Title:
トレンチゲート型ＳｉＣＭＯＳＦＥＴデバイス及びその製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2022548223
Kind Code:
A
Abstract:
本発明は、トレンチゲート型ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴデバイス及びその製造方法に関し、本発明のトレンチゲート型ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴデバイスは、ＳｉＣ基板（例えば、ｎ型４Ｈ－ＳｉＣ基板）に形成されたゲートトレンチを覆うゲート酸化膜、前記ゲートトレンチの底面に形成されているドープされたウェル（例えば、ＢＰＷ）、前記ゲート酸化膜が覆われた前記ゲートトレンチの内部に形成されたゲート電極、前記ゲート電極上に形成された層間絶縁膜、前記基板のエピタキシャル層の前面に形成されたソース領域のためのドーピング層の上面と前記層間絶縁膜の上面を覆うソース電極、及び前記基板の背面に形成されたドレイン電極を含む。【選択図】図１
Inventors:
Moon, Jung Hyung
Teruya Matsumoto
Kim, Sanchul
Kim, Hyung Woo
na, muncheon
bread, uk
Seok, Okyeong
Teruya Matsumoto
Kim, Sanchul
Kim, Hyung Woo
na, muncheon
bread, uk
Seok, Okyeong
Application Number:
JP2022515801A
Publication Date:
November 17, 2022
Filing Date:
August 31, 2020
Export Citation:
Assignee:
Korea Electrotechnology Research Institute
International Classes:
H01L29/78; H01L21/336; H01L29/12
Domestic Patent References:
| JP2018060924A | 2018-04-12 | |||
| JP2013214658A | 2013-10-17 | |||
| JP2008078174A | 2008-04-03 | |||
| JP2012064658A | 2012-03-29 |
Foreign References:
| WO2014115253A1 | 2014-07-31 | |||
| WO2015146162A1 | 2015-10-01 |
Attorney, Agent or Firm:
Patent Attorney Corporation Taiyo International Patent Office
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