本公开的实施例涉及一种阵列基板及其制作方 法、 显示装置、 掩模板。 背景技术

随着显示技术的不断发展， 液晶显示装置 ( Liquid Crystal Display )已经成 为市场上的主流显示装置。 COA ( Color Filter On Array )技术是一种将彩色滤 光片和阵列基板集成在一起的技术， 通过将彩色滤光材料涂布在已经完成的阵 列基板上以形成彩色滤光层， 可以提高液晶显示装置的开口率。 并且， COA 技术可降低阵列基板和彩膜基板的对准工艺的 难度， 从而可提高产品良率、 降 低生产成本。 发明内容

本公开实施例提供一种阵列基板及其制作方法 、 显示装置和掩模板。 该阵 列基板包括衬底基板， 包括显示区和位于显示区周边的周边区； 第一导电层， 位于衬底基板上； 以及有机层， 位于第一导电层远离衬底基板的一侧， 周边区 包括至少一个绑定区， 在各绑定区， 第一导电层包括间隔设置的多个引线， 有 机层包括暴露多个引线的第一开口， 第一开口包括与引线的延伸方向相交的边 缘， 有机层还包括与边缘相连的锯齿形凹槽， 在沿垂直于衬底基板的方向上， 锯齿形凹槽的深度小于有机层的厚度，锯齿形 凹槽在平行于衬底基板的平面上 的正投影为锯齿形。 由此， 该阵列基板通过银齿形凹槽降低了第一开口的 边缘 的坡度角， 避免在第一开口的边缘形成用于图案化后续的 导电层的光刻胶残 留， 从而可以避免造成绑定区短路。

本公开至少一个实施例提供一种阵列基板， 其包括： 衬底基板， 包括显示 区和位于所述显示区周边的周边区； 第一导电层， 位于所述衬底基板上； 以及 有机层， 位于所述第一导电层远离所述衬底基板的一侧 ， 所述周边区包括至少 一个绑定区， 在各所述绑定区， 所述第一导电层包括间隔设置的多个引线， 所 述有机层包括暴露所述多个引线的第一开口， 所述第一开口包括与所述引线的 延伸方向相交的边缘， 所述有机层还包括与所述边缘相连的锯齿形凹 槽， 在沿 垂直于所述衬底基板的方向上， 所述锯齿形凹槽的深度小于所述有机层的厚 度， 所述锯齿形凹槽在平行于所述衬底基板的平面 上的正投影为锯齿形。

例如， 在本公开一实施例提供的阵列基板中， 所述锯齿形凹槽包括沿所述 边缘排列的多个锯齿部，任意相邻两个所述锯 齿部在靠近所述边缘的一侧的部 分之间的距离小于曝光机的分辨率。

例如， 本公开一实施例提供的阵列基板还包括： 绝缘层， 位于所述第一导 电层和所述有机层之间， 所述绝缘层包括第二开口， 所述第二开口和所述第一 开口共同暴露所述多个引线，

例如， 本公开一实施例提供的阵列基板还包括： 第二导电层， 位于所述有 机层远离所述第一导电层的一侧， 在各所述绑定区， 所述第二导电层包括间隔 设置的多个电极条， 所述多个电极条通过所述第二开口和所述第一 开口与所述 多个引线分别电性相连。

例如， 在本公开一实施例提供的阵列基板中， 所述电极条覆盖至少部分所 述锯齿形凹槽， 并在所述引线的延伸方向上延伸超过所述锯齿 形凹槽远离所述 第一开口的一端。

例如， 在本公开一实施例提供的阵列基板中， 在所述引线的延伸方向上， 所述电极条延伸超过所述锯齿形凹槽远离所述 第一开口的一端的长度大于 10 微米。

例如， 在本公开一实施例提供的阵列基板中， 所述边缘与所述引线的延伸 方向垂直。

例如， 在本公开一实施例提供的阵列基板中， 所述银齿形凹槽包括依次并 排设置的多个三角形凹槽，各所述三角形凹槽 包括底边和与所述底边相对的顶 角， 所述底边与所述边缘重叠， 所述顶角位于所述底边远离所述第一开口的一 侧。

例如， 在本公开一实施例提供的阵列基板中， 所述三角形凹槽沿所述引线 的延伸方向上的高度大于等于 50微米。

例如， 在本公开一实施例提供的阵列基板中， 各所述引线的宽度为 D1 , 相邻的两个所述引线的距离为 D2 , 所述底边的长度为 （Dl+D2） /2。 例如， 在本公开一实施例提供的阵列基板中， 所述有机层包括位于相邻的 两个所述三角形凹槽之间的三角形区域，相邻 的两个所述引线之间设置有所述 三角形区域。

例如， 在本公开一实施例提供的阵列基板中， 从所述三角形凹槽的所述底 边到所述三角形凹槽的所述顶角的方向上，各 所述三角形凹槽沿垂直于所述衬 底基板的方向上的深度逐渐减小。

例如， 在本公开一实施例提供的阵列基板中， 所述银齿形凹槽包括依次并 排设置的多个梯形凹槽，各所述梯形凹槽包括 长底边和与所述长底边相对的短 底边， 所述长底边与所述边缘重叠， 所述短底边位于所述长底边远离所述第一 开口的一侧。

