以下、本発明をその好適な実施形態に即� ��て詳細に説明する。

 本発明の化合物は、下記一般式(1)で表さ� ��る構造(下記一般式(1)で表される構造から少 なくとも1つの水素原子を除いた残基の構造� �含む)を含むものである。

 一般式(1)において、A環、B環及びC環はそれ� ��れ独立に単環の芳香環又は縮合した芳香環� ��表す。また、A環、B環及びC環はそれぞれ置� ��基を有していてもよい。

 このような芳香環としては、例えば、ベ� ��ゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、� ��ェナントレン環、ピレン環、ペリレン環、� ��トラセン環、ペンタセン環、フルオレン環� ��の芳香族炭化水素環;ピリジン環、ピリミジ ン環、ピリダジン環、ピラジン環、キノリン 環、イソキノリン環、キノキサリン環、キナ ゾリン環、アクリジン環、フェナントロリン 環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ジ ベンゾチオフェン環、チオフェンオキシド環 、ベンゾチオフェンオキシド環、ジベンゾチ オフェンオキシド環、フラン環、ベンゾフラ ン環、ピロール環、インドール環、ジベンゾ ピロール環、シロール環、ベンゾシロール環 、ジベンゾシロール環、ボロール環、ベンゾ ボロール環、ジベンゾボロール環等の複素芳 香環が挙げられる。これらの中でも、耐熱性 、蛍光強度、素子特性等の観点から、芳香族 炭化水素環が好ましく、ベンゼン環、ナフタ レン環、アントラセン環、フェナントレン環 がより好ましく、ベンゼン環が特に好ましい 。

 また、A環、B環及びC環が有していてもよ� ��置換基としては、例えば、ハロゲン原子、� ��ルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基� ��アリール基、アリールオキシ基、アリール� ��オ基、アリールアルキル基、アリールアル� ��キシ基、アリールアルキルチオ基、アルケ� ��ル基、アルキニル基、2置換アミノ基、3置� �シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イ� �ン残基、アミド基、酸イミド基、1価の複素� ��基、置換カルボキシル基、ヘテロアリール� ��キシ基、ヘテロアリールチオ基が挙げられ� ��。

 ここで、ハロゲン原子としては、フッ素� ��子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙� ��られる。

 アルキル基は、直鎖、分岐又は環状のい� ��れでもよい。このようなアルキル基の炭素� ��は通常1~30程度、溶媒への溶解性の観点から 好ましくは3~15程度である。このようなアル� �ル基としては、例えば、メチル基、エチル� �、プロピル基、i-プロピル基、ブチル基、i-� ��チル基、t-ブチル基、ペンチル基、イソア� �ル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘ� �チル基、オクチル基、2-エチルヘキシル基、 ノニル基、デシル基、3,7-ジメチルオクチル� �、ラウリル基、トリフルオロメチル基、ペ� �タフルオロエチル基、パーフルオロブチル� �、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロ� �クチル基が挙げられる。これらの中でも、� �機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行い� �すさ等と耐熱性とのバランスという観点か� �、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基� �オクチル基、2-エチルヘキシル基、デシル基 、3,7-ジメチルオクチル基が好ましい。

 アルコキシ基は、直鎖、分岐又は環状の� ��ずれでもよい。このようなアルコキシ基の� ��素数は通常1~30程度、溶媒への溶解性の観点 から好ましくは3~15程度である。このような� �ルコキシ基としては、例えば、メトキシ基� �エトキシ基、プロピルオキシ基、i-プロピル オキシ基、ブトキシ基、i-ブトキシ基、t-ブ� �キシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキ� �基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオ� �シ基、オクチルオキシ基、2-エチルヘキシル オキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基 、3,7-ジメチルオクチルオキシ基、ラウリル� �キシ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタ� �ルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ� �、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロ� �クチル基、メトキシメチルオキシ基、2-メト キシエチルオキシ基が挙げられる。これらの 中でも、有機溶媒への溶解性、素子特性、合 成の行いやすさ等と耐熱性とのバランスとい う観点から、ペンチルオキシ基、ヘキシルオ キシ基、オクチルオキシ基、2-エチルヘキシ� ��オキシ基、デシルオキシ基、3,7-ジメチルオ クチルオキシ基が好ましい。

 アルキルチオ基は、直鎖、分岐又は環状� ��いずれでもよい。このようなアルキルチオ� ��の炭素数は通常1~30程度、溶媒への溶解性の 観点から好ましくは3~15程度である。このよ� �なアルキルチオ基としては、例えば、メチ� �チオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、i- プロピルチオ基、ブチルチオ基、i-ブチルチ� ��基、t-ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘ� �シルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプ� �ルチオ基、オクチルチオ基、2-エチルヘキシ ルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、3,7 -ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基� �トリフルオロメチルチオ基が挙げられる。� �れらの中でも、有機溶媒への溶解性、素子� �性、合成の行いやすさ等と耐熱性とのバラ� �スという観点から、ペンチルチオ基、ヘキ� �ルチオ基、オクチルチオ基、2-エチルヘキシ ルチオ基、デシルチオ基、3,7-ジメチルオク� �ルチオ基が好ましい。

 アリール基は、芳香族炭化水素から、水素� ��子1個を除いた原子団であり、縮合環をもつ もの、独立したベンゼン環又は縮合環2個以� �が直接又はビニレン等の基を介して結合し� �ものも含まれる。このようなアリール基の� �素数は通常6~60程度、好ましくは6~30程度であ る。このようなアリール基としては、例えば 、フェニル基、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル基(C ₁ ~C ₁₂ は、C ₁ ~C ₁₂ の直後に示す有機基の炭素数(ここでは、ア� �コキシフェニル基のうちのアルコキシ基中� �炭素数)が1~12であることを示す。以下も同様 である。)、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル基、1-ナフチル基、2-ナフ� �ル基、1-アントラセニル基、2-アントラセニ� ��基、9-アントラセニル基、ペンタフルオロ� �ェニル基が挙げられる。これらの中でも、� �機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行い� �すさ等の観点から、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル基が好ましい。また、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル基としては、例えば、メ トキシフェニル基、エトキシフェニル基、プ ロピルオキシフェニル基、i-プロピルオキシ� ��ェニル基、ブトキシフェニル基、i-ブトキ� �フェニル基、t-ブトキシフェニル基、ペンチ ルオキシフェニル基、ヘキシルオキシフェニ ル基、シクロヘキシルオキシフェニル基、ヘ プチルオキシフェニル基、オクチルオキシフ ェニル基、2-エチルヘキシルオキシフェニル� ��、ノニルオキシフェニル基、デシルオキシ� ��ェニル基、3,7-ジメチルオクチルオキシフェ ニル基、ラウリルオキシフェニル基が挙げら れる。さらに、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル基としては、例えば、メチ ルフェニル基、エチルフェニル基、ジメチル フェニル基、プロピルフェニル基、メシチル 基、メチルエチルフェニル基、i-プロピルフ� ��ニル基、ブチルフェニル基、i-ブチルフェ� �ル基、t-ブチルフェニル基、ペンチルフェニ ル基、イソアミルフェニル基、ヘキシルフェ ニル基、ヘプチルフェニル基、オクチルフェ ニル基、ノニルフェニル基、デシルフェニル 基、ドデシルフェニル基が挙げられる。

 アリールオキシ基においては、炭素数が通� ��6~60程度であり、好ましくは6~30程度である� �このようなアリールオキシ基としては、例� �ば、フェノキシ基、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェノキシ基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェノキシ基、1-ナフチルオキシ基� ��2-ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェ� �ルオキシ基が挙げられる。これらの中でも� �有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行� �やすさ等の観点から、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェノキシ基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェノキシ基が好ましい。また、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェノキシ基としては、例えば、 メトキシフェノキシ基、エトキシフェノキシ 基、プロピルオキシフェノキシ基、i-プロピ� ��オキシフェノキシ基、ブトキシフェノキシ� ��、i-ブトキシフェノキシ基、t-ブトキシフェ ノキシ基、ペンチルオキシフェノキシ基、ヘ キシルオキシフェノキシ基、シクロヘキシル オキシフェノキシ基、ヘプチルオキシフェノ キシ基、オクチルオキシフェノキシ基、2-エ� ��ルヘキシルオキシフェノキシ基、ノニルオ� ��シフェノキシ基、デシルオキシフェノキシ� ��、3,7-ジメチルオクチルオキシフェノキシ基 、ラウリルオキシフェノキシ基が挙げられる 。さらに、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェノキシ基としては、例えば、メ チルフェノキシ基、エチルフェノキシ基、ジ メチルフェノキシ基、プロピルフェノキシ基 、1,3,5-トリメチルフェノキシ基、メチルエチ ルフェノキシ基、i-プロピルフェノキシ基、� ��チルフェノキシ基、i-ブチルフェノキシ基� �t-ブチルフェノキシ基、ペンチルフェノキシ 基、イソアミルフェノキシ基、ヘキシルフェ ノキシ基、ヘプチルフェノキシ基、オクチル フェノキシ基、ノニルフェノキシ基、デシル フェノキシ基、ドデシルフェノキシ基が挙げ られる。

 アリールチオ基においては、炭素数が通常6 ~60程度であり、好ましくは6~30程度である。� �のようなアリールチオ基としては、例えば� �フェニルチオ基、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニルチオ基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニルチオ基、1-ナフチルチオ基� ��2-ナフチルチオ基、ペンタフルオロフェニ� �チオ基が挙げられる。これらの中でも、有� �溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いや� �さ等の観点から、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニルチオ基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニルチオ基が好ましい。

 アリールアルキル基においては、炭素数が� ��常7~60程度であり、好ましくは7~30程度であ� �。このようなアリールアルキル基としては� �例えば、フェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキル基、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキル基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキル基、1-ナフチル-C ₁ ~C ₁₂ アルキル基、2-ナフチル-C ₁ ~C ₁₂ アルキル基が挙げられる。これらの中でも、 有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行い やすさ等の観点から、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキル基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキル基が好ましい。

 アリールアルコキシ基においては、炭素数� ��通常7~60程度であり、好ましくは7~30程度で� �る。このようなアリールアルコキシ基とし� �は、例えば、フェニルメトキシ基、フェニ� �エトキシ基、フェニルブトキシ基、フェニ� �ペンチロキシ基、フェニルヘキシロキシ基� �フェニルヘプチロキシ基、フェニルオクチ� �キシ基などのフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルコキシ基、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルコキシ基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルコキシ基、1-ナフチル-C ₁ ~C ₁₂ アルコキシ基、2-ナフチル-C ₁ ~C ₁₂ アルコキシ基が挙げられる。これらの中でも 、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行 いやすさ等の観点から、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルコキシ基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルコキシ基が好ましい。

 アリールアルキルチオ基においては、炭素� ��が通常7~60程度であり、好ましくは7~30程度� �ある。このようなアリールアルキルチオ基� �しては、例えば、フェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルチオ基、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルチオ基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルチオ基、1-ナフチル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルチオ基、2-ナフチル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルチオ基が挙げられる。これらの中で も、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の 行いやすさ等の観点から、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルチオ基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルチオ基が好ましい。

 アルケニル基においては、炭素数が2~30程 度であり、好ましくは2~15程度である。この� �うなアルケニル基としては、例えば、ビニ� �基、1-プロピレニル基、2-プロピレニル基、� ��テニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、� ��プテニル基、オクテニル基、シクロヘキセ� ��ル基が挙げられる。また、このようなアル� ��ニル基には、1,3-ブタジエニル基、シクロヘ キサ-1,3-ジエニル基、1,3,5-ヘキサトリエニル� ��等のジエニル基やトリエニル基も含まれる� ��

 アルキニル基においては、炭素数が2~30程 度であり、好ましくは2~15程度である。この� �うなアルキニル基としては、例えば、エチ� �ル基、1-プロピニル基、2-プロピレニル基、� ��チニル基、ペンチニル基、ヘキシニル基、� ��プチニル基、オクチニル基、シクロヘキシ� ��エチニル基が挙げられる。また、このよう� ��アルキニル基には、1,3-ブタジイニル基等の ジイニル基も含まれる。

 2置換アミノ基としては、アルキル基、アリ ール基、アリールアルキル基及び1価の複素� �基からなる群から選択される2個の基で置換� ��れたアミノ基が挙げられる。このような2置 換アミノ基において、アルキル基、アリール 基、アリールアルキル基又は1価の複素環基� �それぞれ置換基を有していてもよい。また� �このような2置換アミノ基の炭素数は、アル� ��ル基等が有する置換基の炭素数を含めない� ��通常2~60程度、好ましくは2~30程度である。� �のような2置換アミノ基としては、例えば、� ��メチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプ� ��ピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、� ��ブチルアミノ基、ジイソブチルアミノ基、� ��-t-ブチルアミノ基、ジペンチルアミノ基、� ��ヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミ� ��基、ジヘプチルアミノ基、ジオクチルアミ� ��基、ジ-2-エチルヘキシルアミノ基、ジノニ� ��アミノ基、ジデシルアミノ基、ジ-3,7-ジメ� �ルオクチルアミノ基、ジラウリルアミノ基� �ジシクロペンチルアミノ基、ジシクロヘキ� �ルアミノ基、ピロリジル基、ピペリジル基� �ジトリフルオロメチルアミノ基フェニルア� �ノ基、ジフェニルアミノ基、ジ(C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル)アミノ基、ジ(C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル)アミノ基、ジ-1-ナフチル� �ミノ基、ジ-2-ナフチルアミノ基、ジペンタ� �ルオロフェニルアミノ基、ジピリジルアミ� �基、ジピリダジニルアミノ基、ジピリミジ� �アミノ基、ジピラジルアミノ基、ジトリア� �ルアミノ基、ジ(フェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキル)アミノ基、ジ(C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキル)アミノ基、ジ(C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキル)アミノ基が挙げられる。

 3置換シリル基としては、アルキル基、アリ ール基、アリールアルキル基及び1価の複素� �基からなる群から選択される3個の基で置換� ��れたシリル基が挙げられる。このような3置 換シリル基の炭素数は通常3~90程度、好まし� �は3~45程度である。なお、このような3置換シ リル基において、アルキル基、アリール基、 アリールアルキル基又は1価の複素環基は置� �基を有していてもよい。このような3置換シ� ��ル基としては、例えば、トリメチルシリル� ��、トリエチルシリル基、トリプロピルシリ� ��基、トリ-i-プロピルシリル基、ジメチル-i-� ��ロピリシリル基、ジエチル-i-プロピルシリ� ��基、t-ブチルシリルジメチルシリル基、ペ� �チルジメチルシリル基、ヘキシルジメチル� �リル基、ヘプチルジメチルシリル基、オク� �ルジメチルシリル基、2-エチルヘキシル-ジ� �チルシリル基、ノニルジメチルシリル基、� �シルジメチルシリル基、3,7-ジメチルオクチ� ��-ジメチルシリル基、ラウリルジメチルシリ ル基、フェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルシリル基、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルシリル基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルシリル基、1-ナフチル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルシリル基、2-ナフチル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルシリル基、フェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルジメチルシリル基、トリフェニルシ リル基、トリ-p-キシリルシリル基、トリベン ジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、 t-ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェ� ��ルシリル基が挙げられる。

 アシル基においては、炭素数が通常2~30程 度であり、好ましくは2~15程度である。この� �うなアシル基としては、例えば、アセチル� �、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチ� �ル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリ� �ルオロアセチル基、ペンタフルオロベンゾ� �ル基が挙げられる。

 アシルオキシ基においては、炭素数が通� ��2~30程度であり、好ましくは2~15程度である� �このようなアシルオキシ基としては、例え� �、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、� �チリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、� �バロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、� �リフルオロアセチルオキシ基、ペンタフル� �ロベンゾイルオキシ基が挙げられる。

 イミン残基においては、炭素数が2~30程度 であり、好ましくは2~15程度である。このよ� �なイミン残基としては、例えば以下に示す� �造式で表される基が挙げられる。なお、以� �に示す構造式において、波線はsyn又はantiを� ��し、synであってもantiであってもよい。

 アミド基においては、炭素数が通常2~30程度 であり、好ましくは2~15程度である。このよ� �なアミド基としては、例えば、ホルムアミ� �基、アセトアミド基、プロピオアミド基、� �チロアミド基、ベンズアミド基、トリフル� �ロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズ� �ミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミ� �基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド� �、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセ� �アミド基、ジペンタフルオロベンズアミド� �が挙げられる。

 酸イミド基としては、酸イミドからその� ��素原子に結合した水素原子を除いて得られ� ��残基が挙げられる。このような酸イミド基� ��炭素数は4~30程度、好ましくは4~15程度であ� �。このような酸イミド基としては、例えば� �下に示す構造式で表される基が挙げられる� �

 1価の複素環基とは、複素環式化合物から水 素原子1個を除いた残りの原子団をいう。こ� �ような1価の複素環基の炭素数は通常2~30程度 、好ましくは2~15程度である。なお、このよ� �な1価の複素環基において、複素環は置換基� ��有していてもよいが、炭素数には、複素環� ��の置換基の炭素数は含まれない。また、こ� ��で複素環式化合物とは、環式構造をもつ有� ��化合物のうち、環を構成する元素が炭素原� ��だけでなく、酸素、硫黄、窒素、燐、硼素� ��のヘテロ原子を環内に含むものをいう。こ� ��ような1価の複素環基としては、例えば、チ エニル基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基 、ピリジル基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルピリジル基、ピペリジル基、キノリ ル基、イソキノリル基が挙げられる。これら の中でも、1価の芳香族複素環基が好ましく� �特に、チエニル基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルチエニル基、ピリジル基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルピリジル基が好ましい。

