フォトレジストでコーティングされた基板の注入中の予想線量変化を決定し修正するための技法

Japanese Patent JP2023504619

A

フォトレジスト層でコーティングされた基板が、垂直な軸に沿って走査されている間に、注入レシピを使用して、第１の軸に沿ってイオンビームを走査することによって注入を実行すること、基板位置の脇に配置された第１の検出器を使用して、注入中に注入電流（Ｉ）を測定すること、注入電流に基づいて差分比（Ｉ－Ｂ）／Ｂの値を決定することであって、Ｂは、基板が存在しないベース圧力での較正中に、第１の検出器によって測定された電流である、差分比の値を決定すること、複数の事例について、それぞれ、差分比に基づいて前記注入中の電流比（CR）の複数の値を決定することであって、電流比は、較正中に、基板位置の上に配置された第２の検出器によって測定された電流に対する注入電流の比である、CRの複数の値を決定すること、及び、電流比に基づいて、イオンビームの走査、基板の走査、又はそれらの組み合わせを調整することを含む、方法。【選択図】図３Ｂ

JP2002279927	ION IMPLANTION SYSTEM
JP7476090	Ion sources and ion beam devices

Wilson, Eric Donald
Gamel, George

JP2022532725A

February 06, 2023

November 22, 2020

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APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

H01J37/317; H01J37/147; H01J37/244; H01L21/265

Sonoda & Kobayashi Patent Attorneys Corporation

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