例如， 在本公开一实施例提供的阵列基板中， 所述长底边的长度大于曝光 机的分辨率， 所述短底边的长度小于曝光机的分辨率。

例如， 在本公开一实施例提供的阵列基板中， 所述锯齿形凹槽包括间隔设 置的多个矩形凹槽， 各所述矩形凹槽的一边与所述边缘重叠， 相邻所述矩形凹 槽的间隔在垂直于所述引线的延伸方向的方向 上的宽度小于曝光机的分辨率。

例如， 在本公开一实施例提供的阵列基板中， 所述绝缘层包括栅绝缘层和 钝化层， 所述有机层包括光刻胶。

例如， 在本公开一实施例提供的阵列基板中， 所述第一导电层的材料包括 金属， 所述第二导电层的材料包括透明金属氧化物。

本公开至少一个实施例还提供一种显示装置， 包括上述任一项所述的阵列 基板。

本公开至少一个实施例还提供一种阵列基板的 制作方法， 其包括： 在衬底基板上形成第一导电层； 在所述第一导电层远离所述衬底基板的一 侧形成有机材料层； 以及图案化所述有机材料层以形成有机层， 所述衬底基板 包括显示区和位于所述显示区周边的周边区， 所述周边区包括至少一个绑定 区， 在各所述绑定区， 所述第一导电层包括间隔设置的多个引线， 所述有机层 包括第一开口， 所述第一开口暴露所述多个引线， 所述第一开口包括与所述引 线的延伸方向相交的边缘， 所述有机层还包括与所述边缘相连的锯齿形凹 槽， 在沿垂直于所述衬底基板的方向上， 所述锯齿形凹槽的深度小于所述有机层的 厚度， 所述锯齿形凹槽在平行于所述衬底基板的平面 上的正投影为锯齿形。

例如， 在本公开一实施例提供的阵列基板的制作方法 中， 在形成所述有机 材料层之前，还包括：在第一导电层远离所述 衬底基板的一侧形成绝缘材料层， 图案化所述有机材料层以形成有机层包括采用 一次掩模工艺图案化所述绝缘 材料层和所述有机材料层以形成绝缘层和所述 有机层， 所述绝缘层包括第二开 口， 所述第一开口和所述第二开口共同暴露所述多 个引线。

例如， 本公开一实施例提供的阵列基板的制作方法还 包括： 在所述有机层 远离所述第一导电层的一侧形成第二导电层， 在各所述绑定区， 所述第二导电 层包括间隔设置的多个电极条， 所述多个电极条通过所述第二开口和所述第一 开口与所述多个引线分别电性相连。

例如， 在本公开一实施例提供的阵列基板的制作方法 中， 采用一次掩模工 艺图案化所述绝缘材料层和所述有机材料层以 形成绝缘层和所述有机层包括： 使用掩模板对所述有机材料层进行曝光、显影 以在所述有机层中形成位于所述 绑定区的所述第一开口和所述锯齿形凹槽； 以及以包括所述第一开口的所述有 机层作为掩膜对所述绝缘材料层进行刻蚀， 以在所述绝缘层中形成位于所述绑 定区的所述第二开口。

本公开至少一个实施例还提供一种掩模板， 用于制作上述任一项所述的阵 列基板， 其中， 所述掩模板包括图案部分， 所述图案部分包括与所述第一开口 对应的部分和与所述锯齿形凹槽对应的部分。

例如， 在本公开一实施例提供的掩模板中， 所述有机层的材料包括负性光 刻胶， 所述图案部分为不透光部分。

例如， 在本公开一实施例提供的掩模板中， 所述有机层的材料包括正性光 刻胶， 所述图案部分为透光部分。

附图说明

为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案， 下面将对实施例的附图作简 单地介绍， 显而易见地， 下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施 例， 而 非对本公开的限制。

图 1为一种阵列基板的平面示意图；

图 2A为一种阵列基板上绑定区的平面示意图；

图 2B为图 2A所示的绑定区沿 AA方向的剖面示意图；

图 3A为另一种阵列基板上绑定区的平面示意图；

图 3B为图 3A所示的绑定区沿 BB方向的剖面示意图； 图 4为一种有机层的开口的边缘的聚焦离子束（FI B） 图；

图 5A为一种阵列基板绑定区短路的显微镜图；

图 5B为一种阵列基板绑定区短路的扫描电镜图；

图 6A为根据本公开一实施例提供的阵列基板的平� ��示意图；

图 6B为图 6A所示的阵列基板沿 CC方向的剖面示意图；

图 7A为根据本公开一实施例提供的阵列基板中的� ��机层的平面扫描电镜 图；

图 7B为根据本公开一实施例提供的阵列基板中的� ��机层的剖面扫描电镜 图；

图 8为根据本公开一实施例提供的阵列基板中的� �机层的平面示意图； 图 9为根据本公开一实施例提供的阵列基板的有� �层的平面示意图； 图 10为根据本公开一实施例提供的一种显示装置� ��

图 11为根据本公开一实施例提供的一种阵列基板� ��制作方法； 以及 图 12为根据本公开一实施例提供的一种掩模板的� ��面示意图。 具体实施方式

为使本公开实施例的目的、 技术方案和优点更加清楚， 下面将结合本公开 实施例的附图， 对本公开实施例的技术方案进行清楚、 完整地描述。 显然， 所 描述的实施例是本公开的一部分实施例， 而不是全部的实施例。 基于所描述的 本公开的实施例， 本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提 下所获得的所 有其他实施例， 都属于本公开保护的范围。

除非另外定义， 本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本 公开所属领 域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。 本公开中使用的“第一”、 “第二” 以及类似的词语并不表示任何顺序、 数量或者重要性， 而只是用来区分不同的 组成部分。 “包括” 或者 “包含” 等类似的词语意指出现该词前面的元件或者 物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件 及其等同， 而不排除其他元件或 者物件。 “连接” 或者 “相连” 等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连 接， 而是可以包括电性的连接， 不管是直接的还是间接的。

目前， 采用 COA技术的显示装置通过将彩色滤光片制备在阵 列基板上， 一方面可提高像素开口率， 另一方面可节省工艺步骤， 降低工艺难度。 尤其是, 当应用于曲面产品上时， COA技术的显示装置还可避免漏光不良， 具有更好 的产品竞争力。 通常， 采用 COA技术的显示装置需要采用有机层 （ORG） 来 平坦有机层下方的膜层的段差，从而提高阵列 基板的平坦度，并降低产品负载。

图 1为一种阵列基板的平面示意图。 如图 1所示， 该阵列基板 10包括显 示区 11和显示区 11周边的周边区 12; 显示区 11设置有彩色滤光层 20 , 在图 1中，彩色滤光层 20还设置在围绕显示区 11的部分周边区 12中。如图 1所示， 周边区 12包括至少一个绑定区 13 , 绑定区 13用于将显示区 11中的各种信号 线引出， 并与外接的驱动电路连接。

在采用 COA技术的显示装置中， 阵列基板的引线上设置绝缘层， 绝缘层 上设置有有机层， 有机层上设置有导电层； 由于有机层的厚度较大（一般大于 2 微米）， 如果要通过在有机层中制作过孔， 然后通过有机层中的过孔来实现 导电层与引线的电连接， 则有机层中的过孔需要制作得很大 （直径大约 20微 米）， 而通常引线的宽度小于 20 微米， 因此无法有效地进行开孔。 另一方面， 如果有机层中的过孔很深，由于有机层的材质 较软，在后续进行绑定的工艺中， 容易出现有机层的过孔变形等问题。 因此， 无法通过形成过孔的方式来实现导 电层与引线的电连接。 所以， 在制作采用 COA技术的阵列基板时， 通常采用 以下两种方式来实现与导电层和引线的电连接 。

方式一

图 2A为一种阵列基板上绑定区的平面示意图； 图 2B为图 2A所示的绑定 区沿 AA方向的剖面示意图。 如图 2A和 2B所示， 绑定区 13包括引线 31、 栅 绝缘层 32、 钝化层 33、 有机层 34以及导电层 35。 引线 31可为栅金属层， 导 电层 35可为氧化铟锡 （ITO） 层。 如图 2A和 2B所示， 首先可采用一张掩模 板对有机层 35进行图案化， 将整个绑定区 13的有机层 35去除， 以形成与绑 定区 13形状相同的开口 39;然后再采用另一张掩模板对栅绝缘层 32和钝化层 33进行图案化， 以在栅绝缘层 32和钝化层 33中形成过孔 36 , 从而使得导电 层 35可通过栅绝缘层 32和钝化层 33中的过孔 36与引线 31相连， 由此， 通 过将导电层 35与外接电路相连， 可使得外接电路可将驱动信号写入引线 31 , 进而驱动显示区中的像素单元进行显示。 然而， 上述的工艺需要增加一次掩模 工艺， 从而导致成本上升， 影响产能。 另外， 使用两张掩模板对有机层和钝化 层进行图案化， 容易导致显示区内的过孔出现过切 （undercut） 等不良， 从而 影响产品良率。

方式二 图 3A为另一种阵列基板上绑定区的平面示意图； 图 3B为图 3A所示的绑 定区沿 BB方向的剖面示意图。 如图 3A和 3B所示， 可通过一张掩模板将整个 绑定区 13的有机层 34去掉， 以形成与绑定区 13形状相同的开口 39 , 然后直 接对栅绝缘层 32和钝化层 33进行刻蚀， 从而将引线 31暴露， 从而可使得引 线 31可与导电层 35直接相连。 虽然， 上述工艺省去了一次掩模工艺， 但是由 于有机层 34形成的开口 39的边缘坡度角较大， 容易导致导电层在图案化的过 程中因曝光量不足而在开口 39的边缘残留有导电材料， 从而出现短路问题。

