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Title:
COBALT-REMOVED POLYCRYSTALLINE DIAMOND COMPACT
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2018/205497
Kind Code:
A1
Abstract:
A cobalt-removed polycrystalline diamond compact, and in particular a polycrystalline diamond compact having an annular cobalt-removed shape. The compact comprises two layers, i.e., a working layer made of polycrystalline diamond and a support layer made of a hard alloy. The polycrystalline diamond layer is formed by sintering at a high temperature under a high pressure using metal cobalt as a binder; the polycrystalline diamond layer has an annular cobalt-removed layer, the cobalt-removed layer comprising a PCD surface and outer edge. The cobalt-removed polycrystalline diamond compact has a simple structure, and can reduce residual stress in the polycrystalline diamond layer so that the abrasion resistance, impact resistance and thermal stability of the cobalt-removed polycrystalline diamond compact are greatly improved; therefore, the service life of the compact is prolonged and the effects of cobalt removal on the environment can be reduced.

Inventors:
WANG CAILI (CN)
ZHAO DONGPENG (CN)
YANG SAIFEI (CN)
FANG HAIJIANG (CN)
Application Number:
PCT/CN2017/105473
Publication Date:
November 15, 2018
Filing Date:
October 10, 2017
Export Citation:
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Assignee:
SF DIAMOND CO LTD (CN)
International Classes:
C30B28/00
Foreign References:
CN104769167A2015-07-08
US20140332286A12014-11-13
CN105974060A2016-09-28
CN103696699A2014-04-02
US20060157285A12006-07-20
US20070169419A12007-07-26
Attorney, Agent or Firm:
ZHENGZHOU HONGYUANSHUAI PATENT AGENCY (GENERALPARTNERSHIP) (CN)
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Claims:
权利要求书

[权利要求 1] 一种脱钴聚晶金刚石复合片, 包括聚晶金刚石层及与其粘接的硬质合 金基体, 其特征在于, 所述聚晶金刚石层具有环形脱钴层, 所述环形 脱钴层包括 PCD层表面和外圆。

[权利要求 2] 根据权利要求 1所述的一种脱钴聚晶金刚石复合片, 其特征在于, 所 述环形脱钴层为圆环脱钴层, 圆环宽度为 1.8~2mm。

[权利要求 3] 根据权利要求 1所述的一种脱钴聚晶金刚石复合片, 其特征在于, 所 述环形脱钴层的脱钴深度包括平面脱钴深度、 倒角部位脱钴深度、 外 圆轴向脱钴深度和外圆径向脱钴深度。

[权利要求 4] 根据权利要求 3所述的一种脱钴聚晶金刚石复合片, 其特征在于, 所 述平面脱钴深度为 0.3~1.0mm, 倒角部位沿垂直于斜面方向的脱钴深 度为 0.35~1.0mm, 外圆轴向脱钴深度为 1.2~2.2mm, 外圆径向脱钴深 度为 0.2~0.6mm。

[权利要求 5] 根据权利要求 1所述的一种脱钴聚晶金刚石复合片, 其特征在于, 所 述环形脱钴层的钴含量为 0.5~2%, 未脱钴层钴含量为 8~15%, 两者均 指质量分数。

Description:
一种脱钴聚晶金刚石复合片

技术领域

[0001] 本发明涉及超硬材料领域, 尤其涉及一种具有高热稳定性的脱钴聚晶金刚 石复 合片。

背景技术

[0002] 聚晶金刚石复合片 (以下简称为 PDC) 是由聚晶金刚石层和硬质合金基体高温 高压烧结而成的复合材料, 因其兼具良好的耐磨性和高抗冲击性而被广泛 应用 于石油钻探、 地质勘探和机械加工等领域。 聚晶金刚石复合片的金刚石层一般 是用钴为粘结剂烧结而成, 一方面金属钴作为催化剂, 有利于金刚石微粉的结 合, 然而, 另一方面在高温钻探过程中, 钴的存在会促进金刚石的石墨化, 同 吋钴的热膨胀系数大于金刚石的热膨胀系数, 金刚石与金属钴之间形成微裂纹 , 进而产生崩刃或脱层, 缩短复合片的使用寿命。

