Title:
半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2023549270
Kind Code:
A
Abstract:
本願は、半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイスを提供する。当該製造方法は、基板を提供することと、基板に、第１方向に沿って延在する複数の第１構造を形成することと、第１構造の側面に犠牲層を形成することと、犠牲層の側面に外部間隔層を形成することと、部分的な外部間隔層を除去し、パターニングされた外部間隔層を得ることによって、部分的な犠牲層を露出することと、犠牲層を除去して、パターニングされた外部間隔層と第１構造との間にエアギャップを形成することと、を含む。【選択図】図１
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Inventors:
Yang Mengmeng
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Application Number:
JP2023529044A
Publication Date:
November 22, 2023
Filing Date:
June 22, 2021
Export Citation:
Assignee:
CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES,INC.
International Classes:
H10B12/00; H01L21/336; H01L21/768
Attorney, Agent or Firm:
Norito Yamao
Hidehiro Tokuyama
Hidehiro Tokuyama
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