图 4为一种有机层的开口的边缘的聚焦离子束（FI B） 图。 如图 4所示， 由于有机层 34的厚度较大， 因此有机层 34中的开口的边缘坡度角较大。例如， 该边缘坡度角为 60度。 通常， 在有机层上形成导电层的步骤包括： 形成覆盖 有机层及其开口的导电材料层； 在导电材料层上涂覆光刻胶； 采用掩模板对光 刻胶进行曝光以形成光刻胶图案； 以及以该光刻胶图案为掩膜对导电材料层进 行刻蚀以形成导电层。 由于开口的边缘坡度角较大， 在对光刻胶进行曝光时， 开口边缘的光刻胶的曝光量小于开口中间的光 刻胶的曝光量， 从而在开口边缘 形成光刻胶残留； 然后， 在以光刻胶图案对导电材料层进行刻蚀的过程 中， 导 电材料层也容易在开口边缘形成残留， 从而将不同的引线电连接而造成短路。 图 5A为一种阵列基板绑定区短路的显微镜图； 图 5B为一种阵列基板绑定区 短路的扫描电镜图。 如图 5A和 5B所示， 用于形成导电层 35的导电材料在开 口边缘形成残留 350 , 从而将不同的引线电连接而造成短路。

对此，本公开实施例提供一种阵列基板及其制 作方法、显示装置和掩模板。 该阵列基板包括衬底基板， 包括显示区和位于显示区周边的周边区； 第一导电 层， 位于衬底基板上； 以及有机层， 位于第一导电层远离衬底基板的的一侧， 周边区包括至少一个绑定区， 在各绑定区， 第一导电层包括间隔设置的多个引 线， 有机层包括第一开口， 第一开口暴露多个引线， 第一开口包括与引线的延 伸方向相交的边缘， 有机层还包括与边缘相连的锯齿形凹槽， 在沿垂直于衬底 基板的方向上， 锯齿形凹槽的深度小于有机层的厚度， 锯齿形凹槽在平行于衬 底基板的平面上的正投影为锯齿形。 由此， 该阵列基板通过锯齿形凹槽降低了 第一开口的边缘的坡度角， 避免在第一开口的边缘形成用于图案化后续导 电层 的光刻胶残留， 从而可以避免造成绑定区短路， 进而可提高该阵列基板的产品 良率和产品品质。

下面， 结合附图对本公开实施例提供的阵列基板及其 制作方法、 显示装置 和掩模板进行详细的说明。

本公开一实施例提供一种阵列基板。 图 6A为根据本公开一实施例提供的 阵列基板的平面示意图；图 6B为图 6A所示的阵列基板沿 CC方向的剖面示意 图。 如图 6A和 6B所示， 该阵列基板 100包括衬底基板 110、 第一导电层 120、 和有机层 140。 衬底基板 110包括显示区和位于显示区周边的周边区 112; 第 一导电层 120位于衬底基板 110上； 有机层 140位于第一导电层 120远离衬底 基板 110的一侧。 周边区 112包括至少一个绑定区 113 , 绑定区 113的具体数 量可根据阵列基板的尺寸、 类型、 分辨率等参数确定。 在各绑定区 113 , 第一 导电层 120包括间隔设置的多个引线 122 , 有机层 140包括第一开口 142 , 第 一开口 142暴露多个引线 122 , 第一开口 142包括与引线 122的延伸方向相交 的边缘 1420 , 有机层 140还包括与边缘 1420相连的锯齿形凹槽 143 , 在沿垂 直于衬底基板 110的方向上， 锯齿形凹槽 143的深度小于有机层 140的厚度， 锯齿形凹槽 143在平行于衬底基板 110的平面上的正投影为锯齿形。 需要说明 的是， 上述的引线用于实现阵列基板的显示区中的信 号线（例如， 栅线、 数据 线等） 与外接驱动电路的电连接； “锯齿形凹槽的深度小于有机层的厚度” 是 指锯齿形凹槽没有穿透有机层。

在本公开实施例提供的阵列基板中， 有机层还包括与边缘相连的锯齿形凹 槽， 锯齿形凹槽的深度小于有机层的厚度， 锯齿形凹槽可有效地降低第一开口 的边缘的坡度角， 避免在第一开口的边缘形成光刻胶残留， 可避免后续形成第 二导电层 （例如， 氧化铟锡 （ITO） 层） 在第一开口的边缘形成残留， 从而避 免第二导电层的残留将不同的引线电连接。 由此， 该阵列基板可避免发生绑定 区的短路现象， 进而可提高该阵列基板的产品良率和产品品质 。

例如， 在一些示例中， 第一开口 142在边缘 1420位置处的坡度角小于 30 度， 从而可在曝光工艺中有效地避免在第一开口的 边缘形成光刻胶残留， 可避 免后续形成第二导电层 （例如， 氧化铟锡 （ITO） 层在第一开口的边缘形成残 留， 从而避免第二导电层的残留将不同的引线电连 接。 例如， 引线 122可与栅 极或栅线通过同一导电层形成。 也就是说， 在显示区 111 , 第一导电层 120可 包括栅极和栅线。 当然， 本公开实施例包括但不限于此， 引线 122也可与数据 线或其他信号线通过同一导电层形成。

