NAITO HIDETOSHI (JP)
IIZUKA KEISHI (JP)
NISHI YASUHISA (JP)
SASAKI SYUJI (JP)
NAITO HIDETOSHI (JP)
IIZUKA KEISHI (JP)
NISHI YASUHISA (JP)
JP2002362910A | 2002-12-18 | |||
JP2002179409A | 2002-06-26 | |||
JP2001335313A | 2001-12-04 | |||
JPS60255602A | 1985-12-17 |
超微粉末を0.1~20質量%含む平均球形度が0.85以上のシリカ粉末であって、超微粉末が、動的光散乱式粒度分布測定機にて測定された粒度において、平均粒子径が150~250nmであり、粒子径100nm以下の粒子含有率が10質量%未満(0質量%を含まない)であり、かつ粒子径が100nmを超え150nm以下の粒子含有率が10~50質量%であることを特徴とするシリカ粉末。 |
レーザー回折散乱式粒度分布測定機にて測定された平均粒子径が5~50μmであり、少なくとも二つの山を持つ多峰性の粒度分布を有し、第一の山の極大値が3~15μm、第二の山の極大値が20~80μmの範囲内にある請求項1に記載のシリカ粉末。 |
シリカ粉末原料を燃焼バーナーで形成された1750℃以上の高温場に噴射して熱処理するにあたり、上記高温場の形成範囲を燃焼バーナーの先端部から3.0~4.5mまでの部分とし、その高温場に金属シリコン粉末を0.05~10質量%含有させたシリカ粉末原料を噴射することを特徴とするシリカ粉末の製造方法。 |
前記シリカ粉末原料が、金属シリコン粉末を0.05~10質量%含有する天然珪石粉砕物である請求項3に記載の製造方法。 |
請求項1又は2に記載のシリカ粉末をゴム及び樹脂の少なくとも一方に10~99質量%含有させてなることを特徴とする組成物。 |
前記樹脂がエポキシ樹脂である請求項5に記載の組成物。 |
請求項6に記載の組成物を用いてなることを特徴とする半導体封止材。 |
本発明は、シリカ粉末、その製造方法及 それを用いた組成物に関する。
近年、電子機器の小型軽量化、高性能化の
求に応じ、半導体パッケージの小型化、薄
化、狭ピッチ化が加速している。また、実
方法も高密度実装が容易な表面実装が主流
なりつつある。このような状況下、半導体
止材料(以下、「封止材」という。)にも高
能化が要求され、半田耐熱性、耐湿性、低
膨張性、電気絶縁性の更なる向上の要求が
る。これを実現するため、シリカ粉末の粒
分布の変動係数を10%以下とし粒度分布をシ
ープにする(特許文献1参照)、粒子径が45μm以
上の粒子の球形度を0.75~1.0とし粗粉域の球形
を高くする(特許文献2参照)、平均粒子径0.1~
1μm程度の球状微小シリカ粉末を少量添加す
(特許文献3参照)などの方法が提案され、封
材の流動性と充填性の向上が図られた。し
し、これらの特性が良くなるあまり、成形
の金型のエアーベント部から封止材が溢れ
るというバリの発生問題がクローズアップ
た。
本発明の目的は、流動性と充填性に優れ バリの発生が更に少ない封止材の製造に適 たシリカ粉末、その製造方法、及びそれを いたゴム及び/又は樹脂の組成物、特に半導 体封止材を提供することである。
本発明は、超微粉末を0.1~20質量%含む平均球
形度が0.85以上のシリカ粉末であって、超微
末が、動的光散乱式粒度分布測定機にて測
された粒度において、平均粒子径が150~250nm
あり、粒子径100nm以下の粒子含有率が10質量%
未満(0質量%を含まない)であり、かつ粒子径
100nmを超え150nm以下の粒子含有率が10~50質量%
あることを特徴とするシリカ粉末である。
本発明においては、シリカ粉末の粒度構成
、レーザー回折散乱式粒度分布測定機にて
