以下、本発明を実施するための形態を具体� ��に説明するが、本発明は以下の実施形態に� ��定されるものではなく、本発明の趣旨を逸� ��しない範囲で、当業者の通常の知識に基づ� ��て、適宜設計の変更、改良等が加えられる� ��とが理解されるべきである。
 尚、本明細書において、「(メタ)アクリル� �とは、アクリル及びメタクリルを意味する� �また、「(メタ)アクリレート」とは、アクリ レート及びメタクリレートを意味する。更に 、「(メタ)アクリロイル」とは、アクリロイ� ��及びメタクリロイルを意味する。

[1]液浸露光用感放射線性樹脂組成物
 本発明の液浸露光用感放射線性樹脂組成物( 以下、単に「感放射線性樹脂組成物」ともい う。)は、(A)樹脂成分と、(B)感放射線性酸発� �剤と、(C)溶剤と、を含有するものである。

<(A)樹脂成分>
 前記樹脂成分(以下、「樹脂成分(A)」ともい う。)は、側鎖にフッ素原子と酸解離性基と� �有する繰り返し単位(a1)を含有する酸解離性� ��含有樹脂(A1)[以下、単に「樹脂(A1)」ともい� ��。]を含む。
 本発明の感放射線性組成物は、樹脂成分(A)� ��して、繰り返し単位(a1)を含有する樹脂(A1)� �含むため、現像液による膨潤を抑制でき、� �ターン倒れ性能を改善することができる。� �ち、最小倒壊寸法を向上させることができ� �。

 前記樹脂(A1)は、酸解離性基を有するアルカ リ不溶性又はアルカリ難溶性の樹脂であって 、酸解離性基が解離することによりアルカリ 可溶性となる樹脂である。
 ここでいう「アルカリ不溶性又はアルカリ� ��溶性」とは、樹脂成分(A)を含有する感放射� ��性樹脂組成物を用いて形成されるフォトレ� ��スト膜からレジストパターンを形成する際� ��採用されるアルカリ現像条件下で、このレ� ��スト膜の代わりに樹脂(A1)のみを用いた被膜 を現像した場合に、この被膜の初期膜厚の50% 以上が現像後に残存する性質を意味する。

 前記繰り返し単位(a1)は、側鎖にフッ素原 子と酸解離性基とを有していれば、即ちフッ 素原子及び酸解離性基を共に側鎖に有してい れば、特に限定されないが、例えば、下記一 般式(1)で表される繰り返し単位であることが 好ましい。

 〔一般式(1)において、nは1~3の整数を示す。 R ¹ は水素原子、メチル基、又はトリフルオロメ チル基を示す。R ² は単結合、又は、炭素数1~10の(n+1)価の直鎖状 、分岐状又は環状の飽和若しくは不飽和炭化 水素基を示す。R ³ は、単結合、又は、炭素数1~20の2価の直鎖状� ��分岐状又は環状の飽和若しくは不飽和炭化� ��素基を示す。Xは、フッ素原子置換されたメ チレン基、又は、炭素数2~20の直鎖状若しく� �分岐状のフルオロアルキレン基を示す。Yは� ��結合、又は-CO-を示す。nが1である場合、R ⁴ は酸解離性基を示す。nが2又は3である場合、 R ⁴ は相互に独立に、水素原子又は酸解離性基を 示し、且つ少なくとも1つのR ⁴ は酸解離性基である。〕

 前記一般式(1)のR ² における、炭素数が1~10である2価(n=1の場合)� �直鎖状又は分岐状の飽和若しくは不飽和炭� �水素基としては、例えば、メチル基、エチ� �基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル� �、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基� ��t-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基� �ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基� �オクチル基、ノニル基、デシル基等の炭素� �1~10の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基に� ��来する2価の炭化水素基等を挙げることがで きる。

 また、前記一般式(1)のR ² における、2価(n=1の場合)の環状の飽和若しく は不飽和炭化水素基としては、炭素数3~10の� �環式炭化水素及び芳香族炭化水素に由来す� �基が挙げられる。
 前記脂環式炭化水素としては、例えば、シ� ��ロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサ� ��、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン、ビシクロ[2.2.2]� �クタン、トリシクロ[5.2.1.0 ^2,6 ]デカン、トリシクロ[3.3.1.1 ^3,7 ]デカン等のシクロアルカン類等を挙げるこ� �ができる。
 また、前記芳香族炭化水素としては、例え� ��、ベンゼン、ナフタレン等を挙げることが� ��きる。

 尚、前記R ² における炭化水素基は、上述の非置換の炭化 水素基における少なくとも1つの水素原子を� �メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロ� ��ル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-� ��チルプロピル基、t-ブチル基等の炭素数1~4� �直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、ヒ� �ロキシル基、シアノ基、炭素数1~10のヒドロ� ��シアルキル基、カルボキシル基、酸素原子� ��の1種又は2種以上により置換された基であ� �てもよい。

 尚、前記R ² が3価(n=2の場合)、及び4価(n=3の場合)である場 合には、それぞれ、前記2価の炭化水素基か� �水素原子が1個脱離した基、及び前記2価の炭 化水素基から水素原子が2個脱離した基等を� �げることができる。

 前記一般式(1)のR ³ における、炭素数が1~20である2価の直鎖状又� ��分岐状飽和若しくは不飽和炭化水素基とし� ��は、例えば、メチル基、エチル基、n-プロ� �ル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチル� �ロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基� ��ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチ� ��基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基� ��ノニル基、デシル基等の炭素数1~20の直鎖状 若しくは分岐状のアルキル基に由来する2価� �炭化水素基等を挙げることができる。

 また、前記一般式(1)のR ³ における、2価の環状の飽和若しくは不飽和� �化水素基としては、炭素数3~20の脂環式炭化� ��素及び芳香族炭化水素に由来する基が挙げ� ��れる。
 前記脂環式炭化水素としては、例えば、シ� ��ロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサ� ��、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン、ビシクロ[2.2.2]� �クタン、トリシクロ[5.2.1.0 ^2,6 ]デカン、トリシクロ[3.3.1.1 ^3,7 ]デカン、テトラシクロ[6.2.1.1 ^3,6 .0 ^2,7 ]ドデカン等のシクロアルカン類等を挙げる� �とができる。
 また、前記芳香族炭化水素としては、例え� ��、ベンゼン、ナフタレン等を挙げることが� ��きる。

 尚、前記R ³ における炭化水素基は、上述の非置換の炭化 水素基における少なくとも1つの水素原子を� �メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロ� ��ル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-� ��チルプロピル基、t-ブチル基等の炭素数1~12� ��直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、ヒ� ��ロキシル基、シアノ基、炭素数1~10のヒドロ キシアルキル基、カルボキシル基、酸素原子 等の1種又は2種以上により置換された基であ� ��てもよい。

 また、一般式(1)のnが2又は3である場合、前� ��R ³ は全て同一の基であってもよいし、一部又は 全てが異なった基であってもよい。

 前記一般式(1)のR ⁴ における酸解離性基とは、例えば、ヒドロキ シル基、カルボキシル基、スルホン酸基等の 酸性官能基中の水素原子を置換する基であっ て、酸の存在下で解離する基を意味する。
 このような酸解離性基としては、例えば、t -ブトキシカルボニル基、テトラヒドロピラ� �ル基、テトラヒドロフラニル基、(チオテト� ��ヒドロピラニルスルファニル)メチル基、(� �オテトラヒドロフラニルスルファニル)メチ� ��基や、アルコキシ置換メチル基、アルキル� ��ルファニル置換メチル基等を挙げることが� ��きる。
 尚、アルコキシ置換メチル基におけるアル� ��キシル基(置換基)としては、炭素数1~4のア� �コキシル基を挙げることができる。また、� �ルキルスルファニル置換メチル基における� �ルキル基(置換基)としては、炭素数1~4のアル キル基を挙げることができる。

 更に、前記酸解離性基としては、一般式[-C( R) ₃ ]で表される基を挙げることができる〔尚、� �中、3つのRは、相互に独立に、炭素数1~4の直 鎖状若しくは分岐状のアルキル基、炭素数4~2 0の1価の脂環式炭化水素基若しくはそれから� ��導される基を示すか、又は、いずれか2つの Rが相互に結合して、それぞれが結合してい� �炭素原子とともに炭素数4~20の2価の脂環式炭 化水素基若しくはそれから誘導される基を形 成し、残りの1つのRが、炭素数1~4の直鎖状若� ��くは分岐状のアルキル基、炭素数4~20の1価� �脂環式炭化水素基若しくはそれから誘導さ� �る基を示す。〕。

 前記一般式[-C(R) ₃ ]で表される酸解離性基における、Rの炭素数1 ~4の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基とし� ��は、例えば、メチル基、エチル基、n-プロ� �ル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチル� �ロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基� ��が挙げられる。
 前記Rの炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基� ��しては、例えば、ノルボルナン、トリシク� ��デカン、テトラシクロドデカン、アダマン� ��ンや、シクロブタン、シクロペンタン、シ� ��ロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオク� ��ン等のシクロアルカン類等に由来する脂環� ��環からなる基等を挙げることができる。
 また、この脂環式炭化水素基から誘導され� ��基としては、上述の1価の脂環式炭化水素基 を、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピ� ��基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプ� ��ピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等 の炭素数1~4の直鎖状、分岐状又は環状のアル キル基の1種以上或いは1個以上で置換した基� ��を挙げることができる。
 これらのなかでも、Rの脂環式炭化水素基は 、ノルボルナン、トリシクロデカン、テトラ シクロドデカン、アダマンタン、シクロペン タン又はシクロヘキサンに由来する脂環族環 からなる脂環式炭化水素基や、この脂環式炭 化水素基を前記アルキル基で置換した基等が 好ましい。

 また、いずれか2つのRが相互に結合して、� �れぞれが結合している炭素原子(酸素原子に� ��合している炭素原子)とともに形成する炭素 数4~20の2価の脂環式炭化水素基としては、例� ��ば、シクロブチレン基、シクロペンチレン� ��、シクロヘキシレン基、シクロオクチレン� ��のような単環式炭化水素基、ノルボルニレ� ��基、トリシクロデカニレン基、テトラシク� ��デカニレン基のような多環式炭化水素基、� ��ダマンチレン基のような架橋多環式炭化水� ��基を挙げることができる。
 更に、Rが相互に結合して形成された2価の� �環式炭化水素基から誘導される基としては� �上述の2価の脂環式炭化水素基を、例えば、� ��チル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピ ル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メ チルプロピル基、t-ブチル基等の炭素数1~4の� ��鎖状、分岐状又は環状のアルキル基の1種以 上或いは1個以上で置換した基等を挙げるこ� �ができる。
 これらのなかでも、シクロペンチレン基、� ��クロヘキシレン基のような単環式炭化水素� ��や、この2価の脂環式炭化水素基(単環式炭� �水素基)を前記アルキル基で置換した基等が� ��ましい。

 ここで、一般式[-C(R) ₃ ]で表される酸解離性基の好ましい例として� �、t-ブチル基、1-n-(1-エチル-1-メチル)プロピ� ��基、1-n-(1,1-ジメチル)プロピル基、1-n-(1,1-ジ メチル)ブチル基、1-n-(1,1-ジメチル)ペンチル� ��、1-(1,1-ジエチル)プロピル基、1-n-(1,1-ジエ� �ル)ブチル基、1-n-(1,1-ジエチル)ペンチル基、 1-(1-メチル)シクロペンチル基、1-(1-エチル)シ クロペンチル基、1-(1-n-プロピル)シクロペン� ��ル基、1-(1-i-プロピル)シクロペンチル基、1- (1-メチル)シクロヘキシル基、1-(1-エチル)シ� �ロヘキシル基、1-(1-n-プロピル)シクロヘキシ ル基、1-(1-i-プロピル)シクロヘキシル基、1-{1 -メチル-1-(2-ノルボニル)}エチル基、1-{1-メチ� ��-1-(2-テトラシクロデカニル)}エチル基、1-{1- メチル-1-(1-アダマンチル)}エチル基、2-(2-メ� �ル)ノルボニル基、2-(2-エチル)ノルボニル基� ��2-(2-n-プロピル)ノルボニル基、2-(2-i-プロピ� ��)ノルボニル基、2-(2-メチル)テトラシクロデ カニル基、2-(2-エチル)テトラシクロデカニル 基、2-(2-n-プロピル)テトラシクロデカニル基� ��2-(2-i-プロピル)テトラシクロデカニル基、1- (1-メチル)アダマンチル基、1-(1-エチル)アダ� �ンチル基、1-(1-n-プロピル)アダマンチル基、 1-(1-i-プロピル)アダマンチル基や、これらの� ��環族環からなる基を、例えば、メチル基、� ��チル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブ� ��ル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピ ル基、t-ブチル基等の炭素数1~4の直鎖状、分� ��状又は環状のアルキル基の1種以上或いは1� �以上で置換した基等を挙げることができる� �

