A manufacturing method of a silicon carbide semiconductor device and a silicon carbide semiconductor device

Title:

A manufacturing method of a silicon carbide semiconductor device and a silicon carbide semiconductor device

Document Type and Number:

Japanese Patent JP6271104

Kind Code:

B1

Abstract:

本願明細書に開示される技術は、プロセススループット、または、歩留まりを悪化させずに、炭化珪素半導体装置のオフ状態における絶縁破壊を抑制することができる技術に関するものである。本願明細書に開示される技術に関する炭化珪素半導体装置は、第１の導電型のドリフト層（２）と、ドリフト層（２）を貫通して形成される貫通転位（ＴＤ）と、ドリフト層（２）の表層における貫通転位（ＴＤ）に対応する位置に設けられる、第２の導電型の電界緩和領域（１２）とを備える。ここで、電界緩和領域（１２）は、エピタキシャル層である。

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Inventors:

Watanabe Tomokatsu
Shiro Hino
Yuusuke Yamashiro
Toshiaki Iwamatsu

Application Number:

JP2017549823A

Publication Date:

January 31, 2018

Filing Date:

May 23, 2017

Export Citation:

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Assignee:

Mitsubishi Electric Corporation

International Classes:

H01L21/20; H01L21/265; H01L21/336; H01L29/12; H01L29/78; H01L29/872

Domestic Patent References:

JP2013254826A	2013-12-19
JP2012199384A	2012-10-18
JP2009147246A	2009-07-02

Foreign References:

US20150064881A1

2015-03-05

Attorney, Agent or Firm:

Yoshitake Hidetoshi
Takahiro Arita

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