Title:
半導体圧力センサ及び圧力センサ装置
Document Type and Number:
Japanese Patent JP7080372
Kind Code:
B1
Abstract:
【課題】水素ガスの圧力測定を高精度化した半導体圧力センサを得ること。【解決手段】第１の半導体基板と、第１の半導体基板の一方の面に酸化膜を介して接合された第２の半導体基板と、第２の半導体基板の一方の面に設けられた第１のピエゾ抵抗素子及び第２のピエゾ抵抗素子とを備え、第１の半導体基板の一方の面に第１の凹部及び第１の凹部を取り囲んだ第２の凹部が形成され、第１の凹部と第２の半導体基板とにより囲まれた第１のキャビティ、第２の凹部と第２の半導体基板とにより囲まれた第２のキャビティが形成され、第１のピエゾ抵抗素子は第１のキャビティの外周に重複する位置または第１のキャビティの外周よりも内側の位置に形成され、第２のピエゾ抵抗素子は第２のキャビティの外周に重複する位置、または第２のキャビティの内周に重複する位置、または第２のキャビティの外周よりも内側で内周よりも外側の位置に形成されている。【選択図】図１
Inventors:
Mitsuhiro Mano
Hirofumi Konishi
Mayumi Fujiwara
Hirofumi Konishi
Mayumi Fujiwara
Application Number:
JP2021056750A
Publication Date:
June 03, 2022
Filing Date:
March 30, 2021
Export Citation:
Assignee:
Mitsubishi Electric Corporation
International Classes:
G01L9/00; H01L29/84
Domestic Patent References:
| JP2000133817A | 2000-05-12 | |||
| JP2011094966A | 2011-05-12 |
Foreign References:
| US20180024021A1 | 2018-01-25 |
Attorney, Agent or Firm:
Patent Business Corporation Parumo Patent Office
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