム23は入射光束を二方向に 岐させる。ハーフプリズム23を通過する一方 の光束は、ベルトランレンズ24を介して視野 り25にウェハWの像を結像させるとともに、 物レンズ6の瞳面の像を撮像部30のDMD(デジタ ル・マイクロミラー・デバイス)素子31に投影 させる。撮像部30の2次元撮像素子33はDMD素子3 1と共役であるため、2次元撮像素子33の撮像 に対物レンズ6の瞳面上の輝度分布が再現さ て、2次元撮像素子33によりフーリエ変換さ たウェハWの画像(フーリエ画像)を撮像する とが可能である。なお、視野絞り25は、検 光学系20の光軸に対して垂直方向の面内で開 口形状を変化させることができる。そのため 、視野絞り25の操作によって、ウェハWの任意 の領域での情報を2次元撮像素子33が検出でき るようになる。なお、ハーフプリズム23を通 する他方の光束は、フーリエ変換されてい い画像を撮像するための第2の撮像部50に導 れる。

 ここで、本実施形態の欠陥検査でフーリ 画像(すなわち、対物レンズ6の瞳面の像)を 像するのは以下の理由による。欠陥検査に いてウェハWのパターンをそのまま撮像した 画像を用いると、パターンのピッチが検査装 置の分解能以下のときには、パターンの欠陥 を光学的に検出できなくなる。一方、フーリ エ画像では、ウェハWのパターンに欠陥があ と反射光の対称性が崩れ、構造性複屈折に りフーリエ画像の光軸に対して直交する部 同士の輝度や色などに変化が生じる。その め、パターンのピッチが検査装置の分解能 下のときでも、フーリエ画像における上記 変化を検出することでパターンの欠陥検出 可能になる。

 さらに、図2を参照しつつ、ウェハWへの 明光の入射角度と瞳面内での結像位置との 係を説明する。図2の破線で示すように、ウ ハWへの照明光の入射角度が0°のときには、 瞳上の結像位置は瞳中心となる。一方、図2 実線で示すように、入射角度が64°(NA=0.9相当 )のときには、瞳上の結像位置は瞳の外縁部 なる。すなわち、ウェハWへの照明光の入射 度は、瞳上では瞳内の半径方向の位置に対 する。また、瞳内の光軸から同一半径内の 置に結像する光は、ウェハWに同一角度で入 射した光である。

 撮像部30は、図1に示すように、DMD(Digital  MicromirrorDevice)素子31と、レンズ32と、2次元撮 素子33と、反対側に設けられたレンズ34と、 分光プリズム35と、3つの検出素子36a,36b,36cと 有して構成される。DMD素子31は、平面上に ぶ複数の可動式マイクロミラー(図示せず)を 有して構成される。DMD素子31のマイクロミラ は、電気駆動することにより、ON状態のと には検出光学系20からの光が2次元撮像素子31 の方へ反射するように傾斜し、OFF状態のとき には検出光学系20からの光が検出素子36a,36b,36 c(分光プリズム35)の方へ反射するように傾斜 る。

 そのため、ON状態のマイクロミラーで反 した検出光学系20からの光は、レンズ32(アオ リ光学系)を通って2次元撮像素子33の撮像面 導かれる。一方、OFF状態のマイクロミラー 反射した検出光学系20からの光は、レンズ34( アオリ光学系)を通って、分光プリズム35でR( 色)、G(緑色)、B(青色)の光に分光された後、 それぞれ3つの検出素子36a,36b,36cに導かれる。

 2次元撮像素子33は、ベイヤ配列のカラー ィルタアレイを有するCCDやCMOS等であり、前 述のフーリエ画像を撮像する。また、3つの 出素子36a,36b,36cは、フォトダイオードやアン バランシェ素子等であり、分光プリズム35に って分光されたR(赤色)、G(緑色)、B(青色)の をそれぞれ検出する。