 また、これらの酸解離性基のなかでも、前� ��[-C(R) ₃ ]で表される基、t-ブトキシカルボニル基、ア ルコキシ置換メチル基等が好ましい。特に、 (1)ヒドロキシル基を保護する場合には、t-ブ� ��キシカルボニル基、又はアルコキシ置換メ� ��ル基が好ましく、(2)カルボキシル基を保護� ��る場合には、[-C(R) ₃ ]で表される基が好ましい。

 前記一般式(1)のXにおける、フッ素原子置 換されたメチレン基、又は、炭素数2~20の直� �状若しくは分岐状のフルオロアルキレン基� �しては、例えば、下記(X-1)~(X-8)等の構造を挙 げることができる。

 前記一般式(1)で表される繰り返し単位と� ��ては、例えば、下記一般式(1-1)で表される� �り返し単位を挙げることができる。

 〔一般式(1-1)において、nは1~3の整数を示す� ��R ¹ は水素原子、メチル基、又はトリフルオロメ チル基を示す。R ³ は、単結合、又は、炭素数1~20の2価の直鎖状� ��分岐状又は環状の飽和若しくは不飽和炭化� ��素基を示す。Xは、フッ素原子置換されたメ チレン基、又は、炭素数2~20の直鎖状若しく� �分岐状のフルオロアルキレン基を示す。nが1 である場合、R ⁴ は酸解離性基を示す。nが2又は3である場合、 R ⁴ は相互に独立に、水素原子又は酸解離性基を 示し、且つ少なくとも1つのR ⁴ は酸解離性基である。R ⁵ は、炭素数3~10の(n+1)価の直鎖状、分岐状又は 環状の飽和若しくは不飽和炭化水素基を示す 。〕

 前記一般式(1-1)のR ³ 、R ⁴ 及びXについては、それぞれ、前記一般式(1)� �R ³ 、R ⁴ 及びXの説明をそのまま適用することができ� �。

 前記一般式(1-1)のR ⁵ における、炭素数が3~10である2価(n=1の場合)� �直鎖状又は分岐状の飽和若しくは不飽和炭� �水素基としては、例えば、n-プロピル基、i-� ��ロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基 、1-メチルプロピル基、t-ブチル基、ペンチ� �基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ヘ� �シル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル� �、デシル基等の炭素数3~10の直鎖状若しくは� ��岐状のアルキル基に由来する2価の炭化水素 基等を挙げることができる。

 また、前記一般式(1-1)のR ⁵ における、2価(n=1の場合)の環状の飽和若しく は不飽和炭化水素基としては、炭素数3~10の� �環式炭化水素及び芳香族炭化水素に由来す� �基が挙げられる。
 前記脂環式炭化水素としては、例えば、シ� ��ロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサ� ��、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン、ビシクロ[2.2.2]� �クタン、トリシクロ[5.2.1.0 ^2,6 ]デカン、トリシクロ[3.3.1.1 ^3,7 ]デカン等のシクロアルカン類等を挙げるこ� �ができる。
 また、前記芳香族炭化水素としては、例え� ��、ベンゼン、ナフタレン等を挙げることが� ��きる。

 尚、前記R ⁵ における炭化水素基は、上述の非置換の炭化 水素基における少なくとも1つの水素原子を� �メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロ� ��ル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-� ��チルプロピル基、t-ブチル基等の炭素数1~4� �直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、ヒ� �ロキシル基、シアノ基、炭素数1~10のヒドロ� ��シアルキル基、カルボキシル基、酸素原子� ��の1種又は2種以上により置換された基であ� �てもよい。

 尚、前記R ⁵ が3価(n=2の場合)、及び4価(n=3の場合)である場 合には、それぞれ、前記2価の炭化水素基か� �水素原子が1個脱離した基、及び前記2価の炭 化水素基から水素原子が2個脱離した基等を� �げることができる。

 前記一般式(1-1)で表される繰り返し単位� �なかでも、下記一般式(1-1a)~(1-1f)で表される� ��り返し単位等が好ましく、下記一般式(1-1d-1 )で表される繰り返し単位が特に好ましい。

 〔一般式(1-1a)~(1-1f)において、nは1~3の整数� �示す。R ¹ は水素原子、メチル基、又はトリフルオロメ チル基を示す。nが1である場合、R ⁴ は酸解離性基を示す。nが2又は3である場合、 R ⁴ は相互に独立に、水素原子又は酸解離性基を 示し、且つ少なくとも1つのR ⁴ は酸解離性基である。〕

 〔一般式(1-1d-1)において、R ⁴ は相互に独立に、水素原子又は酸解離性基を 示し、且つ少なくとも1つのR ⁴ は酸解離性基である。〕

 前記一般式(1-1a)~(1-1f)及び(1-1d-1)のR ⁴ については、前記一般式(1)のR ⁴ の説明をそのまま適用することができる。

 また、前記一般式(1)で表される繰り返し� ��位としては、更に、下記一般式(1-2)で表さ� �る繰り返し単位を挙げることができる。

 〔一般式(1-2)において、R ¹ は水素原子、メチル基、又はトリフルオロメ チル基を示す。R ⁶ は、単結合、又は、炭素数1~20の2価の直鎖状� ��分岐状又は環状の飽和若しくは不飽和炭化� ��素基を示す。Xは、フッ素原子置換されたメ チレン基、又は、炭素数2~20の直鎖状若しく� �分岐状のフルオロアルキレン基を示す。R ⁷ は、酸解離性基を示す。〕

 一般式(1-2)におけるX、R ⁶ 、及び、R ⁷ については、それぞれ、前記一般式(1)におけ るX、R ³ 、及び、R ⁴ の酸解離性基の説明をそのまま適用すること ができる。

 また、一般式(1-2)におけるR ⁶ の具体的な例としては、下記の構造(a1)~(a27)� �表される基等を挙げることができる。尚、� �造(a1)~(a27)における「*」は結合部位を示す。

 特に、一般式(1-2)におけるR ⁶ としては、メチレン基、エチレン基、1-メチ� ��エチレン基、2-メチルエチレン基、炭素数4~ 20の2価の脂環式炭化水素基若しくはそれから 誘導される基等が好ましい。

 また、一般式(1-2)におけるR ⁷ としては、t-ブトキシカルボニル基、アルコ� ��シ置換メチル基、前述の一般式[-C(R) ₃ ]で表される基等が好ましい。

 また、前記一般式(1)で表される繰り返し� ��位として、更に、下記一般式(1-3)で表され� �繰り返し単位を挙げることができる。

〔一般式(1-3)において、R ¹ は水素原子、メチル基、又はトリフルオロメ チル基を示す。R ⁶ は、単結合、又は、炭素数1~20の2価の直鎖状� ��分岐状又は環状の飽和若しくは不飽和炭化� ��素基を示す。Xは、フッ素原子置換されたメ チレン基、又は、炭素数2~20の直鎖状若しく� �分岐状のフルオロアルキレン基を示す。R ⁷ は、酸解離性基を示す。〕

 一般式(1-3)におけるX及びR ⁷ については、それぞれ、前記一般式(1)におけ るX、及びR ⁴ の酸解離性基の説明をそのまま適用すること ができる。また、一般式(1-3)におけるR ⁶ については、前記一般式(1-2)におけるR ⁶ の説明をそのまま適用することができる。

 前記樹脂(A1)は、一般式(1)で表される繰り返 し単位(a1)を1種のみ含有していてもよいし、2 種以上含有していてもよい。
 この繰り返し単位(a1)の含有割合は、樹脂(A1 )に含まれる全ての繰り返し単位の合計を100� �ル%とした場合に、3~50モル%であることが好� �しく、更に好ましくは5~30モル%である。この 繰り返し単位(a1)の含有割合が50モル%を超え� �場合、露光後の現像液の溶解性に悪影響を� �ぼし解像性の悪化を及ぼす可能性がある。� �方、3モル%未満の場合には、本発明の効果が 得られないおそれがある。

 また、前記樹脂(A1)は、前記繰り返し単位 (a1)以外にも、他の繰り返し単位として、酸� �離性基を有する繰り返し単位(但し、繰り返� ��単位(a1)に該当するものを除く)、アルカリ� �解性を高めるためのラクトン骨格やヒドロ� �シル基、カルボキシル基等を有する繰り返� �単位を含有することが好ましい。

 酸解離性基を有する繰り返し単位(以下、 「繰り返し単位(a2)」という。)としては、例� ��ば、(メタ)アクリル酸t-ブチルエステル、(� �タ)アクリル酸1-メチル-1-シクロペンチルエ� �テル、(メタ)アクリル酸1-エチル-1-シクロペ� ��チルエステル、(メタ)アクリル酸1-イソプロ ピル-1-シクロペンチルエステル、(メタ)アク� ��ル酸1-メチル-1-シクロヘキシルエステル、(� ��タ)アクリル酸1-エチル-1-シクロヘキシルエ� ��テル、(メタ)アクリル酸1-イソプロピル-1-シ クロヘキシルエステル、(メタ)アクリル酸1-� �チル-1-シクロオクチルエステル、(メタ)アク リル酸2-メチルアダマンチル-2-イルエステル� ��(メタ)アクリル酸2-エチルアダマンチル-2-イ ルエステル、(メタ)アクリル酸2-n-プロピルア ダマンチル-2-イルエステル、(メタ)アクリル� ��2-イソプロピルアダマンチル-2-イルエステ� �、(メタ)アクリル酸1-(アダマンタン-1-イル)-1 -メチルエチルエステル、(メタ)アクリル酸1-( アダマンタン-1-イル)-1-エチルエチルエステ� �、(メタ)アクリル酸1-(アダマンタン-1-イル)-1 -メチルプロピルエステル、(メタ)アクリル酸 1-(アダマンタン-1-イル)-1-エチルプロピルエ� �テル等を挙げることができる。

 これらのなかでも、(メタ)アクリル酸1-メ チル-1-シクロペンチルエステル、(メタ)アク� ��ル酸1-エチル-1-シクロペンチルエステル、(� ��タ)アクリル酸1-イソプロピル-1-シクロペン� ��ルエステル、(メタ)アクリル酸1-メチル-1-シ クロヘキシルエステル、(メタ)アクリル酸1-� �チル-1-シクロヘキシルエステル、(メタ)アク リル酸1-イソプロピル-1-シクロヘキシルエス� ��ル、(メタ)アクリル酸1-エチル-1-シクロオク チルエステル等の単環式の酸解離性基を有す る繰り返し単位が好ましい。

 前記樹脂(A1)は、酸解離性基を有する繰り返 し単位(a2)を1種のみ含有していてもよいし、2 種以上含有していてもよい。
 この繰り返し単位(a2)の含有割合は、樹脂(A1 )に含まれる全ての繰り返し単位の合計を100� �ル%とした場合に、10~90モル%であることが好� ��しく、更に好ましくは20~80モル%である。こ� ��繰り返し単位(a2)の含有割合が10モル%未満の 場合、露光後の現像液の溶解性に悪影響を及 ぼし解像性の悪化を及ぼす可能性がある。一 方、80モル%を超える場合には、基板への密着 性が不十分となるおそれがある。

 前記ラクトン骨格を含有する繰り返し単� ��(以下、「繰り返し単位(a3)」という。)を生� ��させる単量体としては、下記一般式(2-1)~(2-6 )等が挙げられる。

 〔一般式(2-1)~(2-6)において、R ¹¹ は水素原子又はメチル基を示し、R ¹² は水素原子又は炭素数1~4の置換基を有しても よいアルキル基を示し、R ¹³ は水素原子又はメトキシ基を示す。Aは単結� �、エーテル基、エステル基、カルボニル基� �炭素数1~30の2価の鎖状炭化水素基、炭素数3~3 0の2価の脂環式炭化水素基、炭素数6~30の2価� �芳香族炭化水素基、又はこれらを組み合わ� �た2価の基を示し、Bは酸素原子又はメチレン 基を示す。lは1~3の整数を示し、mは0又は1で� �る。〕

 前記一般式(2-1)のR ¹² における、炭素数1~4の置換基を有してもよい アルキル基としては、例えば、メチル基、エ チル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチ ル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピ� �基、t-ブチル基等を挙げることができる。