 置換カルボキシル基としては、アルキル� ��、アリール基、アリールアルキル基又は1価 の複素環基で置換されたカルボキシル基が挙 げられる。このような置換カルボキシル基の 炭素数は通常2~30程度、好ましくは2~15程度で� ��る。このような置換カルボキシル基として� ��、例えば、メトキシカルボニル基、エトキ� ��カルボニル基、プロポキシカルボニル基、i -プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボ� �ル基、i-ブトキシカルボニル基、t-ブトキシ� ��ルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基� ��ヘキシロキシカルボニル基、シクロヘキシ� ��キシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボ� ��ル基、オクチルオキシカルボニル基、2-エ� �ルヘキシロキシカルボニル基、ノニルオキ� �カルボニル基、デシロキシカルボニル基、3, 7-ジメチルオクチルオキシカルボニル基、ド� ��シルオキシカルボニル基、トリフルオロメ� ��キシカルボニル基、ペンタフルオロエトキ� ��カルボニル基、パーフルオロブトキシカル� ��ニル基、パーフルオロヘキシルオキシカル� ��ニル基、パーフルオロオクチルオキシカル� ��ニル基、フェノキシカルボニル基、ナフト� ��シカルボニル基、ピリジルオキシカルボニ� ��基が挙げられる。なお、このような置換カ� ��ボキシル基において、アルキル基、アリー� ��基、アリールアルキル基又は1価の複素環基 は置換基を有していてもよい。また、置換カ ルボキシル基の炭素数にはアルキル基等の有 する置換基の炭素数は含まれない。

 ヘテロアリールオキシ基(Q ¹ -O-で表される基、Q ¹ は1価の複素環基を表す)においては、炭素数� ��通常2~30程度であり、好ましくは2~15程度で� �る。なお、このようなヘテロアリールオキ� �基において、1価の複素環基は置換基を有し� ��いてもよいが、ヘテロアリールオキシ基の� ��素数には、1価の複素環基上の置換基の炭素 数は含まれない。このようなヘテロアリール オキシ基としては、例えば、チエニルオキシ 基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルチエニルオキシ基、ピロリルオキシ 基、フリルオキシ基、ピリジルオキシ基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルピリジルオキシ基、イミダゾリルオ キシ基、ピラゾリルオキシ基、トリアゾリル オキシ基、オキサゾリルオキシ基、チアゾー ルオキシ基、チアジアゾールオキシ基が挙げ られる。また、Q ¹ としては1価の芳香族複素環基が好ましい。

 ヘテロアリールチオ基(Q ² -S-で表される基、Q ² は1価の複素環基を表す)においては、炭素数� ��通常2~30程度であり、好ましくは2~15程度で� �る。なお、このようなヘテロアリールチオ� �において、1価の複素環基は置換基を有して� ��てもよいが、ヘテロアリールチオ基の炭素� ��には、1価の複素環基上の置換基の炭素数は 含まれない。このようなヘテロアリールチオ 基としては、チエニルメルカプト基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルチエニルメルカプト基、ピロリルメ ルカプト基、フリルメルカプト基、ピリジル メルカプト基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルピリジルメルカプト基、イミダゾリ ルメルカプト基、ピラゾリルメルカプト基、 トリアゾリルメルカプト基、オキサゾリルメ ルカプト基、チアゾールメルカプト基、チア ジアゾールメルカプト基が挙げられる。また 、Q ² としては1価の芳香族複素環基が好ましい。

 前記一般式(1)において、R ¹ 及びR ⁴ はそれぞれ独立に1価の基を表す。

 本明細書において、1価の基としては、例 えば、アルキル基、アリール基、アリールア ルキル基、アルケニル基、アルキニル基、3� �換シリル基、アシル基、1価の複素環基、置� ��カルボキシル基が挙げられる。

 これらのアルキル基、アリール基、アリ� ��ルアルキル基、アルケニル基、アルキニル� ��、3置換シリル基、アシル基、1価の複素環� �及び置換カルボキシル基としては、A環、B環 及びC環が有していてもよい置換基に例示の� �と同様のものが挙げられる。

 化合物の安定性の観点から、R ¹ 及びR ⁴ は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール 基、アリールアルキル基又は1価の複素環基� �あることが好ましく、アリール基であるこ� �がより好ましい。

 前記一般式(1)において、R ² 、R ³ 、R ⁵ 及びR ⁶ は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基 、アリール基、アリールアルキル基、アルケ ニル基、又はアルキニル基を表す。

 R ² 、R ³ 、R ⁵ 及びR ⁶ で表されるアルキル基は、直鎖、分岐又は環 状のいずれでもよいが置換基を有しない。こ のようなアルキル基の炭素数は通常1~30程度� �溶媒への溶解性の観点から、好ましくは3~15� ��度である。このようなアルキル基としては� ��例えば、メチル基、エチル基、プロピル基� ��i-プロピル基、ブチル基、i-ブチル基、t-ブ� ��ル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシ� ��基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オク� ��ル基、2-エチルヘキシル基、ノニル基、デ� �ル基、3,7-ジメチルオクチル基、ラウリル基� ��挙げられる。これらの中でも、有機溶媒へ� ��溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等と� ��熱性とのバランスという観点から、ペンチ� ��基、イソアミル基、ヘキシル基、オクチル� ��、2-エチルヘキシル基、デシル基、3,7-ジメ� ��ルオクチル基が好ましい。

 R ² 、R ³ 、R ⁵ 及びR ⁶ で表されるアリール基、アリールアルキル基 、アルケニル基及びアルキニル基としては、 A環、B環及びC環が有していてもよい置換基に 例示の基と同様のものが挙げられる。

 化合物の合成の容易さの観点から、R ² 、R ³ 、R ⁵ 及びR ⁶ は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール 基又はアリールアルキル基であることが好ま しい。

 さらに、前記一般式(1)で表される構造の� ��成の容易さの観点から、前記一般式(1)で表� ��れる構造がC2対称である場合が好ましい。

 また、化合物の発光がより短波長となり、� ��色としての純度が高くなるという観点から� ��前記一般式(1)におけるR ² 、R ³ 、R ⁵ 及びR ⁶ がそれぞれ独立に水素原子又は1価の炭化水� �基であることが好ましい。さらに、通電し� �時の安定性の観点から、R ² 、R ³ 、R ⁵ 及びR ⁶ がそれぞれ独立に1価の炭化水素基であるこ� �が好ましい。ここで、「1価の炭化水素基」� ��は、炭素原子及び水素原子のみからなる基� ��あって、脂肪族の基であっても芳香族の基� ��あってもよい。

 また、耐熱性、製膜性の観点から、前記一� ��式(1)におけるR ² 、R ³ 、R ⁵ 及びR ⁶ がそれぞれ独立に下記一般式(2)で表される基 であることが好ましい。

 一般式(2)において、*は炭素原子との結合手 を表す。また、R ⁷ は、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ 基、アルキルチオ基、アリール基、アリール オキシ基、アリールチオ基、アリールアルキ ル基、アリールアルキルオキシ基、アリール アルキルチオ基、アルケニル基、アルキニル 基、2置換アミノ基又は3置換シリル基を表す� ��さらに、mは0から5までの整数を表す。また� ��mが2以上の場合、R ⁷ は同じであっても異なっていてもよい。

 このようにR ⁷ で表される、ハロゲン原子、アルキル基、ア ルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、 アリールオキシ基、アリールチオ基、アリー ルアルキル基、アリールアルキルオキシ基、 アリールアルキルチオ基、アルケニル基、ア ルキニル基、2置換アミノ基又は3置換シリル� ��としては、A環、B環及びC環が有していても� ��い置換基として例示した基と同様のものが� ��げられる。これらの中でも、化合物の安定� ��の観点から、アルキル基、アルコキシ基、� ��リール基、アリールオキシ基、2置換アミノ 基が好ましい。

 また、化合物の溶解性の観点から、R ⁷ は炭素数3以上のアルキル基、アルコキシ基� �アルキルチオ基、アルケニル基、アルキニ� �基、2置換アミノ基であることが好ましく、� ��でも炭素数3以上のアルキル基が好ましい。

 前記一般式(2)として更に好ましくは下記� ��般式(2-1)で表される場合である。

 一般式(2-1)において、R ⁷ は前記と同じ意味を表す。

 さらに、化合物の導電性の観点から、共� ��がつながった結合位置で重合することが好� ��しい。中でも、化合物中の前記一般式(1)で� ��される構造が、下記一般式(3)で表される繰� ��し単位である場合が好ましい。

 一般式(3)において、A環、B環及びC環はそれ� ��れ独立に単環の芳香環又は縮合した芳香環� ��表し、R ¹ 及びR ⁴ はそれぞれ独立に1価の基を表し、R ² 、R ³ 、R ⁵ 及びR ⁶ はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、ア リール基、アリールアルキル基、アルケニル 基、又はアルキニル基を表す。また、A環及� �C環上に結合手を有する。また、A環、B環、C� ��、R ¹ 、R ² 、R ³ 、R ⁴ 、R ⁵ 及びR ⁶ としてはそれぞれ前述の通りのものが挙げら れる。

 また、化合物中の前記一般式(1)で表され� ��構造が、前記一般式(3)で表される繰返し単� ��である場合には、化合物の合成の容易さの� ��点から、前記一般式(3)におけるA環及びC環� �ベンゼン環であることが好ましく、具体的� �は、繰返し単位が下記一般式(4)で表される� �返し単位である場合が好ましい。

 一般式(4)において、*は結合手を表し、B環� �単環の芳香環又は縮合した芳香環を表し、R ¹ 及びR ⁴ はそれぞれ独立に1価の基を表し、R ² 、R ³ 、R ⁵ 及びR ⁶ はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、ア リール基、アリールアルキル基、アルケニル 基、又はアルキニル基を表す。Ra及びRbはそ� �ぞれ独立にアルキル基、アルキルオキシ基� �アリール基、アリールオキシ基、アリール� �ルキル基、アリールアルキルオキシ基、2置� ��アミノ基、3置換シリル基、アシル基、アシ ルオキシ基、置換カルボキシル基、1価の複� �環基又はヘテロアリールオキシ基を表す。o� ��びpはそれぞれ独立に0~3の整数を表す。oが2� ��は3の場合、複数あるRaは同一であっても異� ��っていてもよい。pが2又は3の場合、複数あ� ��Rbは同一であっても異なっていてもよい。

 また、前記一般式(4)において、R ¹ 、R ² 、R ³ 、R ⁴ 、R ⁵ 及びR ⁶ としてはそれぞれ前述の通りのものが挙げら れる。さらに、B環としてはそれぞれ前述の� �りのものが挙げられる。これらのB環の中で� ��、耐熱性、蛍光強度、素子特性等の観点か� ��、芳香族炭化水素環が好ましく、ベンゼン� ��、ナフタレン環、アントラセン環、フェナ� ��トレン環がより好ましく、ベンゼン環が特� ��好ましい。Ra及びRbにおけるアルキル基、ア ルキルオキシ基、アリール基、アリールオキ シ基、アリールアルキル基、アリールアルキ ルオキシ基、2置換アミノ基、3置換シリル基� ��アシル基、アシルオキシ基、置換カルボキ� ��ル基、1価の複素環基及びヘテロアリールオ キシ基としては、A環、B環及びC環が有してい てもよい置換基に例示の基と同様のものが挙 げられる。化合物の合成しやすさの観点から o及びpが0の場合が好ましい。

 前記一般式(4)として更に好ましくは、下� ��一般式(4-1)で表される場合である。

 一般式(4-1)において、R ¹ 、R ² 、R ³ 、R ⁴ 、R ⁵ 及びR ⁶ は前記と同じ意味を表す。

 さらに、有機電界発光素子に用いた時に� ��光効率や寿命等の素子特性に優れるという� ��点から、前記一般式(1)で表される構造を含� ��化合物は、更に下記一般式(5)で表される繰� ��し単位を含むことが好ましい。

 一般式(5)において、Ar ¹ はアリーレン基又は2価の複素環基を表す。� �た、R ⁸ 及びR ⁹ はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、ア リール基、1価の複素環基又はシアノ基を表� �。nは0又は1を表す。なお、Ar ¹ が2種以上であってもよい。

 このようなAr ¹ におけるアリーレン基においては、炭素数が 通常6~60であり、好ましくは6~20である。この� ��うなAr ¹ におけるアリーレン基としては、例えば、フ ェニレン基(例えば、以下に示す一般式1~3)、� ��フタレンジイル基(例えば、以下に示す一般 式4~13)、アントラセニレン基(例えば、以下に 示す一般式14~19)、ビフェニレン基(例えば、� �下に示す一般式20~25)、トリフェニレン基(例� ��ば、以下に示す一般式26~28)、縮合環化合物� ��(例えば、以下に示す一般式29~38)が挙げられ る。なお、以下に示す式中、Rはそれぞれ独� �に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、� �ルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基� �アリールオキシ基、アリールチオ基、アリ� �ルアルキル基、アリールアルキルオキシ基� �アリールアルキルチオ基、アルケニル基、� �ルキニル基、ヘテロアリールオキシ基又は� �テロアリールチオ基を表す。また、アリー� �ン基の炭素数には、置換基Rの炭素数は含ま� ��ない。

 また、本発明において、2価の複素環基とは 、複素環式化合物から水素原子2個を除いた� �りの原子団をいう。このような2価の複素環� ��の炭素数は、通常4~60、好ましくは4~20であ� �。また、ここで複素環式化合物とは、環式� �造をもつ有機化合物のうち、環を構成する� �素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒� �、リン、ホウ素等のヘテロ原子を環内に含� �ものをいう。

 このような2価の複素環基としては、例え ば以下のものが挙げられる。なお、以下に示 す式中、Rはそれぞれ独立に水素原子、ハロ� �ン原子、アルキル基、アルコキシ基、アル� �ルチオ基、アリール基、アリールオキシ基� �アリールチオ基、アリールアルキル基、ア� �ールアルキルオキシ基、アリールアルキル� �オ基、アルケニル基、アルキニル基、ヘテ� �アリールオキシ基又はヘテロアリールチオ� �を表す。また、2価の複素環基の炭素数には� ��置換基Rの炭素数は含まれない。

 ヘテロ原子として窒素を含む2価の複素環 基として、例えば、ピリジン-ジイル基(例え� ��、以下に示す一般式39~44)、ジアザフェニレ� ��基(例えば、以下に示す一般式45~48)、キノリ ンジイル基(例えば、以下に示す一般式49~63)� �キノキサリンジイル基(例えば、以下に示す� ��般式64~68)、アクリジンジイル基(例えば、以 下に示す一般式69~72)、ビピリジルジイル基(� �えば、以下に示す一般式73~75)、フェナント� �リンジイル基(例えば、以下に示す一般式76~7 8)が挙げられる。

 ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、� ��レン等を含みフルオレン構造を有する基と� ��て、例えば、以下に示す一般式79~93で表さ� �る基が挙げられる。これらの中でも、窒素� �子を含む式82~84で表されるカルバゾールやト リフェニルアミンジイル基等の芳香族アミン モノマーを有していることが発光効率の点で 望ましい。

 ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、� ��レン等を含む5員環複素環基として、例えば 、以下に示す一般式94~98で表される基が挙げ� ��れる。

 ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、� ��レン等を含む5員環縮合複素環基として、例 えば、以下に示す一般式99~109で表される基、 ベンゾチアジアゾール-4,7-ジイル基、ベンゾ� ��キサジアゾール-4,7-ジイル基が挙げられる� �

 ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、� ��レン等を含む5員環複素環基でそのヘテロ原 子のα位で結合し2量体やオリゴマーになって いる基として、例えば、以下に示す一般式110 ~111で表される基が挙げられる。

 ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、� ��レン等を含む5員環複素環基でそのヘテロ原 子のα位でフェニル基に結合している基とし� ��、例えば、以下に示す一般式112~118で表され る基が挙げられる。

 ヘテロ原子として窒素、酸素、硫黄等を� ��む縮合した複素環基とベンゼン環又は単環� ��の複素環基とが結合した3環性の基として、 例えば、以下に示す一般式120~125で表される� �が挙げられる。

 前記一般式(5)で表される繰返し単位として� ��、nが0の場合が好ましく、より好ましくはAr ¹ がアリーレン基の場合である。

 また、前記一般式(5)で表される繰返し単� ��としては、下記一般式(5-1)で表される構造� �更に好ましい。

 一般式(5-1)において、C ⁴ 環及びC ⁵ 環はそれぞれ独立に、置換基を有していても よい芳香族炭化水素環を表し、2つの結合手� �それぞれC ⁴ 環又はC ⁵ 環上に存在し、Rw及びRxはそれぞれ独立に水� �原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキ� �チオ基、アリール基、アリールオキシ基、� �リールチオ基、アリールアルキル基、アリ� �ルアルコキシ基、アリールアルキルチオ基� �アルケニル基、アルキニル基、2置換アミノ� ��、3置換シリル基、アシル基、アシルオキシ 基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、1� �の複素環基、置換カルボキシル基、ヘテロ� �リールオキシ基又はヘテロアリールチオ基� �表す。Rw及びRxは互いに結合して環を形成し� ��もよい。

