Title:
Semiconductor optical device
Document Type and Number:
Japanese Patent JP6341344
Kind Code:
B1
Abstract:
半導体光デバイスは、幅および長さを持つ半導体基板と、半導体基板の上に設けられ、活性層を含むレーザ部と、半導体基板の上におけるレーザ部の隣に設けられてレーザ部と接合した光導波路部と、を備える。光導波路部は、活性層の端部と接続されたコア層とコア層を内側に挟む一対のクラッド層とを含み、レーザ部との接合界面から入射した光を出射端面から出射する。半導体光デバイスは、光導波路部の上面に設けられた反射抑制層を備える。反射抑制層は、光導波路部の上面のうち長さ方向における光導波路部の中央部に重ねられ、光導波路部の全長よりも短く設けられている。反射抑制層は、中央部に向かってクラッド層の中を進む光が中央部で反射することを抑制する。
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Inventors:
Ayabuchida
Go Sakaino
Tetsuya Kamitsuji
Naoki Nakamura
Go Sakaino
Tetsuya Kamitsuji
Naoki Nakamura
Application Number:
JP2017567476A
Publication Date:
June 13, 2018
Filing Date:
September 07, 2017
Export Citation:
Assignee:
Mitsubishi Electric Corporation
International Classes:
H01S5/026; G02B6/12; H01S5/12
Domestic Patent References:
| JP2003234533A | 2003-08-22 | |||
| JPH11337889A | 1999-12-10 | |||
| JPH11261168A | 1999-09-24 | |||
| JPH11154770A | 1999-06-08 | |||
| JPH11135876A | 1999-05-21 | |||
| JPH02271583A | 1990-11-06 |
Foreign References:
| US20020176463A1 | 2002-11-28 |
Other References:
CLAUDE ROLLAND, ET AL.: "“Improved Extinction Ratio of Waveguide Electroabsorption Optical Modulators Induced by an InGaAs A", JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY, vol. 10, no. 12, JPN6017042421, December 1992 (1992-12-01), pages 1907 - 1911, XP011148730, ISSN: 0003732529, DOI: 10.1109/50.202816
Attorney, Agent or Firm:
Mamoru Takada
Hideki Takahashi
Yoshimi Kuno
Hideki Takahashi
Yoshimi Kuno
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