Title:
窒化物半導体モジュール
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2024017099
Kind Code:
A
Abstract:
【課題】スイッチング速度を向上させる窒化物半導体モジュールを提供すること。【解決手段】窒化物半導体モジュール１は、トランジスタを構成する窒化物半導体装置１０と、制御回路とを含む。制御回路は、第１電圧レベルと第１電圧レベルよりも低い第２電圧レベルとの間で変化する第１制御電圧Ｖｇと、第３電圧レベルと第３電圧レベルよりも低い第４電圧レベルとの間で変化する第２制御電圧Ｖｃｏｎｔとを生成する。第１制御電圧Ｖｇは、ゲート電極２４とソース電極２８との間に印加される電圧Ｖｇｓを制御する。第２制御電圧Ｖｃｏｎｔは、制御電極３２とソース電極２８との間に印加される。制御回路は、トランジスタのターンオフ動作時に第１電圧レベルから第２電圧レベルへの遷移終了タイミングよりも第３電圧レベルから第４電圧レベルへの遷移終了タイミングが早くなるように第１制御電圧Ｖｇおよび第２制御電圧Ｖｃｏｎｔを生成する。【選択図】図２
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Inventors:
Hirotaka Otake
Application Number:
JP2022119515A
Publication Date:
February 08, 2024
Filing Date:
July 27, 2022
Export Citation:
Assignee:
ROHM Co., Ltd.
International Classes:
H01L21/337; H01L21/28; H01L21/338; H01L29/41; H01L29/423
Attorney, Agent or Firm:
Makoto Onda
Hironobu Onda
Hironobu Onda