例如， 在一些示例中， 锯齿形凹槽 143包括沿边缘 1420排列的多个锯齿 部 1430 , 任意相邻两个锯齿部 1430在靠近边缘 1420的一侧的部分（例如， 如 图 6A中的虚线框 1438所标示的部分）之间的距离小于曝光机的� �辨率。因此, 在采用曝光工艺形成上述的锯齿形凹槽时 （有机层可采用光刻胶材料制作）， 可利用掩模板上与相邻两个锯齿部在靠近边缘 的一侧的部分 （例如， 如图 6A 中的虚线框 1438所标示的部分） 所对应的图案部分通过光的衍射， 来实现对 第一开口的边缘进行衍射补偿曝光。 由此， 一方面， 可形成上述的锯齿形凹槽， 并且在沿垂直于衬底基板的方向上， 锯齿形凹槽的深度小于有机层的厚度； 另 一方面， 可通过上述的衍射补偿曝光增加第一开口的边 缘的曝光量， 降低第一 开口的边缘的坡度角。

例如，在一些示例中，阵列基板还包括：位于 第一导电层 120和有机层 140 之间的绝缘层， 绝缘层包括第二开口 132 , 第二开口 132和第一开口 142共同 暴露多个引线 122 , 绝缘层位于第一导电层 120远离衬底基板 110的一侧 （即 位于有机层 140下方）。 需要说明的是， 由于绝缘层被有机层覆盖， 并且在绑 定区被去除， 因此图 6A和图 6B没有示出绝缘层， 绝缘层的位置可参见图 2B 中绝缘层的位置。

例如， 在一些示例中， 绝缘层可包括拇极绝缘层和铫化层。

例如， 在一些示例中， 有机层的材料包括光刻胶， 从而使得有机层可仅通 过曝光、 显影工艺实现图案化， 而无需采用刻蚀工艺， 从而可节省工艺， 降低 成本。 当有机层采用光刻胶材料制作时， 在有机层中形成第一开口之后， 可利 用具有第一开口的有机层作为掩膜， 对有机层下方的绝缘层进行刻蚀， 例如利 用湿法刻蚀工艺在绝缘层中形成与第一开口形 状相同的第二开口， 从而可节省 一次掩模板工艺。

例如， 在一些示例中， 如图 6A和 6B所示， 该阵列基板 100还包括： 第 二导电层 150 , 位于有机层 140远离第一导电层 120的一侧， 在各绑定区 113 , 第二导电层 150包括间隔设置的多个电极条 152 , 多个电极条 152通过第二开 口 132和第一开口 142与多个引线 122分别电性相连。 由此， 可通过将多个电 极条与外接电路相连来实现多个引线与外接电 路的电连接。 例如， 外接电路可 为驱动电路。

例如， 在一些示例中， 第一导电层 120的材料包括金属， 第二导电层 150 的材料包括透明金属氧化物， 例如， 氧化铟锡（ITO）。

例如， 在一些示例中， 如图 6A和 6B所示， 电极条 152覆盖引线 122和 至少部分锯齿形凹槽 143 ,并在引线 122的延伸方向上延伸超过锯齿形凹槽 143 远离第一开口 142的一端。 由此， 由于电极条 152覆盖引线 122和至少部分锯 齿形凹槽 143 , 电极条 152可完全覆盖第一开口 142中的引线 122 , 从而可对 引线 122起到保护作用， 防止水氧进入引线 122并腐蚀引线 122。 另外， 在阵 列基板的制作工艺中， 在形成第二导电层之后会经过一次或多次烘烤 工艺， 有 机层容易产生热胀冷缩， 从而容易导致电极条与有机层的接触性变差， 导致水 氧浸入引线并腐蚀引线； 此时， 在引线的延伸方向上， 由于电极条延伸超过锯 齿形凹槽远离第一开口的一端， 从而在有机层收缩时， 依然可保证电极条和有 机层之间良好的接触性， 从而可进一步防止水氧浸入引线并腐蚀引线。 需要说 明的是， 本示例仅限定电极条在引线的延伸方向上覆盖 第一开口和锯齿形凹 槽， 并不限定电极条在与引线的延伸方向垂直的方 向上也覆盖第一开口和锯齿 形凹槽。 当然， 如图 6A和 6B所示， 为了对引线进行保护， 电极条在与引线 的延伸方向垂直的方向上也覆盖引线。

例如， 在一些示例中， 如图 6A和 6B所示， 在引线 122的延伸方向上， 电极条 152延伸超过锯齿形凹槽 143远离第一开口 142的一端的长度 L大于 10 微米。

例如， 在一些示例中， 如图 6A和 6B所示， 边缘 1420与引线 122的延伸 方向垂直。 当然， 本公开实施例包括但不限于此， 边缘 1420也可与引线 122 呈锐角或铫角。

例如， 如图 6A和 6B所示， 第二开口 132和第一开口 142的形状均为矩 形。 此时， 第一开口 142包括与引线 122的延伸方向相交的两个边缘 1420 , 因 此， 有机层 140还包括与两个边缘 1420相连的两个锯齿形凹槽 143。 当然， 本 公开实施例包括但不限于此， 有机层 140也可仅在两个边缘 1420中一个设置 锯齿形凹槽 143 , 而另一个不设置锯齿形凹槽 143。