 前記一般式(2-2)及び(2-3)におけるAの炭素� �が1~30である2価の鎖状炭化水素基としては、 例えば、メチレン基、エチレン基、1,2-プロ� �レン基、1,3-プロピレン基、テトラメチレン� ��、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、� ��プタメチレン基、オクタメチレン基、ノナ� ��チレン基、デカメチレン基、ウンデカメチ� ��ン基、ドデカメチレン基、トリデカメチレ� ��基、テトラデカメチレン基、ペンタデカメ� ��レン基、ヘキサデカメチレン基、ヘプタデ� ��メチレン基、オクタデカメチレン基、ノナ� ��カメチレン基、イコサレン基等の直鎖状ア� ��キレン基;1-メチル-1,3-プロピレン基、2-メチ ル-1,3-プロピレン基、2-メチル-1,2-プロピレン 基、1-メチル-1,4-ブチレン基、2-メチル-1,4-ブ� ��レン基、メチリデン基、エチリデン基、プ� ��ピリデン基、2-プロピリデン基等の分岐状� �ルキレン基等を挙げることができる。

 前記一般式(2-2)及び(2-3)におけるAの炭素� �が3~30である2価の脂環式炭化水素基としては 、例えば、1,3-シクロブチレン基、1,3-シクロ� ��ンチレン基等、1,4-シクロヘキシレン基、1,5 -シクロオクチレン基等の炭素数3~30の単環型� ��クロアルキレン基;1,4-ノルボルニレン基、2, 5-ノルボルニレン基、1,5-アダマンチレン基、 2,6-アダマンチレン基等の多環型シクロアル� �レン基等を挙げることができる。

 前記一般式(2-2)及び(2-3)におけるAの炭素� �が6~30である2価の芳香族炭化水素基としては 、例えば、フェニレン基、トリレン基、ナフ チレン基、フェナントリレン基、アントリレ ン基等のアリーレン基等を挙げることができ る。

 前記繰り返し単位(a3)を与える好ましい単量 体の具体例としては、(メタ)アクリル酸-5-オ� ��ソ-4-オキサ-トリシクロ[4.2.1.0 ^3,7 ]ノナ-2-イルエステル、(メタ)アクリル酸-9-メ トキシカルボニル-5-オキソ-4-オキサ-トリシ� �ロ[4.2.1.0 ^3,7 ]ノナ-2-イルエステル、(メタ)アクリル酸-5-オ キソ-4-オキサ-トリシクロ[5.2.1.0 ^3,8 ]デカ-2-イルエステル、(メタ)アクリル酸-10-� �トキシカルボニル-5-オキソ-4-オキサ-トリシ� ��ロ[5.2.1.0 ^3,8 ]ノナ-2-イルエステル、(メタ)アクリル酸-6-オ キソ-7-オキサ-ビシクロ[3.2.1]オクタ-2-イルエ� ��テル、(メタ)アクリル酸-4-メトキシカルボ� �ル-6-オキソ-7-オキサ-ビシクロ[3.2.1]オクタ-2- イルエステル、(メタ)アクリル酸-7-オキソ-8-� ��キサ-ビシクロ[3.3.1]オクタ-2-イルエステル� �(メタ)アクリル酸-4-メトキシカルボニル-7-オ キソ-8-オキサ-ビシクロ[3.3.1]オクタ-2-イルエ� ��テル、(メタ)アクリル酸-2-オキソテトラヒ� �ロピラン-4-イルエステル、(メタ)アクリル酸 -4-メチル-2-オキソテトラヒドロピラン-4-イル エステル、(メタ)アクリル酸-4-エチル-2-オキ� ��テトラヒドロピラン-4-イルエステル、(メタ )アクリル酸-4-プロピル-2-オキソテトラヒド� �ピラン-4-イルエステル、(メタ)アクリル酸-5- オキソテトラヒドロフラン-3-イルエステル、 (メタ)アクリル酸-2,2-ジメチル-5-オキソテト� �ヒドロフラン-3-イルエステル、(メタ)アクリ ル酸-4,4-ジメチル-5-オキソテトラヒドロフラ� ��-3-イルエステル、(メタ)アクリル酸-2-オキ� �テトラヒドロフラン-3-イルエステル、(メタ) アクリル酸-4,4-ジメチル-2-オキソテトラヒド� ��フラン-3-イルエステル、(メタ)アクリル酸-5 ,5-ジメチル-2-オキソテトラヒドロフラン-3-イ ルエステル、(メタ)アクリル酸-2-オキソテト� ��ヒドロフラン-3-イルエステル、(メタ)アク� �ル酸-5-オキソテトラヒドロフラン-2-イルメ� �ルエステル、(メタ)アクリル酸-3,3-ジメチル- 5-オキソテトラヒドロフラン-2-イルメチルエ� ��テル、(メタ)アクリル酸-4,4-ジメチル-5-オキ ソテトラヒドロフラン-2-イルメチルエステル 等が挙げられる。

 前記樹脂(A1)は、この繰り返し単位(a3)を1種� ��み含有していてもよいし、2種以上含有して いてもよい。
 この繰り返し単位(a3)の含有割合は、樹脂(A1 )に含まれる全ての繰り返し単位の合計を100� �ル%とした場合に、5~85モル%であることが好� �しく、より好ましくは10~70モル%、更に好ま� �くは15~60モル%である。この繰り返し単位(a3)� ��含有割合が5モル%未満の場合、現像性、露� �余裕が悪化する傾向がある。一方、85モル%� �超える場合、樹脂(A1)の溶剤への溶解性の悪� ��、解像度の悪化の傾向がある。

 本発明における樹脂(A1)は、他の繰り返し 単位として、前記繰り返し単位(a2)及び(a3)以� ��にも、脂環式化合物を含有する繰り返し単� ��や、芳香族化合物に由来する繰り返し単位� ��を含有していてもよい。

 前記脂環式化合物を含有する繰り返し単� ��(以下、「繰り返し単位(a4)」という。)とし� ��は、例えば、下記一般式(3)で表される単量� ��から誘導される繰り返し単位等を挙げるこ� ��ができる。

〔一般式(3)において、R ¹⁴ は水素原子、メチル基、又はトリフルオロメ チル基を示し、Xは炭素数4~20の脂環式炭化水� ��基である。〕

 前記一般式(3)のXにおける、炭素数4~20の脂� �式炭化水素基としては、例えば、シクロブ� �ン、シクロペンタン、シクロヘキサン、ビ� �クロ[2.2.1]ヘプタン、ビシクロ[2.2.2]オクタン 、トリシクロ[5.2.1.0 ^2,6 ]デカン、テトラシクロ[6.2.1.1 ^3,6 .0 ^2,7 ]ドデカン、トリシクロ[3.3.1.1 ^3,7 ]デカン等のシクロアルカン類に由来する脂� �族環からなる炭化水素基が挙げられる。
 これらのシクロアルカン由来の脂環族環は� ��置換基を有していてもよく、例えば、メチ� ��基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基 、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチル プロピル基、t-ブチル基等の炭素数1~4の直鎖� ��、分岐状又は環状のアルキル基の1種以上或 いは1個以上で置換してもよい。これらは、� �れらのアルキル基によって置換されたもの� �限定されるものではなく、ヒドロキシル基� �シアノ基、炭素数1~10のヒドロキシアルキル� ��、カルボキシル基、酸素原子で置換された� ��のであってもよい。

 前記繰り返し単位(a4)を与える好ましい単量 体としては、(メタ)アクリル酸-ビシクロ[2.2.1 ]ヘプト-2-イルエステル、(メタ)アクリル酸-� �シクロ[2.2.2]オクタ-2-イルエステル、(メタ)� �クリル酸-トリシクロ[5.2.1.0 ^2,6 ]デカ-7-イルエステル、(メタ)アクリル酸-テ� �ラシクロ[6.2.1.1 ^3,6 .0 ^2,7 ]ドデカ-9-イルエステル、(メタ)アクリル酸-� �リシクロ[3.3.1.1 ^3,7 ]デカ-1-イルエステル、(メタ)アクリル酸-ト� �シクロ[3.3.1.1 ^3,7 ]デカ-2-イルエステル等が挙げられる。

 前記樹脂(A1)は、この繰り返し単位(a4)を1種� ��み含有していてもよいし、2種以上含有して いてもよい。
 この繰り返し単位(a4)の含有割合は、樹脂(A1 )に含まれる全ての繰り返し単位の合計を100� �ル%とした場合に、30モル%以下であることが� ��ましく、より好ましくは25モル%以下である� ��この繰り返し単位(a4)の含有割合が30モル%を 超える場合、レジストパターン形状が悪化し たり、解像度が低下するおそれがある。

 また、前記芳香族化合物に由来する繰り� ��し単位(以下、「繰り返し単位(a5)」という� �)を生じさせる好ましい単量体としては、例� ��ば、スチレン、α-メチルスチレン、2-メチ� �スチレン、3-メチルスチレン、4-メチルスチ� ��ン、2-メトキシスチレン、3-メトキシスチレ ン、4-メトキシスチレン、4-(2-t-ブトキシカル ボニルエチルオキシ)スチレン2-ヒドロキシス チレン、3-ヒドロキシスチレン、4-ヒドロキ� �スチレン、2-ヒドロキシ-α-メチルスチレン� �3-ヒドロキシ-α-メチルスチレン、4-ヒドロキ シ-α-メチルスチレン、2-メチル-3-ヒドロキシ スチレン、4-メチル-3-ヒドロキシスチレン、5 -メチル-3-ヒドロキシスチレン、2-メチル-4-ヒ ドロキシスチレン、3-メチル-4-ヒドロキシス� ��レン、3,4-ジヒドロキシスチレン、2,4,6-トリ ヒドロキシスチレン、4-t-ブトキシスチレン� �4-t-ブトキシ-α-メチルスチレン、4-(2-エチル- 2-プロポキシ)スチレン、4-(2-エチル-2-プロポ� ��シ)-α-メチルスチレン、4-(1-エトキシエトキ シ)スチレン、4-(1-エトキシエトキシ)-α-メチ� ��スチレン、(メタ)アクリル酸フェニル、(メ� ��)アクリル酸ベンジル、アセナフチレン、5-� ��ドロキシアセナフチレン、1-ビニルナフタ� �ン、2-ビニルナフタレン、2-ヒドロキシ-6-ビ� ��ルナフタレン、1-ナフチル(メタ)アクリレー ト、2-ナフチル(メタ)アクリレート、1-ナフチ ルメチル(メタ)アクリレート、1-アントリル(� ��タ)アクリレート、2-アントリル(メタ)アク� �レート、9-アントリル(メタ)アクリレート、9 -アントリルメチル(メタ)アクリレート、1-ビ� ��ルピレン等が挙げられる。

 前記樹脂(A1)は、この繰り返し単位(a5)を1種� ��み含有していてもよいし、2種以上含有して いてもよい。
 この繰り返し単位(a5)の含有割合は、樹脂(A1 )に含まれる全ての繰り返し単位の合計を100� �ル%とした場合に、40モル%以下であることが� ��ましく、より好ましくは30モル%以下である� ��この繰り返し単位(a5)の含有割合が40モル%を 超える場合、放射線透過率が低くなりパター ンプロファイルが悪化するおそれがある。

 また、本発明における樹脂(A1)は、前記他の 繰り返し単位[繰り返し単位(a2)~(a5)]以外にも� ��更に、他の繰り返し単位(以下、「更に他の 繰り返し単位」という。)を含有していても� �い。
 この「更に他の繰り返し単位」としては、� ��えば、(メタ)アクリル酸ジシクロペンテニ� �、(メタ)アクリル酸アダマンチルメチル等の 有橋式炭化水素骨格を有する(メタ)アクリル� ��エステル類;(メタ)アクリル酸カルボキシノ� ��ボルニル、(メタ)アクリル酸カルボキシト� �シクロデカニル、(メタ)アクリル酸カルボキ シテトラシクロウンデカニル等の不飽和カル ボン酸の有橋式炭化水素骨格を有するカルボ キシル基含有エステル類;

 (メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル 酸エチル、(メタ)アクリル酸n-プロピル、(メ� ��)アクリル酸n-ブチル、(メタ)アクリル酸2-メ チルプロピル、(メタ)アクリル酸1-メチルプ� �ピル、(メタ)アクリル酸t-ブチル、(メタ)ア� �リル酸2-ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル� ��2-ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸3-� ��ドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸シク� �プロピル、(メタ)アクリル酸シクロペンチル 、(メタ)アクリル酸シクロヘキシル、(メタ)� �クリル酸4-メトキシシクロヘキシル、(メタ)� ��クリル酸2-シクロペンチルオキシカルボニ� �エチル、(メタ)アクリル酸2-シクロヘキシル� ��キシカルボニルエチル、(メタ)アクリル酸2- (4-メトキシシクロヘキシル)オキシカルボニ� �エチル等の有橋式炭化水素骨格をもたない(� ��タ)アクリル酸エステル類;

