Title:
表示装置
Document Type and Number:
Japanese Patent JP7440700
Kind Code:
B1
Abstract:
【課題】開口率の高い表示装置又は素子の面積の大きい半導体装置を提供することを課題とする。【解決手段】隣接する画素電極（又は素子の電極）の間に設けられた配線との下方にマルチゲート構造のＴＦＴのチャネル形成領域を設ける。そして、複数のチャネル形成領域のチャネル幅の方向を前記画素電極の形状における長尺方向と平行な方向とする。また、チャネル幅の長さをチャネル長の長さよりも長くすることでチャネル形成領域の面積を大きくする。【選択図】図１
More Like This:
Inventors:
Mizuki Kato
Application Number:
JP2023217098A
Publication Date:
February 28, 2024
Filing Date:
December 22, 2023
Export Citation:
Assignee:
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
International Classes:
G09F9/30; H10K59/12
Domestic Patent References:
| JP2003295793A | ||||
| JP2004006243A | ||||
| JP2005157265A | ||||
| JP2004047458A | ||||
| JP10123567A |