Title:
単結晶製造装置
Document Type and Number:
Japanese Patent JP6614380
Kind Code:
B1
Abstract:
【課題】育成中の単結晶を効率良く冷却し、該単結晶の成長速度の高速化を図る。【解決手段】原料融液５を収容するルツボ６、７及び原料融液５を加熱するヒータ８を格納するメインチャンバー２と、メインチャンバー２の上部に連設され、原料融液５から引き上げられた単結晶４を収容する引上げチャンバー３と、単結晶４を取り囲むようにメインチャンバー２の天井部から原料融液５の表面に向かって延伸する冷却筒１２と、冷却筒１２の内側に嵌合される冷却補助筒１９とを備えるチョクラルスキー法による単結晶製造装置であって、冷却補助筒１９に嵌合される径拡大部材２０をさらに備え、冷却補助筒１９は、軸方向に貫く切れ目を有し、かつ径拡大部材２０が押し込まれることで径が拡大して冷却筒１２に密着するものである。【選択図】図１
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Inventors:
Takuo Kobayashi
Kazuya Yanase
Atsushi Okai
Masaru Sonokawa
Atsushi Iwasaki
Kazuya Yanase
Atsushi Okai
Masaru Sonokawa
Atsushi Iwasaki
Application Number:
JP2019053430A
Publication Date:
December 04, 2019
Filing Date:
March 20, 2019
Export Citation:
Assignee:
Shin-Etsu Semiconductor Co., Ltd.
International Classes:
C30B29/06; C30B15/14; C30B30/04
Domestic Patent References:
| JP2009161416A | ||||
| JP2012525671A | ||||
| JP4975964A | ||||
| JP201145923A |
Attorney, Agent or Firm:
Mikio Yoshimiya
Toshihiro Kobayashi
Toshihiro Kobayashi