 α-ヒドロキシメチルアクリル酸メチル、� �-ヒドロキシメチルアクリル酸エチル、α-ヒ� ��ロキシメチルアクリル酸n-プロピル、α-ヒ� �ロキシメチルアクリル酸n-ブチル等のα-ヒド ロキシメチルアクリル酸エステル類;(メタ)ア クリロニトリル、α-クロロアクリロニトリル 、クロトンニトリル、マレインニトリル、フ マロニトリル、メサコンニトリル、シトラコ ンニトリル、イタコンニトリル等の不飽和ニ トリル化合物;(メタ)アクリルアミド、N,N-ジ� �チル(メタ)アクリルアミド、クロトンアミド 、マレインアミド、フマルアミド、メサコン アミド、シトラコンアミド、イタコンアミド 等の不飽和アミド化合物;N-(メタ)アクリロイ� ��モルホリン、N-ビニル-ε-カプロラクタム、N -ビニルピロリドン、ビニルピリジン、ビニ� �イミダゾール等の他の含窒素ビニル化合物;( メタ)アクリル酸、クロトン酸、マレイン酸� �無水マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、� �水イタコン酸、シトラコン酸、無水シトラ� �ン酸、メサコン酸等の不飽和カルボン酸(無� ��物)類;(メタ)アクリル酸2-カルボキシエチル� ��(メタ)アクリル酸2-カルボキシプロピル、(� �タ)アクリル酸3-カルボキシプロピル、(メタ) アクリル酸4-カルボキシブチル、(メタ)アク� �ル酸4-カルボキシシクロヘキシル等の不飽和 カルボン酸の有橋式炭化水素骨格をもたない カルボキシル基含有エステル類;

 1,2-アダマンタンジオールジ(メタ)アクリ� ��ート、1,3-アダマンタンジオールジ(メタ)ア� ��リレート、1,4-アダマンタンジオールジ(メ� �)アクリレート、トリシクロデカニルジメチ� ��ールジ(メタ)アクリレート等の有橋式炭化� �素骨格を有する多官能性単量体;

 メチレングリコールジ(メタ)アクリレート� �エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、 プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート� ��1,6-ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート� ��2,5-ジメチル-2,5-ヘキサンジオールジ(メタ)� �クリレート、1,8-オクタンジオールジ(メタ)� �クリレート、1,9-ノナンジオールジ(メタ)ア� �リレート、1,4-ビス(2-ヒドロキシプロピル)ベ ンゼンジ(メタ)アクリレート、1,3-ビス(2-ヒド ロキシプロピル)ベンゼンジ(メタ)アクリレー ト等の有橋式炭化水素骨格を持たない多官能 性単量体等の多官能性単量体の重合性不飽和 結合が開裂した単位を挙げることができる。
 これらの更に他の繰り返し単位のなかでも� ��有橋式炭化水素骨格を有する(メタ)アクリ� �酸エステル類の重合性不飽和結合が開裂し� �単位等が好ましい。

 前記樹脂(A1)は、この更に他の繰り返し単位 を1種のみ含有していてもよいし、2種以上含� ��していてもよい。
 この更に他の繰り返し単位の含有割合は、� ��脂(A1)に含まれる全ての繰り返し単位の合計 を100モル%とした場合に、50モル%以下である� �とが好ましく、より好ましくは40モル%以下� �ある。

 また、本発明における樹脂(A1)は、例えば 、所定の各繰り返し単位に対応する重合性不 飽和単量体を、ヒドロパーオキシド類、ジア ルキルパーオキシド類、ジアシルパーオキシ ド類、アゾ化合物等のラジカル重合開始剤を 使用し、必要に応じて連鎖移動剤の存在下、 適当な溶媒中で重合することにより製造する ことができる。

 前記重合に使用される溶媒としては、例え� ��、n-ペンタン、n-ヘキサン、n-ヘプタン、n-� �クタン、n-ノナン、n-デカン等のアルカン類; シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオ クタン、デカリン、ノルボルナン等のシクロ アルカン類;ベンゼン、トルエン、キシレン� �エチルベンゼン、クメン等の芳香族炭化水� �類;クロロブタン類、ブロモヘキサン類、ジ� ��ロロエタン類、ヘキサメチレンジブロミド� ��クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類; 酢酸エチル、酢酸n-ブチル、酢酸i-ブチル、� �ロピオン酸メチル等の飽和カルボン酸エス� �ル類;アセトン、2-ブタノン、4-メチル-2-ペン タノン、2-ヘプタノン等のケトン類;テトラヒ ドロフラン、ジメトキシエタン類、ジエトキ シエタン類等のエーテル類等を挙げることが できる。これらの溶媒は、1種単独で用いて� �よいし、2種以上を組み合わせて用いてもよ� ��。
 前記重合における反応温度は、通常、40~150� ��、好ましくは50~120℃であり、反応時間は、� ��常、1~48時間、好ましくは1~24時間である。

 また、本発明における樹脂(A1)のゲルパーミ エーションクロマトグラフィ(GPC)法によるポ� ��スチレン換算重量平均分子量(以下、「Mw」� ��いう。)は、特に限定されないが、1,000~100,00 0であることが好ましく、より好ましくは1,000 ~30,000、更に好ましくは1,000~20,000である。こ� �樹脂(A1)のMwが1,000未満では、レジストとした 際の耐熱性が低下する傾向がある。一方、こ のMwが100,000を超えると、レジストとした際の 現像性が低下する傾向にある。
 また、樹脂(A1)のMwとGPC法によるポリスチレ� ��換算数平均分子量(以下、「Mn」という。)と の比(Mw/Mn)は、通常1~5であり、好ましくは1~3� �ある。

 また、樹脂(A1)においては、この樹脂(A1)� �調製する際に用いられる単量体由来の低分� �量成分の含有量が固形分換算にて、この樹� �100質量%に対して0.1質量%以下であることが好 ましく、より好ましくは0.07質量%以下、更に� ��ましくは0.05質量%以下である。この含有量� �0.1質量%以下である場合には、液浸露光時に� ��触した水等の液浸露光用液体への溶出物の� ��を少なくすることができる。更に、レジス� ��保管時にレジスト中に異物が発生すること� ��なく、レジスト塗布時においても塗布ムラ� ��発生することなく、レジストパターン形成� ��における欠陥の発生を十分に抑制すること� ��できる。

 前記単量体由来の低分子量成分としては、� ��ノマー、ダイマー、トリマー、オリゴマー� ��挙げられ、Mw500以下の成分とすることがで� �る。このMw500以下の成分は、例えば、下記精 製法により除去することができる。また、こ の低分子量成分の量は、樹脂の高速液体クロ マトグラフィ(HPLC)により分析することができ る。
 尚、樹脂(A1)は、ハロゲン、金属等の不純物 の含有量が少ないほど好ましく、それにより 、レジストとした際の感度、解像度、プロセ ス安定性、パターン形状等を更に改善するこ とができる。

 前記樹脂(A1)の精製法としては、例えば、 水洗、液々抽出等の化学的精製法や、これら の化学的精製法と限外ろ過、遠心分離等の物 理的精製法との組み合わせ等を挙げることが できる。

 本発明において、樹脂(A1)は、1種単独で� �いてもよいし、2種以上を組み合わせて用い� ��もよい。

 また、本発明の感放射線性樹脂組成物は、� ��脂成分(A)として、前記樹脂(A1)以外にも、他 の樹脂(A2)を含有していてもよい。
 他の樹脂(A2)としては、例えば、〔1〕前記� �り返し単位(a2)と、前記繰り返し単位(a3)と、 から構成される樹脂、〔2〕前記繰り返し単� �(a2)と、前記繰り返し単位(a3)と、前記繰り返 し単位(a4)、前記繰り返し単位(a5)及び前記「� ��に他の繰り返し単位」のうちの少なくとも1 種と、からなる樹脂等が挙げられる。
 尚、他の樹脂(A2)は、1種単独で用いてもよ� �し、2種以上を組み合わせて用いてもよい。

 本発明において、前記樹脂(A1)の含有量は、 本発明の感放射線性樹脂組成物に含まれる樹 脂成分(A)全体を100質量%とした場合、50質量%� �超えていることを特徴とする[樹脂(A1)が100質 量%である場合を含む]。即ち、前記他の樹脂( A2)の含有量は、0~50質量%である。特に、前記� ��脂(A1)の含有量は、100質量%以下であること� �好ましく、より好ましくは55~100質量%である� ��
 この樹脂(A1)の含有量が50質量%を超えている 場合、含有する繰り返し単位(a1)の影響によ� �、現像時の膨潤を抑制することができ、パ� �ーン倒壊(パターン倒れ)に対して好適に作用 することが期待できる。また、更に、液浸プ ロセスにおいては、本樹脂は繰り返し単位(a1 )を含有することで、適度な撥水性を有して� �り、保護膜無しでの液浸プロセスにおいて� �使用が可能となる。一方、50質量%以下の場� �、前述の効果が得られない可能性がある。

<(B)感放射線性酸発生剤>
 本発明における(B)感放射線性酸発生剤[以下 、「酸発生剤(B)」ともいう。]は、露光によ� �酸を発生するものであり、露光により発生� �た酸の作用によって、樹脂成分中に存在す� �前記繰り返し単位(a1)や(a2)が有する酸解離性 基を解離させ(保護基を脱離させ)、その結果� ��ジスト被膜の露光部がアルカリ現像液に易� ��性となり、ポジ型のレジストパターンを形� ��する作用を有するものである。
 このような酸発生剤(B)としては、下記一般� ��(4)で表される化合物(以下、「酸発生剤1」� �いう。)を含むものが好ましい。

 前記一般式(4)におけるkは0~2の整数である。
 また、R ¹⁵ は水素原子、フッ素原子、ヒドロキシル基、 炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐状のアルキ� �基、炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐状のア� ��コキシル基、又は、炭素数2~11の直鎖状若し くは分岐状のアルコキシカルボニル基を示す 。
 更に、R ¹⁶ は炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐状のアル� �ル基、炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐状の� ��ルコキシル基、又は、炭素数1~10の直鎖状、 分岐状若しくは環状のアルカンスルホニル基 を示す。尚、rは0~10の整数である。
 また、R ¹⁷ は相互に独立に炭素数1~10の直鎖状若しくは� �岐状のアルキル基、置換されていてもよい� �ェニル基、或いは置換されていてもよいナ� �チル基を示すか、又は、2個のR ¹⁷ が互いに結合して形成された炭素数2~10の2価� ��基を示す。尚、この2価の基は、置換されて いてもよい。
 更に、X ^- は、式:R ¹⁸ C _n F _2n SO ₃ ^- 、若しくはR ¹⁸ SO ₃ ^- (式中、R ¹⁸ は、フッ素原子又は置換されていてもよい炭 素数1~12の炭化水素基を示し、nは1~10の整数で ある。)で表されるアニオン、又は下記一般� �(5-1)若しくは(5-2)で表されるアニオンを示す� ��

 前記一般式(5-1)及び(5-2)におけるR ¹⁹ は、互いに独立して、炭素数1~10の直鎖状若� �くは分岐状のフッ素原子を含有するアルキ� �基を示すか、又は、2つのR ¹⁹ が互いに結合して形成された炭素数2~10のフ� �素原子を含有する2価の有機基を示す。尚、� ��の2価の有機基は置換基を有してもよい。

 一般式(4)において、R ¹⁵ 、R ¹⁶ 及びR ¹⁷ の炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐状のアル� �ル基としては、例えば、メチル基、エチル� �、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基� �2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t -ブチル基、n-ペンチル基、ネオペンチル基、 n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、 2-エチルヘキシル基、n-ノニル基、n-デシル基 等を挙げることができる。これらのアルキル 基のなかでも、メチル基、エチル基、n-ブチ� ��基、t-ブチル基等が好ましい。

 また、R ¹⁵ 及びR ¹⁶ の炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐状のアル� �キシル基としては、例えば、メトキシ基、� �トキシ基、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基� ��n-ブトキシ基、2-メチルプロポキシ基、1-メ� ��ルプロポキシ基、t-ブトキシ基、n-ペンチル オキシ基、ネオペンチルオキシ基、n-ヘキシ� ��オキシ基、n-ヘプチルオキシ基、n-オクチル オキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、n-ノ� �ルオキシ基、n-デシルオキシ基等を挙げるこ とができる。これらのアルコキシル基のうち 、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基� ��n-ブトキシ基等が好ましい。