 制御ユニット40は、フーリエ画像のデー を記録する記録部41と、入力インターフェー ス42と、各種の演算処理を実行するCPU43と、 ニタ44および操作部45とを有して構成され、 査装置1の統括的な制御を実行する。また、 記録部41、入力インターフェース42、モニタ44 および操作部45は、それぞれCPU43と電気的に 続されている。CPU43は、プログラムの実行に よってフーリエ画像を解析し、2次元撮像素 33で撮像されるフーリエ画像の中でパターン の変化に対して感度の高い領域を求める。ま た、入力インターフェース42は、記録媒体(図 示せず)を接続するコネクタや、外部のコン ュータ(図示せず)と接続するための接続端子 を有しており、記録媒体またはコンピュータ からデータの読み込みを行う。

 以上のように構成される検査装置1を用い てウェハWを検査する方法について、図3~図5 示すフローチャートを参照しながら説明す 。まず、図3に示すフローチャートを用いて 2次元撮像素子33とDMD素子31との画素対応テ ブルを作成する方法について説明する。画 対応テーブルの作成方法は、まず、ステッ S101において、照明光学系10の偏光子17と検出 光学系20の検光子21を光軸から外す。次に、 テップS102において、パターンのないウェハW をウェハステージ5により対物レンズ6の下方( 観察位置)に移動させる。

 次のステップS103において、照明光学系10 光源11を点灯させる。このとき、光源11から 放出された照明光は、集光レンズ12および照 均一化ユニット13を介して、開口絞り14およ び視野絞り15を通過し、コリメータレンズ16 コリメートされてハーフミラー7で反射した 、対物レンズ6を通ってウェハWに照射され 。そして、ウェハWからの反射光は、対物レ ズ6およびハーフミラー7を通過して検出光 系20に入射し、検出光学系20に入射した光は レンズ22、ハーフプリズム23、ベルトランレ ンズ24、および視野絞り25を通過し、撮像部30 のDMD素子31にフーリエ像が投影される。

 次のステップS104において、DMD素子31の1画 素(マイクロミラー)だけON状態にし、それ以 の画素(マイクロミラー)はOFF状態にする。そ うすると、ON状態の画素で反射した検出光学 20からの光は、レンズ32を通って2次元撮像 子33の撮像面に導かれる。

 次のステップS105において、2次元撮像素 33で撮像を行って、ON状態の画素(マイクロミ ラー)で反射した光を検出し、CPU43がON状態の 素で反射した光の撮像面上(2次元撮像素子33 )での画素位置を計算して求める。

 次のステップS106において、CPU43は、ステ プS105で求めた2次元撮像素子33の画素位置と 、そのときのDMD素子31の画素位置(マイクロミ ラーの位置)との関係を、記録部41の画素対応 テーブルに登録する。

 次のステップS107において、CPU43は、DMD素 31の全ての画素について測定が済んだか否 を判定する。判定がYesであれば、画素対応 ーブルの作成を終了し、判定がNoであればス テップS108へ進む。

 ステップS108では、DMD素子31のON状態にす 画素(マイクロミラー)を未だ測定が済んでい ない画素に変更し、ステップS105へ戻る。こ ようなシーケンスにより、2次元撮像素子33 画素とDMD素子31の画素との関係を画素対応テ ーブルに登録することができる。

 次に、図4に示すフローチャートを用いて 、2次元撮像素子33で撮像されるフーリエ画像 の中で、パターンの変化に対して感度の高い 領域を決定する方法について説明する。感度 の高い領域の決定方法は、まず、ステップS20 1において、照明光学系10の偏光子17と検出光 系20の検光子21を光軸上に挿入する。次に、 ステップS202において、DMD素子31の全ての画素 (マイクロミラー)をON状態にして、ウェハWか の光が全て2次元撮像素子33の方へ反射する うにする。次のステップS203において、照明 光学系10の光源11を点灯させる。

 次のステップS204において、繰り返しパタ ーンが形成されたウェハWをウェハステージ5 に載置し、ウェハW上の測定するパターン(1 ョットの一部分)をウェハステージ5により 物レンズ6の下方に移動させる。このとき、 光条件(ドーズおよびフォーカス)がそれぞ 異なる複数の同一形状のパターンを形成し ウェハWを使用する。