例如， 如图 6A和 6B所示， 第二开口 132在衬底基板 110上的正投影与 第一开口 142在衬底基板 110上的正投影重合。 也就是说， 第二开口和第一开 口的形状和位置相同。 需要说明的是， 由于在刻蚀工艺中， 刻蚀液的流动会产 生一定的误差， 上述的 “重合” 也包括大致重合的情况。

例如， 如图 6A和 6B所示， 锯齿形凹槽 143包括依次并排设置的多个三 角形凹槽 1432 , 各三角形凹槽 1432包括底边 14321和与底边 14321相对的顶 角 14322 , 底边 14321与边缘 1420重叠， 顶角 14322位于底边 14321远离第一 开口 142的一侧。 例如， 如图 6A和 6B所示， 三角形凹槽 1432沿引线 122的延伸方向上的 高度大于等于 50微米。 需要说明的是， 上述的 “高度” 是指三角形凹槽在衬 底基板上的正投影在引线的延伸方向上的尺寸 。

例如，如图 6A和 6B所示，各引线 122的宽度为 D1 ,相邻的两个引线 122 的距离为 D2 , 三角形凹槽 1432的底边 14321的长度为 （D1+D2） /2。 当然， 本公开实施例包括但不限于此， 三角形凹槽的底边的长度可根据图案大小和工 艺能力进行调整， 可小于也可大于 （D1+D2） /2。

例如， 如图 6A和 6B所示， 有机层 140包括位于相邻的两个三角形凹槽 1432之间的三角形区域 1433 , 相邻的两个引线 122之间设置有三角形区域 1433。 由此， 三角形区域 1433可起到隔离相邻的两个引线 122的作用， 从而 可进一步避免绑定区发生短路现象。

例如，在一些示例中，从三角形凹槽 1432的底边 14321到三角形凹槽 1432 的顶角 14322的方向上， 随着曝光量的减小， 各三角形凹槽 1432沿垂直于衬 底基板 110的方向上的深度逐渐减小。

需要说明的是， 虽然图 6A和图 6B示出的三角形凹槽 1432的形状为等腰 三角形， 但本公开实施例包括但不限于此， 该三角形凹槽的形状也可为不等腰 的三角形。

图 7A为根据本公开一实施例提供的阵列基板中的� ��机层的平面扫描电镜 图； 图 7B为根据本公开一实施例提供的阵列基板中的� ��机层的剖面扫描电镜 图。 如图 7A所示， 有机层 140上形成为锯齿形凹槽 143 ; 如图 7B所示， 经过 实测， 第一开口 142的边缘坡度角下降到了 13.84度。 需要说明的是， 虽然第 一开口的边缘对应三角形凹槽和三角形区域的 部分的坡度角并不相同， 然而由 于三角形凹槽并排设置且在衬底基板上的正投 影为三角形， 因此沿着第一开口 的边缘， 曝光量是逐渐变化的， 因此， 最终形成的第一开口的边缘的坡度角也 是连续变化的， 从而可较好地防止用于图案化第二导电层的光 刻胶残留。

图 8为根据本公开一实施例提供的阵列基板中的� �机层的平面示意图。 如 图 8所示，锯齿形凹槽 143包括依次并排设置的多个梯形凹槽 1434 , 各梯形凹 槽 1434包括长底边 14341和与长底边 14341相对的短底边 14342 ,长底边 14341 与边缘 1420重叠， 短底边 14342位于长底边 14341远离第一开口 142的一侧。

例如， 在一些示例中， 如图 8所示， 长底边 14341的长度大于曝光机的分 辨率， 短底边 14342的长度小于曝光机的分辨率。 值得注意的是， 上述的锯齿形凹槽的锯齿部还可为阶梯形状， 即宽度逐渐 减小的多个矩形叠加之后的形状。

图 9为根据本公开一实施例提供的阵列基板的有� �层的平面示意图。 如图 9所示，锯齿形凹槽 143包括间隔设置的多个矩形凹槽 1435 , 各矩形凹槽 1435 的一边与边缘 1420重叠， 相邻矩形凹槽 1435的间隔在垂直于引线 122的延伸 方向的方向上的宽度小于曝光机的分辨率。 因此， 在采用曝光工艺形成上述的 锯齿形凹槽时 （有机层可采用光刻胶材料制作）， 可利用掩模板上与相邻矩形 凹槽的间隔所对应的图案部分通过光的衍射， 来实现对第一开口的边缘进行衍 射补偿曝光。 由此， 一方面， 可形成上述的锯齿形凹槽， 在沿垂直于衬底基板 的方向上， 锯齿形凹槽的深度小于有机层的厚度； 另一方面， 可通过上述的衍 射补偿曝光增加第一开口的边缘的曝光量， 降低第一开口的边缘的坡度角。