定された平均粒子径が5~50μmであり、少なく
とも二つの山を持つ多峰性の粒度分布を有し
、第一の山の極大値が3~15μm、第二の山の極
値が20~80μmの範囲内にあることが好ましい。
また、本発明は、シリカ粉末原料を燃焼バ
ナーで形成された1750℃以上の高温場に噴射
して熱処理するにあたり、上記高温場の形成
範囲を燃焼バーナーの先端部から3.0~4.5mまで
部分とし、その高温場に金属シリコン粉末
0.05~10質量%含有させたシリカ粉末原料を噴
することを特徴とするシリカ粉末の製造方
である。
本発明で用いるシリカ粉末原料としては、
属シリコン粉末を0.05~10質量%含有した天然
石粉砕物が好ましい。
また、本発明は、本発明のシリカ粉末をゴ
及び樹脂の少なくとも一方に10~99質量%を含
させてなる組成物である。
さらに、本発明は、樹脂がエポキシ樹脂で
る本発明の組成物からなる封止材である。
本発明によれば、流動性と充填性に優れ バリの発生が更に少なくなるシリカ粉末が られ、そのシリカ粉末をゴム及び樹脂の少 くとも一方に含有させてなる組成物、特に 止材が提供できる。
本発明のシリカ粉末は超微粉末を0.1~20質 %含有している。本発明のシリカ粉末中の超 微粉末とは、粒子径が0.45μm未満であり、動 光散乱式粒度分布測定機にて測定された粒 において、平均粒子径が150~250nmであり、し も、粒子径100nm以下の粒子含有率が10質量%未 満(0質量%を含まない)であり、かつ粒子径が10 0nmを超え150nm以下の粒子含有率が10~50質量%で 成されており、材質がシリカであると定義 れる。この超微粉末の含有率が0.1質量%未満 であるとバリ低減の効果がなくなる。また、 20質量%を超えるとシリカ粉末を樹脂等に高充 填させたときに増粘し、流動性と充填性が悪 化する。特に好ましい超微粉末の含有率は1~1 5質量%である。
超微粉末の平均粒子径が150nm未満である 、バリ低減の効果があるが、溶融粘度が大 くなるので流動性と充填性が悪化する。一 、平均粒子径が250nmを超えると流動性と充填 性は向上するが、バリ低減の効果が小さくな る。好ましい超微粉末の平均粒子径は170~210nm である。また、超微粉末の粒子径100nm以下の 子含有率と粒子径が100nmを超え150nm以下の粒 子含有率とが上記範囲外であると、シリカ粉 末の密充填構造に寄与しない粒子が多くなり 、樹脂等に高充填させたときに増粘し、流動 性と充填性が悪化する。粒子径100nm以下の粒 の好ましい含有率は2~9質量%であり、粒子径 が100nmを超え150nm以下の粒子の好ましい含有 は15~40質量%である。
超微粉末の粒度構成は、動的光散乱式粒 分布測定機(「Nanotorac150」、日機装社製)に 自動測定される。試料には、シリカ粉末3gと 水27gの配合物を200W出力の超音波ホモジナイ ーで3分間撹拌してシリカ濃度10質量%のスラ ーを調製し、それを1000Gで13分間遠心分離を 行って粗大粒子を沈降させ、その上澄み液20m lを用いた。粒度分布の解析は、0.003~6.5μmの 径範囲を43分割して行った。水の屈折率とし ては1.33、シリカ粉末の屈折率としては1.46を いた。
本発明のシリカ粉末の平均球形度は0.85以 上である。シリカ粉末の球形度が高いほど封 止材中の転がり抵抗が小さくなり、流動性が 向上するので、平均球形度は0.90以上である とが特に好ましい。