 そうすると、光源11から放出された照明 は、集光レンズ12および照度均一化ユニット 13を介して、開口絞り14および視野絞り15を通 過し、コリメータレンズ16でコリメートされ 後に偏光子17を通過してハーフミラー7で反 した後、対物レンズ6を通ってウェハWに照 される。そして、ウェハWからの反射光は、 物レンズ6およびハーフミラー7を通過して 出光学系20に入射し、検出光学系20に入射し 光は、検光子21、レンズ22、ハーフプリズム 23、ベルトランレンズ24、および視野絞り25を 通過し、撮像部30のDMD素子31にフーリエ像が 影される。このとき、DMD素子31の全ての画素 (マイクロミラー)がON状態であるので、DMD素 31で反射した光はレンズ32を通り、2次元撮像 素子33の撮像面にフーリエ像が投影される。

 そこで、次のステップS205において、2次 撮像素子33でフーリエ像を撮像し、撮像した フーリエ画像を記録部41に記録する。

 次のステップS206において、CPU43は、ウェ W上の必要な全てのパターンについて測定が 済んだか否かを判定する。判定がYesであれば ステップS207へ進み、判定がNoであればステッ プS204へ戻り、未だ測定が済んでいないパタ ン(別のショット)を対物レンズ6の下方に移 させてステップS205の撮像を行う。これによ 、記録部41には、同一形状のパターンにつ て露光条件が異なる複数のフーリエ画像の ラーデータが記録されることになる。

 ステップS207では、CPU43は、各フーリエ画像 ついて、フーリエ画像の各位置ごとにR(赤 )、G(緑色)、B(青色)の輝度データ(平均値)を れぞれ生成する。輝度データの求め方は、 ず、図6に示すように、フーリエ画像(例えば 1フレーム目のフーリエ画像FI 1 )を縦横等間隔に正方格子状の複数の分割領 Pに分割し、フーリエ画像の分割領域Pごとに 、RGBの輝度値の平均をそれぞれの色別に求め る。そして、この工程を各々のフーリエ画像 について行う。これにより、1フレーム目か nフレーム目までのフーリエ画像FI 1 ~FI n について、各フーリエ画像の分割領域Pごと 、R、G、Bの各色成分ごとの階調を示す輝度 ータがそれぞれ生成されることになる。

 次のステップS208において、図7に示すよう 同じ分割領域に注目し、CPU43は、同じ分割領 域におけるフーリエ画像FI 1 ~FI n 間での階調差を示す階調差データを、R、G、B の各色成分ごとに生成する。具体的には、フ ーリエ画像FI上の任意の分割領域をP m とすると、まず、各々のフーリエ画像FI 1 ~FI n について、分割領域P m での各色成分の輝度データ(ステップS207で求 たもの)をそれぞれ抽出する。次に、分割領 域P m に対応する輝度データの階調値のうちで、R G、Bの各色成分ごとの最大値と最小値とを抽 出し、抽出した最大値と最小値との差分値を 算出する。そして、これらの工程を全ての分 割領域について行う。これにより、フーリエ 画像の全ての分割領域について、分割領域P m におけるフーリエ画像間での階調差を示す階 調差データ(階調の最大値と最小値との差分 )が、R、G、Bの各色成分ごとに生成されるこ になる。

 そして、ステップS209において、CPU43は、 テップS208で求めた階調差データ(階調の最 値と最小値との差分値)に基づいて、フーリ 画像の分割領域うち、階調の最大値と最小 との差分値が最大となる色と分割領域を求 、当該分割領域を感度の高い領域と決定し そこを検出条件に決める。図8~図10は、フー リエ画像の各分割領域における階調差の分布 状態を色成分ごとに示した図である。図8~図1 0の例において、図10に示すBの階調差の左上 領域が最大感度の領域となる。このように れば、パターンの線幅やプロファイルの変 を感度よく検出するために、R、G、Bのどの を使い、フーリエ画像の中でどの分割領域 使用すればよいか決定することができる。