本公开至少一个实施例还提供一种显示装置。 图 10为根据本公开一实施 例提供的一种显示装置。 如图 10所示， 显示装置 200包括阵列基板 100 , 该阵 列基板 100可为上述实施例中任意一种阵列基板。 由此， 该显示装置同样具有 与其包括的阵列基板相同或相似的有益效果， 具体可参见上述实施例中的具体 描述， 本公开实施例在此不再赘述。

例如， 在一些示例中， 该显示装置可以为智能手机、 平板电脑、 电视机、 显示器、 笔记本电脑、 数码相框、 导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

例如， 在一些示例中， 该显示装置可为曲面显示装置。 当该显示装置应用 于曲面显示装置时， 在具有较高开口率的同时还不容易发生漏光现 象。

本公开至少一个实施例还提供一种阵列基板的 制作方法。 图 11为根据本 公开一实施例提供的一种阵列基板的制作方法 。 如图 11所示， 该阵列基板的 制作方法包括以下步骤：

S101 : 在衬底基板上形成第一导电层。

例如， 衬底基板可为玻璃基板、 石英基板、 塑料基板等透明基板； 第一导 电层可为拇极金属层， 也就是说， 在该阵列基板的显示区， 第一导电层可包括 栅线和栅极。 当然， 本公开实施例包括但不限于此， 衬底基板也可采用其他基 板， 第一导电层也可为其他导电层。

S102: 在第一导电层远离衬底基板的一侧形成有机材 料层。

例如， 可采用涂覆工艺在第一导电层远离衬底基板的 一侧涂覆有机材料 层。 有机材料层可用于平坦其下方膜层的段差， 提高阵列基板的平坦度。 S103: 图案化有机材料层以形成有机层， 衬底基板包括显示区和位于显示 区周边的周边区， 周边区包括至少一个绑定区， 在各绑定区， 第一导电层包括 间隔设置的多个引线， 有机层包括第一开口， 第一开口暴露多个引线， 第一开 口包括与引线的延伸方向相交的边缘， 有机层还包括与边缘相连的锯齿形凹 槽， 在沿垂直于衬底基板的方向上， 锯齿形凹槽的深度小于有机层的厚度， 锯 齿形凹槽在平行于衬底基板的平面上的正投影 为锯齿形。

在本公开实施例提供的阵列基板的制作方法中 ，有机层还包括与边缘相连 的锯齿形凹槽， 锯齿形凹槽可降低第一开口的边缘的坡度角， 避免在第一开口 的边缘形成光刻胶残留， 可避免后续形成第二导电层（例如， 氧化铟锡（ITO） 层在第一开口的边缘形成残留，从而避免第二 导电层的残留将不同的引线电连 接。 由此， 该阵列基板可避免发生绑定区的短路现象。

例如， 当图案化有机材料层以形成有机层时， 所使用的掩模板与第一开口 对应的部分可将光完全遮挡， 其下方的有机材料层在后续的显影工艺中可被 完 全去除，从而形成第一开口；而在所使用的掩 模板与锯齿形凹槽对应的部分中， 相邻的两个三角形部分的底部之间的距离小于 曝光机的分辨率，从而会发生衍 射现象， 使得被这两个三角形部分遮挡的有机层被部分 曝光， 因此在后续的显 影工艺中被部分去除， 从而在有机层中形成银齿形凹槽。 此时， 一方面， 银齿 形凹槽降低了第一开口的边缘的有机层的高度 ，从而可降低第一开口的边缘坡 度角； 另一方面， 在相邻的两个三角形部分的底部之间的间隔发 生的衍射现象 也会对第一开口的边缘进行曝光补偿， 进一步降低第一开口的边缘坡度角。

例如， 在一些示例中， 在形成有机材料层之前， 还包括： 在第一导电层远 离衬底基板的一侧形成绝缘材料层。 此时， 图案化有机材料层以形成有机层包 括采用一次掩模工艺图案化绝缘材料层和有机 材料层以形成绝缘层和有机层， 绝缘层包括第二开口， 第一开口和第二开口共同暴露所述多个引线。

例如， 绝缘材料层可用于形成栅极绝缘层、 钝化层等。

例如， 绝缘材料层和钝化层的材料可采用氮化硅、 氧化硅或氮氧化硅。 例如， 在一些示例中， 该阵列基板的制作方法还包括： 在有机层远离所述 第一导电层的一侧形成第二导电层， 在各绑定区， 第二导电层包括间隔设置的 多个电极条， 多个电极条通过第二开口和第一开口与多个引 线分别电性相连。 由此， 可通过将多个电极条与外接电路相连来实现多 个引线与外接电路的电连 接。 例如， 外接电路可为驱动电路。 例如， 在有机层远离第一导电层的一侧形成第二导电 层可包括： 在有机层 远离第一导电层的一侧形成第二导电材料层， 例如通过溅射的方法在有机层远 离第一导电层的一侧形成一层导电材料层， 即第二导电材料层， 此时， 第二导 电材料会覆盖有机层未被去除的部分、 第一开口和锯齿形凹槽； 在第二导电层 远离有机层的一侧涂覆光刻胶； 图案化光刻胶以形成光刻胶图案； 然后利用该 光刻胶图案为掩膜对第二导电材料层进行刻蚀 ， 此时由于第一开口边缘的坡度 角较小， 第二导电材料层位于第一开口的边缘， 且需要被刻蚀掉的部分可被充 分地刻蚀， 不会形成导电的残留， 从而可避免将不同的电极条电性相连， 造成 短路。

