以下図面を参照して本発明のチップ状電� ��部品の実施の形態を詳細に説明する。図1は 本発明のチップ状電気部品の製造方法で製造 したチップ状電気部品の一種であるチップ抵 抗器1の構造を概略的に示す断面図である。� �1は、理解を容易にするために、模式的に示� ��た断面図であって、各部の寸法比や各層の� ��み及び形状は、実際の部品のそれらとは異� ��る。図2(A)乃至(F)は、図1の実施の形態のチ� �プ抵抗器1の製造方法における複数の工程を� ��す工程図である。図2の工程図を用いて、本 実施の形態のチップ抵抗器1の製造方法を説� �しながら、図1のチップ抵抗器1の構造を併せ て説明する。

 図2(A)において3はセラミック基板からな� �多数個取り用の大型絶縁基板である。大型� �縁基板3の基板表面5上には、図2(A)に示したX� ��向(横方向)とY方向(縦方向)にそれぞれ所定� �間隔を開けて、導電性ガラスペースト(メタ� ��グレーズ系の導電性ペースト)を用いてスク リーン印刷により、複数の電極層7が縦電極� �列9及び横電極層列11を構成するように形成� �れている。図2(A)では、4×4個の電極層7が示� �れているが、実際にはもっと多くの電極層7� ��形成される。導電性ガラスペーストとして� ��、例えば銀を含有するAg-Pdガラスペースト� �用いられている。この例では、後述の第1及� ��2の表面電極21及び23を形成するために、こ� �導電性ガラスペーストを約850℃の温度で焼� �している。複数の電極層7は、横方向の長さ� ��法が縦方向の長さ寸法よりも長くなってい� ��。これは後に、電極層7が二分割されるため である。スクリーン印刷により形成した電極 層7は、後にも詳しく説明するように、表面� �力により印刷した導電性ガラスペーストの� �刷部の中央部の高さ寸法が最も高くなる形� �、上に向かって滑らかに凸となった形状、� �たは裾野から頂上に向かって徐々に高さが� �くなる山に似た形で焼成されている。なお� �極層7が分割されると、図1に示すように、絶 縁基板29の基板表面29Aの両端18,20に設けられ� �一対の表面電極21,23となる。

 図2(B)の工程では、複数の電極層7のうち� �横電極層列11に含まれる複数の電極層7の隣� �合う一対の電極層7,7に跨るように電気素子� �としての抵抗層13を大型絶縁基板3の基板表� �5上に印刷により形成する。抵抗層13は、ガ� �スをバインダとする酸化ルテニウム等の金� �酸化物を主成分とする抵抗体ガラスペース� �から形成されている。この例ではこの抵抗� �ガラスペーストを用いてスクリーン印刷に� �り大型絶縁基板3の基板表面5上に抵抗体パタ ーンを印刷し、これを約850℃の焼成温度で焼 成して厚膜の抵抗層13を形成している。

 次に図2(C)及び図2(D)に示すように、抵抗� �13の全部と抵抗層13に隣接する一対の電極層7 ,7の一部を覆うように印刷によって抵抗層13� �覆うガラス層17と、ガラス層17を覆う絶縁樹� ��層19とからなる絶縁保護層15を形成する。絶 縁保護層15は、図1のチップ抵抗器1では、抵� �層13(電気素子層)の全部と抵抗層13に隣接す� �一対の表面電極21及び23の一部21A及び23Aを覆� ��構成となっている。このようにすると抵抗� ��13をガラス層17で覆った後に、レーザ光線に より、抵抗層13にトリミング溝を入れて抵抗� ��調整(トリミング)をした後に、絶縁樹脂層19 を形成するため、抵抗層13の抵抗値が変動す� ��のを防止することができる。ガラス層17及� �絶縁樹脂層19は、いずれもスクリーン印刷に より形成されている。ガラス層17は、約850℃� ��焼成温度で焼成されている。また絶縁樹脂� ��19は、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂� �の合成樹脂ペーストを用いて形成されてお� �、焼成温度は約200℃である。

 絶縁保護層15を形成した後は、図2(D)及び� ��3(A)[図2(D)のIIIA-IIIA線拡大断面図]に示すよう に、縦電極層列9に含まれる複数の電極層7を� ��央部の位置で二分割して抵抗層13の両端に� �対の表面電極21及び23を形成するために大型� ��縁基板3に複数のスリット25を形成する。