平均球形度の測定は以下のとおりである。 体顕微鏡(例えばニコン社製、商品名「モデ ルSMZ-10型」)等にて撮影した粒子像を画像解 装置(例えばマウンテック社製、商品名「MacV iew」)に取り込み、写真から粒子の投影面積(A )と周囲長(PM)を測定する。周囲長(PM)に対応す る真円の面積を(B)とすると、その粒子の球形 度はA/Bとなるので、試料の周囲長(PM)と同一 周囲長を持つ真円を想定すると、PM=2πr、B=π r 2 であるから、B=π×(PM/2π) 2 となり、個々の粒子の球形度は、球形度=A/B=A ×4π/(PM) 2 となる。このようにして得られた任意の粒子 200個の球形度を求めその平均値を平均球形度 とする。
本発明のシリカ粉末は、平均粒子径が5~50 μm、好ましくは8~40μmであり、少なくとも二 の山を持つ多峰性の頻度粒度分布を有する のであることが好ましい。すなわち、レー ー回折散乱式粒度分布測定機(「モデルLS-230 、ベックマンコールター社製)にて測定され た粒度において、少なくとも二つの山を持つ 多峰性の頻度粒度分布を有し、第一の山の極 大値が3~15μm、好ましくは4~13μm、第二の山の 大値が20~80μm、好ましくは25~65μmの範囲内に あることが好ましい。これによって、シリカ 粉末の密充填構造の形成が容易となり、樹脂 等に高充填することが更に容易となる。
レーザー回折散乱式粒度分布測定用試料 調製は、媒体に水を用い、PIDS(Polarization Int ensity Differential Scattering)濃度を45~55質量%に調 整し、200W出力の超音波ホモジナイザーに1分 かけて行った。粒度分布の解析は0.04~2000μm 範囲を粒子径チャンネルがlog(μm)=0.04の幅で 116分割にして行った。水の屈折率としては1.3 3、シリカ粉末の屈折率としては1.46を用いた
本発明のシリカ粉末は、結晶質シリカを 温で溶融された非晶質シリカ粉末であるこ が好ましい。これによって、半導体チップ 封止材の熱膨張率の差が小さくなり、しか 半田耐熱性、耐湿性が更に高まり、金型摩 が少なくなる利点がある。非晶質率は、粉 X線回折装置、例えば「モデルMini Flex」(RIGA KU社製)を用い、CuKα線の2θが26°~27.5°の範囲 おいてX線回折分析を行い、特定回折ピーク 強度比から求められる。すなわち、結晶質 リカは26.7°に主ピークが存在するが、非晶 シリカではピークは存在しない。非晶質シ カと結晶質シリカが混在していると、結晶 シリカの割合に応じた26.7°のピーク高さが られるので、結晶質シリカ標準試料のX線強 度に対する試料のX線強度の比から、結晶質 リカ混在比(=試料のX線回折強度/結晶質シリ のX線回折強度)を算出し、非晶質率(%)=(1-結 質シリカ混在比)×100、の式によって求めら る。
本発明のシリカ粉末は、本発明の製造方 によって製造することができる。その際、 内温度とシリカ粉末原料の噴射量によって リカ粉末の平均球形度を増減させることが きる。また、シリカ粉末原料の平均粒子径 よってシリカ粉末の平均粒子径を増減させ ことができる。シリカ粉末の超微粉末の含 率と多峰性分布の増減方法については後述 る。
本発明の製造方法は、シリカ粉末原料を炉
温度が1750℃以上、好ましくは1780℃以上で
る高温場に噴射して溶融・球状化する方法
おいて、燃焼バーナーから可燃性ガスと酸
ガスを噴射して、炉内温度が1750℃以上であ
高温場を、燃焼バーナー先端部から3.0~4.5m
好ましくは3.5~4.5mまでの位置に形成させるこ
と、そして、その高温場に金属シリコン粉末
を0.05~10質量%含有させたシリカ粉末原料を噴
することが必須要件となる。
本発明に用いる金属シリコン粉末は、Si純
が99.0質量%以上が好ましく、99.5質量%以上で
ることが更に好ましい。
また、本発明に用いるシリカ粉末原料中の
属シリコン粉末以外の材料としては、天然
石、高純度珪砂、石英、水晶などの天然に
出するシリカ含有鉱物の粉末や、沈降シリ
、シリカゲルなどの合成法により製造され
高純度シリカ粉末などが挙げられる。なか