例如， 在一些示例中， 第一导电层的材料包括金属， 第二导电层的材料包 括透明金属氧化物， 例如， 氧化铟锡 （ITO）。

例如， 在一些示例中， 采用一次掩模工艺图案化绝缘材料层和有机材 料层 以形成绝缘层和有机层包括： 使用掩模板对有机材料层进行曝光、 显影以在有 机层中形成位于绑定区的第一开口和锯齿形凹 槽； 以及以包括第一开口的有机 层作为掩膜对绝缘材料层进行刻蚀， 以在绝缘层中形成位于绑定区的第二开 口。 由此， 该阵列基板的制作方法可仅同一次掩模板工艺 就可形成第二开口和 第一开口， 从而可节省工艺步骤， 降低制作成本。 需要说明的是， 上述的掩模 板还可包括与显示区中的过孔对应的图案， 从而可在制作第二开口和第一开口 的同时在显示区形成有机层和绝缘层的过孔。 并且， 由于第二开口和显示区中 的绝缘层中的过孔是以有机层作为掩膜进行刻 蚀形成的， 因此不会产生显示区 中绝缘层中过孔与有机层中的过孔对位精度不 高的问题。

例如， 在一些示例中， 在形成有机材料层之间， 该阵列基板的制作方法还 包括形成彩色滤光层。 彩色滤光层可包括多种颜色的彩色滤光片， 与阵列基板 上形成子像素 -对应， 从而使得该阵列基板可进行彩色显示。 由此， 该阵列 基板的制作方法可降低彩色滤光片与子像素的 对准难度， 从而可降低制作成 本。

本公开至少一个实施例还提供一种掩摸板。 图 12为根据本公开一实施例 提供的一种掩模板的平面示意图。 如图 12所示， 该掩摸板 500包括图案部分 510 , 图案部分 510包括与第一开口对应的部分 512和与锯齿形凹槽对应的部 分 513。 由此， 该掩摸板可用于形成有机层中的第一开口和锯 齿形凹槽。

例如， 在一些示例中， 锯齿形凹槽包括沿边缘排列的多个锯齿部， 由于任 意相邻两个锯齿部在靠近边缘的一侧的部分之 间的距离小于曝光机的分辨率。 因此，掩模板上与相邻两个锯齿部在靠近边缘 的一侧的部分所对应的图案部分 之间的距离也小于曝光机的分辨率。在采用上 述掩模板进行曝光工艺以形成上 述的锯齿形凹槽时 (有机层可采用光刻胶材料制作)， 可利用掩模板上与相邻 两个锯齿部在靠近边缘的一侧的部分所对应的 图案部分通过光的衍射， 来实现 对第一开口的边缘进行衍射补偿曝光。 由此， 一方面， 可形成在沿垂直于衬底 基板的方向上，锯齿形凹槽的深度小于有机层 的厚度的锯齿形凹槽；另一方面， 可通过上述的衍射补偿曝光增加第一开口的边 缘的曝光量， 降低第一开口的边 缘的坡度角。

例如， 在一些示例中， 有机层的材料包括负性光刻胶， 图案部分为不透光 部分。 当使用该掩模板图案化有机材料层以形成有机 层时， 与第一开口对应的 部分可将光完全遮挡， 其下方的有机材料层在后续的显影工艺中可被 完全去 除， 从而形成第一开口； 而在与锯齿形凹槽对应的部分中， 相邻的两个三角形 部分的底部之间的距离小于曝光机的分辨率， 从而会发生衍射现象， 使得被这 两个三角形部分遮挡的有机层被部分曝光， 因此在后续的显影工艺中被部分去 除， 从而在有机层中形成锯齿形凹槽。 此时， 一方面， 锯齿形凹槽降低了第一 开口的边缘的有机层的高度， 从而可降低第一开口的边缘坡度角； 另一方面， 在相邻的两个三角形部分的底部之间的间隔发 生的衍射现象也会对第一开口 的边缘进行曝光补偿， 进一步降低第一开口的边缘坡度角。

例如， 在一些示例中， 有机层的材料包括正性光刻胶， 图案部分为透光部 分。具体使用该掩模板图案化有机材料层以形 成有机层的过程可参见上述的描 述， 在此不再赘述。

有以下几点需要说明：

( 1 )本公开实施例附图中， 只涉及到与本公开实施例涉及到的结构， 其 他结构可参考通常设计。

( 2 )在不冲突的情况下， 本公开同一实施例及不同实施例中的特征可以 相互组合。

以上， 仅为本公开的具体实施方式， 但本公开的保护范围并不局限于此， 任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露 的技术范围内， 可轻易想到变化 或替换， 都应涵盖在本公开的保护范围之内。 因此， 本公开的保护范围应以权 利要求的保护范围为准。