 上述のようにして、未知のパターンの変 を2次元撮像素子33で撮像した画像より検出 ることが可能になる。ところが、ウェハWか らの反射光は微弱であり、2次元撮像素子33の 露光時間が長くなってしまいスループットが 上がらない場合がある。

 そこで、図5に示すフローチャートを用い て、高い感度で高速にパターンの変化を検出 する方法について説明する。このパターンの 検出方法は、まず、ステップS301において、 明光学系10の偏光子17と検出光学系20の検光 21を光軸上に挿入する。

 次に、ステップS302において、CPU43は、ウ ハWからの反射光を各検出素子36a,36b,36cの方 導くためにON/OFFさせるDMD素子31の画素(マイ ロミラー)を決定する。具体的には、ステッ プS101~S108で求めた2次元撮像素子33とDMD素子31 の画素対応テーブルを参照して、ステップS 201~S209で求めた2次元撮像素子33上で感度の高 画素領域(分割領域)に対応するDMD素子31の画 素を求める。

 次のステップS303において、CPU43は、ステ プS302で求めた感度の高い画素領域(分割領 )に対応するDMD素子31の画素をOFF状態にして 検出素子36a,36b,36cの方へ導くように設定する とともに、他の画素をON状態にして2次元撮像 素子33の方へ導くように設定する。

 次のステップS304では、照明光学系10の光 11を点灯させる。次に、ステップS305におい 、検査するウェハWをウェハステージ5上に 置し、ウェハW上の検査するパターン(1ショ ト分)をウェハステージ5により対物レンズ6 下方に移動させる。

 そうすると、光源11から放出された照明 は、集光レンズ12および照度均一化ユニット 13を介して、開口絞り14および視野絞り15を通 過し、コリメータレンズ16でコリメートされ 後に偏光子17を通過してハーフミラー7で反 した後、対物レンズ6を通ってウェハWに照 される。そして、ウェハWからの反射光は、 物レンズ6およびハーフミラー7を通過して 出光学系20に入射し、検出光学系20に入射し 光は、検光子21、レンズ22、ハーフプリズム 23、ベルトランレンズ24、および視野絞り25を 通過し、撮像部30のDMD素子31に達する。この き、ウェハWのパターン変化に対して感度の い領域の反射光は、DMD素子31におけるOFF状 の画素(マイクロミラー)で反射してレンズ34 通り、分光プリズム35により、赤色の光は 1の検出素子36a、緑色の光は第2の検出素子36b 、青色の光は第3の検出素子36cへ導かれる。

 そして、ステップS306において、CPU43は、 検出素子36a,36b,36cによりDMD素子31から導かれ た感度の高い反射光を検出し、その検出信号 から反射光の輝度(光量)を測定して(輝度変化 から)ウェハW上のパターンの変化(すなわち、 パターンの欠陥)を検出する。このとき、前 したように、各検出素子36a,36b,36cにフォトダ イオードやアバランシェ素子等を使用するこ とで、ウェハWからの反射光に応じた微弱信 を高速に電気信号(検出信号)に変換すること ができ(例えば、CCDで100ms程度なのに対し、ア バランシェ素子で数ms程度)、ウェハW上のパ ーンの状態(変化)を高速に検出することがで きる。なお、図8~図10の例では、第3の検出素 36cで検出した青色の光を用いることになる また、DMD素子31の画素(マイクロミラー)は、 ON状態の方が位置精度が高いのにもかかわら 、OFF状態のときに各検出素子36a,36b,36cの方 導くように設定しているが、レンズ34を縮小 レンズにすることで、OFF状態のときの反射方 向にズレが生じても許容範囲内とすることが できる。

 このように、本実施形態によれば、2次元 の輝度情報(位置)を高精度で検出することが きる2次元撮像素子33と、光(輝度情報)を高 で検出することができる各検出素子36a,36b,36c と、DMD素子31とを組み合わせて使用すること より、ウェハ製造の各工程毎に最適な条件 、ウェハWの表面に形成されたパターンを高 い感度で高速に検査することができる。