 芳香族炭化水素環とは、ベンゼン環又は� ��合した芳香族炭化水素環のことをいう。こ� ��ような芳香族炭化水素環の炭素数は6~30程度 、好ましくは6~15程度である。なお、芳香族� �化水素基の炭素数には、置換基の炭素数は� �まれない。このような芳香族炭化水素環と� �ては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環� �アントラセン環、フェナントレン環、フェ� �レン環、ナフタセン環、トリフェニレン環� �ピレン環、クリセン環、ペンタセン環、ペ� �レン環、ペンタレン環、インデン環、アズ� �ン環、ビフェニレン環、フルオレン環、ア� �ナフチレン環が挙げられる。

 Rw及びRxにおけるアルキル基、アルコキシ 基、アルキルチオ基、アリール基、アリール オキシ基、アリールチオ基、アリールアルキ ル基、アリールアルコキシ基、アリールアル キルチオ基、アルケニル基、アルキニル基、 2置換アミノ基、3置換シリル基、アシル基、� ��シルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸� ��ミド基、1価の複素環基、置換カルボキシル 基、ヘテロアリールオキシ基又はヘテロアリ ールチオ基としては、A環、B環及びC環が有し ていてもよい置換基として例示した基と同様 のものが挙げられる。

 前記一般式(5-1)で表される繰返し単位と� �ては、具体的には以下に示す一般式で表さ� �る繰返し単位が挙げられる。また、このよ� �な繰返し単位は、アルキル基、アルコキシ� �、アルキルチオ基、アリール基、アリール� �キシ基、アリールチオ基、アリールアルキ� �基、アリールアルコキシ基、アリールアル� �ルチオ基、アルケニル基、アルキニル基、2� ��換アミノ基、3置換シリル基、アシル基、ア シルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イ ミド基、1価の複素環基、置換カルボキシル� �、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリー� �チオ基及びハロゲン原子等からなる群から� �択される少なくとも1つの置換基を有してい� ��もよい。なお、以下に示す一般式において� ��芳香族炭化水素における結合手は任意の位� ��をとり得ることを表す。

 これらの繰返し単位の中でも、1A-0、1A-1、1A -2又は1A-3で表される繰返し単位が好ましく、 1A-0で表される繰返し単位が特に好ましい。

 更に好ましくは下記一般式(1A-0-1)で表さ� �る場合である。

 一般式(1A-0-1)において、Rはアルキル基、ア� ��ール基、アリールアルキル基又は1価の複素 環化合物基であり、2つのRは互いに同一であ� ��ても異なっていてもよい。また、Rは互いに 結合して環を形成してもよい。

 また、本発明の化合物は、耐熱性の向上� ��電荷輸送性改善、発光色の調整、発光効率� ��高める等の素子特性を改善するという観点� ��ら、前記一般式(5)で表される繰返し単位以� ��の下記一般式(6-1)、(6-2)、(6-3)で表される繰� ��し単位からなる群から選択される少なくと� ��1種類の繰返し単位を更に含むことが好まし く、2種類以上の繰返し単位を含むことがよ� �好ましい。

 一般式(6-1)において、Ar ² 、Ar ³ 、Ar ⁴ 及びAr ⁵ はそれぞれ独立にアリーレン基又は2価の複� �環基を表す。また、Ar ⁶ 、Ar ⁷ 及びAr ⁸ はそれぞれ独立にアリール基、又は1価の複� �環基を表す。さらに、a及びbはそれぞれ独立 に0又は正の整数を表す。また、Ar ² 、Ar ³ 、Ar ⁴ 、Ar ⁵ 、Ar ⁶ 、Ar ⁷ 及びAr ⁸ は置換基を有していてもよい。

 一般式(6-2)において、D環及びE環は、それぞ れ独立に芳香環を表す。また、Y ¹ は-O-、-S-又は-C(=O)-を表す。さらに、R ²⁰ は1価の基を表す。また、D環上、E環上にそれ ぞれ結合手を有する。

 一般式(6-3)において、Y ² は-O-又は-S-を表す。また、6員環上に2つの結� ��手を有する。

 前記一般式(6-1)で表される繰返し単位の� �体例としては、以下に示す一般式133~140で表� ��れるものが挙げられる。

 上記一般式において、Rはそれぞれ独立に水 素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキ ルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、 アリールチオ基、アリールアルキル基、アリ ールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基 、アリールアルケニル基、アリールアルキニ ル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、 置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、ア シルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イ ミド基、1価の複素環基、カルボキシル基、� �換カルボキシル基又はシアノ基を表す。

 また、上記一般式におけるRがアルキル基 を含む置換基である場合においては、高分子 化合物の有機溶媒への溶解性を高めるために 、炭素数が3以上のアルキル基が含まれるこ� �が好ましい。さらに、上記一般式133~140で表� ��れる構造の中でも、発光波長を調節すると� ��う観点から、上記一般式133、134及び137で表� ��れる構造が好ましい。

 前記一般式(6-1)で表される繰返し単位にお� �て、発光波長を調節、素子寿命等の素子特� �の観点から、Ar ² 、Ar ³ 、Ar ⁴ 及びAr ⁵ がそれぞれ独立にアリーレン基であり、Ar ⁶ 、Ar ⁷ 及びAr ⁸ がそれぞれ独立にアリール基であるものが好 ましい。また、Ar ² 、Ar ³ 及びAr ⁴ が、それぞれ独立に、無置換のフェニレン基 、無置換のビフェニレン基、無置換のナフチ レン基、又は無置換のアントラセンジイル基 であるものが好ましい。さらに、有機溶媒へ の溶解性、素子特性等の観点から、Ar ⁶ 、Ar ⁷ 及びAr ⁸ が _、 それぞれ独立に、1つ以上の置換基を有する� �リール基であるものが好ましく、3つ以上の� ��換基を有するアリール基であるものがより� ��ましい。さらに、Ar ⁶ 、Ar ⁷ 及びAr ⁸ が3つ以上の置換基を有するフェニル基、3つ� ��上の置換基を有するナフチル基、又は3つ以 上の置換基を有するアントラセニル基である ものがより好ましく、Ar ⁶ 、Ar ⁷ 及びAr ⁸ が3つ以上の置換基を有するフェニル基であ� �ものがさらにより好ましい。

 これらの繰返し単位の中でも、Ar ⁶ 、Ar ⁷ 及びAr ⁸ が、それぞれ独立に下記一般式(6-4)で表され� ��基であり、且つa+b≦3であるものが好ましく 、a+b=1であるものがより好ましく、a=1、b=0で� ��るものが特に好ましい。

 一般式(6-4)において、Re、Rf及びRgは、それ� �れ独立にアルキル基、アルコキシ基、アル� �ルチオ基、アリール基、アリールオキシ基� �アリールチオ基、アリールアルキル基、ア� �ールアルコキシ基、アリールアルキルチオ� �、アリールアルケニル基、アリールアルキ� �ル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基� �置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリ� �オキシ基、1価の複素環基又はハロゲン原子� ��表す。また、Re、Rf及びRgに含まれる水素原� ��はフッ素原子に置換されていてもよい。さ� ��に、Rh及びRiは、それぞれ独立に水素原子、 アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基 、アリール基、アリールオキシ基、アリール チオ基、アリールアルキル基、アリールアル コキシ基、アリールアルキルチオ基、アリー ルアルケニル基、アリールアルキニル基、ア ミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリ ル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基 、1価の複素環基又はハロゲン原子を表す。� �た、Rh及びRiに含まれる水素原子はフッ素原� ��に置換されていてもよい。

 また、前記一般式(6-4)において、Re及びRf� ��それぞれ独立に、炭素数3以下のアルキル基 、炭素数3以下のアルコキシ基、炭素数3以下� ��アルキルチオ基であり、且つRgが炭素数1~30� ��アルキル基、炭素数1~30のアルコキシ基、炭 素数1~30のアルキルチオ基であることが好ま� �い。

 前記一般式(6-1)で表される繰返し単位にお� �て、Ar ³ が下記一般式(6-5)又は(6-6)で表される基であ� �ことが好ましい。

 一般式(6-5)及び(6-6)において、構造中に含ま れるベンゼン環は、無置換のものが好ましい が、それぞれ独立に1個以上4個以下の置換基� ��有していてもよい。それら置換基は、互い� ��同一であっても異なっていてもよい。また� ��このようなベンゼン環に他の芳香族炭化水� ��環又は複素環が縮合していてもよい。

 また、前記一般式(6-1)で表される繰返し� �位として、より好ましい具体例としては、� �下に示す一般式141~143で表されるものが挙げ� ��れる。

 上記一般式において、Re、Rf、Rg、Rh及びRiと しては、それぞれ前述の通りのものが挙げら れる。

 さらに、前記一般式(6-1)で表される繰返� �単位として、特に好ましい具体例としては� �蛍光強度、発光波長の調整、耐熱性等の素� �特性の観点から、下記一般式(22)~(24)で表さ� �るものが挙げられる。

 前記一般式(6-2)において、D環及びE環は、そ れぞれ独立に芳香環を表す。また、D環及びE� ��上には置換基を有していてもよい。化合物� ��安定性の観点から、好ましくは芳香族炭化� ��素環の場合であり、特に好ましくはベンゼ� ��環の場合である。

 前記一般式(6-2)で表される繰返し単位の� �ましい具体例としては、下記一般式(6-7)で表 されるものが挙げられる。

 一般式(6-7)において、Y ¹ 及びR ²⁰ としては、それぞれ前述の通りのものが挙げ られる。

 本発明の化合物の中でも、薄膜にした時� ��電荷の輸送性、有機電界発光素子に用いた� ��に発光効率や寿命等の素子特性の観点から� ��共役系高分子であるものが好ましい。ここ� ��、共役系高分子とはポリマーの主鎖骨格に� ��って非局在π電子対が存在している高分子� �意味する。この非局在電子としては、2重結� ��のかわりに不対電子又は孤立電子対が共鳴� ��加わる場合もある。

 また、本発明の化合物においては、発光� ��性や電荷輸送特性を損なわない範囲で、非� ��役の単位で連結されていてもよいし、繰返� ��単位にそれらの非共役部分が含まれていて� ��よい。非共役な結合構造としては、例えば� ��以下に示す一般式で表される構造、及び以� ��に示す一般式で表される構造のうち2つ以上 を組み合わせた構造が挙げられる。なお、以 下に示す式中、Rはそれぞれ独立に水素原子� �ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基� �アルキルチオ基、アリール基、アリールオ� �シ基、アリールチオ基、アリールアルキル� �、アリールアルキルオキシ基、アリールア� �キルチオ基、アルケニル基、アルキニル基� �ヘテロアリールオキシ基又はヘテロアリー� �チオ基を表す。また、Arは芳香族炭化水素環 又は複素環を表す。

 また、本発明の化合物は、交互、ランダム� ��ブロック又はグラフト共重合体であっても� ��いし、それらの中間的な構造を有する高分� ��、例えばブロック性を帯びたランダム共重� ��体であってもよい。蛍光又はりん光の量子� ��率の高い高分子発光体を得る観点からは完� ��なランダム共重合体よりブロック性を帯び� ��ランダム共重合体やブロック又はグラフト� ��重合体が好ましい。さらに、本発明の化合� ��には、主鎖に枝分かれがあり、末端部が3つ 以上あるものやデンドリマーも含まれる。

 また、本発明の化合物は色度の観点から� ��非共役な主鎖である場合、より青色の色度� ��高く好ましい。

 さらに、本発明の化合物においては、有� ��電界発光素子に用いた時に発光効率や寿命� ��の素子特性の観点から、前記一般式(1)で表� ��れる構造を含む構造単位を全構造単位に対� ��て0.1モル%以上50モル%以下含むことが好まし く、1モル%以上20モル%以下含むことがより好� ��しい。

 また、電荷の輸送及び注入性の観点から� ��、前記一般式(1)で表される構造を含む構造� ��位を全構造単位に対して10モル%以上100モル% 以下含むことが好ましく、30モル%以上70モル% 以下含むことがより好ましい。

 また、本発明の化合物においては、有機� ��界発光素子にした時の電荷の輸送性や寿命� ��の素子特性の観点から、前記一般式(5)で表� ��れる繰返し単位を全構造単位に対して1モル %以上99モル%以下含むことが好ましく、50モル %以上97モル%以下含むことがより好ましい。

 さらに、本発明の化合物が前記一般式(6-1 )で表される繰返し単位、前記一般式(6-2)で表 される繰返し単位又は前記一般式(6-3)で表さ� ��る繰返し単位の少なくとも1つを含む場合に は、有機電界発光素子にした時の電荷の輸送 性や発光色の調整などの素子特性の観点から 、このような繰返し単位を全構造単位に対し て0.01モル%以上50モル%以下含むことが好まし� ��、0.1モル%以上30モル%以下含むことがより好 ましい。

 また、本発明の化合物は、有機電界発光素� ��に用いた時に発光効率や寿命等の素子特性� ��製膜性の観点から、ポリスチレン換算の数� ��均分子量が2000以上であることが好ましく、 2×10 ³ ~10 ⁸ であることがより好ましく、1×10 ⁴ ~10 ⁶ であることが特に好ましい。なお、本明細書 においては、場合によって、ポリスチレン換 算の数平均分子量が2000以上の化合物のこと� �高分子化合物(以下、本発明の化合物のうち� ��リスチレン換算の数平均分子量が2000以上の ものを「本発明の高分子化合物」ということ がある)といい、他方、単一の組成からなる� �のを低分子化合物(通常、数平均分子量は2000 未満)という。また、本発明の化合物はデン� �リマーやオリゴマー等の、低分子化合物と� �分子化合物との中間的な構造であるもので� �ってもよい。本発明の化合物が低分子化合� �である場合には、合成の容易さの観点から� �本発明の化合物が下記一般式(4-2)で表される 化合物であることが好ましい。

 前記一般式(4-2)において、R ¹ 、R ² 、R ³ 、R ⁴ 、R ⁵ 及びR ⁶ としてはそれぞれ前述の通りのものが挙げら れる。さらに、B環としてはそれぞれ前述の� �りのものが挙げられる。Rc及びRdはそれぞれ� ��立にハロゲン原子、アルキル基、アルコキ� ��基、アルキルチオ基、アリール基、アリー� ��オキシ基、アリールチオ基、アリールアル� ��ル基、アリールアルコキシ基、アリールア� ��キルチオ基、アルケニル基、アルキニル基� ��2置換アミノ基、3置換シリル基、アシル基� �アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、� �イミド基、1価の複素環基、置換カルボキシ� ��基、ヘテロアリールオキシ基又はヘテロア� ��ールチオ基を表す。q及びrは0~4の整数を表� �。qが2以上の場合、複数あるRcは互いに同一� ��あっても異なっていてもよい。化合物の合� ��のしやすさの観点からq及びrが0の場合が好� ��しい。これらのB環の中でも、耐熱性、蛍光 強度、素子特性等の観点から、芳香族炭化水 素環が好ましく、ベンゼン環、ナフタレン環 、アントラセン環、フェナントレン環がより 好ましく、ベンゼン環が特に好ましい。

 前記一般式(4-2)で表される化合物のうち� �合成のしやすさの観点から下記一般式(4-3)で 表される化合物であることが好ましい。

 前記一般式(4-3)において、R ¹ 、R ² 、R ³ 、R ⁴ 、R ⁵ 及びR ⁶ としてはそれぞれ前述の通りのものが挙げら れる。Re及びRfはそれぞれ独立に水素原子、� �ロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、� �ルキルチオ基、アリール基、アリールオキ� �基、アリールチオ基、アリールアルキル基� �アリールアルコキシ基、アリールアルキル� �オ基、アルケニル基、アルキニル基、2置換� ��ミノ基、3置換シリル基、アシル基、アシル オキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド 基、1価の複素環基、置換カルボキシル基、� �テロアリールオキシ基又はヘテロアリール� �オ基を表す。

 次に、本発明の化合物の製造方法につい� ��説明する。

 本発明の化合物の製造方法は、下記一般� ��(7)で表される化合物を原料として重合する� ��程を含む方法である。すなわち、前記一般� ��(3)で表される化合物は下記一般式(7)で表さ� ��る化合物を原料として重合することにより� ��造することができる。

 一般式(7)において、A環、B環及びC環はそれ� ��れ独立に単環の芳香環又は縮合した芳香環� ��表し、R ¹ 及びR ⁴ はそれぞれ独立に1価の基を表し、R ² 、R ³ 、R ⁵ 及びR ⁶ はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、ア リール基、アリールアルキル基、アルケニル 基、又はアルキニル基を表し、X ¹ 、X ² はそれぞれ独立に重合に関与しうる置換基を 表す。また、A環、B環、C環、R ¹ 、R ² 、R ³ 、R ⁴ 、R ⁵ 及びR ⁶ としてはそれぞれ前述の通りのものが挙げら れる。

 また、本発明の化合物(特に高分子化合物 )が、前記一般式(3)で表される繰返し単位以� �の繰返し単位を有する場合には、前記一般� �(3)で表される繰返し単位以外の繰返し単位� �なる単量体を共存させればよい。