も、コストや入手のし易さを考慮すると、
然珪石粉砕物が最も好ましい。天然珪石粉
物は、振動ミル、ボールミルなどの粉砕機
粉砕された、種々の平均粒子径のものが市
されており、所望の平均粒子径の天然珪石
砕物を適宜選択すればよい。
本発明においては、炉内温度が1750℃以上 である高温場が、先行技術では燃焼バーナー 先端部から1.0~2.5m程度までであったのに対し 、燃焼バーナー先端部から3.0~4.5mまでに長 したことに特徴がある。炉内温度が1750℃以 である高温場が、燃焼バーナー先端部から3 m未満までしか形成されていないと、超微粉 の粒子成長が十分でなくなり、超微粉末の 成が困難となる。しかも、シリカ粉末の平 球形度も0.85未満となる。一方、炉内温度が1 750℃以上である高温場が、燃焼バーナー先端 部から4.5mを超えて形成されていると、生成 た超微粉末が粒子成長しすぎ、これまた超 粉末の生成が困難となる。炉内温度は、炉 壁から5cmの位置を、アルミナ製保護管(厚さ: 3mm)を用いたB熱電対(サカキコーポレーション 社製、型番:HD2128.2、補償導線:Cu)で測定した
炉内温度が1750℃以上である高温場の形成領 域を、本発明のように長くするためには、可 燃性ガスの噴射量を増やす、炉体内への外気 流入量を少なくする、炉体径を小さくする、 シリカ粉末原料の噴射量を低減するなどの条 件を適宜制御して行う。たとえば、可燃ガス の噴射量が60~100Nm 3 /hr、酸素ガスの噴射量が300~500Nm 3 /hr、外気流入量が50~100Nm 3 /hr、シリカ粉末原料の噴射量が100~250kg/hrの範 囲内で選択して行う。
本発明において、シリカ粉末原料中の金属
リコン粉末の含有率が0.05質量%未満である
、金属シリコンの蒸発により発生する気相
分(SiO含有ガス)が少なくなるため、シリカ粉
末中の超微粉末の含有率が0.1質量%未満とな
。一方、シリカ粉末原料中の金属シリコン
末の含有率が10質量%を超えると、SiO含有ガ
の発生が多くなるために、シリカ粉末中の
微粉末の含有率が20質量%を超え、いずれの
合も本発明のシリカ粉末を製造することが
きない。シリカ粉末原料中の金属シリコン
末の特に好ましい含有率は、0.5~7.5質量%であ
る。
シリカ粉末原料中のシリカ粉末及び金属シ
コン粉末以外の成分は、Al 2
O 3
、Fe 2
O 3
、CaOなどがあるが、これらの含有率は総量で
0.5質量%以下であることが好ましく、0.3質量%
下であることが更に好ましい。
シリカ粉末と超微粉末を機械的に混合し 、超微粉末を0.1~20質量%含有するシリカ粉末 を製造するよりも、本発明のように高温場で 超微粉末を生成させながらシリカ粉末に混入 させたほうが、超微粉末同士の凝集を防止し シリカ粉末中に単分散させることができるの で好ましい。シリカ粉末中の超微粉末の含有 率は、シリカ粉末原料中の金属シリコン粉末 の含有率によって増減させることができる。
シリカ粉末中の超微粉末の含有率は、エ ノールとシリカ粉末の配合物を200W出力の超 音波ホモジナイザーに3分間かけてシリカ粉 10質量%のシリカスラリーを調製し、それを 開き0.45μmのメンブランフィルター上に自然 下させ、メンブランフィルターを通過した 末量を測定し、それをシリカ粉末中の百分 とすることによって算出する(シリカ中の超 微粉末の含有率(%)=(フィルター通過のシリカ 末量/測定に供したシリカ粉末量)×100)。
第一の山の極大値が3~15μm、第二の山の極 大値が20~80μmの範囲内にある二つの山を持つ 峰性の粒度分布のシリカ粉末は、それぞれ 粒径範囲にあり、しかも超微粉末を0.1~20質 %含んだシリカ粉末を上述した方法に準じて 製造しておき、それらの適切量を混合するこ とによって製造することができる。
