本発明の第1発明の洗浄剤は、洗浄液として 使用される場合の有効成分濃度における25℃� ��のpHが、電子材料が磁気ディスク用ガラス� �板、フラットディスプレイ基板又はフォト� �スク基板である場合、1~13であることが好ま� ��く、1~5又は8~13であることが更に好ましく、 1~4又は9~13であることが特に好ましく、1~3又� �10~13であることが最も好ましい。pHがこの範� ��にある場合、洗浄剤は、基板の平坦性を損� ��ることがなく、適度なエッチング性を有す� ��と共に、微細なパーティクルの再付着防止� ��に優れた効果を発揮し易くなる。同様な効� ��の観点から、電子材料が磁気ディスク基板� ��アルミニウム基板である場合、前記pHは、5~ 13であることが好ましく、6~12であることが更 に好ましく、6.5~11であることが特に好ましく 、7~10であることが最も好ましい。
 尚、特に被洗浄物が後述の電子材料の研削� ��程又は研磨工程で使用される酸化セリウム� ��場合、洗浄液は酸性であることが好ましく� ��被洗浄物がアルミナ、コロイダルシリカ又� ��ダイヤモンドである場合、洗浄液はアルカ� ��性であることが好ましい。

 本発明の洗浄剤は界面活性剤(A)及び必要に� ��り水(好ましくはイオン交換水又は超純水で あり以下の水についても同様)を含有する。
 本発明の洗浄剤の有効成分濃度は、通常1~10 0質量%、好ましくは2~50%(以下において、特に� ��定しない限り、%は質量%を表す)であり、洗� ��液として使用される場合は、通常は水で希� ��される。そして、本発明の洗浄剤が洗浄液� ��して使用される場合の有効成分濃度は、好� ��しくは0.01~15%、更に好ましくは0.05~10%である 。尚、洗浄剤の有効成分濃度が1~15%である場� ��は、そのままの濃度で洗浄液として使用し� ��もよい。尚、本発明における有効成分とは� ��以外の成分をいう。

 本発明者らは、電子材料の洗浄性を向上さ� ��るために、洗浄液の種々の物性値と洗浄性� ��の関係について鋭意検討した結果、洗浄液� ��pHと酸化還元電位が洗浄性に大きな影響を� �えることを見出し、洗浄液のpHと洗浄液の酸 化還元電位の上限値(効果を発揮できる上限� �)について種々のデータを蓄積し、解析した� ��果、下記数式(1)を満たす酸化還元電位(V)[25� ��での値で単位はmV、vsSHE]を示す洗浄液を与� �る組成の洗浄剤が従来よりも著しく改善さ� �た効果を発揮することがわかった。
     V ≦ -38.7×pH+550     (1)
例えば、pHが2のとき、酸化還元電位(V)は472.6m V以下であり、pHが5のときの(V)は356.5mV以下で� ��り、pHが10のときの(V)は163.0mV以下であり、pH が13のときの(V)は46.9mV以下であると本発明の� ��果を発揮する。
 酸化還元電位(25℃)が、数式(1)を満たさない と、基板表面が著しくエッチングされ、表面 の平坦性を損ない、またパーティクルの除去 性が悪くなるため好ましくない。

 本発明の洗浄剤のうち、電子材料に対する� ��度なエッチング性及びパーティクルに対す� ��洗浄性の観点からは、数式(2)を満たす洗浄� ��が更に好ましく、数式(3)を満たす洗浄剤が� ��に好ましい。
     V ≦ -38.7×pH+450     (2)
     V ≦ -38.7×pH+350     (3)

 本発明における酸化還元電位(V)は、下記の� ��うな公知の方法で測定できる。
<酸化還元電位の測定方法>
 白金電極及び参照電極(塩化銀電極)で構成� �れる酸化還元電位(ORP)複合電極(例えば、型� �:PST-5421C、東亜ディーケーケー株式会社)を用 いて、25℃の液の電位値(V1)を測定する。液の 酸化還元電位(mV、vsSHE)は、電位値(V1)に参照� �極(塩化銀電極)の単極電位差(199mV、25℃)を加 えることにより求められる。例えば、電位値 (V1)が-100mVの場合、酸化還元電位(mV、vsSHE)は-1 00+199=+99mVである。

 本発明の洗浄剤の必須成分である界面活� ��剤(A)としては、非イオン性界面活性剤(A-1)� �アニオン性界面活性剤(A-2)、カチオン性界面 活性剤(A-3)及び両性界面活性剤(A-4)が挙げら� �る。

 本発明の洗浄剤に用いる非イオン性界面� ��性剤(A-1)としては、アルキレンオキシド付� �型非イオン性界面活性剤(A-1a)及び多価アル� �ール型非イオン界面活性剤(A-1b)等が挙げら� �る。

(A-1a)としては、高級アルコール(炭素数8~18) アルキレン(炭素数2~4)オキサイド(活性水素1� �当たりの付加モル数1~30)付加物、アルキル(� �素数1~12)フェノールエチレンオキサイド(活� �水素1個当たりの付加モル数1~30)付加物、脂� �酸(炭素数8~18)エチレンオキサイド(活性水素1 個当たりの付加モル数1~30)付加物、脂肪族ア� ��ン(炭素数6~24)のアルキレンオキサイド付加� ��(活性水素1個当たりの付加モル数1~30)、ポリ プロピレングリコール(分子量200~4000)エチレ� �オキサイド(活性水素1個当たりの付加モル数 1~50)付加物、及びポリオキシエチレン(活性水 素1個当たりの付加モル数1~30)アルキル(炭素� �1~20)アリルエーテル、ソルビタンモノラウレ ートエチレンオキサイド(付加モル数1~30)付加 物、ソルビタンモノオレートエチレンオキサ イド(付加モル数1~30)付加物等の多価(2~8価又� �それ以上)アルコール(炭素数2~30)の脂肪酸(炭 素数8~24)エステルエチレンオキサイド付加物( 活性水素1個あたりの付加モル数1~30)等が挙げ られる。

(A-1b)としては、グリセリンモノステアレー ト、グリセリンモノオレート、ソルビタンモ ノラウレート、ソルビタンモノオレート等の 多価(2~8価又はそれ以上)アルコール(炭素数2~3 0)の脂肪酸(炭素数8~24)エステル、ラウリン酸� ��ノエタノールアミド、ラウリン酸ジエタノ� ��ルアミド等の脂肪酸アルカノールアミド等� ��挙げられる。

 (A-1)のうち、洗浄性の観点から、好まし� �のは(A-1a)であり、更に好ましいのは高級ア� �コール(炭素数10~16)アルキレン(炭素数2~3)オ� �サイド(活性水素1個当たりの付加モル数2~20)� ��加物、アルキルフェノールエチレンオキサ� ��ド(活性水素1個当たりの付加モル数2~20)付加 物、及び脂肪族アミン(炭素数8~18)のアルキレ ンオキサイド付加物(活性水素1個当たりの付� ��モル数2~20)である。

 アニオン性界面活性剤(A-2)としては、高� �子型アニオン性界面活性剤(A-2a)及び低分子� �アニオン性界面活性剤(A-2b)が挙げられる。

 高分子型アニオン性界面活性剤(A-2a)とし� ��は、スルホン酸(塩)基、硫酸エステル(塩)基 、リン酸エステル(塩)基、ホスホン酸(塩)基� �びカルボン酸(塩)基からなる群から選ばれる 少なくとも1種の基を有し、1,000~800,000の重量� ��均分子量(以下、Mwと略記)を有する高分子型 アニオン性界面活性剤が挙げられる。高分子 型アニオン性界面活性剤は、通常、1分子中� �少なくとも2個以上の繰り返し単位を有する� ��(A-2a)の具体例としては、以下の(A-2a-1)~(A-2a-5 )等が挙げられる。

(A-2a-1)スルホン酸(塩)基を有する高分子型ア� �オン性界面活性剤:
 ポリスチレンスルホン酸、スチレン/スチレ ンスルホン酸共重合体、ポリ{2-(メタ)アクリ� ��イルアミノ-2,2-ジメチルエタンスルホン酸}� ��2-(メタ)アクリロイルアミノ-2,2-ジメチルエ� ��ンスルホン酸/スチレン共重合体、2-(メタ)� �クリロイルアミノ-2,2-ジメチルエタンスルホ ン酸/アクリルアミド共重合体、2-(メタ)アク� ��ロイルアミノ-2,2-ジメチルエタンスルホン� �/(メタ)アクリル酸共重合体、2-(メタ)アクリ� ��イルアミノ-2,2-ジメチルエタンスルホン酸/( メタ)アクリル酸/アクリルアミド共重合体、2 -(メタ)アクリロイルアミノ-2,2-ジメチルエタ� ��スルホン酸/スチレン/アクリルアミド共重� �体、2-(メタ)アクリロイルアミノ-2,2-ジメチ� �エタンスルホン酸/スチレン/(メタ)アクリル� ��共重合体、ナフタレンスルホン酸ホルムア� ��デヒド縮合物、メチルナフタレンスルホン� ��ホルムアルデヒド縮合物、ジメチルナフタ� ��ンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ア� ��トラセンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合� ��、メラミンスルホン酸ホルムアルデヒド縮� ��物及びアニリンスルホン酸-フェノール-ホ� �ムアルデヒド縮合物等;

(A-2a-2)硫酸エステル(塩)基を有する高分子型� �ニオン性界面活性剤:
 ポリ{2-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレー� �硫酸エステル}、2-ヒドロキシエチルアクリ� �ート/2-ヒドロキシエチルアクリレート硫酸� �ステル共重合体及び2-ヒドロキシエチルメタ クリレート/2-ヒドロキシエチルメタクリレー ト硫酸エステル共重合体、ポリ{2-ヒドロキシ エチル(メタ)アクリレート}の硫酸エステル化 物、ポリ{(メタ)アクリロイルオキシポリオキ シアルキレン硫酸エステル}、(メタ)アクリロ イルオキシポリオキシアルキレン硫酸エステ ル/アクリル酸共重合体及びセルロース、メ� �ルセルロース又はエチルセルロースの硫酸� �ステル化物等;

