Title:
非晶質相改質装置及び単結晶材料の加工方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2024031919
Kind Code:
A
Abstract:
【課題】改質層の厚さを数十ミクロン以下に減少させる効果的なレーザー光適用方法、及び改質層を効果的に生成する単結晶材料加工方法を欠いている。【解決手段】単結晶材料の加工方法は下記ステップを含む。単結晶材料を改質すべき物体として提供する。改質すべき物体の内部を加工するためにフェムト秒レーザビームを放射するため、非晶質相改質装置を用いる。加工は、改質すべき物体の内部に複数の加工線を形成するためフェムト秒レーザビームを用いることを含み、各加工線はジグザグパターン加工を含み、複数の加工線の間の加工線間隔は２００μｍ～６００μｍの範囲であり、改質すべき物体が加工された後、改質すべき物体中に改質層が形成される。改質すべき物体の改質層を含む部分をスライス又は分離する。【選択図】図４Ａ
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Inventors:
Lee Jianzhong
Wang Bakai
King Chess
蔡 佳▲チー▼
Yoriharu Lee
Wang Bakai
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蔡 佳▲チー▼
Yoriharu Lee
Application Number:
JP2023135333A
Publication Date:
March 07, 2024
Filing Date:
August 23, 2023
Export Citation:
Assignee:
Global Wafers Co.,Ltd.
mRadian Femto Sources Co., Ltd.
mRadian Femto Sources Co., Ltd.
International Classes:
B23K26/53; B23K26/082; H01L21/301
Attorney, Agent or Firm:
Youko Mikami