次いで、本発明の組成物について説明す 。本発明の組成物は本発明のシリカ粉末を ム及び/又は樹脂の少なくとも一方に10~99質 %含有させてなるものである。特に、樹脂が エポキシ樹脂である組成物は封止材として好 適である。
組成物に用いるゴムを例示すれば。シリコ
ンゴム、ウレタンゴム、アクリルゴム、ブ
ルゴム、エチレンプロピレンゴム、エチレ
酢酸ビニル共重合体などである。
また、組成物に用いる樹脂を例示すれば、
ポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フェノール
脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂、不飽和ポ
エステル、フッ素樹脂、ポリイミド、ポリ
ミドイミド、ポリエーテルイミド等のポリ
ミド、ポリブチレンテレフタレート、ポリ
チレンテレフタレート等のポリエステル、
リフェニレンスルフィド、全芳香族ポリエ
テル、ポリスルホン、液晶ポリマー、ポリ
ーテルスルホン、ポリカーボネイト、マレ
ミド変成樹脂、ABS樹脂、AAS(アクリロニトリ
ルーアクリルゴム・スチレン)樹脂、AES(アク
ロニトリル・エチレン・プロピレン・ジエ
ゴム-スチレン)樹脂などである。
封止材用の樹脂としては、1分子中にエポ キシ基を2個以上有するエポキシ樹脂が好ま い。例示すれば、フェノールノボラック型 ポキシ樹脂;オルソクレゾールノボラック型 ポキシ樹脂;フェノール類とアルデヒド類の ノボラック樹脂をエポキシ化したもの;ビス ェノールA、ビスフェノールF及びビスフェノ ールSなどのグリシジルエーテル、フタル酸 ダイマー酸などの多塩基酸とエポクロルヒ リンとの反応により得られるグリシジルエ テル酸エポキシ樹脂;線状脂肪族エポキシ樹 ;脂環式エポキシ樹脂;複素環式エポキシ樹 ;アルキル変性多官能エポキシ樹脂;β-ナフト ールノボラック型エポキシ樹脂;1,6-ジヒドロ シナフタレン型エポキシ樹脂;2,7-ジヒドロ シナフタレン型エポキシ樹脂;ビスヒドロキ ビフェニル型エポキシ樹脂;難燃性を付与す るために臭素などのハロゲンを導入したエポ キシ樹脂などである。中でも、耐湿性や耐ハ ンダリフロー性の観点から、オルソクレゾー ルノボラック型エポキシ樹脂、ビスヒドロキ シビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン骨 格のエポキシ樹脂等が最適である。
エポキシ樹脂の硬化剤は、エポキシ樹脂 反応して硬化させるものであれば特に限定 れない。例示すれば、フェノール、クレゾ ル、キシレノール、レゾルシノール、クロ フェノール、t-ブチルフェノール、ノニル ェノール、イソプロピルフェノール、及び クチルフェノールからなる群から選ばれた1 以上の混合物をホルムアルデヒド、パラホ ムアルデヒド又はパラキシレンとともに酸 触媒下で反応させて得られるノボラック型 脂;ポリパラヒドロキシスチレン樹脂;ビス ェノールAやビスフェノールS等のビスフェノ ール化合物;ピロガロールやフロログルシノ ル等の3官能フェノール類;無水マレイン酸、 無水フタル酸や無水ピロメリット酸等の酸無 水物;メタフェニレンジアミン、ジアミノジ ェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホ 等の芳香族アミンなどである。
本発明の組成物には、次の成分を必要に応
て配合することができる。
すなわち、低応力化剤としては、シリコー
ゴム、ポリサルファイドゴム、アクリル系
ム、ブタジエン系ゴム、スチレン系ブロッ
コポリマー、飽和型エラストマー等のゴム
物質;各種熱可塑性樹脂、シリコーン樹脂等
の樹脂状物質;エポキシ樹脂、フェノール樹
の一部又は全部をアミノシリコーン、エポ