(A-2a-3)リン酸エステル(塩)基を有する高分子� �アニオン性界面活性剤:
 ポリ{2-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレー� �リン酸エステル}、2-ヒドロキシエチルアク� �レート/2-ヒドロキシエチルアクリレートリ� �酸エステル共重合体及び2-ヒドロキシエチル メタクリレート/2-ヒドロキシエチルメタクリ レートリン酸エステル共重合体、ポリ{2-ヒド ロキシエチル(メタ)アクリレート}のリン酸エ ステル化物、ポリ{(メタ)アクリロイルオキシ ポリオキシアルキレンリン酸エステル}、(メ� ��)アクリロイルオキシポリオキシアルキレン リン酸エステル/アクリル酸共重合体及びセ� �ロース、メチルセルロース又はエチルセル� �ースのリン酸エステル化物等;

(A-2a-4)ホスホン酸(塩)基を有する高分子型ア� �オン性界面活性剤:
 ポリ{(メタ)アクリロイルオキシエチルホス� ��ェート}、2-ヒドロキシエチルアクリレート/ アクリロイルオキシエチルホスフェート共重 合体及び2-ヒドロキシエチルメタクリレート/ メタクリロイルオキシエチルホスフェート共 重合体、ナフタレンホスホン酸ホルムアルデ ヒド縮合物、メチルナフタレンホスホン酸ホ ルムアルデヒド縮合物、ジメチルナフタレン ホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アント ラセンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物及 びアニリンホスホン酸-フェノール-ホルムア� ��デヒド縮合物等;

(A-2a-5)カルボン酸(塩)基を有する高分子型ア� �オン性界面活性剤:
 ポリ(メタ)アクリル酸、(メタ)アクリル酸-� �レイン酸共重合体、(メタ)アクリル酸-イタ� �ン酸共重合体、(メタ)アクリル酸-フマル酸� �重合体、(メタ)アクリル酸/酢酸ビニル共重� �体及び2-ヒドロキシエチルメタクリレート/(� ��タ)アクリル酸共重合体、ポリ{2-ヒドロキシ エチル(メタ)アクリレート}のカルボキシメチ ル化物、カルボキシメチルセルロース、カル ボキシメチルメチルセルロース、カルボキシ メチルエチルセルロース、安息香酸ホルムア ルデヒド縮合物及び安息香酸-フェノール-ホ� ��ムアルデヒド縮合物等。

 (A-2a)のMwは、パーティクルの再付着防止� �及び低泡性の観点等から、1,000~800,000が好ま� ��く、1,200~400,000が更に好ましく、1,500~80,000が 特に好ましく、2,000~40,000が最も好ましい。本 発明におけるMwは、ゲルパーミエーションク� ��マトグラフィー(以下、GPCと略記)によって� �ポリエチレンオキサイドを基準物質として40 ℃で測定される。具体的には、例えば、装置 本体:HLC-8120(東ソー株式会社製)、カラム:東ソ ー株式会社製TSKgel α6000、G3000 PWXL、検出器:� ��置本体内蔵の示差屈折計検出器、溶離液:0.5 %酢酸ソーダ・水/メタノール(体積比70/30)、溶 離液流量:1.0ml/分、カラム温度:40℃、試料:0.25 %の溶離液溶液、注入量:200μl、標準物質:東ソ ー(株)製TSK STANDARD POLYETHYLENE OXIDE、データ処 理ソフト:GPC-8020modelII(東ソー株式会社製)を用 いて測定される。

 低分子型アニオン性界面活性剤(A-2b)として� ��、低分子型スルホン酸系界面活性剤(A-2b-1)� �低分子型硫酸エステル系界面活性剤(A-2b-2)、 低分子型脂肪酸系界面活性剤(A-2b-3)及び低分� ��型リン酸エステル系界面活性剤(A-2b-4)等の� �子量(Mw又は構造に基づく計算値の分子量)が1 ,000未満のアニオン性界面活性剤が挙げられ� �。
 アニオン性界面活性剤のうちのスルホン酸� ��界面活性剤(A-2b-1)としては、炭素数6~24のア� ��コールのスルホコハク酸(モノ、ジ)エステ� �(塩)、炭素数8~24のα-オレフィンのスルホン� �化物(塩)、炭素数8~14のアルキル基を有する� �ルキルベンゼンスルホン酸(塩)、石油スルホ ネート(塩)、トルエンスルホン酸(塩)、キシ� �ンスルホン酸(塩)及びクメンスルホン酸(塩)� ��が挙げられる。(A-2b-1)の具体例としては、� �オクチルスルホコハク酸(塩)、パラトルエン スルホン酸(塩)、オルトトルエンスルホン酸( 塩)、メタキシレンスルホン酸(塩)及びパラキ シレンスルホン酸(塩)等が挙げられる。

 低分子型硫酸エステル系界面活性剤(A-2b-2 )としては、炭素数8~18の脂肪族アルコールの� ��酸エステル(塩)、炭素数8~18の脂肪族アルコ� ��ルのエチレンオキサイド1~10モル付加物の硫 酸エステル(塩)、硫酸化油(塩)、硫酸化脂肪� �エステル(塩)及び硫酸化オレフィン(塩)等が� ��げられる。(A-2b-2)の具体例としては、2-エチ ルヘキサノール硫酸エステル(塩)、オクタノ� ��ル硫酸エステル(塩)、1,10-デカンジオールジ 硫酸エステル(塩)及びラウリルアルコールの� ��チレンオキサイド(5モル)付加物のジ硫酸エ� ��テル(塩)等が挙げられる。

 低分子型脂肪酸系界面活性剤(A-2b-3)とし� �は、炭素数8~18の脂肪酸(塩)及び炭素数8~18の� ��肪族アルコールのエーテルカルボン酸(塩)� �が挙げられる。(A-2b-3)の具体例としては、n-� ��クタン酸(塩)、2-エチルヘキサン酸(塩)、n-� �ナン酸(塩)、イソノナン酸(塩)、オレイン酸( 塩)及びステアリン酸(塩)等が挙げられる。

 低分子型リン酸エステル系界面活性剤(A-2 b-4)としては、炭素数8~24の高級アルコールの� ��ン酸(モノ、ジ)エステル(塩)及び炭素数8~24� �高級アルコールのアルキレンオキサイド付� �物のリン酸(モノ、ジ)エステル(塩)等が挙げ� ��れる。(A-2b-4)の具体例としては、ラウリル� �ルコールモノリン酸エステル(塩)、ラウリル アルコールのエチレンオキサイド(5モル)付加 物のリン酸モノエステル(塩)及びオクチルア� ��コールジリン酸エステル(塩)等が挙げられ� �。

 (A-2)が塩を形成する場合の対イオンとし� �は特に制限は無いが、通常、アルカリ金属(� ��トリウム及びカリウム)塩、アンモニウム塩 、1級アミン(メチルアミン、エチルアミン及� ��ブチルアミン等のアルキルアミン、モノエ� ��ノールアミン並びにグアニジン等)塩、2級� �ミン(ジメチルアミン、ジエチルアミン及び� ��ブチルアミン等のジアルキルアミン並びに� ��エタノールアミン等)塩、3級アミン{トリメ� ��ルアミン、トリエチルアミン及びトリブチ� ��アミン等のトリアルキルアミン、トリエタ� ��ールアミン、N-メチルジエタノールアミン� �びに、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]-7-ウンデセン (DBU)、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]-5-ノネン(DBN)又 は1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン(DABCO)、1H- イミダゾール、2-メチル-1H-イミダゾール、2-� ��チル-1H-イミダゾール、4,5-ジヒドロ-1H-イミ� ��ゾール、2-メチル-4,5-ジヒドロ-1H-イミダゾ� �ル、1,4,5,6-テトラヒドロ-ピリミジン、1,6(4)-� ��ヒドロピリミジン等}塩及び第4級アンモニ� �ム(テトラアルキルアンモニウム等)塩である 。これらの中で、基板への金属汚染の観点か ら、好ましいのはアンモニウム塩、1級アミ� �塩、2級アミン塩、3級アミン塩及び第4級ア� �モニウム塩であり、特に好ましいのは3級ア� ��ン塩及び第4級アンモニウム塩であり、最も 好ましいのはDBU、DBN、DABCO、N-メチルジエタ� �ールアミン、1H-イミダゾール、2-メチル-1H-� �ミダゾール及び2-エチル-1H-イミダゾールの� �である。

 アニオン性界面活性剤(A-2)のうち好ましい� �は、パーティクルの再付着防止性の観点か� �高分子型アニオン性界面活性剤(A-2a)、低分� �型スルホン酸系界面活性剤(A-2b-1)、低分子型 硫酸エステル系界面活性剤(A-2b-2)及び低分子� ��脂肪酸系界面活性剤(A-2b-3)であり、更に好� �しいのは(A-2a)、(A-2b-1)及び(A-2b-2)、特に好ま� ��いのはポリアクリル酸(塩)、ポリスチレン� �ルホン酸(塩)、ナフタレンスルホン酸ホルマ リン縮合物の塩、アクリルアミド-2-メチルプ ロパンスルホン酸/アクリル酸共重合体の塩� �メタクリロイルオキシポリオキシアルキレ� �硫酸エステル/アクリル酸共重合体の塩、オ� ��チルベンゼンスルホン酸(塩)、パラトルエ� �スルホン酸(塩)、メタキシレンスルホン酸(� �)及び2-エチルヘキサノール硫酸エステル(塩) である。
 ここで、(A-2)は単独で用いてもよいし、2種� ��上を併用してもよい。パーティクルの分散� ��の観点から、2種以上を併用する方がより好 ましい。

 カチオン性界面活性剤(A-3)としては、4級� ��ンモニウム塩型の界面活性剤(A-3a){例えば、 アルキル(炭素数1~30)トリメチルアンモニウム 塩、ジアルキル(炭素数1~30)ジメチルアンモニ ウム塩、窒素環含有第4級アンモニウム塩、� �リ(付加モル数2~15)オキシアルキレン(炭素数2 ~4)鎖含有第4級アンモニウム塩、アルキル(炭� ��数1~30)アミドアルキル(炭素数1~10)ジアルキ� �(炭素数1~4)メチルアンモニウム塩等}、及び� �ミン系界面活性剤(A-3b){例えば、炭素数3~90の 脂肪族3級アミン、炭素数3~90の脂環式(含窒素 ヘテロ環を含む)3級アミン及び炭素数3~90のヒ ドロキシアルキル基含有3級アミンの無機酸� �又は有機酸塩等}等が挙げられる。