 また、R ¹⁵ の炭素数2~11の直鎖状若しくは分岐状のアル� �キシカルボニル基としては、例えば、メト� �シカルボニル基、エトキシカルボニル基、n- プロポキシカルボニル基、i-プロポキシカル� ��ニル基、n-ブトキシカルボニル基、2-メチル プロポキシカルボニル基、1-メチルプロポキ� ��カルボニル基、t-ブトキシカルボニル基、n- ペンチルオキシカルボニル基、ネオペンチル オキシカルボニル基、n-ヘキシルオキシカル� ��ニル基、n-ヘプチルオキシカルボニル基、n- オクチルオキシカルボニル基、2-エチルヘキ� ��ルオキシカルボニル基、n-ノニルオキシカ� �ボニル基、n-デシルオキシカルボニル基等を 挙げることができる。これらのアルコキシカ ルボニル基のうち、メトキシカルボニル基、 エトキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニ� ��基等が好ましい。

 また、R ¹⁶ の炭素数1~10の直鎖状、分岐状若しくは環状� �アルカンスルホニル基としては、例えば、� �タンスルホニル基、エタンスルホニル基、n- プロパンスルホニル基、n-ブタンスルホニル� ��、tert-ブタンスルホニル基、n-ペンタンスル ホニル基、ネオペンタンスルホニル基、n-ヘ� ��サンスルホニル基、n-ヘプタンスルホニル� �、n-オクタンスルホニル基、2-エチルヘキサ� ��スルホニル基n-ノナンスルホニル基、n-デカ ンスルホニル基、シクロペンタンスルホニル 基、シクロヘキサンスルホニル基等を挙げる ことができる。これらのアルカンスルホニル 基のうち、メタンスルホニル基、エタンスル ホニル基、n-プロパンスルホニル基、n-ブタ� �スルホニル基、シクロペンタンスルホニル� �、シクロヘキサンスルホニル基等が好まし� �。

 また、前記一般式(4)におけるrは、0~10の� �数であり、0~2であることが好ましい。

 一般式(4)において、R ¹⁷ の置換されていてもよいフェニル基としては 、例えば、フェニル基、o-トリル基、m-トリ� �基、p-トリル基、2,3-ジメチルフェニル基、2, 4-ジメチルフェニル基、2,5-ジメチルフェニル 基、2,6-ジメチルフェニル基、3,4-ジメチルフ� ��ニル基、3,5-ジメチルフェニル基、2,4,6-トリ メチルフェニル基、4-エチルフェニル基、4-t- ブチルフェニル基、4-シクロヘキシルフェニ� ��基、4-フルオロフェニル基等のフェニル基� �は炭素数1~10の直鎖状、分岐状若しくは環状� ��アルキル基で置換されたフェニル基;これら のフェニル基又はアルキル置換フェニル基を 、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ 基、ニトロ基、アルコキシル基、アルコキシ アルキル基、アルコキシカルボニル基、アル コキシカルボニルオキシ基等の少なくとも1� �の基1個以上で置換した基等を挙げることが� ��きる。

 フェニル基及びアルキル置換フェニル基� ��対する置換基のうち、前記アルコキシル基� ��しては、例えば、メトキシ基、エトキシ基� ��n-プロポキシ基、i-プロポキシ基、n-ブトキ� ��基、2-メチルプロポキシ基、1-メチルプロポ キシ基、t-ブトキシ基、シクロペンチルオキ� ��基、シクロヘキシルオキシ基等の炭素数1~20 の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシ ル基等を挙げることができる。

 また、前記アルコキシアルキル基としては� ��例えば、メトキシメチル基、エトキシメチ� ��基、1-メトキシエチル基、2-メトキシエチル 基、1-エトキシエチル基、2-エトキシエチル� �等の炭素数2~21の直鎖状、分岐状若しくは環� ��のアルコキシアルキル基等を挙げることが� ��きる。
 また、前記アルコキシカルボニル基として� ��、例えば、メトキシカルボニル基、エトキ� ��カルボニル基、n-プロポキシカルボニル基� �i-プロポキシカルボニル基、n-ブトキシカル� ��ニル基、2-メチルプロポキシカルボニル基� �1-メチルプロポキシカルボニル基、t-ブトキ� ��カルボニル基、シクロペンチルオキシカル� ��ニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル� ��の炭素数2~21の直鎖状、分岐状若しくは環状 のアルコキシカルボニル基等を挙げることが できる。

 また、前記アルコキシカルボニルオキシ基� ��しては、例えば、メトキシカルボニルオキ� ��基、エトキシカルボニルオキシ基、n-プロ� �キシカルボニルオキシ基、i-プロポキシカル ボニルオキシ基、n-ブトキシカルボニルオキ� ��基、t-ブトキシカルボニルオキシ基、シク� �ペンチルオキシカルボニル基、シクロヘキ� �ルオキシカルボニル等の炭素数2~21の直鎖状� ��分岐状若しくは環状のアルコキシカルボニ� ��オキシ基等を挙げることができる。
 一般式(4)におけるR ¹⁶ の置換されていてもよいフェニル基としては 、フェニル基、4-シクロヘキシルフェニル基� ��4-t-ブチルフェニル基、4-メトキシフェニル� ��、4-t-ブトキシフェニル基等が好ましい。

 また、R ¹⁷ の置換されていてもよいナフチル基としては 、例えば、1-ナフチル基、2-メチル-1-ナフチ� �基、3-メチル-1-ナフチル基、4-メチル-1-ナフ� ��ル基、4-メチル-1-ナフチル基、5-メチル-1-ナ フチル基、6-メチル-1-ナフチル基、7-メチル-1 -ナフチル基、8-メチル-1-ナフチル基、2,3-ジ� �チル-1-ナフチル基、2,4-ジメチル-1-ナフチル� ��、2,5-ジメチル-1-ナフチル基、2,6-ジメチル-1 -ナフチル基、2,7-ジメチル-1-ナフチル基、2,8- ジメチル-1-ナフチル基、3,4-ジメチル-1-ナフ� �ル基、3,5-ジメチル-1-ナフチル基、3,6-ジメチ ル-1-ナフチル基、3,7-ジメチル-1-ナフチル基� �3,8-ジメチル-1-ナフチル基、4,5-ジメチル-1-ナ フチル基、5,8-ジメチル-1-ナフチル基、4-エチ ル-1-ナフチル基2-ナフチル基、1-メチル-2-ナ� �チル基、3-メチル-2-ナフチル基、4-メチル-2-� ��フチル基等のナフチル基又は炭素数1~10の直 鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基で置 換されたナフチル基;これらのナフチル基又� �アルキル置換ナフチル基を、ヒドロキシル� �、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、� �ルコキシル基、アルコキシアルキル基、ア� �コキシカルボニル基、アルコキシカルボニ� �オキシ基等の少なくとも1種の基1個以上で置 換した基等を挙げることができる。

 前記置換基であるアルコキシル基、アル� ��キシアルキル基、アルコキシカルボニル基� ��びアルコキシカルボニルオキシ基としては� ��例えば、前記フェニル基及びアルキル置換� ��ェニル基について例示した基を挙げること� ��できる。

 一般式(4)におけるR ¹⁷ の置換されていてもよいナフチル基としては 、1-ナフチル基、1-(4-メトキシナフチル)基、1 -(4-エトキシナフチル)基、1-(4-n-プロポキシナ フチル)基、1-(4-n-ブトキシナフチル)基、2-(7-� ��トキシナフチル)基、2-(7-エトキシナフチル) 基、2-(7-n-プロポキシナフチル)基、2-(7-n-ブト キシナフチル)基等が好ましい。

 また、2個のR ¹⁷ が互いに結合して形成した炭素数2~10の2価の� ��としては、一般式(4)中の硫黄原子と共に5員 又は6員の環、特に好ましくは5員の環(即ち、 テトラヒドロチオフェン環)を形成する基が� �ましい。

 また、前記2価の基に対する置換基としては 、例えば、前記フェニル基及びアルキル置換 フェニル基に対する置換基として例示したヒ ドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、 ニトロ基、アルコキシル基、アルコキアルキ ル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシ カルボニルオキシ基等を挙げることができる 。
 一般式(4)におけるR ¹⁷ としては、メチル基、エチル基、フェニル基 、4-メトキシフェニル基、1-ナフチル基、2個� ��R ¹⁷ が互いに結合して硫黄原子と共にテトラヒド ロチオフェン環構造を形成する2価の基等が� �ましい。

 一般式(4)におけるX ^- は、R ¹⁸ C _n F _2n SO ₃ ^- 、R ¹⁸ SO ₃ ^- 、又は、前記一般式(5-1)若しくは(5-2)で表さ� �るアニオンである。X ^- が、R ¹⁸ C _n F _2n SO ₃ ^- である場合の-C _n F _2n -基は、炭素数nのパーフルオロアルキレン基� ��あるが、この基は直鎖状であってもよいし� ��分岐状であってもよい。ここで、nは1、2、4 又は8であることが好ましい。
 また、R ¹⁸ における置換されていてもよい炭素数1~12の� �化水素基としては、炭素数1~12のアルキル基� ��シクロアルキル基、有橋脂環式炭化水素基� ��好ましい。
 具体的には、メチル基、エチル基、n-プロ� �ル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチル� �ロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基� ��n-ペンチル基、ネオペンチル基、n-ヘキシル 基、シクロヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オ� �チル基、2-エチルヘキシル基、n-ノニル基、n -デシル基、ノルボルニル基、ノルボニルメ� �ル基、ヒドロキシノルボルニル基、アダマ� �チル基等を挙げることができる。

 また、X ^- が、前記一般式(5-1)又は(5-2)で表されるアニ� �ンである場合のR ¹⁹ は、互いに独立した、炭素数1~10の直鎖状若� �くは分岐状のフッ素原子を含有するアルキ� �基であってよいし、2つのR ¹⁹ が互いに結合して、炭素数2~10のフッ素原子� �含有する2価の有機基であってもよく、その� ��合、2価の有機基は置換基を有してもよい。
 一般式(5-1)又は(5-2)において、R ¹⁹ が、炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐状のア� �キル基である場合、トリフルオロメチル基� �ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロ� �ロピル基、ノナフルオロブチル基、ドデカ� �ルオロペンチル基、パーフルオロオクチル� �等が挙げられる。
 また、R ¹⁹ が、炭素数2~10の2価の有機基である場合、テ� ��ラフルオロエチレン基、ヘキサフルオロプ� ��ピレン基、オクタフルオロブチレン基、デ� ��フルオロペンチレン基、ウンデカフルオロ� ��キシレン基等が挙げられる。

 従って、前記一般式(4)における好ましいア� ��オンX ^- としては、トリフルオロメタンスルホネート アニオン、パーフルオロ-n-ブタンスルホネー トアニオン、パーフルオロ-n-オクタンスルホ ネートアニオン、2-ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-2-イ ル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート アニオン、2-ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-2-イル-1,1-� ��フルオロエタンスルホネートアニオン、下� ��式(6-1)~(6-7)で表されるアニオン等が挙げら� �る。

 また、一般式(4)の好ましい具体例として� ��、トリフェニルスルホニウムトリフルオロ� ��タンスルホネート、トリ-tert-ブチルフェニ� ��スルホニウムトリフルオロメタンスルホネ� ��ト、4-シクロヘキシルフェニル-ジフェニル� ��ルホニウムトリフルオロメタンスルホネー� ��、4-メタンスルホニルフェニル-ジフェニル� ��ルホニウムトリフルオロメタンスルホネー� ��、1-(3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニル)テ� �ラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタ� �スルホネート、1-(4-n-ブトキシナフチル)テト ラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタン スルホネート、

 トリフェニルスルホニウムパーフルオロ- n-ブタンスルホネート、トリ-tert-ブチルフェ� ��ルスルホニウムパーフルオロ-n-ブタンスル� ��ネート、4-シクロヘキシルフェニル-ジフェ� ��ルスルホニウムパーフルオロ-n-ブタンスル� ��ネート、4-メタンスルホニルフェニル-ジフ� ��ニルスルホニウムパーフルオロ-n-ブタンス� ��ホネート、1-(3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェ ニル)テトラヒドロチオフェニウムパーフル� �ロ-n-ブタンスルホネート、1-(4-n-ブトキシナ� ��チル)テトラヒドロチオフェニウムパーフル オロ-n-ブタンスルホネート、