シシリコーン、アルコキシシリコーンなど
変性した樹脂などが挙げられる。
シランカップリング剤としては、γ-グリシ
キシプロピルトリメトキシシラン、β-(3,4-
ポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシ
ラン等のエポキシシラン;アミノプロピルト
リエトキシシラン、ウレイドプロピルトリエ
トキシシラン、N-フェニルアミノプロピルト
メトキシシラン等のアミノシラン;フェニル
トリメトキシシラン、メチルトリメトキシシ
ラン、オクタデシルトリメトキシシラン等の
疎水性シラン化合物;メルカプトシランなど
挙げられる。
表面処理剤としては、Zrキレート、チタネ
トカップリング剤、アルミニウム系カップ
ング剤などが挙げられる。
難燃助剤としては、Sb 2
O 3
、Sb 2
O 4
、Sb 2
O 5
などが挙げられ、難燃剤としては、ハロゲン
化エポキシ樹脂やリン化合物などが挙げられ
、着色剤としては、カーボンブラック、酸化
鉄、染料、顔料などが挙げられる。
さらには、ワックス等の離型剤を添加する
とができる。その具体例を挙げれば、天然
ックス類、合成ワックス類、直鎖脂肪酸塩
金属塩、酸アミド類、エステル類、パラフ
ンなどである。
とくに、高い耐湿信頼性や高温放置安定 が要求される場合には、各種イオントラッ 剤の添加が有効である。イオントラップ剤 具体例としては、協和化学社製の商品名「D HF-4A」、「KW-2000」、「KW-2100」や東亜合成化 工業社製の商品名「IXE-600」などである。
本発明の組成物には、エポキシ樹脂と硬 剤との反応を促進させるために硬化促進剤 配合することができる。硬化促進剤として 、1,8-ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン-7、ト リフェニルホスフィン、ベンジルジメチルア ミン、2-メチルイミダゾール等がある。
本発明の組成物は、上記各材料の所定量 ブレンダーやヘンシェルミキサー等により レンドした後、加熱ロール、ニーダー、一 又は二軸押し出し機等によって混練したも を冷却後、粉砕することによって製造する とができる。
本発明の封止材は、本発明の組成物におい
、樹脂がエポキシ樹脂からなるものである
本発明の組成物を用いた半導体の封止方法
は、トランスファーモールド、マルチプラ
ジャー等の成形法が採用される。
次に、実施例及び比較例により本発明をよ
具体的に説明するが、本発明は、以下の実
例に限定して解釈されるものではない。
実施例1~14、比較例1~8
特開平11-71107号公報の図示に準じた装置を
いて球状化処理を行った。すなわち、炉体
2mの炉体の上部に燃焼バーナーを設置し、LPG
を60~100Nm 3
/hr、及び酸素ガスを300~500Nm 3
/hr噴射して炉内温度が1750℃以上である高温
を形成する一方、シリカ粉末原料として金
シリコン粉末(Si純度99.9質量%、平均粒子径5μ
m)を0~12質量%含有した天然珪石粉砕物(SiO 2
純度99.9質量%、平均粒子径3~60μm)100~250kg/hrを
燃焼バーナーの中心部から高温場に噴射し
球状化処理を行った。なお、炉体上部に設
された外気導入口から50~100Nm 3
/hrの空気を流入した。生成したシリカ粉末を
燃焼排ガスと共にブロワーで吸引輸送し、サ
イクロンから捕集した。
LPG、酸素ガス、シリカ粉末原料の噴射量 及び外気流入量を上記範囲内で種々変更し 、炉内温度が1750℃以上となる高温場の形成 範囲をバーナー先端部から2.5~5.0mまでの範囲 変更した。それらの条件と、シリカ粉末原 中の金属シリコン粉末の含有率と、サイク ンから捕集したシリカ粉末(シリカ粉末中間 体a~n)の特性とを表1に示す。なお、シリカ粉 中間体の極大値の調整は、天然珪石粉砕物 平均粒子径の調整と、多段篩分け操作とに って行った。