 このとき、2次元撮像素子33および各検出 子36a,36b,36cが、ウェハWからの光のうち直線 光である照明光と偏光方向が略直交する直 偏光成分を検出するようにすることで、い ゆるクロスニコルの状態となって構造性複 折を利用した感度の高い検査が可能になる なお、偏光子17と検光子21の偏光方向は、90 (クロスニコルの状態)に限らず、検査対象の パターンで発生する構造性複屈折による楕円 偏光の回転に合わせて微調整してもよい。

 またこのとき、落射照明によりウェハWの 表面を照明することで、装置の大きさを小型 にすることができる。

 また、前述したように、2次元撮像素子33 より得られる2次元の輝度情報は、フーリエ 画像における輝度情報であることが好ましく 、このようにすれば、パターンのピッチが検 査装置の分解能以下のときでもパターンの欠 陥検出が可能になる。

 また、前述したように、各検出素子36a,36b ,36cは、分光プリズム35によって分光された複 数の波長(すなわち、赤色、緑色、および青 の光)毎に設けられることが好ましく、この うにすれば、波長毎に感度の高い領域を検 してより感度の高い検査が可能になる。

 また、ウェハWからの光の進む方向を切り 替える光路切替素子として、複数のマイクロ ミラーを備えたDMD素子31を用いることが好ま く、これにより、ウェハWからの光の進む方 向を画素単位の微小な領域ごとに切り替える ことが可能になる。

 なお、上述の実施形態において、ステッ S302で求めた感度の高い画素領域(分割領域) 対応するDMD素子31の画素をOFF状態にして各 出素子36a,36b,36cの方へ導くように設定すると ともに、他の画素をON状態にして2次元撮像素 子33の方へ導くように設定しているが、これ 限られるものではない。例えば、図11に示 ように、DMD素子31とレンズ32との間にハーフ リズム38を配置し、DMD素子31から2次元撮像 子33へ向かう光の一部をハーフプリズム38か レンズ34および分光プリズム35を介して各検 出素子36a,36b,36cへ導くようにしてもよい。こ 場合、ステップS303において、CPU43は、ステ プS302で求めた感度の高い画素領域(分割領 )に対応するDMD素子31の画素をON状態にして2 元撮像素子33および各検出素子36a,36b,36cの方 導くように設定するとともに、他の画素をO FF状態にして各検出素子36a,36b,36cの方へ導か いように設定する。これにより、DMD素子31の 画素をより位置精度の高いON状態にしてウェ Wからの光を各検出素子36a,36b,36cの方へ導く とができる。

 また、上述の実施形態において、ウェハW の欠陥検査を行う検査装置1を例に説明を行 たが、被検物はウェハWに限られず、例えば 晶ガラス基板であっても構わない。

 また、上述の実施形態において、階調差 ータ(階調の最大値と最小値との差分値)に づいて、パターンの変化に対して感度の高 領域を決定しているが、これに限られるも ではない。そこで、図12に示すフローチャー トを用いて、感度の高い領域の決定方法の変 形例について説明する。この方法は、上述の 実施形態の場合と同様に、露光条件(ドーズ よびフォーカス)がそれぞれ異なる複数の同 形状のパターンを形成したウェハWを用いて 、各々のパターンのフーリエ画像とパターン 毎の線幅のデータとに基づいて、パターンの 変化に対して感度の高い領域を決定するもの である。なお、上記のパターンに対応する線 幅のデータは、例えば、スキャトロメータや 走査型電子顕微鏡(SEM)等の線幅測定器で測定 たものを利用し、これら線幅のデータ群は め入力インターフェース42より入力して記 部41に記録されているものとする。

 まず、前述の実施形態の場合と同様に、 テップS251において、照明光学系10の偏光子1 7と検出光学系20の検光子21を光軸上に挿入す 。次に、ステップS252において、DMD素子31の ての画素(マイクロミラー)をON状態にして、 ウェハWからの光が全て2次元撮像素子33の方 反射するようにする。次のステップS253にお て、照明光学系10の光源11を点灯させる。