 トリフェニルスルホニウムパーフルオロ- n-オクタンスルホネート、トリ-tert-ブチルフ� ��ニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタン� ��ルホネート、4-シクロヘキシルフェニル-ジ� ��ェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタ� ��スルホネート、4-メタンスルホニルフェニ� �-ジフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オ� ��タンスルホネート、1-(3,5-ジメチル-4-ヒドロ キシフェニル)テトラヒドロチオフェニウム� �ーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1-(4-n-� ��トキシナフチル)テトラヒドロチオフェニウ ムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、

 トリフェニルスルホニウム2-(ビシクロ[2.2 .1]ヘプタ-2’-イル)-1,1,2,2-テトラフルオロエ� �ンスルホネート、トリ-tert-ブチルフェニル� �ルホニウム2-(ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-2’-イル) -1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、 4-シクロヘキシルフェニル-ジフェニルスルホ ニウム2-(ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-2’-イル)-1,1,2, 2-テトラフルオロエタンスルホネート、4-メ� �ンスルホニルフェニル-ジフェニルスルホニ� ��ム2-(ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-2’-イル)-1,1,2,2-� �トラフルオロエタンスルホネート、1-(3,5-ジ� ��チル-4-ヒドロキシフェニル)テトラヒドロチ オフェニウム2-(ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-2’-イ� �)-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート� ��1-(4-n-ブトキシナフチル)テトラヒドロチオ� �ェニウム2-(ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-2’-イル)-1, 1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、

 トリフェニルスルホニウム2-(ビシクロ[2.2 .1]ヘプタ-2’-イル)-1,1-ジフルオロエタンスル ホネート、トリ-tert-ブチルフェニルスルホニ ウム2-(ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-2’-イル)-1,1-ジ� �ルオロエタンスルホネート、4-シクロヘキシ ルフェニル-ジフェニルスルホニウム2-(ビシ� �ロ[2.2.1]ヘプタ-2’-イル)-1,1-ジフルオロエタ� ��スルホネート、4-メタンスルホニルフェニ� �-ジフェニルスルホニウム2-(ビシクロ[2.2.1]ヘ プタ-2’-イル)-1,1-ジフルオロエタンスルホネ ート、1-(3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニル)� ��トラヒドロチオフェニウム2-(ビシクロ[2.2.1] ヘプタ-2’-イル)-1,1-ジフルオロエタンスルホ ネート、1-(4-n-ブトキシナフチル)テトラヒド� ��チオフェニウム2-(ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-2’- イル)-1,1-ジフルオロエタンスルホネート、下 記式B1~B15で表される化合物等が挙げられる。

 尚、本発明において、酸発生剤1は、1種� �独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせ� ��用いてもよい。

 また、酸発生剤(B)として使用することの� ��きる、前記酸発生剤1以外の感放射線性酸発 生剤(以下、「他の酸発生剤」という。)とし� ��は、例えば、オニウム塩化合物、ハロゲン� ��有化合物、ジアゾケトン化合物、スルホン� ��合物、スルホン酸化合物等を挙げることが� ��きる。これらの他の酸発生剤としては、例� ��ば、下記のものを挙げることができる。

 (オニウム塩化合物)
 前記オニウム塩化合物としては、例えば、� ��ードニウム塩、スルホニウム塩、ホスホニ� ��ム塩、ジアゾニウム塩、ピリジニウム塩等� ��挙げることができる。
 オニウム塩化合物の具体例としては、ジフ� ��ニルヨードニウムトリフルオロメタンスル� ��ネート、ジフェニルヨードニウムノナフル� ��ロ-n-ブタンスルホネート、ジフェニルヨー� ��ニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネー� ��、ジフェニルヨードニウム2-ビシクロ[2.2.1]� ��プタ-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンス� ��ホネート、ビス(4-t-ブチルフェニル)ヨード� ��ウムトリフルオロメタンスルホネート、ビ� ��(4-t-ブチルフェニル)ヨードニウムノナフル� ��ロ-n-ブタンスルホネート、ビス(4-t-ブチル� �ェニル)ヨードニウムパーフルオロ-n-オクタ� ��スルホネート、ビス(4-t-ブチルフェニル)ヨ� ��ドニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-2-イル-1,1,2, 2-テトラフルオロエタンスルホネート、シク� ��ヘキシル・2-オキソシクロヘキシル・メチ� �スルホニウムトリフルオロメタンスルホネ� �ト、ジシクロヘキシル・2-オキソシクロヘキ シルスルホニウムトリフルオロメタンスルホ ネート、2-オキソシクロヘキシルジメチルス� ��ホニウムトリフルオロメタンスルホネート� ��を挙げることができる。

 (ハロゲン含有化合物)
 前記ハロゲン含有化合物としては、例えば� ��ハロアルキル基含有炭化水素化合物、ハロ� ��ルキル基含有複素環式化合物等を挙げるこ� ��ができる。
 ハロゲン含有化合物の具体例としては、フ� ��ニルビス(トリクロロメチル)-s-トリアジン� �4-メトキシフェニルビス(トリクロロメチル)- s-トリアジン、1-ナフチルビス(トリクロロメ� ��ル)-s-トリアジン等の(トリクロロメチル)-s-� ��リアジン誘導体や、1,1-ビス(4-クロロフェニ ル)-2,2,2-トリクロロエタン等を挙げることが� ��きる。

 (ジアゾケトン化合物)
 前記ジアゾケトン化合物としては、例えば� ��1,3-ジケト-2-ジアゾ化合物、ジアゾベンゾキ ノン化合物、ジアゾナフトキノン化合物等を 挙げることができる。
 ジアゾケトン化合物の具体例としては、1,2- ナフトキノンジアジド-4-スルホニルクロリド 、1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホニルク� �リド、2,3,4,4’-テトラヒドロキシベンゾフェ ノンの1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホン� �エステル又は1,2-ナフトキノンジアジド-5-ス� ��ホン酸エステル、1,1,1-トリス(4-ヒドロキシ� ��ェニル)エタンの1,2-ナフトキノンジアジド-4 -スルホン酸エステル又は1,2-ナフトキノンジ� ��ジド-5-スルホン酸エステル等を挙げること� ��できる。

 (スルホン化合物)
 前記スルホン化合物としては、例えば、β-� ��トスルホン、β-スルホニルスルホンや、こ� ��らの化合物のα-ジアゾ化合物等を挙げるこ� ��ができる。
 スルホン化合物の具体例としては、4-トリ� �フェナシルスルホン、メシチルフェナシル� �ルホン、ビス(フェニルスルホニル)メタン等 を挙げることができる。

 (スルホン酸化合物)
 前記スルホン酸化合物としては、例えば、� ��ルキルスルホン酸エステル、アルキルスル� ��ン酸イミド、ハロアルキルスルホン酸エス� ��ル、アリールスルホン酸エステル、イミノ� ��ルホネート等を挙げることができる。
 スルホン酸化合物の具体例としては、ベン� ��イントシレート、ピロガロールのトリス(ト リフルオロメタンスルホネート)、ニトロベ� �ジル-9,10-ジエトキシアントラセン-2-スルホ� �ート、トリフルオロメタンスルホニルビシ� �ロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボジイミド� �ノナフルオロ-n-ブタンスルホニルビシクロ[2 .2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボジイミド、パ� �フルオロ-n-オクタンスルホニルビシクロ[2.2. 1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボジイミド、2-ビシ クロ[2.2.1]ヘプタ-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオ� �エタンスルホニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エ� ��-2,3-ジカルボジイミド、N-(トリフルオロメ� �ンスルホニルオキシ)スクシンイミド、N-(ノ� ��フルオロ-n-ブタンスルホニルオキシ)スクシ ンイミド、N-(パーフルオロ-n-オクタンスルホ ニルオキシ)スクシンイミド、N-(2-ビシクロ[2. 2.1]ヘプタ-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタ� �スルホニルオキシ)スクシンイミド、1,8-ナフ タレンジカルボン酸イミドトリフルオロメタ ンスルホネート、1,8-ナフタレンジカルボン� �イミドノナフルオロ-n-ブタンスルホネート� �1,8-ナフタレンジカルボン酸イミドパーフル� ��ロ-n-オクタンスルホネート等を挙げること� ��できる。

 これらの他の酸発生剤のうち、ジフェニ� ��ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネ� ��ト、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ- n-ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニ� ��ムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、� ��フェニルヨードニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプ� ��-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホ� ��ート、ビス(4-t-ブチルフェニル)ヨードニウ� ��トリフルオロメタンスルホネート、ビス(4-t -ブチルフェニル)ヨードニウムノナフルオロ- n-ブタンスルホネート、ビス(4-t-ブチルフェ� �ル)ヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンス� ��ホネート、ビス(4-t-ブチルフェニル)ヨード� ��ウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-2-イル-1,1,2,2-テ� ��ラフルオロエタンスルホネート、シクロヘ� ��シル・2-オキソシクロヘキシル・メチルス� �ホニウムトリフルオロメタンスルホネート� �ジシクロヘキシル・2-オキソシクロヘキシル スルホニウムトリフルオロメタンスルホネー ト、2-オキソシクロヘキシルジメチルスルホ� ��ウムトリフルオロメタンスルホネート、

 トリフルオロメタンスルホニルビシクロ[2.2 .1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボジイミド、ノナ� ��ルオロ-n-ブタンスルホニルビシクロ[2.2.1]ヘ プト-5-エン-2,3-ジカルボジイミド、パーフル� ��ロ-n-オクタンスルホニルビシクロ[2.2.1]ヘプ ト-5-エン-2,3-ジカルボジイミド、2-ビシクロ[2 .2.1]ヘプタ-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタ� ��スルホニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-� ��カルボジイミド、N-(トリフルオロメタンス� ��ホニルオキシ)スクシンイミド、N-(ノナフル オロ-n-ブタンスルホニルオキシ)スクシンイ� �ド、N-(パーフルオロ-n-オクタンスルホニル� �キシ)スクシンイミド、N-(2-ビシクロ[2.2.1]ヘ� ��タ-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスル� ��ニルオキシ)スクシンイミド、1,8-ナフタレ� �ジカルボン酸イミドトリフルオロメタンス� �ホネート等が好ましい。
 前記他の酸発生剤は、1種単独で用いてもよ いし、2種以上を組み合わせて用いてもよい� �

 本発明において、酸発生剤1と他の酸発生剤 の合計使用量は、レジストとしての感度及び 現像性を確保する観点から、樹脂成分(A)100質 量部に対して、通常、0.1~20質量部、好ましく は0.5~10質量部である。この場合、前記合計使 用量が0.1質量部未満では、感度及び現像性が 低下する傾向がある。一方、前記合計使用量 が20質量部を超えると、放射線に対する透明� ��が低下して、矩形のレジストパターンを得� ��れ難くなる傾向がある。
 また、他の酸発生剤の使用割合は、酸発生� ��1と他の酸発生剤との合計100質量%に対して� �通常、80質量%以下、好ましくは60質量%以下� �ある。

<溶剤(C)>
 本発明の感放射線性樹脂組成物は、普通、� ��の使用に際して、全固形分濃度が、通常、1 ~50質量%、好ましくは1~25質量%となるように、 溶剤に溶解したのち、例えば、孔径0.2μm程度 のフィルターでろ過することによって、組成 物溶液として調製される。