シリカ粉末中間体a~nを表2、及び表3に示 種々の割合で配合してシリカ粉末A~Vを製造 特性を評価した。それらの結果を表2(実施例 )、及び表3(比較例)に示す。シリカ粉末A~Vの 晶質率はいずれも99%以上であった。
つぎに、シリカ粉末A~Vの封止材としての 性を評価するため、質量基準で、シリカ粉 A~Vを89%に、4,4’-ビス(2,3-エポキシプロポキ )-3,3’、5,5’-テトラメチルビフェニル型エ キシ樹脂4.6%、フェノール樹脂4.7%、トリフ ニルホスフィン0.2%、γ-グリシドキシプロピ トリメトキシシラン0.6%、カーボンブラック 0.3%,及びカルナバワックス0.6%(合計100%)を加え 、ヘンシェルミキサーにてドライブレンドし た後、得られた配合物を同方向噛み合い二軸 押出混練機(スクリュー径D=25mm、ニーディン ディスク長10Dmm、パドル回転数120~160rpm、吐 量4kg/hr、ヒーター温度95~100℃)で加熱混練し 。吐出物を冷却プレス機にて冷却した後、 砕して封止材とし、流動性、充填性及びバ 長さを以下の方法に従って評価した。それ の結果を表2、及び表3に示す。
(1)流動性(スパイラルフロー)
EMMI-I-66(Epoxy Molding Material Institute;Society of
Plastic Industry)に準拠したスパイラルフロー
定用金型を取り付けたトランスファー成形
を用いて、スパイラルフロー値を測定した
トランスファー成形条件は、金型温度175℃
成形圧力7.4MPa、保圧時間90秒とした。
スパイラルフロー値が大きいほど、流動性
良好であることを示す。
(2)充填性(ボイド数)
160ピンQFP(Quad Flat Package;28mm×28mm、厚さ3.6mm
模擬ICチップサイズ15mm×15mm)の半導体パッケ
ージを、トランスファー成形機を用いて24個
製し、パッケージ内に残存する0.1mm以上の
イド数を超音波探傷機を用いてカウントし
1パッケージあたりのボイド数を算出した。
ランスファー成形条件は、金型温度175℃、
形圧力7.4MPa、保圧時間90秒とし、封止材の
レヒート温度を80℃とした。
(3)バリ長さ
32ピンLOC(Lead on Chip)構造TSOP(Thin Small Outline
Package;10mm×21mm、厚さ1.0mm、模擬ICチップサイ
ズ9mm×18mm、リードフレーム42アロイ製)の半導
体パッケージをトランスファー成形機により
48個作製し、バリ長さを測定し、平均した。
ランスファー成形条件は、金型温度175℃、
形圧力7.4MPa、保圧時間90秒とした。
実施例と比較例との対比から明白なよう 、本発明のシリカ粉末の充填された封止材 、シリカ粉末の充填率が89質量%であっても 流動性と充填性に優れ、バリ長さが短いも であった。
本発明のシリカ粉末は、自動車、携帯電子
器、家庭電化製品等のモールディングコン
ウンドなどの樹脂成形部品、更にはパテ、
ーリング材、船舶用浮力材、合成木材、強
セメント外壁材、軽量外壁材、封止材など
充填材として使用される。また、本発明の
成物は、ガラス織布、ガラス不織布、その
有機基材に含浸硬化させてなる、例えばプ
ント基板用のプリプレグ、プリプレグの1枚
又は複数枚を銅箔等と共に加熱成形された電
子部品、更には電線被覆材、封止材、ワニス
などの製造に使用される。また、本発明の封
止材は、小型、薄型、狭ピッチの半導体パッ
ケージへの成形が容易な封止材として使用さ
れる。
なお、2007年8月1日に出願された日本特許出
2007-200701号の明細書、特許請求の範囲、及
要約書の全内容をここに引用し、本発明の
細書の開示として、取り入れるものである