 本発明の高分子化合物は、重合に関与し� ��る置換基(重合活性基)を有する単量体を原� �として使用して重合することにより製造す� �ことができる。ここで使われる重合活性基� �しては、重合方法により異なるが、例えば� �ホルミル基、ホスホニウム基、臭素、よう� �、塩素等のハロゲン原子、ビニル基、ハロ� �チル基、アセトニトリル基、トリフルオロ� �タンスルホニルオキシ基等のアルキルスル� �ニルオキシ基、トルエンスルホニルオキシ� �等のアリールスルホニルオキシ基が挙げら� �る。分子量制御、共重合比制御等の観点か� �、重合活性基の数は、2の場合が好ましい。

 本発明の高分子化合物の製造方法として� ��、主鎖にビニレン基を有する場合には、3重 項発光錯体から誘導された重合活性基を有す る単量体と、必要に応じてその他の単量体を 用いて、例えば特開平5-202355号公報に記載の� ��法により製造することができる。すなわち� ��〔1〕アルデヒド基を有する化合物とホスホ ニウム塩基を有する化合物とのWittig反応によ る重合、〔2〕アルデヒド基とホスホニウム� �基とを有する化合物のWittig反応による重合� �〔3〕ビニル基を有する化合物とハロゲン原� ��を有する化合物とのHeck反応による重合、〔 4〕ビニル基とハロゲン原子とを有する化合� �のHeck反応による重合、〔5〕アルデヒド基を 有する化合物とアルキルホスホネート基を有 する化合物とのHorner-Wadsworth-Emmons法による重� ��、〔6〕アルデヒド基とアルキルホスホネー ト基とを有する化合物のHorner-Wadsworth-Emmons法� ��よる重合、〔7〕ハロゲン化メチル基を2つ� �上有する化合物の脱ハロゲン化水素法によ� �重縮合、〔8〕スルホニウム塩基を2つ以上有 する化合物のスルホニウム塩分解法による重 縮合、〔9〕アルデヒド基を有する化合物と� �セトニトリル基を有する化合物とのKnoevenagel 反応による重合、〔10〕アルデヒド基とアセ� ��ニトリル基とを有する化合物のKnoevenagel反� �による重合などの方法、〔11〕アルデヒド基 を2つ以上有する化合物のMcMurry反応による重� ��等の方法が例示される。上記〔1〕~〔11〕の 重合方法について以下に反応式で示す。

 また、本発明の高分子化合物の製造方法と� ��ては、主鎖にビニレン基を有しない場合に� ��、重合活性基を有する単量体と必要に応じ� ��その他の単量体を用いて重合することによ� ��製造することができる。例えば、〔12〕Suzuk iカップリング反応により重合する方法、〔13 〕Grignard反応により重合する方法、〔14〕Still eカップリング反応により重合する方法、〔15 〕Ni(0)触媒により重合する方法、〔16〕FeCl ₃ 等の酸化剤により重合する方法/電気化学的� �酸化重合する方法、或いは〔17〕適当な脱離 基を有する中間体高分子の分解による方法が 例示される。上記〔12〕~〔17〕の重合方法に� ��いて以下に反応式で示す。

 これらの重合方法のうち、Wittig反応による� ��合、Heck反応による重合、Horner-Wadsworth-Emmons� ��による重合、Knoevenagel反応による重合、及� �Suzukiカップリング反応により重合する方法� �Grignard反応により重合する方法、Stilleカップ リングを用いる方法及びNi(0)触媒により重合� ��る方法が、構造制御がしやすいので好まし� ��。さらに、Suzukiカップリング反応により重� ��する方法、Grignard反応により重合する方法� �Ni(0)触媒により重合する方法が原料の入手し やすさと重合反応操作の簡便さから好ましい 。

 本発明の高分子化合物の製造方法におい� ��は、単量体を、必要に応じ、有機溶媒に溶� ��し、例えばアルカリや適当な触媒を用い、� ��機溶媒の融点以上沸点以下で、反応させる� ��とができる。このような反応方法としては� ��例えば、“オルガニック リアクションズ(O rganic Reactions)”,第14巻,270-490頁,ジョンワイリ ー アンド サンズ(John Wiley&Sons,Inc.),1965年 、“オルガニック リアクションズ(Organic Rea ctions)”,第27巻,345-390頁,ジョンワイリー アン ド サンズ(John Wiley&Sons,Inc.),1982年、“オ� �ガニック シンセシス(Organic Syntheses)”,コレ クティブ第6巻(Collective Volume VI),407-411頁,ジ� �ンワイリー アンド サンズ(John Wiley&Sons, Inc.),1988年、ケミカル レビュー(Chem.Rev.),第95� ��,2457頁(1995年)、ジャーナル オブ オルガノ� ��タリック ケミストリー(J.Organomet.Chem.),第576 巻,147頁(1999年)、ジャーナル オブ プラクテ� ��カル ケミストリー(J.Prakt.Chem.),第336巻,247頁 (1994年)、マクロモレキュラー ケミストリー� �マクロモレキュラー シンポジウム(Makromol.Ch em.,Macromol.Symp.),第12巻,229頁(1987年)に記載の公� ��の方法を用いることができる。

 有機溶媒としては、用いる化合物や反応に� ��っても異なるが、一般に副反応を抑制する� ��めに、用いる溶媒は十分に脱酸素処理を施� ��、不活性雰囲気化で反応を進行させること� ��好ましい。また、同様に脱水処理を行うこ� ��が好ましい。(但し、Suzukiカップリング反応 のような水との2相系での反応の場合にはそ� �限りではない。)
 反応させるために適宜アルカリや適当な触� ��を添加する。これらは用いる反応に応じて� ��択すればよい。ここで、アルカリ又は触媒� ��、反応に用いる溶媒に十分に溶解するもの� ��好ましい。アルカリ又は触媒を混合する方� ��としては、反応液をアルゴンや窒素等の不� ��性雰囲気下で攪拌しながらゆっくりとアル� ��リ又は触媒の溶液を添加するか、逆にアル� ��リ又は触媒の溶液に反応液をゆっくりと添� ��する方法が例示される。

 本発明の高分子化合物を有機電界発光素� ��の発光材料として用いる場合、その純度が� ��光特性に影響を与えるため、重合前の単量� ��を蒸留、昇華精製、再結晶等の方法で精製� ��たのちに重合することが好ましく、また合� ��後、再沈精製、クロマトグラフィーによる� ��別等の純化処理をすることが好ましい。

 本発明の高分子化合物の製造方法におい� ��、それぞれの単量体は、一括混合して反応� ��せてもよいし、必要に応じて分割して混合� ��てもよい。

 本発明の高分子化合物の製造方法におい� ��、反応条件について説明すると、Wittig反応� ��Horner反応、Knoevengel反応等の場合は、単量体 の官能基に対して当量以上、好ましくは1~3当 量のアルカリを用いて反応させる。アルカリ としては、特に限定されないが、例えば、カ リウム-t-ブトキシド、ナトリウム-t-ブトキシ ド、ナトリウムエチラート、リチウムメチラ ート等の金属アルコラート;水素化ナトリウ� �等のハイドライド試薬;ナトリウムアミド等� ��アミド類を用いることができる。溶媒とし� ��は、N,N-ジメチルホルムアミド、テトラヒド ロフラン、ジオキサン、トルエン等が用いら れる。反応の温度は、通常は室温から150℃程 度で反応を進行させることができる。反応時 間は、例えば、5分間~40時間であるが、十分� �重合が進行する時間であればよく、また反� �が終了した後に長時間放置する必要はない� �で、好ましくは10分間~24時間である。反応の 際の濃度は、希薄すぎると反応の効率が悪く 、濃すぎると反応の制御が難しくなるので、 約0.01wt%~溶解する最大濃度の範囲で適宜選択� ��ればよく、通常は、0.1wt%~20wt%の範囲である� ��Heck反応の場合は、パラジウム触媒を用い、 トリエチルアミン等の塩基の存在下で、単量 体を反応させる。N,N-ジメチルホルムアミド� �N-メチルピロリドンなどの比較的沸点の高い 溶媒を用い、反応温度は、80~160℃程度、反応 時間は、1時間から100時間程度である。

 Suzukiカップリング反応の場合は、触媒とし� ��、例えばパラジウム[テトラキス(トリフェ� �ルホスフィン)]、パラジウムアセテート類な どを用い、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、 水酸化バリウム等の無機塩基、トリエチルア ミン等の有機塩基、フッ化セシウム等の無機 塩を単量体に対して当量以上、好ましくは1~1 0当量加えて反応させる。無機塩を水溶液と� �て、2相系で反応させてもよい。溶媒として� ��、N,N-ジメチルホルムアミド、トルエン、ジ メトキシエタン、テトラヒドロフラン等が挙 げられる。溶媒にもよるが50~160℃程度の温度 が好適に用いられる。溶媒の沸点近くまで昇 温し、還流させてもよい。反応時間は1時間� �ら200時間程度である。また、-B(OH) ₂ 及びホウ酸エステルからなる群から選択され る基を2つ有するモノマーと、ハロゲン原子� �アルキルスルホネート基、アリールスルホ� �ート基及びアリールアルキルスルホネート� �からなる群から選択される基を2つ有するモ� ��マーとを重合する場合、重合が停止した後� ��モノマーを添加することにより分子量を上� ��ることができ、分子量の制御が容易である� ��分子量は以下の式から予測することができ� ��この式から目的の分子量に調製するために� ��えるモノマー量を求めることができる。
Mn=Fw*Pn
Mn:数平均分子量
Fw:繰返し単位の平均分子量
Pn:平均重合度
Pn=1/(1-p+α)    
p:(反応した手の数)/(反応前に存在した手の総 数)
α:実験に基づく補正値。

 Grignard反応の場合は、テトラヒドロフラ� �、ジエチルエーテル、ジメトキシエタン等� �エーテル系溶媒中でハロゲン化物と金属Mgと を反応させてGrignard試薬溶液とし、これと別� ��用意した単量体溶液とを混合し、ニッケル� ��媒又はパラジウム触媒を過剰反応に注意し� ��がら添加した後に昇温して還流させながら� ��応させる方法が例示される。Grignard試薬は� �量体に対して当量以上、好ましくは1~1.5当量 、より好ましくは1~1.2当量用いる。これら以� ��の方法で重合する場合も、公知の方法に従� ��て反応させることができる。

 ニッケル触媒の存在下反応させる例とし� ��は例えば上述のニッケル(0)触媒により重合� ��る方法が挙げられる。ニッケル触媒として� ��、例えば、エチレンビス(トリフェニルホス フィン)ニッケル錯体、テトラキス(トリフェ� ��ルホスフィン)ニッケル錯体、ビス(シクロ� �クタジエニル)ニッケル錯体が挙げられる。

 パラジウム触媒の存在下反応させる例と� ��ては、上記Suzukiカップリング反応が挙げら� ��る。パラジウム触媒としては、例えば、酢� ��パラジウム、パラジウム[テトラキス(トリ� �ェニルホスフィン)]錯体、ビス(トリシクロ� �キシルホスフィン)パラジウム錯体、ジクロ� ��ビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム� �体等が挙げられる。

 以上説明したような一般式(7)で表される� ��合物は、本発明の化合物(特に高分子化合物 )を重合するための原料として有用である。

 本発明は、有機トランジスタや有機電界� ��光素子などの光電材料やそれらの光電材料� ��中間体として有用な下記式(8)~(10)で表され� �化合物及びその合成法を提供するものであ� �。

 このような一般式(7)で表される化合物の� ��でも、合成の容易さの観点から、下記一般� ��(8)で表される化合物が好ましい。

 一般式(8)において、B環は単環の芳香環又は 縮合した芳香環を表し、R ¹ 及びR ⁴ はそれぞれ独立に1価の基を表し、R ² 、R ³ 、R ⁵ 及びR ⁶ はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、ア リール基、アリールアルキル基、アルケニル 基、又はアルキニル基を表し、X ¹ 、X ² はそれぞれ独立に重合に関与しうる置換基を 表す。Ra及びRbはそれぞれ独立にアルキル基� �アルキルオキシ基、アリール基、アリール� �キシ基、アリールアルキル基、アリールア� �キルオキシ基、2置換アミノ基、3置換シリル 基、アシル基、アシルオキシ基、置換カルボ キシル基、1価の複素環基又はヘテロアリー� �オキシ基を表す。o及びpはそれぞれ独立に0~3 の整数を表す。oが2又は3の場合、複数あるRa� ��同一であっても異なっていてもよい。pが2� �は3の場合、複数あるRbは同一であっても異� �っていてもよい。また、B環、R ¹ 、R ² 、R ³ 、R ⁴ 、R ⁵ 、R ⁶ 、X ¹ 及びX ² としてはそれぞれ前述の通りのものが挙げら れる。Ra及びRbにおけるアルキル基、アルキ� �オキシ基、アリール基、アリールオキシ基� �アリールアルキル基、アリールアルキルオ� �シ基、2置換アミノ基、3置換シリル基、アシ ル基、アシルオキシ基、置換カルボキシル基 、1価の複素環基及びヘテロアリールオキシ� �としては、A環、B環及びC環が有していても� �い置換基に例示の基と同様のものが挙げら� �る。また、化合物の合成の容易さの観点か� �、o及びpが0の場合が好ましい。

 更に好ましくは下記一般式(8-1)で表され� �化合物である。

 一般式(8-1)において、R ¹ 及びR ⁴ はそれぞれ独立に1価の基を表し、R ² 、R ³ 、R ⁵ 及びR ⁶ はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、ア リール基、アリールアルキル基、アルケニル 基、又はアルキニル基を表し、X ¹ 、X ² はそれぞれ独立に重合に関与しうる置換基を 表す。Ra及びRbはそれぞれ独立にアルキル基� �アルキルオキシ基、アリール基、アリール� �キシ基、アリールアルキル基、アリールア� �キルオキシ基、2置換アミノ基、3置換シリル 基、アシル基、アシルオキシ基、置換カルボ キシル基、1価の複素環基又はヘテロアリー� �オキシ基を表す。o及びpはそれぞれ独立に0~3 の整数を表す。oが2又は3の場合、複数あるRa� ��同一であっても異なっていてもよい。pが2� �は3の場合、複数あるRbは同一であっても異� �っていてもよい。また、R ¹ 、R ² 、R ³ 、R ⁴ 、R ⁵ 、R ⁶ 、Ra、Rb、X ¹ 、X ² 、o及びpとしてはそれぞれ前述の通りのもの� ��挙げられる。

 中でも、(i)パラジウム触媒と塩基の存在� ��、ホウ酸残基又はホウ酸エステル残基とハ� ��ゲン原子、アルキルスルホネート基、アリ� ��ルスルホネート基又はアリールアルキルス� ��ホネート基とを用いたSuzukiカップリングを� ��いる方法;(ii)ニッケル(0)触媒存在下、ハロ� �ン原子、アルキルスルホネート基、アリー� �スルホネート基又はアリールアルキルスル� �ネート基をカップリングさせるYamamoto重合を 用いる方法;(iii)パラジウム触媒の存在下、ス タニル基とハロゲン原子、アルキルスルホネ ート基、アリールスルホネート基又はアリー ルアルキルスルホネート基とを用いたStilleカ ップリングを用いる方法;又は(iv)ニッケル触� ��の存在下、ハロゲン化マグネシウムとハロ� ��ン原子、アルキルスルホネート基、アリー� ��スルホネート基又はアリールアルキルスル� ��ネート基とをカップリングさせるGrignardカ� �プリング法は反応収率が高いため、高い分� �量の高分子化合物を得ることが容易であり� �また、共重合をおこなった場合、モノマー� �込み比どおりの共重合体を得ることが可能� �、反応の制御が容易であることから好まし� �。これらの方法の中でも試薬の安全性の観� �から、Suzuki重合法及びYamamoto重合法がより好 ましい。また、反応性の観点から、重合に関 与しうる置換基(重合活性基)であるハロゲン� ��子、アルキルスルホネート基、アリールス� ��ホネート基又はアリールアルキルスルホネ� ��ト基の中でも、塩素原子、臭素原子、ヨウ� ��原子が好ましく、臭素原子が特に好ましい� ��

 前記一般式(8)で表される化合物は、下記一� ��式(9)で表される化合物から、X ³ 及びX ⁴ を官能基変換することにより、合成すること ができる。

 一般式(9)において、B環は単環の芳香環又は 縮合した芳香環を表し、R ¹ 及びR ⁴ はそれぞれ独立に1価の基を表し、R ² 、R ³ 、R ⁵ 及びR ⁶ はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、ア リール基、アリールアルキル基、アルケニル 基、又はアルキニル基を表し、X ³ 、X ⁴ はそれぞれ独立に塩素原子、臭素原子又はヨ ウ素原子を表す。Ra及びRbはそれぞれ独立に� �ルキル基、アルキルオキシ基、アリール基� �アリールオキシ基、アリールアルキル基、� �リールアルキルオキシ基、2置換アミノ基、3 置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、 置換カルボキシル基、1価の複素環基又はヘ� �ロアリールオキシ基を表す。o及びpはそれぞ れ独立に0~3の整数を表す。oが2又は3の場合、 複数あるRaは同一であっても異なっていても� ��い。pが2又は3の場合、複数あるRbは同一で� �っても異なっていてもよい。また、B環、R ¹ 、R ² 、R ³ 、R ⁴ 、R ⁵ 、R ⁶ 、Ra及びRbとしてはそれぞれ前述の通りのも� �が挙げられる。さらに、化合物の合成の容� �さの観点から、o及びpが0の場合が好ましい� �

 更に好ましくは下記一般式(9-1)で表され� �化合物である。

 一般式(9-1)において、R ¹ 及びR ⁴ はそれぞれ独立に1価の基を表し、R ² 、R ³ 、R ⁵ 及びR ⁶ はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、ア リール基、アリールアルキル基、アルケニル 基、又はアルキニル基を表し、X ³ 、X ⁴ はそれぞれ独立に塩素原子、臭素原子又はヨ ウ素原子を表す。Ra及びRbはそれぞれ独立に� �ルキル基、アルキルオキシ基、アリール基� �アリールオキシ基、アリールアルキル基、� �リールアルキルオキシ基、2置換アミノ基、3 置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、 置換カルボキシル基、1価の複素環基又はヘ� �ロアリールオキシ基を表す。o及びpはそれぞ れ独立に0~3の整数を表す。oが2又は3の場合、 複数あるRaは同一であっても異なっていても� ��い。pが2又は3の場合、複数あるRbは同一で� �っても異なっていてもよい。また、R ¹ 、R ² 、R ³ 、R ⁴ 、R ⁵ 、R ⁶ 、Ra、Rb、X ³ 、X ⁴ 、o及びpとしてはそれぞれ前述の通りのもの� ��挙げられる。

 前記一般式(8)におけるX ¹ 及び/又はX ² がホウ酸エステル残基であるものは、X ³ 及び/又はX ⁴ をGrignard試薬又はリチウムに置き換えた後に� ��ウ酸エステルを反応させることにより合成� ��ることができる。このようなホウ酸エステ� ��としては、トリメチルホウ酸、トリイソプ� ��ピルホウ酸、2-イソプロポキシ-4,4,5,5-テト� �メチル-1,3,2-ジオキサボロラン等が挙げられ� ��。また、J. Org. Chem., 60(23), 7508(1995) に記� ��のようにパラジウム触媒と塩基の存在下、� ��ボレートと反応させることにより合成する� ��ともできる。このジボレートとしては、ビ� ��(ピナコレート)ジボラン、ビス(カテコレー� ��)ジボラン、ビス(ネオペンチルグリコレー� �)ジボラン、ビス(トリメチレングリコレート )ジボラン等が挙げられる。

 また、前記一般式(8)におけるX ¹ 及び/又はX ² が-B(OH) ₂ であるものは、上記ホウ酸エステルを酸又は 塩基の存在下に加水分解する方法で合成する ことができる。

 さらに、前記一般式(8)におけるX ¹ 及び/又はX ² がハロゲン化マグネシウムであるものは、マ グネシウムの存在下で合成することができる 。

 また、前記一般式(8)におけるX ¹ 及び/又はX ² がハロゲン化マグネシウムであるものは、X ³ 及び/又はX ⁴ をGrignard試薬又はリチウムに置き換えた後に� ��リアルキル塩化スズと反応させることによ� ��合成することができる。このトリアルキル� ��化スズとしては、トリメチル塩化スズ、ト� ��-n-ブチル塩化スズ等が挙げられる。

 さらに、前記一般式(8)におけるX ¹ 及び/又はX ² がアルキルスルホネート基、アリールスルホ ネート基又はアリールアルキルスルホネート 基であるものは、X ³ 及び/又はX ⁴ を水酸基に変換した後に、塩基の存在下、対 応するスルホン酸無水物又は塩化スルホニル を反応させることで合成することができる。 このスルホン酸無水物としては、メタンスル ホン酸無水物、トリフルオロメタンスルホン 酸無水物、ベンゼンスルホン酸無水物等が挙 げられる。また、この塩化スルホニルとして は、塩化メタンスルホニル、塩化トリフルオ ロメタンスルホニル、塩化ベンゼンスルホニ ル等が挙げられる。

 また、前記一般式(9)におけるX ³ 及び/又はX ⁴ を水酸基に変換する方法としては、上記のよ うにして得られるX ¹ 及び/又はX ² が-B(OH) ₂ である化合物を過酸化物で酸化することによ り合成することができる。この過酸化物とし ては、過酸化水素、m-クロロベンゼン過安息� ��酸、t-ブチルヒドロパーオキシド等が挙げ� �れる。

 前記一般式(9)で表される化合物は、ハロ� ��ン化剤の存在下で、下記一般式(10)で表され る化合物から、ハロゲン化反応により、合成 することができる。適当な反応条件を選択す ることにより非常に選択性よく上記式(9)で表 される化合物を合成することができる。

 一般式(10)において、B環は単環の芳香環又� �縮合した芳香環を表し、R ¹ 及びR ⁴ はそれぞれ独立に1価の基を表し、R ² 、R ³ 、R ⁵ 及びR ⁶ はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、ア リール基、アリールアルキル基、アルケニル 基、又はアルキニル基を表す。Ra及びRbはそ� �ぞれ独立にアルキル基、アルキルオキシ基� �アリール基、アリールオキシ基、アリール� �ルキル基、アリールアルキルオキシ基、2置� ��アミノ基、3置換シリル基、アシル基、アシ ルオキシ基、置換カルボキシル基、1価の複� �環基又はヘテロアリールオキシ基を表す。o� ��びpはそれぞれ独立に0~3の整数を表す。oが2� ��は3の場合、複数あるRaは同一であっても異� ��っていてもよい。pが2又は3の場合、複数あ� ��Rbは同一であっても異なっていてもよい。� �た、B環、R ¹ 、R ² 、R ³ 、R ⁴ 、R ⁵ 、R ⁶ 、Ra及びRbとしてはそれぞれ前述の通りのも� �が挙げられる。さらに、化合物の合成の容� �さの観点から、o及びpが0の場合が好ましい� �

 更に好ましくは下記一般式(10-1)で表され� ��化合物である。

 一般式(10-1)において、R ¹ 及びR ⁴ はそれぞれ独立に1価の基を表し、R ² 、R ³ 、R ⁵ 及びR ⁶ はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、ア リール基、アリールアルキル基、アルケニル 基、又はアルキニル基を表し、Ra及びRbはそ� �ぞれ独立にアルキル基、アルキルオキシ基� �アリール基、アリールオキシ基、アリール� �ルキル基、アリールアルキルオキシ基、2置� ��アミノ基、3置換シリル基、アシル基、アシ ルオキシ基、置換カルボキシル基、1価の複� �環基又はヘテロアリールオキシ基を表す。o� ��びpはそれぞれ独立に0~3の整数を表す。oが2� ��は3の場合、複数あるRaは同一であっても異� ��っていてもよい。pが2又は3の場合、複数あ� ��Rbは同一であっても異なっていてもよい。� �た、R ¹ 、R ² 、R ³ 、R ⁴ 、R ⁵ 、R ⁶ 、Ra、Rb、o及びpとしてはそれぞれ前述の通り のものが挙げられる。

 ここでハロゲン化剤としては、例えば、N -クロロスクシンイミド、N-クロロフタル酸イ ミド、N-クロロジエチルアミン、N-クロロジ� �チルアミン、N-クロロシクロへキシルアミン 、N-ブロモスクシンイミド、N-ブロモフタル� �イミド、N-ブロモジトリフルオロメチルアミ ン、N-ヨウドスクシンイミド、N-ヨウドフタ� �酸イミド等のN-ハロゲノ化合物;フッ素、塩� �、臭素等のハロゲン元素;ベンジルトリメチ� ��アンモニウムトリブロミドが挙げられる。� ��れらの中でも、N-ハロゲノ化合物が好まし� �。

 反応に用いられる溶媒としては、例えば� ��ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン� ��シクロヘキサン等の飽和炭化水素;ベンゼン 、トルエン、エチルベンゼン、キシレン等の 不飽和炭化水素;四塩化炭素、クロロホルム� �ジクロロメタン、クロロブタン、ブロモブ� �ン、クロロペンタン、ブロモペンタン、ク� �ロヘキサン、ブロモヘキサン、クロロシク� �ヘキサン、ブロモシクロヘキサン等のハロ� �ン化飽和炭化水素;クロロベンゼン、ジクロ� ��ベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲ� ��化不飽和炭化水素;メタノール、エタノール 、プロパノール、イソプロパノール、ブタノ ール、t-ブチルアルコール等のアルコール類; 蟻酸、酢酸、プロピオン酸等のカルボン酸類 ;ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、メ� �ル-t-ブチルエーテル、テトラヒドロフラン� �テトラヒドロピラン、ジオキサン等のエー� �ル類;トリメチルアミン、トリエチルアミン� ��N,N,N’,N’-テトラメチルエチレンジアミン� �ピリジン等のアミン類;N,N-ジメチルホルムア ミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジエチ� ��アセトアミド、N-メチルモルホリンオキシ� �、N-メチル-2-ピロリドン等のアミド類が挙げ られる。これらの溶媒は、1種を単独で又は2� ��以上を組み合わせて使用することができる� ��

 反応の温度は、-100℃~溶媒の沸点程度で� �り、好ましくは-20℃~50℃である。

 前記一般式(10)で表される化合物は、塩基の 存在下で、下記一般式(11)で表される化合物� �ら、窒素原子上の置換反応により、製造す� �ことができる。例えば、R ¹ 及び/又はR ⁴ がアルキル基の場合、塩基の存在下、ハロゲ ン化アルキルへの求核置換反応で製造するこ とができる。また、R ¹ 及び/又はR ⁴ が芳香族基(すなわち、アリール基、1価の芳� ��族複素環基であり、以下、同じである。)の 場合、銅触媒と塩基の存在下、芳香族ヨウ化 物と反応させるUllmannカップリング条件で製� �することができる。また、Angewandte Chemie, In ternational Edition in English, (1995), 34(12), 1348  記載のようにパラジウム触媒と塩基とハロゲ ン化芳香族化合物とを反応させることによっ ても製造することができる。

 一般式(11)において、B環は単環の芳香環又� �縮合した芳香環を表し、R ² 、R ³ 、R ⁵ 及びR ⁶ はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、ア リール基、アリールアルキル基、アルケニル 基、又はアルキニル基を表し、R ¹⁰ 及びR ¹¹ はそれぞれ独立に水素原子又は1価の基を表� �。また、R ¹⁰ 及びR ¹¹ のうちの少なくとも一方は水素原子である。 Ra及びRbはそれぞれ独立にアルキル基、アル� �ルオキシ基、アリール基、アリールオキシ� �、アリールアルキル基、アリールアルキル� �キシ基、2置換アミノ基、3置換シリル基、ア シル基、アシルオキシ基、置換カルボキシル 基、1価の複素環基又はヘテロアリールオキ� �基を表す。o及びpはそれぞれ独立に0~3の整数 を表す。oが2又は3の場合、複数あるRaは同一� ��あっても異なっていてもよい。pが2又は3の� ��合、複数あるRbは同一であっても異なって� �てもよい。さらに、R ² 、R ³ 、R ⁵ 、R ⁶ 、Ra及びRbとしてはそれぞれ前述の通りのも� �が挙げられる。また、化合物の合成の容易� �の観点から、o及びpが0の場合が好ましい。

 更に好ましくは下記一般式(11-1)で表され� ��化合物である。

 一般式(11-1)において、R ² 、R ³ 、R ⁵ 及びR ⁶ はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、ア リール基、アリールアルキル基、アルケニル 基、又はアルキニル基を表し、R ¹⁰ 及びR ¹¹ はそれぞれ独立に水素原子または1価の基を� �す。Ra及びRbはそれぞれ独立にアルキル基、� ��ルキルオキシ基、アリール基、アリールオ� ��シ基、アリールアルキル基、アリールアル� ��ルオキシ基、2置換アミノ基、3置換シリル� �、アシル基、アシルオキシ基、置換カルボ� �シル基、1価の複素環基又はヘテロアリール� ��キシ基を表す。o及びpはそれぞれ独立に0~3� �整数を表す。oが2又は3の場合、複数あるRaは 同一であっても異なっていてもよい。pが2又� ��3の場合、複数あるRbは同一であっても異な� ��ていてもよい。また、R ² 、R ³ 、R ⁵ 、R ⁶ 、R ¹⁰ 、R ¹¹ 、Ra、Rb、o及びpとしてはそれぞれ前述の通り のものが挙げられる。

 前記一般式(10)又は(11)で表される化合物� �、酸の存在下で、下記一般式(12)で表される� ��合物から環化反応により製造することがで� ��る。

 一般式(12)において、B環は単環の芳香環又� �縮合した芳香環を表し、R ² 、R ³ 、R ⁵ 及びR ⁶ はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、ア リール基、アリールアルキル基、アルケニル 基、又はアルキニル基を表し、R ¹² 及びR ¹³ はそれぞれ独立に水素原子又は1価の基を表� �。Ra及びRbはそれぞれ独立にアルキル基、ア� ��キルオキシ基、アリール基、アリールオキ� ��基、アリールアルキル基、アリールアルキ� ��オキシ基、2置換アミノ基、3置換シリル基� �アシル基、アシルオキシ基、置換カルボキ� �ル基、1価の複素環基又はヘテロアリールオ� ��シ基を表す。o及びpはそれぞれ独立に0~3の� �数を表す。oが2又は3の場合、複数あるRaは同 一であっても異なっていてもよい。pが2又は3 の場合、複数あるRbは同一であっても異なっ� ��いてもよい。また、B環、R ² 、R ³ 、R ⁵ 、R ⁶ 、Ra及びRbとしてはそれぞれ前述の通りのも� �が挙げられる。さらに、化合物の合成の容� �さの観点から、o及びpが0の場合が好ましい� �

 このような酸としては、プロトン酸でも� ��く、ルイス酸でもよい。プロトン酸として� ��、例えば、メタンスルホン酸、トリフルオ� ��メタンスルホン酸、p-トルエンスルホン酸� �のスルホン酸類、蟻酸、酢酸、トリフルオ� �酢酸、プロピオン酸等のカルボン酸類;硫酸� ��塩酸、硝酸、リン酸等の無機酸が挙げられ� ��。これらのプロトン酸の中でも、塩酸、硫� ��、硝酸等の強無機酸が好ましい。また、ル� ��ス酸としては、例えば、3臭化ホウ素、3塩� �ホウ素、3フッ化ホウ素エーテル錯体等ハロ� ��ン化ホウ素化物;塩化アルミニウム、塩化チ タン、塩化マンガン、塩化鉄、塩化コバルト 、塩化銅、塩化亜鉛、臭化アルミニウム、臭 化チタン、臭化マンガン、臭化鉄、臭化コバ ルト、臭化銅、臭化亜鉛等のハロゲン化金属 が挙げられる。これらのルイス酸の中でも、 トリフェニルメチルテトラフルオロボレート が好ましい。これらのルイス酸は、1種を単� �で又は2種以上を組み合わせて使用すること� ��できる。

 反応の媒体としては上記の酸を用いても� ��いが、それ以外の溶媒を用いても良い。用� ��る溶媒としては、例えば、ペンタン、ヘキ� ��ン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン� ��の飽和炭化水素;四塩化炭素、クロロホルム 、ジクロロメタン、クロロブタン、ブロモブ タン、クロロペンタン、ブロモペンタン、ク ロロヘキサン、ブロモヘキサン、クロロシク ロヘキサン、ブロモシクロヘキサン等のハロ ゲン化飽和炭化水素;クロロベンゼン、ジク� �ロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロ� �ン化不飽和炭化水素;ニトロメタン、ニトロ� ��ンゼン等のニトロ化化合物が挙げられる。� ��れらの溶媒は、1種を単独で又は2種以上を� �み合わせて使用することができる。

 反応温度としては、-50℃~溶媒の沸点程度 であり、好ましくは0~100℃である。

 なお、前記一般式(10)でR ¹² 及びR ¹³ のうち少なくとも一方が芳香族基である場合 、副反応で収率が悪くなるので、R ¹² 及び/又はR ¹³ が水素原子の化合物を用い前記一般式(11)で� �される化合物を製造し、その後に窒素原子� �を芳香族基に変換する方法が好ましい。

 前記式(12)で表される化合物のうち、合成 のしやすさの観点から下記一般式(12-1)で表さ れる場合が好ましい。

 一般式(12-1)において、B環は単環の芳香環又 は縮合した芳香環を表し、R ¹² 及びR ¹³ はそれぞれ独立に水素原子又は1価の基を表� �。R ²¹ 、R ²² 、R ²³ 及びR ²⁴ はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、ア リール基、アリールアルキル基、アルケニル 基、又はアルキニル基を表し、R ²¹ 、R ²² 、R ²³ 及びR ²⁴ のうちの少なくとも1つはアリール基を表す� �Ra及びRbはそれぞれ独立にアルキル基、アル� ��ルオキシ基、アリール基、アリールオキシ� ��、アリールアルキル基、アリールアルキル� ��キシ基、2置換アミノ基、3置換シリル基、� �シル基、アシルオキシ基、置換カルボキシ� �基、1価の複素環基又はヘテロアリールオキ� ��基を表す。o及びpはそれぞれ独立に0~3の整� �を表す。oが2又は3の場合、複数あるRaは同一 であっても異なっていてもよい。pが2又は3の 場合、複数あるRbは同一であっても異なって� ��てもよい。また、B環、R ¹² 、R ¹³ 、Ra、Rb、o及びpとしてはそれぞれ前述の通り のものが挙げられる。R ²¹ 、R ²² 、R ²³ 及びR ²⁴ におけるアルキル基、アリール基、アリール アルキル基、アルケニル基、又はアルキニル 基としては、R ² 、R ³ 、R ⁵ 及びR ⁶ に例示の基と同様のものが挙げられる。