 両性界面活性剤(A-4)としては;ベタイン型� ��性界面活性剤(A-4a){例えば、アルキル(炭素� �1~30)ジメチルベタイン、アルキル(炭素数1~30) アミドアルキル(炭素数1~4)ジメチルベタイン� ��アルキル(炭素数1~30)ジヒドロキシアルキル( 炭素数1~30)ベタイン、スルフォベタイン型等} ;アミノ酸型両性界面活性剤(A-4b){例えば、ア� ��ニン型[アルキル(炭素数1~30)アミノプロピオ ン酸型、アルキル(炭素数1~30)イミノジプロピ オン酸型等]、グリシン型[アルキル(炭素数1~3 0)アミノ酢酸型等]};及びアミノスルホン酸塩� ��両性界面活性剤(A-4c){例えば、アルキル(炭� �数1~30)タウリン型両性界面活性剤等};等が挙� ��られる。

 界面活性剤(A)のうち、パーティクルの再� ��着防止性の観点から好ましいのは、アニオ� ��性界面活性剤(A-2)及び、非イオン性界面活� �剤(A-1)と(A-2)の併用であり、更に好ましいの� ��(A-1)と(A-2)の併用である。併用する場合の(A- 1)及び(A-2)の含有比率[(A-1)/(A-2)]は、洗浄性及� ��起泡性の観点から、好ましくは6以下、更に 好ましくは0.1~5、特に好ましくは0.2~0.8である 。

 本発明の洗浄剤における界面活性剤(A)の� ��有量は、本発明の洗浄剤の有効成分の質量� ��基づいて、1.5~100%が好ましく、2~90%が更に好 ましく、3~80%が特に好ましい。

 本発明の洗浄剤は、界面活性剤(A)以外に� ��更に以下のキレート剤(B)、還元剤(C)及びア� ��カリ成分(D)からなる群から選ばれる1種以上 の成分を含有することができる。

 本発明の洗浄剤は、キレート剤(B)を含有� ��ることが、電子材料表面の洗浄性を向上で� ��る観点及びエッチング性をコントロールで� ��る観点から更に好ましい。また、本発明の� ��浄剤は、還元剤(C)を含有することにより電� ��材料表面に対するエッチング性をコントロ� ��ルできるので、還元剤(C)を含有することが� ��に好ましい。本発明の洗浄剤は、アルカリ� ��分(D)を含有することによりパーティクルに� ��する洗浄性が更に向上する。

 キレート剤(B)としては、アミノポリカルボ� ��酸(塩)(B-1){例えば、エチレンジアミンテト� �酢酸(塩)(EDTA)、ジエチレントリアミンペンタ 酢酸(塩)(DTPA)、トリエチレンテトラミンヘキ� ��酢酸(塩)(TTHA)、ヒドロキシエチルエチレン� �アミン三酢酸(塩)(HEDTA)、ジヒドロキシエチ� �エチレンジアミン四酢酸(塩)(DHEDDA)、ニトリ� ��酸酢酸(塩)(NTA)、ヒドロキシエチルイミノ二 酢酸(塩)(HIDA)、β-アラニンジ酢酸(塩)、アス� �ラギン酸ジ酢酸(塩)、メチルグリシンジ酢酸 (塩)、イミノジコハク酸(塩)、セリンジ酢酸(� ��)、ヒドロキシイミノジコハク酸(塩)、ジヒ� ��ロキシエチルグリシン(塩)、アスパラギン� �(塩)、グルタミン酸(塩)等};
ヒドロキシカルボン酸(塩)(B-2){例えば、ヒド� ��キシ酢酸(塩)、酒石酸(塩)、クエン酸(塩)、� ��ルコン酸(塩)等};
シクロカルボン酸(塩)(B-3){例えば、ピロメリ� ��ト酸(塩)、ベンゾポリカルボン酸(塩)、シク ロペンタンテトラカルボン酸(塩)等};
エーテルカルボン酸(塩)(B-4)(例えば、カルボ� ��シメチルタルトロネート、カルボキシメチ� ��オキシサクシネート、オキシジサクシネー� ��、酒石酸モノサクシネート、酒石酸ジサク� ��ネート等);
その他カルボン酸(塩)(B-5){例えば、マレイン� ��誘導体、シュウ酸(塩)等};
ホスホン酸(塩)(B-6){例えば、メチルジホスホ� ��酸(塩)、アミノトリ(メチレンホスホン酸)(� �)、1-ヒドロキシエチリデン-1,1-ジホスホン酸 (塩)、エチレンジアミンテトラ(メチレンホス ホン酸)(塩)、ヘキサメチレンジアミンテトラ (メチレンホスホン酸)(塩)、プロピレンジア� �ンテトラ(メチレンホスホン酸)(塩)、ジエチ� ��ントリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)(� ��)、トリエチレンテトラミンヘキサ(メチレ� �ホスホン酸)(塩)、トリアミノトリエチルア� �ンヘキサ(メチレンホスホン酸)(塩)、トラン� ��-1,2-シクロヘキサンジアミンテトラ(メチレ� ��ホスホン酸)(塩)、グリコールエーテルジア� ��ンテトラ(メチレンホスホン酸)(塩)及びテト ラエチレンペンタミンヘプタ(メチレンホス� �ン酸)(塩)等};
縮合リン酸(塩)(B-7){例えば、メタリン酸(塩)� �トリポリリン酸(塩)、ヘキサメタリン酸(塩)� ��};
等が挙げられる。

 尚、これらの塩としては、上述のアニオン� ��界面活性剤(A-2)で例示したものが挙げられ� �。またこれらは1種又は2種以上を組み合わせ て使用してもよい。
 これらの内で基板のエッチング性コントロ� ��ル及び洗浄性能の観点から好ましいのは、( B-1)、(B-2)、(B-6)、(B-7)及びこれらの塩であり� �更に好ましいのは(B-1)、(B-6)、(B-7)及びこれ� �の塩、特に好ましいのはエチレンジアミン� �トラ酢酸(塩)(EDTA)、ジエチレントリアミンペ ンタ酢酸(塩)(DTPA)、ジヒドロキシエチルエチ� ��ンジアミン四酢酸(塩)(DHEDDA)、アスパラギン 酸ジ酢酸(塩)、アスパラギン酸(塩)、グルタ� �ン酸(塩)、1-ヒドロキシエチリデン-1,1-ジホ� �ホン酸(塩)、エチレンジアミンテトラ(メチ� �ンホスホン酸)(塩)、メタリン酸(塩)、ヘキサ メタリン酸(塩)、最も好ましいのはエチレン� ��アミンテトラ酢酸(塩)(EDTA)、1-ヒドロキシエ チリデン-1,1-ジホスホン酸(塩)、ヘキサメタ� �ン酸(塩)である。

 キレート剤(B)を使用する場合、基板のエ� ��チング性コントロール及び洗浄性能の観点� ��ら、(B)の含有量は、本発明の洗浄剤の有効� ��分の質量に基づいて、好ましくは30%以下、� ��に好ましくは0.1~20%、特に好ましくは0.3~20%� �ある。

 還元剤(C)としては、有機還元剤(C-1)及び� �機還元剤(C-2)が挙げられる。有機還元剤(C-1)� ��しては、脂肪族有機還元剤(C-1a)、芳香族有� ��還元剤(C-1b)及びその他の有機還元剤(C-1c)が� ��げられ、以下のものが例示できる。

 脂肪族有機還元剤(C-1a)としては、炭素数1~12 の有機酸類、炭素数1~12のアルデヒド類、炭� �数6~9のレダクトン類及び炭素数1~30の脂肪族� ��ミン等が挙げられる。
 炭素数1~12の有機酸類としては、ギ酸、酢酸 、コハク酸、乳酸、リンゴ酸、酪酸、マレイ ン酸、2-オキソプロパン酸、マロン酸、没食� ��酸及びこれらの塩が挙げられる。
尚、前記(B-2)及び(B-5)も還元剤としての効果� �有する。
 炭素数1~12のアルデヒド類としては、ホルム アルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオン アルデヒド及びビニルアルデヒド等が挙げら れる。
 炭素数6~9のレダクトン類としては、L-アス� �ルビン酸、イソアスコルビン酸、L-アスコル ビン酸硫酸エステル、L-アスコルビン酸リン� ��エステル、L-アスコルビン酸2-グルコシド、 L-アスコルビン酸パルミチン酸エステル、テ� ��ライソパルミチン酸L-アスコルビル、アス� �ルビン酸イソパルミネート、エリソルビン� �、エリソルビン酸リン酸エステル、エリソ� �ビン酸パルミチン酸エステル、テトライソ� �ルミチン酸エリソビル及びこれらの塩等が� �げられる。

 炭素数1~30の脂肪族アミンとしては、炭素 数1~6のアルキルアミン、炭素数2~6のアルカノ ールアミン、炭素数2~5のアルキレンジアミン 、炭素数4~10の環状アミン、炭素数3~15のアミ� ��ン化合物及び炭素数4~30のポリ(n=2~5)アルキ� �ン(炭素数2~6)ポリ(n=3~6)アミン等が挙げられ� �。

 炭素数1~6のアルキルアミンとしては、モ� ��アルキルアミン{メチルアミン、エチルアミ ン、プロピルアミン、イソプロピルアミン、 ブチルアミン及びヘキシルアミン等}及び炭� �数2~6のジアルキルアミン{ジメチルアミン、� ��チルメチルアミン、プロピルメチルアミン� ��ブチルメチルアミン、ジエチルアミン、プ� ��ピルエチルアミン及びジイソプロピルアミ� ��等}が挙げられる。