 前記溶剤(C)としては、例えば、2-ブタノ� �、2-ペンタノン、3-メチル-2-ブタノン、2-ヘ� �サノン、4-メチル-2-ペンタノン、3-メチル-2-� ��ンタノン、3,3-ジメチル-2-ブタノン、2-ヘプ� ��ノン、2-オクタノン等の直鎖状若しくは分� �状のケトン類;シクロペンタノン、3-メチル� �クロペンタノン、シクロヘキサノン、2-メチ ルシクロヘキサノン、2,6-ジメチルシクロヘ� �サノン、イソホロン等の環状のケトン類;プ� ��ピレングリコールモノメチルエーテルアセ� ��ート、プロピレングリコールモノエチルエ� ��テルアセテート、プロピレングリコールモ� ��-n-プロピルエーテルアセテート、プロピレ� ��グリコールモノ-i-プロピルエーテルアセテ� ��ト、プロピレングリコールモノ-n-ブチルエ� ��テルアセテート、プロピレングリコールモ� ��-i-ブチルエーテルアセテート、プロピレン� ��リコールモノ-sec-ブチルエーテルアセテー� �、プロピレングリコールモノ-t-ブチルエー� �ルアセテート等のプロピレングリコールモ� �アルキルエーテルアセテート類;2-ヒドロキ� �プロピオン酸メチル、2-ヒドロキシプロピオ ン酸エチル、2-ヒドロキシプロピオン酸n-プ� �ピル、2-ヒドロキシプロピオン酸i-プロピル� ��2-ヒドロキシプロピオン酸n-ブチル、2-ヒド� ��キシプロピオン酸i-ブチル、2-ヒドロキシプ ロピオン酸sec-ブチル、2-ヒドロキシプロピオ ン酸t-ブチル等の2-ヒドロキシプロピオン酸� �ルキル類;3-メトキシプロピオン酸メチル、3- メトキシプロピオン酸エチル、3-エトキシプ� ��ピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸� �チル等の3-アルコキシプロピオン酸アルキル 類のほか、

 n-プロピルアルコール、i-プロピルアルコ ール、n-ブチルアルコール、t-ブチルアルコ� �ル、シクロヘキサノール、エチレングリコ� �ルモノメチルエーテル、エチレングリコー� �モノエチルエーテル、エチレングリコール� �ノ-n-プロピルエーテル、エチレングリコー� �モノ-n-ブチルエーテル、ジエチレングリコ� �ルジメチルエーテル、ジエチレングリコー� �ジエチルエーテル、ジエチレングリコール� �-n-プロピルエーテル、ジエチレングリコー� �ジ-n-ブチルエーテル、エチレングリコール� �ノメチルエーテルアセテート、エチレング� �コールモノエチルエーテルアセテート、エ� �レングリコールモノ-n-プロピルエーテルア� �テート、プロピレングリコールモノメチル� �ーテル、プロピレングリコールモノエチル� �ーテル、プロピレングリコールモノ-n-プロ� �ルエーテル、トルエン、キシレン、2-ヒドロ キシ-2-メチルプロピオン酸エチル、エトキシ 酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、2-ヒド� ��キシ-3-メチル酪酸メチル、3-メトキシブチ� �アセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセ テート、3-メチル-3-メトキシブチルプロピオ� ��ート、3-メチル-3-メトキシブチルブチレー� �、酢酸エチル、酢酸n-プロピル、酢酸n-ブチ� ��、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、� ��ルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、N-メ� �ルピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド、N ,N-ジメチルアセトアミド、ベンジルエチルエ ーテル、ジ-n-ヘキシルエーテル、ジエチレン グリコールモノメチルエーテル、ジエチレン グリコールモノエチルエーテル、カプロン酸 、カプリル酸、1-オクタノール、1-ノナノー� �、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安� �香酸エチル、しゅう酸ジエチル、マレイン� �ジエチル、γ-ブチロラクトン、炭酸エチレ� �、炭酸プロピレン等を挙げることができる� �

 これらのなかでも、直鎖状若しくは分岐状� ��ケトン類、環状のケトン類、プロピレング� ��コールモノアルキルエーテルアセテート類� ��2-ヒドロキシプロピオン酸アルキル類、3-ア ルコキシプロピオン酸アルキル類、γ-ブチロ ラクトン等が好ましい。
 これらの溶剤(C)は、1種単独で用いてもよい し、2種以上を組み合わせて用いてもよい。

<窒素含有化合物>
 本発明の感放射線性樹脂組成物は、前記樹� ��成分(A)、酸発生剤(B)及び溶剤(C)以外にも、� ��素含有化合物を含有していてもよい。
 この窒素含有化合物は、露光により酸発生� ��から生じる酸のレジスト被膜中における拡� ��現象を制御し、非露光領域における好まし� ��ない化学反応を抑制する作用を有する成分( 酸拡散制御剤)である。このような酸拡散制� �剤を配合することにより、得られる感放射� �性樹脂組成物の貯蔵安定性が向上する。ま� �、レジストとしての解像度が更に向上する� �ともに、露光から露光後の加熱処理までの� �き置き時間(PED)の変動によるレジストパター ンの線幅変化を抑えることができ、プロセス 安定性に極めて優れた組成物が得られる。

 前記窒素含有化合物としては、例えば、3級 アミン化合物、他のアミン化合物、アミド基 含有化合物、ウレア化合物、及びその他含窒 素複素環化合物等を挙げることができる。
 前記3級アミン化合物としては、例えば、n-� ��キシルアミン、n-ヘプチルアミン、n-オクチ ルアミン、n-ノニルアミン、n-デシルアミン� �シクロヘキシルアミン等のモノ(シクロ)アル キルアミン類;ジ-n-ブチルアミン、ジ-n-ペン� �ルアミン、ジ-n-ヘキシルアミン、ジ-n-ヘプ� �ルアミン、ジ-n-オクチルアミン、ジ-n-ノニ� �アミン、ジ-n-デシルアミン、シクロヘキシ� �メチルアミン、ジシクロヘキシルアミン等� �ジ(シクロ)アルキルアミン類;トリエチルア� �ン、トリ-n-プロピルアミン、トリ-n-ブチル� �ミン、トリ-n-ペンチルアミン、トリ-n-ヘキ� �ルアミン、トリ-n-ヘプチルアミン、トリ-n-� �クチルアミン、トリ-n-ノニルアミン、トリ-n -デシルアミン、シクロヘキシルジメチルア� �ン、メチルジシクロヘキシルアミン、トリ� �クロヘキシルアミン等のトリ(シクロ)アルキ ルアミン類;2,2’,2’’-ニトロトリエタノー� �等の置換アルキルアミン;アニリン、N-メチ� �アニリン、N,N-ジメチルアニリン、2-メチル� �ニリン、3-メチルアニリン、4-メチルアニリ� ��、4-ニトロアニリン、ジフェニルアミン、� �リフェニルアミン、ナフチルアミン、2,4,6-� �リ-tert-ブチル-N-メチルアニリン、N-フェニル ジエタノールアミン、2,6-ジイソプロピルア� �リン等が好ましい。

 前記他のアミン化合物としては、例えば� ��エチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラメチ� �エチレンジアミン、テトラメチレンジアミ� �、ヘキサメチレンジアミン、4,4’-ジアミノ� ��フェニルメタン、4,4’-ジアミノジフェニル エーテル、4,4’-ジアミノベンゾフェノン、4, 4’-ジアミノジフェニルアミン、2,2-ビス(4-ア ミノフェニル)プロパン、2-(3-アミノフェニル )-2-(4-アミノフェニル)プロパン、2-(4-アミノ� �ェニル)-2-(3-ヒドロキシフェニル)プロパン、 2-(4-アミノフェニル)-2-(4-ヒドロキシフェニル )プロパン、1,4-ビス〔1-(4-アミノフェニル)-1-� ��チルエチル〕ベンゼン、1,3-ビス〔1-(4-アミ� ��フェニル)-1-メチルエチル〕ベンゼン、ビス (2-ジメチルアミノエチル)エーテル、ビス(2-� �エチルアミノエチル)エーテル、1-(2-ヒドロ� �シエチル)-2-イミダゾリジノン、2-キノキサ� �ノール、N,N,N’,N’-テトラキス(2-ヒドロキシ プロピル)エチレンジアミン、N,N,N’,N’’,N� �’-ペンタメチルジエチレントリアミン等が� ��ましい。

 前記アミド基含有化合物としては、例え� ��、N-t-ブトキシカルボニルジ-n-オクチルアミ ン、N-t-ブトキシカルボニルジ-n-ノニルアミ� �、N-t-ブトキシカルボニルジ-n-デシルアミン� ��N-t-ブトキシカルボニルジシクロヘキシルア ミン、N-t-ブトキシカルボニル-1-アダマンチ� �アミン、N-t-ブトキシカルボニル-2-アダマン� ��ルアミン、N-t-ブトキシカルボニル-N-メチル -1-アダマンチルアミン、(S)-(-)-1-(t-ブトキシ� �ルボニル)-2-ピロリジンメタノール、(R)-(+)-1- (t-ブトキシカルボニル)-2-ピロリジンメタノ� �ル、N-t-ブトキシカルボニル-4-ヒドロキシピ� ��リジン、N-t-ブトキシカルボニルピロリジン 、N-t-ブトキシカルボニルピペラジン、N-t-ブ� ��キシカルボニルピペリジン、N,N-ジ-t-ブトキ シカルボニル-1-アダマンチルアミン、N,N-ジ-t -ブトキシカルボニル-N-メチル-1-アダマンチ� �アミン、N-t-ブトキシカルボニル-4,4’-ジア� �ノジフェニルメタン、N,N’-ジ-t-ブトキシカ� ��ボニルヘキサメチレンジアミン、N,N,N’N’- テトラ-t-ブトキシカルボニルヘキサメチレン ジアミン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,7- ジアミノヘプタン、N,N’-ジ-t-ブトキシカル� �ニル-1,8-ジアミノオクタン、N,N’-ジ-t-ブト� �シカルボニル-1,9-ジアミノノナン、N,N’-ジ-t -ブトキシカルボニル-1,10-ジアミノデカン、N, N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,12-ジアミノド� ��カン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-4,4’-� ��アミノジフェニルメタン、N-t-ブトキシカル ボニルベンズイミダゾール、N-t-ブトキシカ� �ボニル-2-メチルベンズイミダゾール、N-t-ブ� ��キシカルボニル-2-フェニルベンズイミダゾ� ��ル等のN-t-ブトキシカルボニル基含有アミノ 化合物のほか、ホルムアミド、N-メチルホル� ��アミド、N,N-ジメチルホルムアミド、アセト アミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチル アセトアミド、プロピオンアミド、ベンズア ミド、ピロリドン、N-メチルピロリドン、N-� �セチル-1-アダマンチルアミン、イソシアヌ� �酸トリス(2-ヒドロキシエチル)等が好ましい� ��

 前記ウレア化合物としては、例えば、尿� ��、メチルウレア、1,1-ジメチルウレア、1,3-� �メチルウレア、1,1,3,3-テトラメチルウレア、 1,3-ジフェニルウレア、トリ-n-ブチルチオウ� �ア等が好ましい。

 前記その他含窒素複素環化合物としては� ��例えば、イミダゾール、4-メチルイミダゾ� �ル、4-メチル-2-フェニルイミダゾール、ベン ズイミダゾール、2-フェニルベンズイミダゾ� ��ル、1-ベンジル-2-メチルイミダゾール、1-ベ ンジル-2-メチル-1H-イミダゾール等のイミダ� �ール類;ピリジン、2-メチルピリジン、4-メチ ルピリジン、2-エチルピリジン、4-エチルピ� �ジン、2-フェニルピリジン、4-フェニルピリ� ��ン、2-メチル-4-フェニルピリジン、ニコチ� �、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリ� �、4-ヒドロキシキノリン、8-オキシキノリン� ��アクリジン、2,2’:6’,2’’-ターピリジン� �のピリジン類;ピペラジン、1-(2-ヒドロキシ� �チル)ピペラジン等のピペラジン類のほか、� ��ラジン、ピラゾール、ピリダジン、キノザ� ��ン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、ピ� ��リジンエタノール、3-ピペリジノ-1,2-プロパ ンジオール、モルホリン、4-メチルモルホリ� ��、1-(4-モルホリニル)エタノール、4-アセチ� �モルホリン、3-(N-モルホリノ)-1,2-プロパンジ オール、1,4-ジメチルピペラジン、1,4-ジアザ� ��シクロ[2.2.2]オクタン等が好ましい。

 前記窒素含有化合物は、1種単独で用いても よいし、2種以上を組み合わせて用いてもよ� �。
 この酸拡散制御剤[窒素含有化合物]の配合� �は、樹脂成分(A)100質量部に対して、通常、15 質量部以下、好ましくは10質量部以下、更に� ��ましくは5質量部以下である。酸拡散制御剤 の配合量が15質量部を超えると、レジストと� ��ての感度が低下する傾向がある。尚、酸拡� ��制御剤の配合量が0.001質量部未満であると� �プロセス条件によっては、レジストとして� �パターン形状や寸法忠実度が低下するおそ� �がある。