 前記一般式(12-1)で表される化合物は、一般� ��:R ¹⁴ -M
(式中、R ¹⁴ はアルキル基、アリール基、アリールアルキ ル基、アルケニル基又はアルキニル基を表し 、Mはリチウム又はハロゲン化マグネシウム� �表す。)
で表される化合物の下記一般式(13)で表され� �化合物への求核反応により製造することが� �きる。

 一般式(13)において、B環は単環の芳香環又� �縮合した芳香環を表し、R ²¹ 及びR ²³ はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、ア リール基、アリールアルキル基、アルケニル 基、又はアルキニル基を表し、R ¹² 及びR ¹³ はそれぞれ独立に水素原子又は1価の基を表� �。Ra及びRbはそれぞれ独立にアルキル基、ア� ��キルオキシ基、アリール基、アリールオキ� ��基、アリールアルキル基、アリールアルキ� ��オキシ基、2置換アミノ基、3置換シリル基� �アシル基、アシルオキシ基、置換カルボキ� �ル基、1価の複素環基又はヘテロアリールオ� ��シ基を表す。o及びpはそれぞれ独立に0~3の� �数を表す。R ²¹ 、R ²³ 及びR ¹⁴ のうちの少なくとも1つはアリール基を表す� �oが2又は3の場合、複数あるRaは同一であって も異なっていてもよい。pが2又は3の場合、複 数あるRbは同一であっても異なっていてもよ� ��。また、B環、R ¹² 、R ¹³ 、Ra及びRbとしてはそれぞれ前述の通りのも� �が挙げられる。さらに、R ¹⁴ で表されるアルキル基としては、R ² 、R ³ 、R ⁵ 及びR ⁶ で表される基として例示の基と同様のものが 挙げられる。R ¹⁴ で表されるアリール基、アリールアルキル基 、アルケニル基又はアルキニル基としては、 A環、B環及びC環が有していてもよい置換基に 例示の基と同様のものが挙げられる。また、 化合物の合成の容易さの観点から、o及びpが0 の場合が好ましい。

 用いる一般式:R ¹⁴ -Mで表される化合物の当量は、前記一般式(13) におけるR ¹² 及びR ¹³ がいずれも水素原子の場合、4当量以上であ� �ことが好ましい。また、R ¹² 、R ¹³ のうちのどちらか一方が水素原子の場合、3� �量以上であることが好ましい。さらに、R ¹² 及びR ¹³ がいずれも水素原子でない場合、2当量以上� �あることが好ましい。

 また、前記一般式(12-1)で表される化合物は� ��一般式:R ¹⁵ -M
(式中、R ¹⁵ はアルキル基、アリール基、アリールアルキ ル基、アルケニル基又はアルキニル基を表し 、Mはリチウム又はハロゲン化マグネシウム� �表す。)
で表される化合物の下記一般式(14)で表され� �化合物への求核反応により製造することが� �きる。

 一般式(14)において、B環は単環の芳香環又� �縮合した芳香環を表し、R ¹² 及びR ¹³ はそれぞれ独立に水素原子又は1価の基を表� �、R ¹⁶ 及びR ¹⁷ はそれぞれ独立にアルキル基、アリール基又 はアリールアルキル基を表す。Ra及びRbはそ� �ぞれ独立にアルキル基、アルキルオキシ基� �アリール基、アリールオキシ基、アリール� �ルキル基、アリールアルキルオキシ基、2置� ��アミノ基、3置換シリル基、アシル基、アシ ルオキシ基、置換カルボキシル基、1価の複� �環基又はヘテロアリールオキシ基を表す。o� ��びpはそれぞれ独立に0~3の整数を表す。oが2� ��は3の場合、複数あるRaは同一であっても異� ��っていてもよい。pが2又は3の場合、複数あ� ��Rbは同一であっても異なっていてもよい。� �た、B環、R ¹² 、R ¹³ とRa及びRbとしてはそれぞれ前述の通りのも� �が挙げられる。さらに、R ¹⁶ 及びR ¹⁷ で表されるアルキル基、アリール基又はアリ ールアルキル基としては、A環、B環及びC環が 有していてもよい置換基に例示の基と同様の ものが挙げられる。また、化合物の合成の容 易さの観点から、o及びpが0の場合が好ましい 。

 用いる一般式:R ¹⁵ -Mで表される化合物の当量は、R ¹² 及びR ¹³ がいずれも水素原子の場合、6当量以上であ� �ことが好ましい。また、R ¹² 、R ¹³ のうちのどちらか一方が水素原子の場合、5� �量以上であることが好ましい。R ¹² 及びR ¹³ がいずれも水素原子でない場合、4当量以上� �あることが好ましい。

 前記一般式(13)で表される化合物から前記 一般式(12-1)で表される化合物を製造する反応 、並びに前記一般式(14)で表される化合物か� �前記一般式(12-1)で表される化合物を製造す� �反応は、いずれもアルゴンや窒素等の不活� �ガスの雰囲気下でおこなうことが好ましい� �

 反応に用いられる溶媒としては、例えば� ��ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン� ��シクロヘキサン等の飽和炭化水素;ベンゼン 、トルエン、エチルベンゼン、キシレン等の 不飽和炭化水素;ジメチルエーテル、ジエチ� �エーテル、メチル-t-ブチルエーテル、テト� �ヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジオ� �サン等のエーテル類が挙げられる。これら� �溶媒は、1種を単独で又は2種以上を組み合わ せて使用することができる。

 反応の温度としては、-100℃から溶媒の沸 点程度であり、-80℃~室温が好ましい。

 次に、前記一般式(14)で表される化合物の 中でも、化合物の合成の容易さの観点から好 適に用いることができる下記一般式(14-1)で表 される化合物の製造方法について説明する。

 一般式(14-1)において、R ¹⁶ 及びR ¹⁷ はそれぞれ独立にアルキル基、アリール基又 はアリールアルキル基を表す。前記一般式(14 -1)で表される化合物は、パラジウム、ニッケ ル及び銅からなる群から選択される少なくと も1つの金属を含む触媒の存在下で、下記一� �式(15)で表される化合物、下記一般式(16)で表 される化合物及び下記一般式(17)で表される� �合物から縮合反応により製造することがで� �る。

 一般式(15)~(17)において、R ¹⁶ 及びR ¹⁷ はそれぞれ独立にアルキル基、アリール基又 はアリールアルキル基を表し、X ⁵ 及びX ⁶ はそれぞれ独立に塩素原子、臭素原子、ヨウ 素原子、アルキルスルホネート基、アリール スルホネート基又はアリールアルキルスルホ ネート基を表す。また、R ¹⁶ 及びR ¹⁷ としてはそれぞれ前述の通りのものが挙げら れる。

 反応の条件としては、銅触媒と塩基の存� ��下、芳香族ヨウ化物と反応させるUllmannカッ プリング条件で製造することができる。また 、Angewandte Chemie, International Edition in English,  (1995), 34(12), 1348 記載のようにパラジウム� ��媒と塩基とハロゲン化芳香族化合物とを反� ��させることによっても製造することができ� ��。

 合成の容易さの観点から、前記一般式(15) で表される化合物及び前記一般式(16)で表さ� �る化合物は同一である場合が好ましい。

 また、前記一般式(14-1)で表される化合物� ��、パラジウム、ニッケル及び銅からなる群� ��ら選択される少なくとも1つの金属を含む触 媒の存在下で、下記一般式(18)で表される化� �物、下記一般式(19)で表される化合物及び下� ��一般式(20)で表される化合物から縮合反応に より製造することもできる。

 一般式(18)~(20)において、R ¹⁶ 及びR ¹⁷ はそれぞれ独立にアルキル基、アリール基又 はアリールアルキル基を表し、X ⁷ 及びX ⁸ はそれぞれ独立に塩素原子、臭素原子、ヨウ 素原子、アルキルスルホネート基、アリール スルホネート基又はアリールアルキルスルホ ネート基を表す。また、R ¹⁶ 、及びR ¹⁷ としてはそれぞれ前述の通りのものが挙げら れる。

 反応の条件としては、銅触媒と塩基の存� ��下、芳香族ヨウ化物と反応させるUllmannカッ プリング条件で製造することができる。また 、Angewandte Chemie, International Edition in English,  (1995), 34(12), 1348 記載のようにパラジウム� ��媒と塩基とハロゲン化芳香族化合物とを反� ��させることによっても製造することができ� ��。

 合成の容易さの観点から、前記一般式(18) で表される化合物及び前記一般式(19)で表さ� �る化合物は同一である場合が好ましい。

 次に、本発明の化合物を含む組成物につ� ��て説明する。正孔輸送材料、電子輸送材料� ��び発光材料からなる群から選択される少な� ��とも1種類の材料と本発明の化合物を含有す る組成物は、発光材料や電荷輸送材料として 用いることができる。

 本発明の組成物において、正孔輸送材料� ��電子輸送材料及び発光材料からなる群から� ��択される少なくとも1種類の材料と本発明の 化合物の含有比率は、用途に応じて決めれば よい。また、本発明の化合物を2種類以上混� �し、組成物として用いることもできる。

 また、本発明の組成物を用いて有機電界� ��光素子の発光層を形成することができる。� ��のような発光層の膜厚としては、用いる材� ��によって最適値が異なり、駆動電圧と発光� ��率が適度な値となるように選択すればよい� ��、例えば1nm~1μmであり、好ましくは2nm~500nm� �あり、さらに好ましくは5nm~200nmである。

 このような発光層の形成方法としては、� ��液からの成膜による方法が例示される。溶� ��からの成膜方法としては、スピンコート法� ��キャスティング法、マイクログラビアコー� ��法、グラビアコート法、バーコート法、ロ� ��ルコート法、ワイアーバーコート法、ディ� ��プコート法、スプレーコート法、スクリー� ��印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷� ��、インクジェットプリント法等の塗布方法� ��用いることができる。パターン形成や多色� ��塗分けが容易であるという点で、スクリー� ��印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷� ��、インクジェットプリント法等の印刷法が� ��ましい。

 印刷法等で用いるインク組成物(溶液)と� �ては、少なくとも1種類の本発明の化合物が� ��有されていればよく、また本発明の化合物� ��外に正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材� ��、溶媒、安定剤などの添加剤を含んでいて� ��よい。

 このようなインク組成物中における本発� ��の化合物の割合は、溶媒を除いた組成物の� ��重量に対して通常は20wt%~100wt%であり、好ま� ��くは40wt%~100wt%である。また、このようなイ� ��ク組成物中に溶媒が含まれる場合の溶媒の� ��合は、組成物の全重量に対して1wt%~99.9wt%で� ��り、好ましくは60wt%~99.5wt%であり、さらに好 ましく80wt%~99.0wt%である。なお、インク組成� �の粘度は印刷法によって異なるが、インク� �ェットプリント法等インク組成物中が吐出� �置を経由するもの場合には、吐出時の目づ� �りや飛行曲がりを防止するために粘度が25℃ において1~20mPa・sの範囲であることが好まし� ��。

 本発明のインク組成物(溶液)は、本発明� �化合物の他に、粘度及び/又は表面張力を調� ��するための添加剤を含有していてもよい。� ��のような添加剤としては、粘度を高めるた� ��の高分子量の高分子化合物(増粘剤)や貧溶� �、粘度を下げるための低分子量の化合物、� �面張力を下げるための界面活性剤等を適宜� �み合わせて使用すればよい。

 このように粘度を高めるための高分子量� ��高分子化合物としては、本発明の化合物と� ��じ溶媒に可溶性で、発光や電荷輸送を阻害� ��ないものであればよい。例えば、高分子量� ��ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート� ��或いは本発明の化合物のうち分子量が大き� ��ものなどを用いることができる。また、ポ� ��スチレン換算の重量平均分子量は、50万以� �のものが好ましく、100万以上のものがより� �ましい。

 また、貧溶媒を増粘剤として用いること� ��できる。すなわち、溶液中の固形分に対す� ��貧溶媒を少量添加することで、粘度を高め� ��ことができる。この目的で貧溶媒を添加す� ��場合、溶液中の固形分が析出しない範囲で� ��溶媒の種類と添加量を選択すればよい。保� ��時の安定性も考慮すると、貧溶媒の量は、� ��液全体に対して50wt%以下であることが好ま� �く、30wt%以下であることがより好ましい。

 また、本発明のインク組成物(溶液)は、� �存安定性を改善するために、本発明の化合� �の他に、酸化防止剤を含有していてもよい� �酸化防止剤としては、本発明の化合物と同� �溶媒に可溶性で、発光や電荷輸送を阻害し� �いものであればよく、フェノール系酸化防� �剤、リン系酸化防止剤等が挙げられる。

 さらに、このような溶液をインク組成物� ��して用いる場合、用いる溶媒としては特に� ��限はないが、このインク組成物を構成する� ��媒以外の材料を溶解又は均一に分散できる� ��のが好ましい。このような溶媒としては、� ��えば、クロロホルム、塩化メチレン、1,2-ジ クロロエタン、1,1,2-トリクロロエタン、クロ ロベンゼン、o-ジクロロベンゼン等の塩素系� ��媒;テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニ ソール等のエーテル系溶媒、トルエン、キシ レン等の芳香族炭化水素系溶媒;シクロヘキ� �ン、メチルシクロヘキサン、n-ペンタン、n-� ��キサン、n-へプタン、n-オクタン、n-ノナン� ��n-デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒;アセト� ��、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン� ��ベンゾフェノン、アセトフェノン等のケト� ��系溶媒;酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセ ルソルブアセテート、安息香酸メチル、酢酸 フェニル等のエステル系溶媒;エチレングリ� �ール、エチレングリコールモノブチルエー� �ル、エチレングリコールモノエチルエーテ� �、エチレングリコールモノメチルエーテル� �ジメトキシエタン、プロピレングリコール� �ジエトキシメタン、トリエチレングリコー� �モノエチルエーテル、グリセリン、1,2-ヘキ� ��ンジオール等の多価アルコール及びその誘� ��体;メタノール、エタノール、プロパノール 、イソプロパノール、シクロヘキサノール等 のアルコール系溶媒;ジメチルスルホキシド� �のスルホキシド系溶媒;N-メチル-2-ピロリド� �、N,N-ジメチルホルムアミド等のアミド系溶� ��が挙げられる。また、これらの溶媒は、1種 を単独で又は2種以上を組み合わせて使用す� �ことができる。これらの溶媒の中でも、高� �子化合物等の溶解性、成膜時の均一性、粘� �特性等の観点から、芳香族炭化水素系溶媒� �脂肪族炭化水素系溶媒、エステル系溶媒、� �トン系溶媒が好ましく、トルエン、キシレ� �、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、ト� �メチルベンゼン、n-プロピルベンゼン、i-プ� ��ピルベンゼン、n-ブチルベンゼン、i-ブチル ベンゼン、s-ブチルベンゼン、アニソール、� ��トキシベンゼン、1-メチルナフタレン、シ� �ロヘキサン、シクロヘキサノン、シクロヘ� �シルベンゼン、ビシクロヘキシル、シクロ� �キセニルシクロヘキサノン、n-ヘプチルシク ロヘキサン、n-ヘキシルシクロヘキサン、2-� �ロピルシクロヘキサノン、2-ヘプタノン、3-� ��プタノン、4-ヘプタノン、2-オクタノン、2-� ��ナノン、2-デカノン、ジシクロヘキシルケ� �ン、アセトフェノン、ベンゾフェノンがよ� �好ましい。さらに、溶液中の溶媒の種類は� �成膜性の観点や素子特性等の観点から、2種� ��以上であることが好ましく、2~3種類である� ��とがより好ましく、2種類であることが特に 好ましい。

 また、溶液中に2種類の溶媒が含まれる場 合、そのうちの1種類の溶媒は25℃において固 体状態でもよい。成膜性の観点から、1種類� �溶媒は沸点が180℃以上の溶媒であることが� �ましく、200℃以上の溶媒であることがより� �ましい。また、粘度の観点から、2種類の溶� ��ともに、60℃において1wt%以上の本発明の化� ��物が溶解することが好ましく、2種類の溶媒 のうちの1種類の溶媒には、25℃において1wt%� �上の本発明の化合物が溶解することが好ま� �い。

 さらに、溶液中に2種類以上の溶媒が含ま れる場合、粘度及び成膜性の観点から、最も 沸点が高い溶媒が、溶液中の全溶媒の重量の 40~90wt%であることが好ましく、50~90wt%である� �とがより好ましく、65~85wt%であることが特に 好ましい。

 このような溶液中に含まれる本発明の化� ��物は、1種類でも2種類以上でもよく、素子� �性等を損なわない範囲で本発明の化合物以� �の化合物を含んでいてもよい。