 炭素数2~6のアルカノールアミンとしては� ��モノエタノールアミン、ジエタノールアミ� ��、トリエタノールアミン、ジメチルアミノ� ��タノール、ジエチルアミノエタノール、N-� �チル-ジエタノールアミン、2-アミノ-2-メチ� �-1-プロパノール、N-(アミノエチル)エタノー� ��アミン、N,N-ジメチル-2-アミノエタノール及 び2-(2-アミノエトキシ)エタノール等が挙げら れる。

 炭素数2~5のアルキレンジアミンとしては� ��エチレンジアミン、プロピレンジアミン、� ��リメチレンジアミン、テトラメチレンジア� ��ン及びヘキサメチレンジアミン等が挙げら� ��る。

 炭素数4~10の環状アミンとしては、ピペリジ ン、ピペラジン及び1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]� ��クタン(DABCO)等が挙げられる。
 炭素数3~15のアミジン化合物としては、1,8-� �アザビシクロ[5.4.0]-7-ウンデセン(DBU)、1,5-ジ� ��ザビシクロ[4.3.0]-5-ノネン(DBN)等が挙げられ� ��。
 炭素数4~30のポリ(n=2~5)アルキレン(炭素数2~6) ポリ(n=3~6)アミンとしては、ジエチレントリ� �ミン、トリエチレンテトラミン、テトラエ� �レンペンタミン、ヘキサメチレンヘプタミ� �、イミノビスプロピルアミン、ビス(ヘキサ� ��チレン)トリアミン及びペンタエチレンヘキ サミン等が挙げられる。

 芳香族有機還元剤(C-1b)としては、炭素数7~12 の芳香族アルデヒド、炭素数6~9の芳香族アミ ン及び炭素数6~30のフェノール化合物等が挙� �られる。
 炭素数7~12の芳香族アルデヒドとしては、ベ ンズアルデヒド及びシンナムアルデヒド等が 挙げられる。
 炭素数6~9の芳香族アミンとしては、p-フェ� �レンジアミン及びp-アミノフェノール等が挙 げられる。

 炭素数6~30のフェノール化合物としては、 一価フェノール及びポリフェノールが挙げら れる。一価フェノールとしては、3-ヒドロキ� ��フラボン及びトコフェロール(α-、β-、γ-、 δ-、ε-又はη-トコフェロール等)等が挙げら� �る。ポリフェノールとしては、3,4,5-トリヒ� �ロキシ安息香酸、ピロカテコール、レゾル� �ノール、ヒドロキノン、ナフトレゾルシノ� �ル、ピロガロール及びフロログルシノール� �が挙げられる。

 その他の有機還元剤(C-1c)としては、リン� ��還元剤(例えば、トリス‐2‐カルボキシエ� �ルホスフィン等)、ボラン系錯体(例えば、ボ ラン-tert-ブチルアミン錯体、ボラン-N,N-ジエ� ��ルアニリン錯体及びボラン-トリメチルアミ ン錯体等)、チオール系還元剤(例えば、L-シ� �テイン及びアミノエタンチオール等)及びヒ� ��ロキシルアミン系還元剤(例えば、ヒドロキ シルアミン及びジエチルヒドロキシルアミン 等)等が挙げられる。尚、後述する(F3)及び(F4) として例示した糖類及び糖アルコールも有機 還元剤としての効果を有する。

 無機還元剤(C-2)としては、硫黄のオキソ酸� �{例えば、亜硫酸(塩)、二亜硫酸(塩)、亜ジチ オン酸(塩)、チオ硫酸(塩)、ジチオン酸(塩)、 ポリチオン酸(塩)等}、リンのオキソ酸類{例� �ば、亜リン酸(塩)、亜リン酸水素酸(塩)、次� ��リン酸(塩)等}、その他の無機還元剤(硫酸第 1鉄、塩化第2スズ、水酸化シアノホウ素ナト� ��ウム及び水酸化ホウ素ナトリウム等)等が挙 げられる。
 これらの還元剤(C)を形成する塩としては、� ��記(A-2)で例示したものと同様のものが使用� �きる。

 これらの還元剤(C)のうち、洗浄剤のエッチ� ��グ性コントロール及び洗浄剤中のイオンに� ��る基板の再汚染の観点から、炭素数1~12のア ルデヒド類、炭素数6~9のレダクトン類、炭素 数1~30の脂肪族アミン、チオール系還元剤、� �黄のオキソ酸類及びリンのオキソ酸類が好� �しく、ホルムアルデヒド、L-アスコルビン酸 (塩)、イソアスコルビン酸(塩)、エリソルビ� �酸(塩)、モノエタノールアミン、ジエタノー ルアミン、N-メチル-ジエタノールアミン、L-� ��ステイン、アミノエタンチオール、亜硫酸( 塩)、二亜硫酸(塩)、亜ジチオン酸(塩)、チオ� ��酸(塩)、亜リン酸(塩)、亜リン酸水素酸(塩)� ��び次亜リン酸(塩)が更に好ましく、L-アスコ ルビン酸(塩)、L-システイン、亜硫酸(塩)、亜 ジチオン酸(塩)、亜リン酸(塩)、亜リン酸水� �酸(塩)及び次亜リン酸(塩)が特に好ましい。
(C)が塩を形成する場合の対イオンとしては特 に制限は無いが、上記の(A-2)で例示したもの� ��同様のものを使用できる。
また(C)は単独で用いてもよいし、2種以上を� �用してもよい。

 還元剤(C)を含有する場合、還元剤(C)の含� ��量は、洗浄剤の有効成分の質量に基づいて6 0%以下が好ましく、1~50%が更に好ましく、2~40% が特に好ましい。この範囲の含有量は、基板 のエッチング性をコントロールする点から好 ましい。

 アルカリ成分(D)としては、一般式(1)で表� ��れる第4級アンモニウム塩(D-1)、アンモニア( D-2)、前述の(C-1a)で例示した炭素数1~30の脂肪� ��アミン(D-3)、無機アルカリ(D-4)及びこれらの 混合物が挙げられる。尚、炭素数1~10の脂肪� �アミン(D-3)は還元剤としての効果とアルカリ 成分としての効果の両方を有する。

 式中、R ¹ 、R ² 、R ³ 及びR ⁴ は、それぞれ独立に炭素数1~24のアルキル基� �は-(R ⁵ O)r-Hで表される基であり、R ⁵ は炭素数2~4のアルキレン基、rは1~6の整数を� �す。
 炭素数1~24のアルキル基としては、メチル、 エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキ シル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル 、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テト ラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘ プタデシル、オクタデシル、ノナデシル、エ イコシル、ヘキコシル、ドコシル、トリコシ ル及びテトラコシル基等が挙げられる。炭素 数2~4のアルキレン基としては、エチレン、プ ロピレン及びブチレン等が挙げられる。rは1~ 3が好ましい。

 (D-1)の具体例としては、テトラメチルア� �モニウムハイドロキサイド、トリメチルエ� �ルアンモニウムハイドロキサイド、テトラ� �チルアンモニウムハイドロキサイド、トリ� �チルメチルアンモニウムハイドロキサイド� �テトラプロピルアンモニウムハイドロキサ� �ド、テトラブチルアンモニウムハイドロキ� �イド、テトラペンチルアンモニウムハイド� �キサイド、テトラヘキシルアンモニウムハ� �ドロキサイド、トリメチルエチルアンモニ� �ムハイドロキサイド及びテトラエチルアン� �ニウムハイドロキサイド、ヒドロキシエチ� �トリメチルアンモニウムハイドロキサイド� �ヒドロキシエチルトリエチルアンモニウム� �イドロキサイド、ジヒドロキシエチルジメ� �ルアンモニウムハイドロキサイド、トリヒ� �ロキシエチルメチルアンモニウムハイドロ� �サイド等が挙げられる。

 無機アルカリ(D-4)としては、水酸化リチ� �ム、水酸化ナトリウム及び水酸化カリウム� �が挙げられる。

 (D)のうち、洗浄性の観点から、第4級アン モニウム塩(D-1)及び炭素数1~30の脂肪族アミン (D-3)が好ましく、テトラメチルアンモニウム� ��イドロキサイド、トリメチルエチルアンモ� ��ウムハイドロキサイド、テトラエチルアン� ��ニウムハイドロキサイド、トリエチルメチ� ��アンモニウムハイドロキサイド、モノエタ� ��ールアミン、ジエタノールアミン、トリエ� ��ノールアミン、N-メチル-ジエタノールアミ� ��、DBU、DBN及びこれらの併用が更に好ましい� ��

 アルカリ成分(D)を含有する場合、洗浄性� ��観点等から、(D)の含有量は、本発明の洗浄� ��の有効成分の質量に基づいて好ましくは40%� ��下、更に好ましくは2~30%、特に好ましくは3~ 25%である。

 本発明の洗浄剤は、キレート剤(B)、還元剤( C)及びアルカリ成分(D)からなる群から選ばれ� ��1種以上を含有することが好ましく、(B)及び (C)の併用、又は(B)、(C)及び(D)の併用が更に好 ましい。
 本発明の洗浄剤がキレート剤(B)及び還元剤( C)を含有する場合の(B)および(C)の含有量の好� ��しい範囲は、(A)の質量に基づいて、(B)が0.1~ 60%、(C)が0.1~20%、更に好ましくは(B)が1~33%、(C) が0.5~13%、特に好ましくは(B)が3~27%、(C)が1~8%� �ある。

 本発明の洗浄剤は、界面活性剤(A)、水、� ��レート剤(B)、還元剤(C)及びアルカリ成分(D)� ��外に、本発明の洗浄剤の効果を損なわない� ��囲において、更に分散剤(E)、3価以上の多価 アルコール(F)、水溶性有機溶剤(G)及びその他 の添加剤(H)からなる群から選ばれる1種以上� �成分を含有もしてもよい。