<添加剤>
 本発明の感放射線性樹脂組成物には、必要� ��応じて、脂環族添加剤、界面活性剤、増感� ��等の各種の添加剤を配合することができる� ��

 前記脂環族添加剤は、ドライエッチング耐� ��、パターン形状、基板との接着性等を更に� ��善する作用を示す成分である。
 このような脂環族添加剤としては、例えば� ��1-アダマンタンカルボン酸、2-アダマンタノ ン、1-アダマンタンカルボン酸t-ブチル、1-ア ダマンタンカルボン酸t-ブトキシカルボニル� ��チル、1-アダマンタンカルボン酸α-ブチロ� �クトンエステル、1,3-アダマンタンジカルボ� ��酸ジ-t-ブチル、1-アダマンタン酢酸t-ブチル 、1-アダマンタン酢酸t-ブトキシカルボニル� �チル、1,3-アダマンタンジ酢酸ジ-t-ブチル、2 ,5-ジメチル-2,5-ジ(アダマンチルカルボニルオ キシ)ヘキサン等のアダマンタン誘導体類;デ� ��キシコール酸t-ブチル、デオキシコール酸t- ブトキシカルボニルメチル、デオキシコール 酸2-エトキシエチル、デオキシコール酸2-シ� �ロヘキシルオキシエチル、デオキシコール� �3-オキソシクロヘキシル、デオキシコール酸 テトラヒドロピラニル、デオキシコール酸メ バロノラクトンエステル等のデオキシコール 酸エステル類;リトコール酸t-ブチル、リトコ ール酸t-ブトキシカルボニルメチル、リトコ� ��ル酸2-エトキシエチル、リトコール酸2-シク ロヘキシルオキシエチル、リトコール酸3-オ� ��ソシクロヘキシル、リトコール酸テトラヒ� ��ロピラニル、リトコール酸メバロノラクト� ��エステル等のリトコール酸エステル類;アジ ピン酸ジメチル、アジピン酸ジエチル、アジ ピン酸ジプロピル、アジピン酸ジn-ブチル、� ��ジピン酸ジt-ブチル等のアルキルカルボン� �エステル類や、3-〔2-ヒドロキシ-2,2-ビス(ト� ��フルオロメチル)エチル〕テトラシクロ[4.4.0 .1 ^2,5 .1 ^7,10 ]ドデカン等を挙げることができる。これら� �脂環族添加剤は、1種単独で用いてもよいし� ��2種以上を組み合わせて用いてもよい。

 また、前記界面活性剤は、塗布性、ストリ� ��ーション、現像性等を改良する作用を示す� ��分である。
 このような界面活性剤としては、例えば、� ��リオキシエチレンラウリルエーテル、ポリ� ��キシエチレンステアリルエーテル、ポリオ� ��シエチレンオレイルエーテル、ポリオキシ� ��チレンn-オクチルフェニルエーテル、ポリ� �キシエチレンn-ノニルフェニルエーテル、ポ リエチレングリコールジラウレート、ポリエ チレングリコールジステアレート等のノニオ ン系界面活性剤のほか、以下商品名で、KP341( 信越化学工業株式会社製)、ポリフローNo.75、 同No.95(共栄社化学株式会社製)、エフトップEF 301、同EF303、同EF352(トーケムプロダクツ株式� ��社製)、メガファックスF171、同F173(大日本イ ンキ化学工業株式会社製)、フロラードFC430、 同FC431(住友スリーエム株式会社製)、アサヒ� �ードAG710、サーフロンS-382、同SC-101、同SC-102� ��同SC-103、同SC-104、同SC-105、同SC-106(旭硝子株 式会社製)等を挙げることができる。これら� �界面活性剤は、1種単独で用いてもよいし、2 種以上を組み合わせて用いてもよい。

 また、前記増感剤は、放射線のエネルギー� ��吸収して、そのエネルギーを酸発生剤(B)に� ��達し、それにより酸の生成量を増加する作� ��を示すもので、感放射線性樹脂組成物のみ� ��けの感度を向上させる効果を有する。
 このような増感剤としては、例えば、カル� ��ゾール類、アセトフェノン類、ベンゾフェ� ��ン類、ナフタレン類、フェノール類、ビア� ��チル、エオシン、ローズベンガル、ピレン� ��、アントラセン類、フェノチアジン類等を� ��げることができる。これらの増感剤は、1種 単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わ� �て用いてもよい。
 また、染料或いは顔料を配合することによ� ��、露光部の潜像を可視化させて、露光時の� ��レーションの影響を緩和でき、接着助剤を� ��合することにより、基板との接着性を改善� ��ることができる。

 更に、前記以外の添加剤としては、アル� ��リ可溶性樹脂、酸解離性の保護基を有する� ��分子のアルカリ溶解性制御剤、ハレーショ� ��防止剤、保存安定化剤、消泡剤等を挙げる� ��とができる。

<後退接触角>
 また、本発明の感放射線性樹脂組成物にお� ��ては、この樹脂組成物を基板上に塗布して� ��成されるフォトレジスト膜の水に対する後� ��接触角が、68度以上であることが好ましく� �より好ましくは70度以上である。この後退接 触角が68度未満である場合には、高速スキャ� ��露光時の水切れが不良となり、ウォーター� ��ーク欠陥が発生する可能性がある。
 尚、本明細書中における「後退接触角」と� ��、本発明の樹脂組成物によるフォトレジス� ��膜を形成した基板上に、水を25μL滴下し、� �の後、基板上の水滴を10μL/minの速度で吸引� �た際の液面と基板との接触角を意味するも� �である。具体的には、後述の実施例に示す� �うに、KRUS社製「DSA-10」を用いて測定するこ� ��ができる。

[2]重合体
 本発明の重合体は、前記一般式(1)で表され� ��繰り返し単位と、ラクトン骨格を有する繰� ��返し単位とを含有するものである。
 この重合体は、前記液浸露光用感放射線性� ��脂組成物における樹脂成分として好適に用� ��ることができる。
 尚、一般式(1)で表される繰り返し単位、及� ��ラクトン骨格を有する繰り返し単位につい� ��は、それぞれ、前述の「樹脂(A1)」における 、一般式(1)で表される繰り返し単位、及びラ クトン骨格を有する繰り返し単位(繰り返し� �位(a3))の説明をそのまま適用することができ る。
 また、この重合体は、前述の樹脂(A1)におけ る、繰り返し単位(a2)、脂環式化合物を含有� �る繰り返し単位、芳香族化合物に由来する� �り返し単位等を含有していてもよい。

[3]レジストパターンの形成方法
 本発明の感放射線性樹脂組成物は、特に化� ��増幅型レジストとして有用である。前記化� ��増幅型レジストにおいては、露光により酸� ��生剤から発生した酸の作用によって、樹脂� ��分〔主に、樹脂(A1)〕中の酸解離性基が解離 して、カルボキシル基を生じ、その結果、レ ジストの露光部のアルカリ現像液に対する溶 解性が高くなり、該露光部がアルカリ現像液 によって溶解、除去され、ポジ型のレジスト パターンが得られる。

 具体的なレジストパターン形成方法とし� ��は、例えば、(1)感放射線性樹脂組成物を用� ��て、基板上にフォトレジスト膜を形成する� ��程(以下、「工程(1)」ともいう。)と、(2)前� �フォトレジスト膜を液浸露光する工程(以下� ��「工程(2)」ともいう。)と、(3)液浸露光され たフォトレジスト膜を現象し、レジストパタ ーンを形成する工程(以下、「工程(3)」とも� �う。)と、を備える方法を挙げることができ� ��。

 前記工程(1)では、本発明の感放射線性樹� ��組成物から得られた樹脂組成物溶液を、回� ��塗布、流延塗布、ロール塗布等の適宜の塗� ��手段によって、例えば、シリコンウェハ、� ��ルミニウムで被覆されたウェハ等の基板上� ��塗布することにより、レジスト被膜が形成� ��れる。具体的には、得られるレジスト膜が� ��定の膜厚となるように感放射線性樹脂組成� ��溶液を塗布したのち、プレベーク(PB)するこ とにより塗膜中の溶剤を揮発させ、レジスト 膜が形成される。

 前記レジスト膜の厚みは特に限定されな� ��が、10~5000nmであることが好ましく、10~2000nm� ��あることが更に好ましい。

 また、プレベークの加熱条件は、感放射� ��性樹脂組成物の配合組成によって変わるが� ��30~200℃程度であることが好ましく、より好� ��しくは50~150℃である。

 前記工程(2)では、工程(1)で形成されたフ� ��トレジスト膜に、水等の液浸媒体を介して� ��放射線を照射し、フォトレジスト膜を液浸� ��光する。尚、露光の際には、通常、所定の� ��ターンを有するマスクを通して放射線が照� ��される。

 前記放射線としては、使用される酸発生� ��の種類に応じて、可視光線、紫外線、遠紫� ��線、X線、荷電粒子線等から適宜選定されて 使用されるが、ArFエキシマレーザー(波長193nm )或いはKrFエキシマレーザー(波長248nm)で代表� ��れる遠紫外線が好ましく、特にArFエキシマ� ��ーザー(波長193nm)が好ましい。

 また、露光量等の露光条件は、感放射線性� ��脂組成物の配合組成や添加剤の種類等に応� ��て適宜選定することができる。
 本発明においては、露光後に加熱処理(PEB)� �行うことが好ましい。このPEBにより、樹脂� �分中の酸解離性基の解離反応を円滑に進行� �せることができる。PEBの加熱条件は、感放� �線性樹脂組成物の配合組成によって適宜調� �されるが、通常、30~200℃、好ましくは50~170� �である。

 本発明においては、感放射線性樹脂組成� ��の潜在能力を最大限に引き出すため、例え� ��、特公平6-12452号公報(特開昭59-93448号公報)� �に開示されているように、使用される基板� �に有機系或いは無機系の反射防止膜を形成� �ておくこともできる。また、環境雰囲気中� �含まれる塩基性不純物等の影響を防止する� �め、例えば、特開平5-188598号公報等に開示さ れているように、レジスト被膜上に保護膜を 設けることもできる。更に、液浸露光におい てレジスト被膜からの酸発生剤等の流出を防 止するため、例えば、特開2005-352384号公報等� ��開示されているように、レジスト被膜上に� ��浸用保護膜を設けることもできる。尚、こ� ��らの技術は併用することができる。

 尚、液浸露光によるレジストパターン形� ��方法においては、レジスト被膜上に、前述� ��保護膜(上層膜)を設けることなく、本発明� �感放射線性樹脂組成物を用いて得られるレ� �スト被膜のみにより、レジストパターンを� �成することができる。このような上層膜フ� �ーのレジスト被膜によりレジストパターン� �形成する場合、保護膜(上層膜)の製膜工程を 省くことができ、スループットの向上が期待 できる。

 前記工程(3)では、液浸露光されたレジスト� ��膜を現像することにより、所定のレジスト� ��ターンが形成される。
 この現像に使用される現像液としては、例� ��ば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、� ��酸ナトリウム、けい酸ナトリウム、メタけ� ��酸ナトリウム、アンモニア水、エチルアミ� ��、n-プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ-n -プロピルアミン、トリエチルアミン、メチ� �ジエチルアミン、エチルジメチルアミン、� �リエタノールアミン、テトラメチルアンモ� �ウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジン� �コリン、1,8-ジアザビシクロ-[5.4.0]-7-ウンデ� �ン、1,5-ジアザビシクロ-[4.3.0]-5-ノネン等の� �ルカリ性化合物の少なくとも1種を溶解した� ��ルカリ性水溶液が好ましい。
 前記アルカリ性水溶液の濃度は、通常、10� �量%以下である。アルカリ性水溶液の濃度が1 0質量%を超えると、非露光部も現像液に溶解� ��るおそれがある。

 また、前記アルカリ性水溶液からなる現像� ��には、有機溶媒を添加することもできる。
 前記有機溶媒としては、例えば、アセトン� ��メチルエチルケトン、メチルi-ブチルケト� �、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、3- メチルシクロペンタノン、2,6-ジメチルシク� �ヘキサノン等のケトン類;メチルアルコール� ��エチルアルコール、n-プロピルアルコール� �i-プロピルアルコール、n-ブチルアルコール� ��t-ブチルアルコール、シクロペンタノール� �シクロヘキサノール、1,4-ヘキサンジオール� ��1,4-ヘキサンジメチロール等のアルコール類 ;テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエー� �ル類;酢酸エチル、酢酸n-ブチル、酢酸i-アミ ル等のエステル類;トルエン、キシレン等の� �香族炭化水素類や、フェノール、アセトニ� �アセトン、ジメチルホルムアミド等を挙げ� �ことができる。これらの有機溶媒は、1種単� ��で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて 用いてもよい。
 この有機溶媒の使用量は、アルカリ性水溶� ��100体積部に対して、100体積部以下が好まし� ��。有機溶媒の使用量が100体積部を超える場� ��、現像性が低下して、露光部の現像残りが� ��くなるおそれがある。
 また、前記アルカリ性水溶液からなる現像� ��には、界面活性剤等を適量添加することも� ��きる。
 尚、アルカリ性水溶液からなる現像液で現� ��したのちは、一般に、水で洗浄して乾燥す� ��。