 本発明のインク組成物(溶液)には、水、� �属及びその塩を1~1000ppm(重量基準)の範囲で含 んでいてもよい。金属としては、例えば、リ チウム、ナトリウム、カルシウム、カリウム 、鉄、銅、ニッケル、アルミニウム、亜鉛、 クロム、マンガン、コバルト、白金、イリジ ウムが挙げられる。また、本発明のインク組 成物(溶液)は、珪素、リン、フッ素、塩素、� ��素を1~1000ppm(重量基準)の範囲で含んでいて� �よい。

 本発明のインク組成物(溶液)を用いて、� �ピンコート法、キャスティング法、マイク� �グラビアコート法、グラビアコート法、バ� �コート法、ロールコート法、ワイアーバー� �ート法、ディップコート法、スプレーコー� �法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、� �フセット印刷法、インクジェットプリント� �等の塗布方法により、本発明の薄膜を作製� �ることができる。これらの塗布方法の中で� �、本発明のインク組成物(溶液)をスクリーン 印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法 、インクジェットプリント法により成膜する 用途に用いることが好ましく、インクジェッ ト法で成膜する用途に用いることがより好ま しい。

 本発明の化合物を含む薄膜は、上記のよ� ��に本発明のインク組成物(溶液)を用いて作� �できる。このような薄膜としては、例えば� �発光性薄膜、導電性薄膜、有機半導体薄膜� �挙げられる。

 本発明の導電性薄膜は、表面抵抗が1Kω/� �以下であることが好ましい。また、このよ� �な薄膜に、ルイス酸、イオン性化合物等を� �ープすることにより、電気伝導度を高める� �とができる。さらに、表面抵抗が100ω/□以� �であることがより好ましく、10ω/□であるこ とが特に好ましい。

 本発明の有機半導体薄膜は、電子移動度又� ��正孔移動度のうちのいずれか大きいほうが� ��10 ^-5 cm ² /V/秒以上であることが好ましく、10 ^-3 cm ² /V/秒以上であることがより好ましく、10 ^-1 cm ² /V/秒以上であることが特に好ましい。

 また、SiO ₂ 等の絶縁膜とゲート電極とを形成したSi基板� ��に本発明の有機半導体薄膜を形成し、Au等� �ソース電極とドレイン電極を形成すること� �より、有機トランジスタとすることができ� �。

 また、本発明の有機電界発光素子として� ��、陰極と発光層との間に、電子輸送層を設� ��た有機電界発光素子、陽極と発光層との間� ��、正孔輸送層を設けた有機電界発光素子、� ��極と発光層との間に、電子輸送層を設け、� ��つ陽極と発光層との間に、正孔輸送層を設� ��た有機電界発光素子、並びにこれらの素子� ��更に陽極と発光層との間にインターレイヤ� ��層を設けた有機電解発光素子等が挙げられ� ��。

 このような有機電界発光素子の構造として� ��、以下のa)~d)の構造が例示される。
a)陽極/発光層/陰極
b)陽極/正孔輸送層/発光層/陰極
c)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
d)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(ここで、/は各層が隣接して積層されている� ��とを示す。以下、同じである。)
また、これら構造において、発光層と陽極と の間に、発光層に隣接してインターレイヤー 層を設ける構造も例示される。すなわち、
a’)陽極/インターレイヤー層/発光層/陰極
b’)陽極/正孔輸送層/インターレイヤー層/発� ��層/陰極
c’)陽極/インターレイヤー層/発光層/電子輸� ��層/陰極
d’)陽極/正孔輸送層/インターレイヤー層/発� ��層/電子輸送層/陰極。

 インターレイヤー層は正孔注入、正孔輸� ��及び電子ブロックのいずれか1つ以上の機能 を有することもある。

 本発明の化合物は、有機電界発光素子の� ��ての或いは一部の層に、単独若しくは混合� ��として用いることができる。本発明の化合� ��を、一部の層に用いる場合、及び混合物と� ��て用いる場合には、下記に示すような、一� ��的な材料を用いることができる。

 本発明の有機電界発光素子の発光層とし� ��は、高分子材料として、ポリフルオレン誘� ��体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、� ��リフェニレン誘導体、ポリパラフェニレン� ��導体、ポリチオフェン誘導体、ポリジアル� ��ルフルオレン、ポリフルオレンベンゾチア� ��アゾール、ポリアルキルチオフェン又は本� ��明の高分子化合物等の共役系高分子化合物� ��用いてなるものが挙げられる。

 また、これら高分子材料を用いてなる発� ��層は、ペリレン系色素、クマリン系色素、� ��ーダミン系色素などの高分子系色素化合物� ��、ルブレン、ペリレン、9,10-ジフェニルア� �トラセン、テトラフェニルブタジエン、ナ� �ルレッド、クマリン6、キナクリドン等の低� ��子色素化合物を含有してもよい。また、ナ� ��タレン誘導体、アントラセン若しくはその� ��導体、ペリレン若しくはその誘導体、ポリ� ��チン系、キサンテン系、クマリン系、シア� ��ン系等の色素類、8-ヒドロキシキノリン若� �くはその誘導体の金属錯体、芳香族アミン� �テトラフェニルシクロペンタジエン若しく� �その誘導体、又はテトラフェニルブタジエ� �若しくはその誘導体、トリス(2-フェニルピ� �ジン)イリジウム等の燐光を発光する金属錯� ��を含有してもよい。

 また、本発明の発光素子が有する発光層� ��、非共役系高分子化合物[例えば、ポリビニ ルカルバゾール、ポリ塩化ビニル、ポリカー ボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタク リレート、ポリブチルメタクリレート、ポリ エステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオ キシド、ポリブタジエン、ポリ(N-ビニルカル バゾール)、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フ� �ノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロー� �、酢酸ビニル、ABS樹脂、ポリウレタン、メ� �ミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アル� �ド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂や、� �ルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、� �キサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導� �、イミダゾール誘導体、ポリアリールアル� �ン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン� �導体、フェニレンジアミン誘導体、アリー� �アミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体� �スチリルアントラセン誘導体、フルオレノ� �誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘� �体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン� �合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメ� �リディン系化合物、ポルフィリン系化合物� �ポリシラン系化合物、ポリ(N-ビニルカルバ� �ール)誘導体、有機シラン誘導体を含む重合� ��]と前記有機色素や金属錯体などの発光性有 機化合物との混合組成物から構成されてもよ い。

 このような高分子化合物の具体例として� ��、WO97/09394号パンフレット、WO98/27136号パン� �レット、WO99/54385号パンフレット、WO00/22027号 パンフレット、WO01/19834号パンフレット、GB234 0304A号公報、GB2348316号公報、US573636号公報、US 5741921号公報、US5777070号公報、EP0707020号公報� �特開平9-111233号公報、特開平10-324870号公報、 特開平2000-80167号公報、特開2001-123156号公報、 特開2004-168999号公報、特開2007-162009号公報、� �機EL素子の開発と構成材料(シーエムシー出� �、2006年発行)、等に開示されているポリフル オレン、その誘導体及び共重合体、ポリアリ ーレン、その誘導体及び共重合体、ポリアリ ーレンビニレン、その誘導体及び共重合体、 芳香族アミン及びその誘導体の(共)重合体が� ��示される。

 また、低分子化合物の具体例としては、� ��えば、特開昭57-51781号公報、有機薄膜仕事� �数データ集[第2版](シーエムシー出版、2006年 発行)、有機EL素子の開発と構成材料(シーエ� �シー出版、2006年発行)等に記載されている化 合物が例示される。

 前記材料は単成分であっても或いは複数� ��成分からなる組成物であってもよい。また� ��前記発光層は、前記材料の1種又は2種以上� �らなる単層構造であってもよいし、同一組� �又は異種組成の複数層からなる多層構造で� �ってもよい。

 発光層の成膜方法に制限はなく、正孔注� ��層の成膜と同様の方法が挙げられる。溶液� ��らの成膜方法としては、スピンコート法、� ��ャスティング法、バーコート法、スリット� ��ート法、スプレーコート法、ノズルコート� ��、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フ� ��キソ印刷法、インクジェットプリント法等� ��前記塗布法及び印刷法が挙げられ、昇華性� ��合物材料を用いる場合には、真空蒸着法、� ��写法等が挙げられる。また、溶液からの成� ��方法に用いる溶媒の例としては、正孔注入� ��の成膜方法で列記した溶媒が挙げられる。

 発光層に続いて、電子輸送層等の有機化� ��物層を塗布法にて形成する際に、下層が後� ��ら塗布する層の溶液に含まれる溶媒に溶解� ��る場合は、正孔注入層の成膜方法での例示� ��同様の方法で下層を溶媒不溶にすることが� ��きる。

 発光層の膜厚としては、用いる材料によ� ��て最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が� ��度な値となるように選択すればよいが、少� ��くともピンホールが発生しないような厚さ� ��必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電� ��が高くなり好ましくない。従って、発光層� ��膜厚としては、例えば5nmから1μmであり、好 ましくは10nm~500nmであり、さらに好ましくは30 nm~200nmである。

 本発明の有機電界発光素子が正孔輸送層� ��有する場合、使用される正孔輸送性材料と� ��ては、例えば、ポリビニルカルバゾール及� ��その誘導体、ポリシラン及びその誘導体、� ��鎖又は主鎖に芳香族アミンを有するポリシ� ��キサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリー� ��アミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフ� ��ニルジアミン誘導体、ポリアニリン及びそ� ��誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、� ��リピロール及びその誘導体、ポリ(p-フェニ� ��ンビニレン)及びその誘導体、ポリ(2,5-チエ� ��レンビニレン)及びその誘導体が挙げられる 。

 また、このような正孔輸送性材料として� ��、例えば、特開昭63-70257号公報、同63-175860� �公報、特開平2-135359号公報、同2-135361号公報� ��同2-209988号公報、同3-37992号公報、同3-152184� �公報に記載されているものが挙げられる。

 これらの中でも、正孔輸送層に用いる正� ��輸送性材料としては、ポリビニルカルバゾ� ��ル及びその誘導体、ポリシラン及びその誘� ��体、側鎖又は主鎖に芳香族アミン化合物基� ��有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリ� ��及びその誘導体、ポリチオフェン及びその� ��導体、ポリ(p-フェニレンビニレン)及びその 誘導体、ポリ(2,5-チエニレンビニレン)及びそ の誘導体等の高分子正孔輸送性材料が好まし く、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体 、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖 に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導 体がより好ましい。

 また、低分子化合物の正孔輸送性材料と� ��ては、ピラゾリン誘導体、アリールアミン� ��導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジ� ��ミン誘導体が例示される。なお、低分子化� ��物の正孔輸送性材料の場合には、高分子バ� ��ンダーに分散させて用いることが好ましい� ��

 このように低分子化合物を混合するため� ��高分子バインダーとしては、電荷輸送を極� ��に阻害しないものが好ましく、また可視光� ��対する吸収が強くないものが好適に用いら� ��る。このような高分子バインダーとしては� ��例えば、ポリ(N-ビニルカルバゾール)、ポリ アニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及 びその誘導体、ポリ(p-フェニレンビニレン)� �びその誘導体、ポリ(2,5-チエニレンビニレン )及びその誘導体、ポリカーボネート、ポリ� �クリレート、ポリメチルアクリレート、ポ� �メチルメタクリレート、ポリスチレン、ポ� �塩化ビニル、ポリシロキサンが挙げられる� �

 ポリビニルカルバゾール及びその誘導体� ��、例えば、ビニルモノマーからカチオン重� ��又はラジカル重合によって得られる。

 また、ポリシラン及びその誘導体として� ��、ケミカル・レビュー(Chem.Rev.)第89巻、1359� �(1989年)、英国特許GB2300196号公開明細書に記� �の化合物等が例示される。合成方法もこれ� �に記載の方法を用いることができるが、特� �キッピング法が好適に用いられる。

 さらに、ポリシロキサン及びその誘導体� ��、シロキサン骨格構造には正孔輸送性がほ� ��んどないので、側鎖又は主鎖に前記低分子� ��孔輸送性材料の構造を有するものが好適に� ��いられる。特に正孔輸送性の芳香族アミン� ��側鎖又は主鎖に有するものが例示される。

 正孔輸送層の成膜の方法に制限はないが� ��低分子正孔輸送性材料では、高分子バイン� ��ーとの混合溶液からの成膜による方法が例� ��される。また、高分子正孔輸送性材料では� ��溶液からの成膜による方法が例示される。

 このように溶液からの成膜に用いる溶媒� ��しては、正孔輸送性材料を溶解又は均一に� ��散できるものが好ましい。このような溶媒� ��しては、例えば、クロロホルム、塩化メチ� ��ン、1,2-ジクロロエタン、1,1,2-トリクロロエ タン、クロロベンゼン、o-ジクロロベンゼン� ��の塩素系溶媒;テトラヒドロフラン、ジオキ サン等のエーテル系溶媒;トルエン、キシレ� �等の芳香族炭化水素系溶媒;シクロヘキサン� ��メチルシクロヘキサン、n-ペンタン、n-ヘキ サン、n-へプタン、n-オクタン、n-ノナン、n-� ��カン等の脂肪族炭化水素系溶媒;アセトン、 メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等の ケトン系溶媒;酢酸エチル、酢酸ブチル、エ� �ルセルソルブアセテート等のエステル系溶� �;エチレングリコール、エチレングリコール� ��ノブチルエーテル、エチレングリコールモ� ��エチルエーテル、エチレングリコールモノ� ��チルエーテル、ジメトキシエタン、プロピ� ��ングリコール、ジエトキシメタン、トリエ� ��レングリコールモノエチルエーテル、グリ� ��リン、1,2-ヘキサンジオール等の多価アルコ ール及びその誘導体;メタノール、エタノー� �、プロパノール、イソプロパノール、シク� �ヘキサノール等のアルコール系溶媒;ジメチ� ��スルホキシド等のスルホキシド系溶媒;N-メ� ��ル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド 等のアミド系溶媒が挙げられる。また、これ らの溶媒は、1種を単独で又は2種以上を組み� ��わせて使用することができる。

 溶液からの成膜方法としては、溶液から� ��スピンコート法、キャスティング法、マイ� ��ログラビアコート法、グラビアコート法、� ��ーコート法、ロールコート法、ワイアーバ� ��コート法、ディップコート法、スプレーコ� ��ト法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法� ��オフセット印刷法、インクジェットプリン� ��法等の塗布方法を用いることができる。

 正孔輸送層の膜厚としては、用いる材料� ��よって最適値が異なり、駆動電圧と発光効� ��が適度な値となるように選択すればよいが� ��少なくともピンホールが発生しないような� ��さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆� ��電圧が高くなり好ましくない。このような� ��孔輸送層の膜厚としては、例えば1nm~1μmで� �り、好ましくは2nm~500nmであり、さらに好ま� �くは5nm~200nmである。

 本発明の有機電界発光素子が電子輸送層� ��有する場合、使用される電子輸送性材料と� ��ては、公知のものが使用でき、例えば、オ� ��サジアゾール誘導体、アントラキノジメタ� ��及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘� ��体、ナフトキノン及びその誘導体、アント� ��キノン及びその誘導体、テトラシアノアン� ��ラキノジメタン及びその誘導体、フルオレ� ��ン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及� ��その誘導体、ジフェノキノン誘導体、8-ヒ� �ロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体� �ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキ� �リン及びその誘導体、ポリフルオレン及び� �の誘導体が挙げられる。

 また、このような電子輸送性材料として� ��、例えば、特開昭63-70257号公報、同63-175860� �公報、特開平2-135359号公報、同2-135361号公報� ��同2-209988号公報、同3-37992号公報、同3-152184� �公報に記載されているものが挙げられる。

 これらの中でも、オキサジアゾール誘導� ��、ベンゾキノン及びその誘導体、アントラ� ��ノン及びその誘導体、8-ヒドロキシキノリ� �及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン� �びその誘導体、ポリキノキサリン及びその� �導体、ポリフルオレン及びその誘導体が好� �しく、2-(4-ビフェニリル)-5-(4-t-ブチルフェニ ル)-1,3,4-オキサジアゾール、ベンゾキノン、� ��ントラキノン、トリス(8-キノリノール)アル ミニウム、ポリキノリンがより好ましい。

 電子輸送層の成膜法としては特に制限は� ��いが、低分子電子輸送性材料では、粉末か� ��の真空蒸着法、又は溶液若しくは溶融状態� ��らの成膜による方法が、高分子電子輸送材� ��では溶液又は溶融状態からの成膜による方� ��がそれぞれ例示される。溶液又は溶融状態� ��らの成膜時には、上記の高分子バインダー� ��併用してもよい。

 このように溶液からの成膜に用いる溶媒� ��しては、電子輸送材料及び/又は高分子バイ ンダーを溶解又は均一に分散できるものが好 ましい。このような溶媒としては、例えば、 クロロホルム、塩化メチレン、1,2-ジクロロ� �タン、1,1,2-トリクロロエタン、クロロベン� �ン、o-ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒;テ� �ラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル� �溶媒;トルエン、キシレン等の芳香族炭化水� ��系溶媒;シクロヘキサン、メチルシクロヘキ サン、n-ペンタン、n-ヘキサン、n-へプタン、 n-オクタン、n-ノナン、n-デカン等の脂肪族炭 化水素系溶媒;アセトン、メチルエチルケト� �、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒;酢酸� ��チル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセ� ��ート等のエステル系溶媒;エチレングリコー ル、エチレングリコールモノブチルエーテル 、エチレングリコールモノエチルエーテル、 エチレングリコールモノメチルエーテル、ジ メトキシエタン、プロピレングリコール、ジ エトキシメタン、トリエチレングリコールモ ノエチルエーテル、グリセリン、1,2-ヘキサ� �ジオール等の多価アルコール及びその誘導� �;メタノール、エタノール、プロパノール、� ��ソプロパノール、シクロヘキサノール等の� ��ルコール系溶媒;ジメチルスルホキシド等の スルホキシド系溶媒;N-メチル-2-ピロリドン、 N,N-ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒� �挙げられる。また、これらの溶媒は、1種を� ��独で又は2種以上を組み合わせて使用するこ とができる。