[0003] 为了解决存在的上述技术问题, 常用的方法是对聚晶金刚石片进行脱钴, 但脱 钴深度和脱钴形状对聚晶金刚石复合片耐磨性 、 热稳定性和抗冲击性影响的相 关报道比较少。 本发明通过对聚晶金刚石复合片进行脱钴处理 , 形成了沿聚晶 金刚石层径向分布的双层结构。 此类型结构可提高聚晶金刚石复合片的聚晶金 刚石层之间, 及其与硬质合金层之间良性过渡、 匹配, 从而降低聚晶金刚石复 合片中残余热应力, 提高复合片的热稳定性及抗冲击性、 耐磨性, 大幅度延长 使用寿命。

技术问题

[0004] 为解决金属钴对聚晶金刚石复合片使用寿命的 影响, 本发明通过改善聚晶金刚 石层的脱钴深度和脱钴形状, 提供一种脱钴聚晶金刚石复合片, 改善聚晶金刚 石复合片的耐热性和耐磨性, 延长使用寿命。

问题的解决方案

技术解决方案

[0005] 本发明的目的通过以下技术方案来实现: [0006] 一种脱钴聚晶金刚石复合片, 包括聚晶金刚石层及与其粘接的硬质合金基体 , 所述聚晶金刚石层具有环形脱钴层, 所述环形脱钴层包括 PCD层表面和外圆。

[0007] 在本申请中, 所述聚晶金刚石层是以金属钴为粘结剂高温高 压烧结而成, 该高 温高压烧结技术为现有技术, 已在本技术领域内获得广泛应用。

[0008] 进一步, 所述环形脱钴层为圆环脱钴层, 圆环宽度为 1.8~2mm。

[0009] 进一步, 所述环形脱钴层的脱钴深度包括平面脱钴深度 、 倒角部位脱钴深度、 外圆轴向脱钴深度和外圆径向脱钴深度。

[0010] 进一步, 所述脱钴深度指的是到脱钴层与未脱钴层的界 面层的垂直深度, 简称 为到脱钴层的深度;

[0011] 所述平面脱钴深度为 PCD层表面侧边到脱钴层的深度;

[0012] 所述倒角部位脱钴深度为倒角表面沿垂直于斜 面方向到脱钴层的深度;

[0013] 所述外圆轴向脱钴深度为 PCD层表面到脱钴层的深度;

[0014] 所述外圆径向脱钴深度为外圆侧面到脱钴层的 深度。

[0015] 进一步, 所述平面脱钴深度为 0.3~1.0mm, 倒角部位沿垂直于斜面方向的脱钴 深度为 0.35~1.0mm, 外圆轴向脱钴深度为 1.2~2.2mm, 外圆径向脱钴深度为 0.2~ 0.6mm°

[0016] 进一步, 所述环形脱钴层的钴含量为 0.5~2%, 未脱钴层钴含量为 8~15%, 两者 均指质量分数。

[0017] 进一步, 所述环形脱钴层通过酸浸法、 电解法、 高温触媒剂催化法中其中一种 脱钴工艺制得。

[0018] 本申请中, 所述聚晶金刚石层脱钴工艺, 如酸浸法、 电解法、 高温触媒剂催化 法, 这些脱钴工艺在本领域内为现有技术, 脱钴工艺已在本技术领域内获得广 泛应用。

[0019] 进一步, 所述脱钴工艺中所用脱钴密封材料为 502胶、 石蜡、 合成橡胶、 聚四 氟乙烯、 聚乙烯、 聚丙烯中的其中一种。

发明的有益效果

有益效果

[0020] 本发明提供的聚晶金刚石复合片, 结构简单、 耐磨性高, 该结构的复合片, 与 普通复合片、 脱钴以及脱钴后嵌入其他金属等形式的聚晶金 刚石复合片相比, 其热稳定性、 抗冲击性、 耐磨性都有显著的提高, 大幅度降低聚晶金刚石复合 片的聚晶金刚石层崩刃或脱层现象, 从而延长聚晶金刚石复合片的使用寿命。 对附图的简要说明

