Title:
誘電体選択性改善のためのフッ素を含有しないタングステンの原子層堆積
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2023528465
Kind Code:
A
Abstract:
誘電体表面に対して導電表面上に選択的に金属タングステン膜を形成する方法が記載される。基板が第１のプロセス条件に曝露され、タングステン金属を含有しない基板であるタングステン含有膜が堆積させられる。次いで、タングステン含有膜が、第２のプロセス条件への曝露によって金属タングステン膜に変換される。【選択図】図３
Inventors:
Fisher, Iranit
Lin, Chi-Chow
Wu Keddy
Chen, Wen Ting
Chen, Shi Chang
Gandicotta, Shrine Nivers
Sri Iram, Mandium
Shen, Cheng Fei
Naomi Yoshida
Ren, Ho
Lin, Chi-Chow
Wu Keddy
Chen, Wen Ting
Chen, Shi Chang
Gandicotta, Shrine Nivers
Sri Iram, Mandium
Shen, Cheng Fei
Naomi Yoshida
Ren, Ho
Application Number:
JP2022574429A
Publication Date:
July 04, 2023
Filing Date:
June 04, 2021
Export Citation:
Assignee:
APPLIED MATERIALS,INCORPORATED
International Classes:
C23C16/08; C23C16/455; H01L21/28; H01L21/285; H01L21/3205; H01L21/768
Attorney, Agent or Firm:
Sonoda & Kobayashi Patent Attorneys Corporation