 溶液又は溶融状態からの成膜方法として� ��、スピンコート法、キャスティング法、マ� ��クログラビアコート法、グラビアコート法� ��バーコート法、ロールコート法、ワイアー� ��ーコート法、ディップコート法、スプレー� ��ート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷� ��、オフセット印刷法、インクジェットプリ� ��ト法等の塗布方法を用いることができる。

 電子輸送層の膜厚としては、用いる材料� ��よって最適値が異なり、駆動電圧と発光効� ��が適度な値となるように選択すればよいが� ��少なくともピンホールが発生しないような� ��さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆� ��電圧が高くなり好ましくない。このような� ��子輸送層の膜厚としては、例えば1nm~1μmで� �り、好ましくは2nm~500nmであり、さらに好ま� �くは5nm~200nmである。

 インターレイヤー層に用いる材料として� ��ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、� ��鎖又は主鎖に芳香族アミンを有するポリア� ��ーレン誘導体、アリールアミン誘導体、フ� ��ニレンジアミン誘導体等、芳香族アミンを� ��むポリマーが例示される。

 このようなインターレイヤー層の成膜方� ��に制限はないが、例えば高分子材料を用い� ��場合においては溶液からの成膜による方法� ��例示される。

 このように溶液からの成膜方法に用いる� ��媒としては、正孔輸送性材料を溶解又は均� ��に分散できるものが好ましい。このような� ��媒としては、例えば、クロロホルム、塩化� ��チレン、1,2-ジクロロエタン、1,1,2-トリクロ ロエタン、クロロベンゼン、o-ジクロロベン� ��ン等の塩素系溶媒;テトラヒドロフラン、ジ オキサン等のエーテル系溶媒;トルエン、キ� �レン等の芳香族炭化水素系溶媒;シクロヘキ� ��ン、メチルシクロヘキサン、n-ペンタン、n- ヘキサン、n-へプタン、n-オクタン、n-ノナン 、n-デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒;アセト ン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン 等のケトン系溶媒;酢酸エチル、酢酸ブチル� �エチルセルソルブアセテート等のエステル� �溶媒;エチレングリコール、エチレングリコ� ��ルモノブチルエーテル、エチレングリコー� ��モノエチルエーテル、エチレングリコール� ��ノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プ� ��ピレングリコール、ジエトキシメタン、ト� ��エチレングリコールモノエチルエーテル、� ��リセリン、1,2-ヘキサンジオール等の多価ア ルコール及びその誘導体;メタノール、エタ� �ール、プロパノール、イソプロパノール、� �クロヘキサノール等のアルコール系溶媒;ジ� ��チルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒; N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルホルムア ミド等のアミド系溶媒が挙げられる。また、 これらの溶媒は、1種を単独で又は2種以上を� ��み合わせて使用することができる。

 溶液からの成膜方法としては、溶液から� ��スピンコート法、キャスティング法、マイ� ��ログラビアコート法、グラビアコート法、� ��ーコート法、ロールコート法、ワイアーバ� ��コート法、ディップコート法、スプレーコ� ��ト法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法� ��オフセット印刷法、インクジェットプリン� ��法等の塗布方法を用いることができる。

 インターレイヤー層の膜厚としては、用� ��る材料によって最適値が異なり、駆動電圧� ��発光効率が適度な値となるように選択すれ� ��よい。インターレイヤー層の膜厚は、例え� ��1nm~1μmであり、好ましくは2nm~500nmであり、� �らに好ましくは5nm~200nmである。

 このようなインターレイヤー層を発光層� ��隣接して設ける場合、特に両方の層を前記� ��布方法により形成する場合には、2つの層の 材料が混合して素子の特性等に対して好まし くない影響を与える場合がある。インターレ イヤー層を前記塗布方法で形成した後、発光 層を前記塗布方法で形成する場合、2つの層� �材料の混合を少なくする方法としては、(i)� �ンターレイヤー層を前記塗布方法で形成し� �後、このインターレイヤー層を加熱、光照� �等の処理で有機溶媒に対して不溶化した後� �発光層を形成する方法や、(ii)発光層を塗布� ��る時に用いる溶媒をインターレイヤー層の� ��解性が低い溶媒を用いる方法等が挙げられ� ��。インターレイヤー層を加熱により不溶化� ��る場合、加熱の温度は通常150℃~300℃程度で あり、時間は通常1分~1時間程度である。この ような場合、加熱により溶媒不溶化しなかっ た成分を除くため、加熱した後、発光層を形 成する前に、このインターレイヤー層を発光 層形成に用いる溶媒でリンスすることで取り 除くことが好ましい。加熱による溶媒不溶化 が十分に行なわれた場合は、溶媒によるリン スを省略してもよい。加熱による溶媒不溶化 が十分に行なわれるためには、インターレイ ヤー層に用いる高分子化合物として分子内に 少なくとも一つの重合可能な基を含むものを 用いることが好ましい。さらには重合可能な 基の数が、分子内の繰返し単位の数に対して 5%以上であることがより好ましい。重合可能� ��基としては、二重結合を有する基、環状エ� ��テル基等が挙げられる。二重結合を有する� ��としては、ビニル基、1,3-ブテジエニル基、 アクリレート基、メタクリレート基等が挙げ られる。環状エーテル基としては、エポキシ 基、オキセタン基等が挙げられる。

 また、電極に隣接して設けた電荷輸送層� ��うち、電極からの電荷注入効率を改善する� ��能を有し、素子の駆動電圧を下げる効果を� ��するものは、特に電荷注入層(正孔注入層、 電子注入層)と一般に呼ばれることがある。

 さらに、電極との密着性向上や電極から� ��電荷注入の改善のために、電極に隣接して� ��記の電荷注入層又は絶縁層を設けてもよく� ��また、界面の密着性向上や混合の防止等の� ��めに電荷輸送層や発光層の界面に薄いバッ� ��ァー層を挿入してもよい。さらに、積層す� ��層の順番や数、及び各層の厚さについては� ��発光効率や素子寿命を勘案して適宜用いる� ��とができる。

 本発明において、電荷注入層(電子注入層 、正孔注入層)を設けた有機電界発光素子と� �ては、例えば、陰極に隣接して電荷注入層� �設けた有機電界発光素子、陽極に隣接して� �荷注入層を設けた有機電界発光素子が挙げ� �れる。

 このような有機電界発光素子の構造として� ��、例えば、以下のe)~p)の構造が挙げられる� �
e)陽極/電荷注入層/発光層/陰極
f)陽極/発光層/電荷注入層/陰極
g)陽極/電荷注入層/発光層/電荷注入層/陰極
h)陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/陰極
i)陽極/正孔輸送層/発光層/電荷注入層/陰極
j)陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電荷注 入層/陰極
k)陽極/電荷注入層/発光層/電子輸送層/陰極
l)陽極/発光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極
m)陽極/電荷注入層/発光層/電子輸送層/電荷注 入層/陰極
n)陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸 送層/陰極
o)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電荷注 入層/陰極
p)陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸 送層/電荷注入層/陰極
また、これらの構造において、発光層と陽極 との間に、発光層に隣接してインターレイヤ ー層を設ける構造も例示される。

 電荷注入層としては、導電性高分子を含� ��層、陽極と正孔輸送層との間に設けられ、� ��極材料と正孔輸送層に含まれる正孔輸送性� ��料との中間の値のイオン化ポテンシャルを� ��する材料を含む層、陰極と電子輸送層との� ��に設けられ、陰極材料と電子輸送層に含ま� ��る電子輸送性材料との中間の値の電子親和� ��を有する材料を含む層等が例示される。

 このような電荷注入層が導電性高分子を含� ��層の場合、この導電性高分子の電気伝導度� ��、10 ^-5 S/cm以上10 ³ S/cm以下であることが好ましく、発光画素間� �リーク電流を小さくするためには、10 ^-5 S/cm以上10 ² S/cm以下であることがより好ましく、10 ^-5 S/cm以上10 ¹ S/cm以下であることが特に好ましい。また、� �常はこの導電性高分子の電気伝導度を10 ^-5 S/cm以上10 ³ S/cm以下とするために、この導電性高分子に� �量のイオンをドープする。

 ドープするイオンの種類は、正孔注入層� ��あればアニオン、電子注入層であればカチ� ��ンである。アニオンの例としては、ポリス� ��レンスルホン酸イオン、アルキルベンゼン� ��ルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオン等� ��例示され、カチオンの例としては、リチウ� ��イオン、ナトリウムイオン、カリウムイオ� ��、テトラブチルアンモニウムイオン等が例� ��される。

 このような電荷注入層の膜厚としては、� ��えば1nm~100nmであり、好ましくは2nm~50nmであ� �。

 電荷注入層に用いる材料としては、電極� ��隣接する層の材料との関係で適宜選択すれ� ��よく、例えば、ポリアニリン及びその誘導� ��、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピ� ��ール及びその誘導体、ポリフェニレンビニ� ��ン及びその誘導体、ポリチエニレンビニレ� ��及びその誘導体、ポリキノリン及びその誘� ��体、ポリキノキサリン及びその誘導体、芳� ��族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体� ��の導電性高分子、金属フタロシアニン(銅フ タロシアニン等)、カーボンが挙げられる。

 また、本発明の有機電界発光素子におい� ��は、電荷注入を容易にするために、絶縁層� ��更に設けてもよい。このような絶縁層の膜� ��は、通常、2nm以下である。このような絶縁� ��の材料としては、金属フッ化物、金属酸化� ��、有機絶縁材料等が挙げられる。このよう� ��絶縁層を設けた有機電界発光素子としては� ��例えば、陰極に隣接して絶縁層を設けた有� ��電界発光素子、陽極に隣接して絶縁層を設� ��た有機電界発光素子が挙げられる。

 このような有機電界発光素子の構造として� ��、例えば、以下のq)~ab)の構造が挙げられる� ��
q)陽極/絶縁層/発光層/陰極
r)陽極/発光層/絶縁層/陰極
s)陽極/絶縁層/発光層/絶縁層/陰極
t)陽極/絶縁層/正孔輸送層/発光層/陰極
u)陽極/正孔輸送層/発光層/絶縁層/陰極
v)陽極/絶縁層/正孔輸送層/発光層/絶縁層/陰� �
w)陽極/絶縁層/発光層/電子輸送層/陰極
x)陽極/発光層/電子輸送層/絶縁層/陰極
y)陽極/絶縁層/発光層/電子輸送層/絶縁層/陰� �
z)陽極/絶縁層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層 /陰極
aa)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/絶縁� �/陰極
ab)陽極/絶縁層/正孔輸送層/発光層/電子輸送� �/絶縁層/陰極
また、これら構造において、発光層と陽極と の間に、発光層に隣接してインターレイヤー 層を設ける構造も例示される。

 本発明の有機電界発光素子を形成する基� ��は、電極を形成し、有機物の層を形成する� ��に変化しないものであればよい。このよう� ��基板としては、例えば、ガラス、プラスチ� ��ク、高分子フィルム、シリコン等の基板が� ��げられる。不透明な基板の場合には、反対� ��電極が透明又は半透明であることが好まし� ��。

 また、通常本発明の有機電界発光素子が� ��する陽極及び陰極のうちの少なくとも一方� ��透明又は半透明である。陽極側が透明又は� ��透明であることが好ましい。

 このような陽極の材料としては、導電性� ��金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用い� ��れる。このような陽極の材料として、具体� ��には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化ス� ��、及びそれらの複合体であるインジウム・� ��ズ・オキサイド(ITO)、インジウム・亜鉛・� �キサイド等からなる導電性ガラスを用いて� �成された膜(NESA等)や、金、白金、銀、銅等� �用いられ、ITO、インジウム・亜鉛・オキサ� �ド、酸化スズが好ましい。作製方法として� �、真空蒸着法、スパッタリング法、イオン� �レーティング法、メッキ法等が挙げられる� �また、このような陽極として、ポリアニリ� �若しくはその誘導体、ポリチオフェン若し� �はその誘導体等の有機の透明導電膜を用い� �もよい。

 陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導度� ��を考慮して、適宜選択することができるが� ��例えば、10nm~10μmであり、好ましくは20nm~1μm であり、さらに好ましくは50nm~500nmである。

 また、陽極上に、電荷注入を容易にする� ��めに、フタロシアニン誘導体、導電性高分� ��、カーボン等からなる層、或いは金属酸化� ��や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる� ��均膜厚2nm以下の層を設けてもよい。

 本発明の有機電界発光素子で用いる陰極� ��材料としては、仕事関数の小さい材料が好� ��しい。このような陰極の材料として、例え� ��、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビ� ��ウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウ� ��、カルシウム、ストロンチウム、バリウム� ��アルミニウム、スカンジウム、バナジウム� ��亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウ� ��、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム� ��イッテルビウム等の金属、及びそれらのう� ��2つ以上の合金、或いはそれらのうち1つ以� �と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン� �コバルト、ニッケル、タングステン、錫の� �ち1つ以上との合金、グラファイト又はグラ� ��ァイト層間化合物が用いられる。合金の例� ��しては、マグネシウム-銀合金、マグネシウ ム-インジウム合金、マグネシウム-アルミニ� ��ム合金、インジウム-銀合金、リチウム-ア� �ミニウム合金、リチウム-マグネシウム合金� ��リチウム-インジウム合金、カルシウム-ア� �ミニウム合金などが挙げられる。陰極を2層� ��上の積層構造としてもよい。

 陰極の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考� ��して、適宜選択することができるが、例え� ��、10nm~10μmであり、好ましくは20nm~1μmであり 、さらに好ましくは50nm~500nmである。

 陰極の作製方法としては、真空蒸着法、� ��パッタリング法、また金属薄膜を熱圧着す� ��ラミネート法等が用いられる。また、陰極� ��有機物層との間に、導電性高分子からなる� ��、或いは金属酸化物や金属フッ化物、有機� ��縁材料等からなる平均膜厚2nm以下の層を設� ��てもよく、陰極作製後、本発明の有機電界� ��光素子を保護する保護層を装着していても� ��い。また、本発明の有機電界発光素子を長� ��安定的に用いるためには、素子を外部から� ��護するために、保護層及び/又は保護カバー を装着することが好ましい。

 このような保護層としては、高分子化合� ��、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化� ��等を用いることができる。また、保護カバ� ��としては、ガラス板、表面に低透水率処理� ��施したプラスチック板等を用いることがで� ��、このカバーを熱効果樹脂や光硬化樹脂で� ��子基板と貼り合わせて密閉する方法が好適� ��用いられる。スペーサーを用いて空間を維� ��すれば、素子がキズつくのを防ぐことが容� ��である。また、この空間に窒素やアルゴン� ��ような不活性なガスを封入すれば、陰極の� ��化を防止することができ、さらに酸化バリ� ��ム等の乾燥剤をこの空間内に設置すること� ��より製造工程で吸着した水分が素子にダメ� ��ジを与えるのを抑制することが容易となる� ��これらのうち、いずれか1つ以上の方策をと ることが好ましい。

 本発明の有機電界発光素子は面状光源、� ��グメント表示装置、ドットマトリックス表� ��装置等の表示装置、液晶表示装置のバック� ��イトとして用いることができる。

 本発明の有機電界発光素子を用いて面状� ��発光を得るためには、面状の陽極と陰極が� ��なり合うように配置すればよい。また、パ� ��ーン状の発光を得るためには、前記面状の� ��光素子の表面にパターン状の窓を設けたマ� ��クを設置する方法、非発光部の有機物層を� ��端に厚く形成し実質的に非発光とする方法� ��陽極又は陰極のいずれか一方、又は両方の� ��極をパターン状に形成する方法がある。こ� ��らのいずれかの方法でパターンを形成し、� ��くつかの電極を独立にOn/OFFできるように配� ��することにより、数字や文字、簡単な記号� ��を表示できるセグメントタイプの表示素子� ��得られる。更に、ドットマトリックス素子� ��するためには、陽極と陰極をともにストラ� ��プ状に形成して直交するように配置すれば� ��い。複数の種類の発光色の異なる高分子蛍� ��体を塗り分ける方法や、カラーフィルター� ��は蛍光変換フィルターを用いる方法により� ��部分カラー表示、マルチカラー表示が可能� ��なる。ドットマトリックス素子は、パッシ� ��駆動も可能であるし、TFT等と組み合わせて� ��クティブ駆動してもよい。これらの表示素� ��は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携� ��電話、カーナビゲーション、ビデオカメラ� ��ビューファインダー等の表示装置として用� ��ることができる。

 さらに、前記面状の発光素子は、自発光� ��型であり、液晶表示装置のバックライト用� ��面状光源、或いは面状の照明用光源として� ��適に用いることができる。また、フレキシ� ��ルな基板を用いれば、曲面状の光源や表示� ��置としても使用できる。