附图说明

[0021] 图 1为本发明实施例 1的聚晶金刚石层断层示意图;

[0022] 图 2为图 1中聚晶金刚石层断层俯视图;

[0023] 图中: 100-聚晶金刚石层, 101-脱钴层, 102-未脱钴层, 200-硬质合金基体。

实施该发明的最佳实施例

本发明的最佳实施方式

[0024] 图 1为本实施例聚晶金刚石层断层图。 由图 1所示, 脱钴聚晶金刚石复合片包括 聚晶金刚石层 100、 及与其粘接的硬质合金基体 200、 脱钴层 101、 未脱钴层 102 。 图 2为图 1中聚晶金刚石层的俯视图, 由图 2所示, 包括脱钴层 101和未脱钴层 1 02, 而且脱钴层 101为环形结构。

[0025] 本实施例的聚晶金刚石复合片为 13尺寸样品 (直径为 13.44 mm) , PCD层厚度 为 2.2 mm。 上述聚晶金刚石复合片用高温高压烧结而成, 然后用石蜡密封, 用 酸浸法进行脱钴, 脱钴吋间为 240h, 脱钴后检测脱钴深度, 圆环的宽度为 1.8mm , 平面脱钴深度为 0.3mm, 倒角部位脱钴深度为 0.38mm, 外圆轴向脱钴深度为 1. 9mm, 外圆径向脱钴深度 0.2mm, 通过 SEM断层扫描, 脱钴层中钴含量为 1.2% , 未脱钴层中钴含量为 10%, 两者均为质量分数。

[0026] 将此脱钴的聚晶金刚石复合片与传统未脱钴聚 晶金刚石复合片和倒角部位脱钴 深度为 0.38mm的完全脱钴复合片进行实验室对比试验。 试验结果表明, 此脱钴 聚晶金刚石复合片耐磨性分别提高 30%和 6%、 抗冲击性提高 80%和 40%、 热稳定 性提高 35%和 10%, 且沿径向方向未出现崩刃或脱层等失效方式。

本发明的实施方式

[0027] 本实施例的聚晶金刚石复合片为 16尺寸样品 (直径 15.88 mm) , PCD层厚度为 2.2 mm。 上述聚晶金刚石复合片用高温高压烧结而成, 然 后用聚四氟乙烯密封, 用电解法进行脱钴, 脱钴吋间为 360h, 脱钴后检测脱钴 深度, 圆环的宽度为 2.0mm, 平面脱深度为 0.4mm, 倒角部位脱钴深度为 0.5mm , 外圆轴向脱钴深度为 1.85mm, 外圆径向脱钴深度 0.35mm, 通过 SEM断层扫描 , 脱钴层钴含量为 0.8%, 未脱钴层钴含量为 9%, 两者均为质量分数。

[0028] 将此脱钴的聚晶金刚石复合片与传统脱钴聚晶 金刚石复合片和倒角部位脱钴深 度为 0.5mm的完全脱钴复合片进行实验室对比试验。 试验结果表明, 此脱钴聚晶 金刚石复合片耐磨性提高 50%和 8%、 抗冲击性提高 110%和 50%、 热稳定性提高 4 5%和 15%, 且沿径向方向未出现崩刃或脱层等失效方式。

[0029] 要说明的是, 以上所述实施例是对本发明技术方案的说明而 非限制, 所属技术 领域普通技术人员的等同替换或者根据现有技 术而做的其它修改, 只要没超出 本发明技术方案的思路和范围, 均应包含在本发明所要求的权利范围之内。 工业实用性

[0030] 本发明具有工业实用性。