 次のステップS254において、露光条件(ド ズおよびフォーカス)がそれぞれ異なる複数 同一形状のパターンを形成したウェハWをウ ェハステージ5上に載置し、ウェハW上の測定 るパターン(1ショットの一部分)をウェハス ージ5により対物レンズ6の下方に移動させ 。次のステップS255において、2次元撮像素子 33でフーリエ像を撮像し、撮像したフーリエ 像を記録部41に記録する。

 次のステップS256において、CPU43は、ウェ W上の全てのパターンについて測定が済んだ か否かを判定する。判定がYesであればステッ プS257へ進み、判定がNoであればステップS254 戻り、未だ測定が済んでいないパターン(別 ショット)を対物レンズ6の下方に移動させ ステップS255の撮像を行う。

 ステップS257において、CPU43は、上述の実 形態の場合と同様に、各フーリエ画像につ て、フーリエ画像の分割領域ごとにR(赤色) G(緑色)、B(青色)の輝度データ(平均値)をそ ぞれ生成する。

 さて、次のステップS258では、同じ分割領域 に注目し、CPU43は、各フーリエ画像FI 1 ~FI n の同じ分割領域における階調値とパターンの 線幅との変化率を示す近似式を、R、G、Bの各 色成分ごとに求める。具体的には、フーリエ 画像FI上の任意の分割領域をP m とすると、まず、各々のフーリエ画像FI 1 ~FI n に対応するパターンの線幅のデータを記録部 41から読み出す。またこのとき、各々のフー エ画像FI 1 ~FI n について、分割領域P m での各色成分の輝度データ(ステップS257で求 たもの)をそれぞれ抽出する。次に、各々の フーリエ画像FI 1 ~FI n ごとに、パターンの線幅と分割領域P m での輝度データの階調値との対応関係を求め る。

 続いて、パターンの線幅と分割領域P m での階調値との対応関係に基づいて、最小二 乗法により分割領域P m での階調値とパターンの線幅との変化率を示 す近似式を求める。ここで、各々のフーリエ 画像FI 1 ~FI n に対応するパターンの線幅をyとし、分割領 P m でのB(あるいはRもしくはG)の階調値をxとし、 傾きをaとし、y切片をbとすると、近似式は次 の(1)式で表わされる。

 y=ax+b   …(1)

 なお、係数aの絶対値は、パターンの線幅 の変化に対する階調変化の逆数(すなわち、 ターンの変化に対する検出感度の逆数)に相 する。すなわち、上記の係数aの絶対値が小 さくなると、線幅の差が同じでもフーリエ画 像の階調変化が大きくなるので、パターンの 変化に対する検出感度がより高くなる。そし て、これらの工程を全ての分割領域について 、R、G、Bの各色成分ごとに行う。

 次に、ステップS259において、CPU43は、フー エ画像上の各分割領域において、ステップS 258で得た近似式とパターンの線幅との相関誤 差をR、G、Bの各色成分ごとに求める。具体的 には、各々のフーリエ画像FI 1 ~FI n に対応するパターンの線幅と、近似式を用い て算出されるパターンの線幅との偏差のデー タを、R、G、Bの各色成分ごとに算出し、算出 した偏差のデータから各分割領域の色成分ご とに標準偏差を算出し、その値を相関誤差と する。

 そして、ステップS260において、CPU43は、 テップS258で求めた係数aと、ステップS259で めた相関誤差とに基づいて、フーリエ画像 分割領域うち、係数aの絶対値が小さく、か つ相関誤差が十分に小さい分割領域を求め、 当該分割領域を感度の高い領域と決定し、そ こを検出条件に決める。具体的には、例えば 、係数aの絶対値の小ささと、相関誤差の小 さとに応じて各々の分割領域のスコアリン を行い、このスコアリングの結果に基づい 感度の高い分割領域を決定する。このよう しても、パターンの線幅やプロファイルの 化を感度よく検出するために、R、G、Bのど 色を使い、フーリエ画像の中でどの分割領 を使用すればよいか決定することができる