Title:
Semiconductor memory device
Document Type and Number:
Japanese Patent JP6115740
Kind Code:
B1
Abstract:
【課題】 プログラム不良の歩留まりを改善しつつ不合格メモリセルの救済を行うことができる半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 本発明のＮＡＮＤ型フラッシュメモリのプログラム方法は、選択ページにプログラムパルスを印加するステップと、選択ページのプログラムの合否を判定するステップと、不合格であると判定されたとき、プログラムパルスの印加回数が最適回数に到達していない場合には、選択ページにさらにプログラムパルスを印加し、プログラムパルスの印加回数が最適回数に到達している場合には、選択ページが予め決められた不合格ビット数であれば疑似的に合格と判定するステップとを有する。【選択図】 図６
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Inventors:
Kazuki Yamauchi
Application Number:
JP2015246083A
Publication Date:
April 19, 2017
Filing Date:
December 17, 2015
Export Citation:
Assignee:
Winbond Electronics Corporation
International Classes:
G06F11/10; G11C16/02
Domestic Patent References:
| JP2008293555A | 2008-12-04 | |||
| JP2012069180A | 2012-04-05 | |||
| JP2007066386A | 2007-03-15 | |||
| JP2012234240A | 2012-11-29 | |||
| JP2008293555A | 2008-12-04 | |||
| JP2012069180A | 2012-04-05 | |||
| JP2003036693A | 2003-02-07 | |||
| JP2013225830A | 2013-10-31 |
Attorney, Agent or Firm:
Kyozo Katayose