 分散剤(E)としては、従来から微粒子の分散� ��として使用されているもの、例えば、多糖� ��及びその誘導体(ヒドロキシエチルセルロー ス、カチオン化セルロース、ヒドロキシメチ ルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロー ス、グァーガム、カチオン化グァーガム、キ サンタンガム、アルギン酸塩、カチオン化デ ンプン等);ポバール及びリン酸エステル{フィ チン酸、ジ(ポリオキシエチレン)アルキルエ� ��テルリン酸、トリ(ポリオキシエチレン)ア� �キルエーテルリン酸等}等が挙げられる。尚� ��前記(A-2a)も分散剤としての効果を有する。
これら分散剤(E)を含有する場合、これらの分 散剤(E)の含有量は、本発明の洗浄剤の有効成 分の質量に基づいて、好ましくは10%以下、更 に好ましくは8%以下、特に好ましくは5%以下� �ある。

 3価以上の多価アルコール(F)としては、以下 の(F1)~(F5)等が挙げられる。
(F1)脂肪族多価アルコール(グリセリン、トリ� ��チロールエタン、トリメチロールプロパン� ��ペンタエリスリトール等);
(F2)(F1)の脱水縮合物(ジグリセリン、トリグリ セリン、テトラグリセリン、ペンタグリセリ ン等); 
(F3)糖類、例えば単糖類{ペントース(アラビノ ース、キシロース、リボース、キシルロース 、リブロース等)、ヘキソース(グルコース、� ��ンノース、ガラクトース、フルクトース、� ��ルボース、タガトース等)、ヘプトース(セ� �ヘプツロース等)等}、二糖類(トレハロース� �サッカロース、マルトース、セロビオース� �ゲンチオビオース、ラクトース等)、及び三� ��類(ラフィノース、マルトトリオース等)等;
(F4)糖アルコール(アラビトール、アドニトー� ��、キシリトール、ソルビトール、マンニト� ��ル、ズルシトール等);
(F5)トリスフェノール(トリスフェノールPA等);
並びにこれらのアルキレンオキシド(炭素数2~ 4)付加物(付加モル数1~7モル)等。
また、(F)は単独で使用しても、2種以上併用� �てもよい。

 (F)の内、基板の腐食を防止する効果の高� ��点から、(F1)、(F2)、(F3)及び(F4)が好ましく、 グリセリン、サッカロース及びソルビトール が更に好ましい。

 (F)を含有する場合、その含有量は、洗浄� ��の有効成分の質量に基づいて、好ましくは3 0%以下、更に好ましくは20%以下、特に好まし� ��は10%以下である。

 水溶性有機溶剤(G)としては、20℃における� �に対する溶解度(g/100gH ₂ O)が3以上、好ましくは10以上の有機溶剤が挙� ��られる。
 例えば、スルホキシド{ジメチルスルホキシ ド、スルホラン、ブチルスルホン、3-メチル� ��ルホラン、2,4-ジメチルスルホラン等};スル� ��ン{ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、 ビス(2-ヒドロキシエチル)スルホン等};アミド {N,N-ジメチルホルムアミド、N-メチルホルム� �ミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチ ルプロピオンアミド等};ラクタム{N-メチル-2-� ��ロリドン、N-エチル-2-ピロリドン、N-ヒドロ キシメチル-2-ピロリドン等};ラクトン{β-プロ ピオラクトン、β-ブチロラクトン、γ-ブチロ ラクトン、γ-バレロラクトン、δ-バレロラク トン等};アルコール{メタノ-ル、エタノ-ル、� ��ソプロパノ-ル等};グリコール及びグリコー� ��エーテル{エチレングリコール、エチレング リコールモノメチルエーテル、トリエチレン グリコールモノメチルエーテル、エチレング リコールモノエチルエーテル、ジエチレング リコール、ジエチレングリコールモノメチル エーテル、ジエチレングリコールモノエチル エーテル、ジエチレングリコールモノブチル エーテル、ジエチレングリコールモノヘキシ ルエーテル、プロピレングリコール、プロピ レングリコールモノメチルエーテル、ジプロ ピレングリコールモノメチルエーテル、1,3-� �チレングリコール、ジエチレングリコール� �メチルエーテル、ジエチレングリコールジ� �チルエーテル、トリエチレングリコールジ� �チルエーテル、トリエチレングリコールジ� �チルエーテル等};オキサゾリジノン(N-メチル -2-オキサゾリジノン、3,5-ジメチル-2-オキサ� �リジノン等);ニトリル(アセトニトリル、プ� �ピオニトリル、ブチロニトリル、アクリロ� �トリル、メタクリルニトリル、ベンゾニト� �ル等);カーボネート(エチレンカーボネート� �プロピオンカーボネート等);ケトン(アセト� �、ジエチルケトン、アセトフェノン、メチ� �エチルケトン、シクロヘキサノン、シクロ� �ンタノン、ジアセトンアルコール等);環状エ ーテル(テトラヒドロフラン、テトラヒドロ� �ラン等)等が挙げられる。
また(G)は単独で使用しても、2種以上併用し� �もよい。

 (G)の内で、洗浄性及び洗浄剤中の成分が� ��子材料表面に残留することを防止する観点� ��から、グリコール及びグリコールエーテル� ��好ましく、エチレングリコールモノメチル� ��ーテル、ジエチレングリコールモノメチル� ��ーテル、トリエチレングリコールモノメチ� ��エーテル、ジエチレングリコールモノブチ� ��エーテル及びジエチレングリコールモノヘ� ��シルエーテルが更に好ましい。

 (G)を含有する場合、その含有量は、洗浄� ��の有効成分の質量に基づいて、80%以下、更� ��好ましくは50%以下、特に好ましくは20%以下� ��ある。

 その他の添加剤(H)としては、酸化防止剤� ��防錆剤、pH調整剤、緩衝剤、消泡剤、防腐� �及びハイドロトロープ剤等が挙げられる。

 酸化防止剤としては、フェノール系酸化防� ��剤{2,6-ジ-t-ブチルフェノール、2-t-ブチル-4-� ��トキシフェノール、2,4-ジメチル-6-t-ブチル� ��ェノール等};アミン系酸化防止剤{モノオク� ��ルジフェニルアミン、モノノニルジフェニ� ��アミン等のモノアルキルジフェニルアミン; 4,4’-ジブチルジフェニルアミン、4,4’-ジペ� ��チルジフェニルアミン等のジアルキルジフ� ��ニルアミン;テトラブチルジフェニルアミン 、テトラヘキシルジフェニルアミン等のポリ アルキルジフェニルアミン;α-ナフチルアミ� �、フェニル-α-ナフチルアミン等のナフチル� ��ミン等};硫黄系化合物{フェノチアジン、ペ� ��タエリスリトール-テトラキス-(3-ラウリル� �オプロピオネート)、ビス(3,5-tert-ブチル-4-ヒ ドロキシベンジル)スルフィド等};リン系酸化 防止剤{ビス(2,4-ジ-t-ブチルフェニル)ペンタ� �リスリトールジホスファイト、フェニルジ� �ソデシルホスフィト、ジフェニルジイソオ� �チルホスファイト、トリフェニルホスファ� �ト等};等が挙げられる。
これらは、単独で使用しても、2種以上併用� �てもよい。

 防錆剤としては、ベンゾトリアゾール、ト� ��ルトリアゾール、炭素数2~10の炭化水素基を 有するベンゾトリアゾール、ベンゾイミダゾ ール、炭素数2~20の炭化水素基を有するイミ� �ゾール、炭素数2~20の炭化水素基を有するチ� ��ゾール、2-メルカプトベンゾチアゾール等� �含窒素有機防錆剤;ドデセニルコハク酸ハー� ��エステル、オクタデセニルコハク酸無水物� ��ドデセニルコハク酸アミド等のアルキル又� ��アルケニルコハク酸;ソルビタンモノオレエ ート、グリセリンモノオレエート、ペンタエ リスリトールモノオレエート等の多価アルコ ール部分エステル等を挙げられる。
これらは単独で使用しても、2種以上併用し� �もよい。

 pH調整剤としては、無機酸(塩酸、硫酸、� ��酸、スルファミン酸及びリン酸等)、上記例 示した無機アルカリ(D-4)等が挙げられ、これ� ��は単独で使用しても、2種以上併用してもよ い。

 緩衝剤としては、緩衝作用を有する有機酸� ��は無機酸及び/又はそれらの塩を用いること ができる。
有機酸としては、前記の(C-1a)で例示した炭素 数1~12の有機酸類等を挙げることができ、無� �酸としては、例えばリン酸、ホウ酸等を挙� �ることができる。また、これらの酸の塩と� �ては、上述のアニオン性界面活性剤(A-2)で例 示した塩と同様のものが挙げられる。
これらは単独で使用しても、2種以上併用し� �もよい。

 消泡剤としては、シリコーン消泡剤{ジメ チルシリコーン、フルオロシリコーン、ポリ エーテルシリコーン等を構成成分とする消泡 剤等}等が挙げられる。これらは単独で使用� �ても、2種以上併用してもよい。

 防腐剤としては、トリアジン誘導体{ヘキサ ヒドロ-1,3,5-トリス(2-ヒドロキシエチル)-S-ト� ��アジン等}、イソチアゾリン誘導体{1,2-ベン� ��イソチアゾリン-3-オン、2-メチル-4-イソチ� �ゾリン-3-オン、5-クロロ-2-メチル-4-イソチア ゾリン-3-オン等}、ピリジン誘導体{ピリジン2 -ピリジンチオール-1-オキサイド(塩)等}、モ� �ホリン誘導体{4-(2-ニトロブチル)モルホリン� ��4,4-(2-エチル-2-ニトロトリメチレン)-ジモル� ��リン等}、ベンズイミダゾール誘導体{2-(4-チ アゾリル)ベンズイミダゾール等}、その他の� ��腐剤{ポリ[オキシエチレン(ジメチルイミノ) エチレン(ジメチルイミノ)エチレン]ジクロラ イド、p-クロロ-m-キシレノール、フェノキシ� ��タノール、フェノキシプロパノール、アセ� ��キシジメチルジオキサン、イソプロピルメ� ��ルフェノール、テトラクロロイソフタロニ� ��リル、ビスブロモアセトキシエタン、3-ヨ� �ド-2-プロピニルブチルカーバメート、2-ブロ モ-2-ニトロプロパン-1,3-ジオール等}等が挙げ られる。
これらは単独で使用しても、2種以上併用し� �もよい。

