Title:
基板処理装置、プラズマ生成装置、プラズマ生成方法、基板処理方法、半導体装置の製造方法およびプログラム
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2024045002
Kind Code:
A
Abstract:
【課題】基板上に形成される膜を均一に処理することが可能な技術を提供する。【解決手段】複数の基板を処理する処理室と、前記処理室の下部から前記処理室の中央部へ延びるように構成される第１電極部と、前記処理室の上部から前記処理室の前記中央部へ延びるように構成される第２電極部と、を備え、前記処理室内にプラズマを生成するプラズマ生成部と、を備える。【選択図】図６
Inventors:
Yukinori Yutani
Kaoru Yamamoto
Kaoru Yamamoto
Application Number:
JP2023107577A
Publication Date:
April 02, 2024
Filing Date:
June 29, 2023
Export Citation:
Assignee:
KOKUSAI ELECTRIC Inc.
International Classes:
H01L21/31; C23C16/507; H01L21/316; H01L21/318; H05H1/46
Attorney, Agent or Firm:
Polaire Patent Attorneys Corporation
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