 そして次に図2(E)及び図3(B)[図2(E)のIIIB-IIIB 線拡大断面図]に示すように、絶縁保護層15に よって覆われていない一対の表面電極21及び2 3及びスリット25の内面25A及び大型絶縁基板3� �裏面の一部を覆う下地導電層27をスパッタリ ングまたは蒸着により形成する。本実施の形 態では、下地導電層27は、Cu,Ni及びCrを含む合 金層である。これらの金属は、メッキ金属が 付着し易い性質を持っている。本実施の形態 では、図1のチップ抵抗器の構成で説明する� �、下地導電層27が、表面電極21,23に隣接する� ��縁基板29の端部30の側面30A上を覆う下地導電 層延長部27Aを備えている。そして本実施の形 態では、下地導電層延長部27Aは、絶縁基板29� ��基板表面29Aと対向する基板裏面29B上に一部2 7Bが更に延びている。所望の位置に下地導電� ��27を形成するためには、適宜のマスクを大� �絶縁基板3の表面及び裏面に形成すればよい� ��

 そして下地導電層27を形成した後は、図2( F)に示すように、横電極層列11に沿って絶縁� �護層15を間に挟む位置にダイシングを用いて カッティングライン28に沿って切断加工を施� ��。このダイシングによる切断加工によって� ��大型絶縁基板3から、セラミック基板からな る絶縁基板29の基板表面5上に一対の表面電極 21及び23、抵抗層13及び絶縁保護層15を備えた� ��ップ片31が分離される。

 最後に、分離したチップ片31の下地導電� �27の上に、1層以上のメッキ層33を形成する。 メッキ層33は、下地導電層27の下地導電層延� �部27Aの上にも形成され、下地導電層延長部27 Aの上に形成されたメッキ層33の部分は、メッ キ層延長部33Aを構成する。本実施の形態では 、メッキ層33を、無電解メッキにより形成し� ��Niメッキ層35の上に、Snメッキ層37を形成し� �2層構造としている。このように形成した下� ��導電層27及びメッキ層33は、図1に示すよう� �薄膜導電層32を構成している。

 なおメッキ層33は、図1に示すように下地� ��電層27の下地導電層延長部27Aの上にも形成� �れ、下地導電層延長部27Aの上に形成された� �ッキ層33の部分は、メッキ層延長部33Aを構成 する。そして、メッキ層延長部33Aの一部33Bは 、絶縁基板29の基板裏面29B上に延びる下地導� ��層延長部27Aの一部27B上に延びている。

 本実施の形態の製造方法により製造した� ��ップ抵抗器(チップ状電気部品)は、一対の� �面電極21及び23が、抵抗層13から一対の表面� �極21及び23が並ぶ方向に位置する絶縁基板29� �一対の端部30に向かうに従って厚みが厚くな る。このような形状の表面電極21及び23を用� �ると、表面電極21または23と絶縁保護層15と� �間にメッキ溜まりSが形成される。そのため1 層以上のメッキ層33(35及び37)を形成する際に� ��メッキ溜まりSにメッキ金属が溜まり、メッ キ層33によって半田付け電極部(21,23,27,33)と絶 縁保護層15との間に形成される段差をある程� ��小さくすることができる。したがって本実� ��の形態によれば、従来のように、段差減少� ��ための追加層を設けることなく、段差を減� ��させることができる。なおメッキ層33の層� �数が多くなるほど、段差は小さくなる。

 図4は、本発明の他の実施の形態のチップ 抵抗器101の構造を模式的に示す断面図である 。図4において、図1に示した実施の形態と同� ��の部分には、図1に付した符号の数に100の数 を加えた数の符号を付して説明を省略する。 本実施の形態では、絶縁基板129の側面130上を 下地導電層延長部127Aが延びているものの、� �面129B側に下地導電層延長部127Aが延びていな い。このような場合にも本発明は適用できる 。また本発明は、導電性延長部127Aを備えて� �ない場合にも、当然にして適用することが� �きる。

 上記実施の形態では、絶縁保護層15及び11 5を2層構造にしているが、1層構造であっても よいのは勿論である。