 ハイドロトロープ剤としては、レゾルシ� ��及びサリチル酸(塩)等が挙げられる。また� �これらの酸の塩としては、上述のアニオン� �界面活性剤(A-2)で例示した塩と同様のものが 挙げられる。これらは単独で使用しても、2� �以上併用してもよい。尚、スルホン酸系界� �活性剤(A-2b-1)として例示したトルエンスルホ ン酸(塩)、キシレンスルホン酸(塩)及びクメ� �スルホン酸(塩)もハイドロトロープ剤として の効果を有する。

 その他の添加剤(H)を含有する場合、それ� ��れの添加剤の含有量は、酸化防止剤、防錆� ��、緩衝剤、防腐剤及びハイドロトロープ剤� ��、洗浄剤の有効成分の質量に基づいて好ま� ��くは10%以下、更に好ましくは8%以下、特に� �ましくは5%以下である。また消泡剤の添加量 は好ましくは2%以下、更に好ましくは1.5%以下 、特に好ましくは1%以下である。また、pH調� �剤は洗浄剤の有効成分の質量に基づいて好� �しくは90%以下、更に好ましくは85%以下、特� �好ましくは80%以下である。また、その他の� �加剤(H)の合計の含有量は、洗浄剤の有効成� �の質量に基づいて90%以下、更に好ましくは85 %以下、特に好ましくは80%以下である。

 尚、前記(B)~(H)の間で、組成が同一で重複 する場合は、それぞれの成分が該当する添加 効果を奏する量を他の成分としての効果に関 わりなく使用するのではなく、他の成分とし ての効果も同時に得られることをも考慮し、 使用目的に応じて使用量を調整するものとす る。

 本発明の洗浄剤の有効成分の濃度は、使� ��時の作業性や運搬効率の観点から、前述の� ��うに通常1~100%、好ましくは2~50%である。従� �て、本発明の洗浄剤中の水の含有量は、通� �99%以下、好ましくは50~98%である。

 本発明の洗浄剤は、界面活性剤(A)のみか� ��なる場合を除き、(A)と、(B)~(H)及び水からな る群から選ばれる少なくとも1種の成分とを� �合することによって製造されるが、前記数� �(1)を満たす洗浄剤を得るためには以下のよ� �な方法で製造することが好ましい。

(1)界面活性剤(A)又は、(A)並びに必要により(B) ~(H)及び水からなる群から選ばれる少なくと� �1種の成分を常温~80℃で混合したものの一部� ��採り、洗浄液として使用される場合の有効� ��分濃度にまで水で希釈した希釈液の25℃で� �pH及び酸化還元電位を測定し、pHと酸化還元� ��位(V)が数式(1)を満たすことを確認する。
(2)酸化還元電位が数式(1)を満たさない場合は 、酸化還元電位を低下させる成分、例えばキ レート剤(B)、還元剤(C)及び/又はアルカリ成� �(D)等を添加して、pHと酸化還元電位が数式(1) を満たす様に酸化還元電位を調整する。
 尚、特定の範囲のpHを有する洗浄液を得る� �合は、上記操作に加えて以下の方法でpH調整 を行う。
 上記(1)又は(2)の操作におけるpHが所望のpHの 範囲より低い場合は、pHを上昇させる成分、� ��えばアルカリ成分(D)、その他の添加剤(H)の� ��ちのpH調整剤及び/又は界面活性剤(A-2)等を� �加してpHを所望の範囲に調整する。
 上記(1)又は(2)の操作におけるpHが所望のpHの 範囲より高い場合は、pHを下降させる成分、� ��えばキレート剤(B)、還元剤(C)、その他の添� ��剤(H)のうちのpH調整剤及び/又は緩衝剤等を� ��加してpHを所望の範囲に調整する。

 本発明の洗浄剤の製造における混合溶解� ��置としては、特に限定されないが、櫂型羽� ��を装備した攪拌混合装置や螺旋型羽根を装� ��した攪拌混合装置等が使用できる。

 本発明の洗浄剤中のNa、K、Ca、Fe、Cu、Al、Pb 、Ni及びZn原子の各金属含有量は、金属汚染� �防ぐ観点から、洗浄剤の有効成分の質量に� �づいて20ppm以下が好ましく、10ppm以下が更に� ��ましく、5ppm以下が特に好ましい。
 これらの金属原子の含有量の測定方法とし� ��は、公知の方法、例えば原子吸光法、ICP発� ��分析法及びICP質量分析法が利用できる。

 本発明の第2発明である電子材料用洗浄液は 、上記の洗浄剤を必要により水で希釈して洗 浄工程で使用する洗浄液であり、有効成分濃 度が0.01~15質量%で、且つ25℃でのpH及び酸化還 元電位(V)[単位はmV、vsSHE]が下記数式(1)を満た すことを特徴とする電子材料用洗浄液である 。
     V ≦ -38.7×pH+550     (1)
本発明の洗浄液中の成分や酸化還元電位の測 定法等は、前述の通りである。

 本発明の電子材料用洗浄液は、特に磁気� ��ィスク基板、フラットパネルディスプレイ� ��板及びフォトマスク基板等の洗浄液として� ��適であり、各電子材料に対して好ましいpH� �範囲があることについては前述の通りであ� �。

 本発明の洗浄剤の表面張力(25℃)は、電子 材料への洗浄剤のぬれ性の観点から、好まし くは65mN/m以下であり、更に好ましくは50mN/m以 下、特に好ましくは40mN/m以下である。本発明 における表面張力は、JIS K3362:1998の輪環法:� �応ISO 304に従って測定できる。

 洗浄液の電気伝導率(mS/cm)は、パーティク ルの再付着防止性及びエッチング性の観点か ら、好ましくは0.2~10.0、更に好ましくは0.5~5.0 、特に好ましくは1.0~3.5である。

 本発明の第3発明である電子材料の洗浄方 法は、上記の洗浄液中で電子材料を洗浄する 洗浄方法であり、磁気ディスク基板(特にNi-P� ��ッキを施したアルミニウム基板)、フラット パネルディスプレイ基板及びフォトマスク基 板等の洗浄方法として好適である。洗浄対象 物(汚れ)としては、油分(クーラント等)、人� �からの汚れ(指紋、皮脂等)、可塑剤(ジオク� �ルフタレート等)、有機パーティクル等の有� ��物及び無機パーティクル[研磨剤(例えば、� �ロイダルシリカ、アルミナ、酸化セリウム� �びダイヤモンド等)及び研磨屑(ガラスカレッ ト等)等]等の無機物が挙げられる。

 本発明の洗浄方法は、パーティクルの除去� ��に極めて優れていることから、磁気ディス� ��基板(特に好ましくは磁気ディスク用ガラス 基板及びNi-Pメッキが施された磁気ディスク� �アルミニウム基板)、フラットパネルディス� ��レイ基板及びフォトマスク基板の製造工程� ��内、研磨剤、研磨屑及び研削屑等のパーテ� ��クルの除去を目的とする洗浄工程で行うこ� ��が好ましく、より具体的には研削工程後の� ��浄工程、研磨工程後の洗浄工程及び/又はテ クスチャリング工程後の洗浄工程での洗浄方 法として適用することが好ましい。
 また、大気中に浮遊する汚れ(パーティクル 及び有機物汚れ等)が基板表面に強固に付着� �ることを防止する為に、上記の洗浄工程の� �後において当該基板を本発明の洗浄液に浸� �してもよい。
 前記の研磨工程が、研磨剤としてアルミナ� ��コロイダルシリカ、酸化セリウム又はダイ� ��モンドのいずれかを用いる研磨工程である� ��合、本発明の洗浄方法の効果が特に発揮さ� ��やすい。

 本発明の洗浄方法における洗浄方式とし� ��は、超音波洗浄、シャワー洗浄、スプレー� ��浄、ブラシ洗浄、浸漬洗浄、浸漬揺動洗浄� ��び枚葉式洗浄からなる群から選ばれる少な� ��とも1種の洗浄方式が挙げられ、いずれの方 式であっても本発明の洗浄方法の効果が発揮 されやすい。

 本発明の洗浄剤を使用して洗浄する際の� ��浄温度(℃)としては、洗浄性の観点から、10 ~80℃が好ましく、15~70℃が更に好ましく、20~6 0℃が特に好ましい。

 尚、本発明の洗浄方法で洗浄された電子� ��料に対する水の接触角(25℃)は、好ましくは 20°以下であり、更に好ましくは1~15°、特に� �ましくは2~10°である。接触角がこの範囲に� �ると、磁性膜等をスパッタにより形成する� �合に均一な膜が形成できるので、磁気特性� �点から好ましい。尚、接触角の測定は、例� �ば、全自動接触角計[協和界面科学(株)社製� �PD-W]を用いて測定することができる。

 本発明の洗浄方法で洗浄した後の電子材料� ��面の表面粗さ(Ra)は、電子材料の表面平坦性 の観点から、好ましくは0.5nm以下、更に好ま� ��くは0.001~0.3nm、特に好ましくは0.05~0.25nmであ る。
 尚、表面粗さ(Ra)は、エスアイアイ・ナノテ クノロジー社製、E-sweepを用いて下記の条件� �測定できる。
 測定モード  :DFM(タッピングモード)
 スキャンエリア:10μm×10μm
 走査線数   :256本(Y方向スキャン)
 補正     :X,Y方向のフラット補正あり

 本発明の第4発明である電子材料の製造方 法は、前記の洗浄方法で電子材料を洗浄する 工程を含む電子材料の製造方法であり、特に 磁気ディスク基板、フラットパネルディスプ レイ基板及びフォトマスク基板の製造方法と して好適である。

[実施例]
 以下、実施例により本発明を更に詳細に説� ��するが、本発明はこれに限定されるもので� ��ない。また、特に限定がない限り以下にお� ��て部は質量部を示す。ポリマーのGPCによる� ��子量の測定条件は前述の方法により測定し� ��。尚、実施例及び比較例で用いた超純水は� ��抵抗値が18Mω以上のものである。

