Title:
半導体装置
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2024045014
Kind Code:
A
Abstract:
【課題】トランジスタ内の温度分布を小さくする半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、基板と、前記基板上に設けられた半導体層と、前記半導体層上に設けられたゲート電極１４と、前記半導体層上に設けられたドレイン電極１６と、前記半導体層上に設けられ、前記ドレイン電極とで前記ゲート電極を挟むソース電極１２と、を備え、前記基板および前記半導体層には、前記基板の厚さ方向から見て前記ソース電極に重なり、前記半導体層および前記基板を貫通し、前記ソース電極の延伸方向に配列された複数のバイアホール２２ａ、２２ｂが設けられ、前記複数のバイアホールは、前記ゲート電極における信号が入力する第１端に最も近く、かつ前記ソース電極に接触する第１面積を有する第１バイアホール２２ｂを有し、前記第１面積は、前記複数のバイアホールが前記ソース電極にそれぞれ接触する複数の面積のうち最も小さい。【選択図】図１
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Inventors:
Zhu Thunder
Application Number:
JP2023126345A
Publication Date:
April 02, 2024
Filing Date:
August 02, 2023
Export Citation:
Assignee:
Sumitomo Electric Device Innovations, Inc.
International Classes:
H01L21/338; H01L21/3205; H01L29/41; H01L29/417
Attorney, Agent or Firm:
Shuhei Katayama