[製造例1]
 撹拌装置及び温度制御装置付きの容積1リッ トルのステンレス製オートクレーブに、ラウ リルアルコール200部(1.1モル部)及びテトラメ� ��ルアンモニウムハイドロキサイド(以下、TMA Hと略記)の25%水溶液10部(0.027モル部)を仕込み� ��100℃、4kPa以下の減圧下で30分間脱水した。� ��チレンオキサイド(以下、EOと略記)430部(9.8� �ル部)を、反応温度を100℃に制御しながら、3 時間かけて滴下した後、100℃で3時間熟成し� �粗生成物を得た。この粗生成物を2.6kPa以下� �減圧下に、150℃で2時間保持して、残存するT MAHを分解及び除去し、ノニオン性界面活性剤 であるラウリルアルコールEO9モル付加物(A-1-1 )630部を得た。

[製造例2]
 撹拌装置及び温度制御装置付きの容積1リッ トルのステンレス製オートクレーブに、ラウ リルアミン185部(1.0モル部)及び25%TMAH水溶液3.6 部(0.01モル部)を仕込み、100℃、4kPa以下の減� �下で30分間脱水した。EO264部(6.0モル部)を、� �応温度を100℃に制御しながら、3時間かけて� ��下した後、100℃で3時間熟成し、粗生成物を 得た。この粗生成物を2.6kPa以下の減圧下、150 ℃で2時間保持して、残存するTMAHを分解及び� ��去し、ノニオン性界面活性剤であるラウリ� ��アミンEO6モル付加物(A-1-2)445部を得た。

[製造例3]
 撹拌装置及び温度制御装置付きの容積1リッ トルのステンレス製オートクレーブに、クミ ルフェノール212部(1.0モル部)及び25%TMAH水溶液 2.9部(0.008モル部)を仕込み、100℃、4kPa以下の� ��圧下で30分間脱水した。EO352部(8.0モル部)を� ��反応温度を100℃に制御しながら、3時間かけ て滴下した後、100℃で3時間熟成し、粗生成� �を得た。この粗生成物を2.6kPa以下の減圧下� �150℃で2時間保持して、残存するTMAHを分解及 び除去し、ノニオン性界面活性剤であるクミ ルフェノールEO8モル付加物(A-1-3)560部を得た� �

[製造例4]
 温調及び攪拌が可能な反応容器にイソプロ� ��ルアルコール300部及び超純水100部を仕込み� ��窒素置換後、75℃に昇温した。撹拌下で、� �クリル酸の75%水溶液407部及びジメチル2,2’-� ��ゾビスイソブチレートの15%イソプロピルア� ��コール溶液95部を3.5時間かけてそれぞれ同� �に滴下した。滴下終了後、75℃で5時間撹拌� �た後、系内が固化しないように超純水を間� �的に投入し、イソプロピルアルコールが検� �できなくなるまで水とイソプロピルアルコ� �ルの混合物を留去した。得られたポリアク� �ル酸水溶液をDBU(約450部)でpHが7になるまで中 和し、超純水で濃度調整することにより、ア ニオン性界面活性剤であるポリアクリル酸DBU 塩(A-2-1)の40%水溶液を得た。尚、(A-2-1)のMwは10 ,000であった。

[製造例5]
 温調及び還流が可能な撹拌装置付き反応容� ��にエチレンジクロライド100部を仕込み、攪� ��下、窒素置換した後に90℃まで昇温し、エ� �レンジクロライドを還流させた。スチレン12 0部と、予め2,2’-アゾビスイソブチロニトリ� ��1.7部をエチレンジクロライド20部に溶かし� �開始剤溶液を、それぞれ別々に6時間かけて� ��応容器内に同時に滴下し、滴下終了後更に1 時間重合を行った。重合後、窒素シール下で 20℃に冷却した後、温度を20℃にコントロー� �しながら無水硫酸105部を10時間かけて滴下し 、滴下終了後更に3時間スルホン化反応させ� �。反応後、溶媒を留去して固化させた後、� �純水345部を投入して溶解し、ポリスチレン� �ルホン酸水溶液を得た。得られたポリスチ� �ンスルホン酸水溶液を25%TMAH水溶液(約400部)� �pHが7になるまで中和し、超純水で濃度調整� �ることにより、アニオン性界面活性剤であ� �ポリスチレンスルホン酸TMAH塩(A-2-2)の40%水溶 液を得た。尚、(A-2-2)のMwは、40,000、スルホン 化率は97%であった。

[製造例6]
 撹拌装置付き反応容器にナフタレンスルホ� ��酸21部及び超純水を10部仕込み、37%ホルムア ルデヒド8部を80℃で3時間かけて滴下した。� �下終了後、105℃に昇温して25時間反応させた 後、室温(約25℃)まで冷却して水浴中、25℃に 調整しながらDBUを徐々に加え、pH6.5に調製し� ��(DBU約15部使用)。超純水を加えて固形分を40% に調整して、アニオン性界面活性剤であるナ フタレンスルホン酸ホルマリン縮合物のDBU塩 (A-2-3)の40%水溶液を得た。尚、(A-2-3)のMwは、5, 000であった。

[製造例7]
 アクリル酸の75%水溶液407部の代わりに、ア� ��リルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸227� ��、アクリル酸78部及び超純水131部からなる70 %モノマー水溶液436部を使用したこと以外は� �製造例4と同様に重合後イソプロピルアルコ� ��ルが検出できなくなるまで水とイソプロピ� ��アルコールの混合物を留去して、アクリル� ��ミド-2-メチルプロパンスルホン酸/アクリル 酸共重合体水溶液を得た。得られたアクリル アミド-2-メチルプロパンスルホン酸/アクリ� �酸共重合体水溶液を25℃に調整しながらDBUを 徐々に加えてpH6.5に調製し(DBU約280部使用)超� �水で濃度調整することにより、アニオン性� �面活性剤であるアクリルアミド-2-メチルプ� �パンスルホン酸/アクリル酸共重合体DBU塩(A-2 -4)の40%水溶液を得た。尚、(A-2-4)のMwは8,000で� ��った。

[製造例8]
 アクリル酸の75%水溶液407部の代わりに、メ� ��クリロイルオキシポリオキシアルキレン硫� ��エステルナトリウム塩の50%水溶液[三洋化成 (株)社製、エレミノールRS-30]320部及びアクリ� ��酸145部からなる65%モノマー水溶液465部を使� ��したこと以外は、製造例4と同様に重合後イ ソプロピルアルコールが検出できなくなるま で水とイソプロピルアルコールの混合物を留 去して、メタクリロイルオキシポリオキシア ルキレン硫酸エステルナトリウム塩/アクリ� �酸共重合体水溶液を得た。得られた共重合� �水溶液を固形分濃度10%になるように超純水� �希釈した後、陽イオン交換樹脂「アンバー� �イトIR-120B」(オルガノ株式会社製)を用いて� �溶液中のナトリウムイオンが1ppm以下になる� ��で除去した。尚、ナトリウム含量はICP発光� ��析装置(VARIAN社製、Varian730-ES)を用いて測定� �た。得られたメタクリロイルオキシポリオ� �シアルキレン硫酸エステル/アクリル酸共重� ��体を25℃に調整しながら25%TMAH水溶液(約600部 )でpHが7になるまで中和し、超純水で濃度調� �することにより、アニオン性界面活性剤で� �るメタクリロイルオキシポリオキシアルキ� �ン硫酸エステル/アクリル酸共重合体TMAH塩(A- 2-5)の10%水溶液を得た。尚、(A-2-5)のMwは9,000で あった。

[製造例9]
 オクチルベンゼンスルホン酸136部及び超純� ��245部を1Lのビーカーに仕込み、均一になる� �で溶解した。得られたオクチルベンゼンス� �ホン酸水溶液をDBN(約65部)でpHが7になるまで� ��和し、超純水で濃度調整することにより、� ��ニオン性界面活性剤であるオクチルベンゼ� ��スルホン酸DBN塩(A-2-6)の40%水溶液を得た。

[製造例10]
 2-エチルヘキサン酸144部及び超純水300部を1L のビーカーに仕込み、均一になるまで溶解し た。得られた2-エチルヘキサン酸水溶液をジ� ��タノールアミン(約105部)でpHが7になるまで� �和し、超純水で濃度調整することにより、� �ニオン性界面活性剤である2-エチルヘキサン 酸ジエタノールアミン塩(A-2-7)の40%水溶液を� �た。

[製造例11]
 攪拌装置及び温度制御装置付きのガラス製� ��応装置に2-エチルヘキサノール256部を仕込� �、攪拌下で0℃まで冷却し、系内温度を0℃に 保ちながらクロロスルホン酸229部を3時間か� �て滴下し、硫酸エステルを得た。更に48%水� �化カリウム水溶液(約230部)でpHが7になるまで 中和し、超純水で濃度調製することにより、 アニオン性界面活性剤である2-エチルヘキサ� ��ール硫酸エステルカリウム塩(A-2-8)の40%水溶 液を得た。

[実施例1~56]、[比較例1~8]
 表1~表8に記載の各成分を、表1~表8に記載の� ��合部数で、1Lのビーカー中で室温(約20℃)で� ��一撹拌・混合して実施例1~56及び比較例1~8の 洗浄剤を作製し、実施例1~26及び比較例1~5の� �浄剤についてはそのままの濃度(希釈倍率1)� �洗浄液として評価し、実施例27~56及び比較例 6~8の洗浄剤については超純水で10倍に希釈し� ��洗浄液として以下の評価方法に基づいて評� ��した。結果を表1~表8に示す。
 尚、表中に記載の超純水以外の各成分の配� ��部数は有効成分換算の値である。また、表� ��に記載の超純水の量は、製造例1~11で得た界 面活性剤及びTMAHの水溶液中の超純水を含む� �である。

 また、表1~表8中のキレート剤(B)、還元剤(C)� ��アルカリ成分(D)及び水溶性有機溶剤(G)の略� ��は下記の通りである。
   EDTA:エチレンジアミンテトラ酢酸
   HEDP:1-ヒドロキシエチリデン-1,1-ジホスホ ン酸
   HMP:ヘキサメタリン酸ナトリウム
   AA:アスコルビン酸
   Cys:L-システイン
   次亜リン酸1Na:次亜リン酸モノナトリウ� �塩
   MDEA:N-メチルジエタノールアミン
   TMAH:テトラメチルアンモニウムハイドロ� ��サイド
   DEA:ジエタノールアミン
   DBU:1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]-7-ウンデセン
   DEG-B:ジエチレングリコールモノブチルエ ーテル

 得られた洗浄液の25℃でのpHをpHメーター( 堀場製作所社製、M-12)で測定した。酸化還元� ��位及び表面張力は前述の方法により測定し� ��。また、以下の方法により洗浄性-1~6、表面 平坦性-1~3、エッチング性-1~3、接触角-1~3及び 分散性を評価した。

<洗浄性評価-1> 
 研磨剤としての市販のコロイダルシリカス� ��リー(粒径約30nm)及び研磨布を用いて、3.5イ� ��チのNi-Pメッキされた磁気ディスク用基板を 研磨した後、超純水で表面をリンス、窒素で ブローすることにより、汚染基板を調製した 。上記調製した各洗浄液1,000部を1Lガラス製� �ーカーにとり、調製した汚染基板を浸漬し� �超音波洗浄機(200kHz)内で、30℃、5分間洗浄を 行った。洗浄後、基板を取り出し、超純水で 十分にリンスを行った後、窒素ガスでブロー して乾燥し、下記の評価基準に従い、基板表 面の洗浄性を微分干渉顕微鏡(Nikon社製、OPTIPH OT-2、倍率400倍)で評価した。尚、本評価は大� ��からの汚染を防ぐため、クラス1,000(FED-STD-20 9D、米国連邦規格、1988年)のクリーンルーム� �で実施した。
  ◎:ほぼ完全に除去できている。
  ○:ほとんど洗浄できている。
  △:若干粒子が残留している。
  ×:ほとんど洗浄できていない。

<洗浄性評価-2>
 研磨剤として市販のアルミナスラリー(粒径 約0.4μm)を用いた以外は、洗浄性評価-1と同様 に評価した。

<洗浄性評価-3>
 研磨剤としての市販の酸化セリウムスラリ� ��(粒径約100nm)及び研磨布を用いて、2.5インチ の磁気ディスク用ガラス基板を研磨した後、 超純水で表面をリンス、窒素でブローするこ とにより、汚染基板を調製した以外は、洗浄 性評価-1と同様に評価した。

<洗浄性評価-4>
 研磨剤として市販のコロイダルシリカスラ� ��ー(粒径約30nm)を用いた以外は、洗浄性評価- 3と同様に評価した。

<洗浄性評価-5>
 市販のガラス基板(コーニング社製、ガラス 板#1737、10cm×10cm)上にガラス板を切断(破断)し た際のガラス粉5mgを散布し、105℃のホットプ レート(PMC Industries社製、デジタルホットプ� �ートシリーズ730)上で1時間加熱したものを汚 染基板として用いた以外は、洗浄性評価-1と� ��様に評価した。

<洗浄性評価-6>
 市販のガラス基板(コーニング社製、ガラス 板#1737、10cm×10cm)にモデル汚染物質としてn-ト リアコンタン(東京化成工業社製)10mgを70℃の� ��ットプレート(PMC Industries社製、デジタルホ ットプレートシリーズ730)上で1分間融着させ� ��ことにより、汚染基板を調製した。洗浄液1 00gを200mlのガラス製ビーカーに採り、調製し� ��汚染基板を浸漬し、超音波洗浄機(200kHz)内� �、30℃、5分間洗浄を行った。洗浄後、基板� �取り出し、超純水で十分にリンスを行った� �、窒素ガスでブローして乾燥し、上記洗浄� �評価-1と同様の評価基準に従い、基板表面の 洗浄性を微分干渉顕微鏡(Nikon社製、OPTIPHOT-2� �倍率400倍)で評価した。尚、本評価は大気か� ��の汚染を防ぐため、クラス1,000(FED-STD-209D、� ��国連邦規格、1988年)のクリーンルーム内で� �施した。

<表面平坦性-1>
 20mlのガラス製容器に各洗浄液を10ml採り、30 ℃に温調した後、Ni-Pメッキされた磁気ディ� �ク用アルミニウム基板を2cm×2cmの大きさにカ ットした基板を入れ、30℃で20分間浸漬して� �浄した。洗浄後、ピンセットを用いて基板� �取り出し、超純水で十分にリンスして洗浄� �を除去した後、室温下(25℃)、窒素でブロー� ��ることで基板を乾燥した。乾燥した基板表� ��の表面粗さ(Ra)を原子間力顕微鏡(エスアイ� �イ・ナノテクノロジー株式会社製、E-Sweep)を 用いて測定し、表面平坦性を評価した。尚、 試験前の基板の表面粗さ(Ra)は、0.25nmであっ� �。

<表面平坦性-2>
 20mlのガラス製容器に各洗浄液を10ml採り、30 ℃に温調した後、磁気ディスク用ガラス基板 を1cm×1cmの大きさにカットした基板を入れ、3 0℃で20分間浸漬して洗浄した。洗浄後、ピン セットを用いて基板を取り出し、超純水で十 分にリンスして洗浄液を除去した後、室温下 (25℃)、窒素でブローすることで基板を乾燥� �た。乾燥した基板表面の表面粗さ(Ra)を原子� ��力顕微鏡(エスアイアイ・ナノテクノロジー 株式会社製、E-Sweep)を用いて測定し、表面平� ��性を評価した。尚、試験前の基板の表面粗� ��(Ra)は、0.20nmであった。

<表面平坦性-3>
 20mlのガラス製容器に各洗浄液を10ml採り、30 ℃に温調した後、市販のガラス基板(コーニ� �グ社製、ガラス板#1737、10cm×10cm)を1cm×1cmの� �きさにカットした基板を入れ、30℃で20分間� ��漬して洗浄した。洗浄後、ピンセットを用� ��て基板を取り出し、超純水で十分にリンス� ��て洗浄液を除去した後、室温下(25℃)、窒素 でブローすることで基板を乾燥した。乾燥し た基板表面の表面粗さ(Ra)を原子間力顕微鏡(� ��スアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製� ��E-Sweep)を用いて測定し、表面平坦性を評価� �た。尚、試験前の基板の表面粗さ(Ra)は、0.50 nmであった。

<エッチング性-1>
 1Lのポリプロピレン製容器に各洗浄液100部� �採り、その中に3.5インチのNi-Pメッキされた� ��気ディスク用アルミニウム基板1枚を入れ、 上部にポリ塩化ビニリデン製フィルムをかけ て水分が蒸発しないように密閉し、23℃に温� ��された室内で12時間静置した。静置後、各� �浄液を採取し、ICP発光分析装置(VARIAN社製、V arian730-ES)で洗浄液中のNi含量を測定した。尚� ��予め試験前の各洗浄液についても同様にNi� �量を測定しておき、その差を求めることで� �験中に溶出したNi含量(ppm)を求めた。この溶� ��したNi含量が多いほど、エッチング性が高� �。

<エッチング性-2>
 1Lのポリプロピレン製容器に各洗浄液100部� �採り、その中に2.5インチの磁気ディスク用� �ラス基板1枚を入れ、上部にポリ塩化ビニリ� ��ン製フィルムをかけて水分が蒸発しないよ� ��に密閉し、23℃に温調された室内で12時間静 置した。静置後、各洗浄液を採取し、ICP発光 分析装置(VARIAN社製、Varian730-ES)で洗浄液中のN i含量を測定した。尚、予め試験前の各洗浄� �についても同様にSi含量を測定しておき、そ の差を求めることで試験中に溶出したSi含量( ppb)を求めた。この溶出したSi含量が多いほど 、エッチング性が高い。

<エッチング性-3>
 50mlのポリプロピレン製容器に洗浄液10部を� ��り、50℃に温調した後、市販のガラス基板(� ��ーニング社製、ガラス板#1737、10cm×10cm)を2cm ×2cmの大きさにカットした基板を入れ、50℃� �24時間浸漬・静置した後、洗浄液を採取し、 ICP発光分析装置(VARIAN社製、Varian730-ES)で洗浄� ��中のSi含量を測定した。尚、予め試験前の� �浄液についても同様にSi含量を測定しておき 、その差を求めることで試験中に溶出したSi� ��量(ppb)を求めた。この溶出したSi含量が多い ほど、エッチング性が高い。

<接触角測定-1>
 上記洗浄性試験-1で評価した直後の基板に� �いて、全自動接触角計[協和界面科学(株)社� �、PD-W]を用いて、水に対する接触角(25℃、1� �後)を測定した。

<接触角測定-2>
 上記洗浄性試験-3で評価した直後の基板に� �いて、全自動接触角計[協和界面科学(株)社� �、PD-W]を用いて、水に対する接触角(25℃、1� �後)を測定した。

<接触角測定-3>
 上記洗浄性試験-5で評価した直後の基板に� �いて、全自動接触角計[協和界面科学(株)社� �、PD-W]を用いて、水に対する接触角(25℃、1� �後)を測定した。

<分散性評価>
 50mlのガラス製容器に各洗浄液を30部採り、� ��れに前記洗浄性評価-4で使用した市販のコ� �イダルシリカスラリー(粒径約30nm)0.3部を加� �てマグネティックスターラーを用いて1分間� ��拌した。5分間静置した後、動的光散乱式粒 径分布測定装置[(株)堀場製作所社製、LB-550V]� ��用いて粒径(メジアン粒径)を測定した。粒� �が小さい程分散性に優れる。

 表1~表8の結果から、本発明の洗浄剤は、� ��種基板表面に付着するパーティクルの除去� ��が極めて優れることがわかった。また、エ� ��チング性試験の結果から、本発明の洗浄剤� ��、適度なエッチング性を有するが、洗浄後� ��基板表面の平坦性にはほとんど変化を与え� ��いので、洗浄時に基板表面荒れを引き起こ� ��心配がなく、基板表面に強固に付着したパ� ��ティクルについても非常に有効であること� ��わかった。更に、本発明の洗浄剤は洗浄後� ��基板表面の水の接触角を低くできることか� ��、極めて清浄な基板表面を実現できるとい� ��た効果も奏することがわかった。