実施の形態1.
 図1はこの発明の実施の形態1に係る加飾部� �を示す断面図で、携帯電話筐体の意匠を構� �する部品である。基材1の表面に半導体層ま� ��は半金属層2が形成されている。
基材1を構成する材料は、例えば、ポリカー� �ネート樹脂(PC樹脂)、アクリロニトリル・ブ� ��ジエン・スチレン樹脂(ABS樹脂)、PC樹脂とABS 樹脂のポリマーアロイ(PC+ABS樹脂)、ポリメタ� ��リル酸メチル(PMMA樹脂)、ポリアミド樹脂(PA� ��脂)などの樹脂、またはガラス繊維などのフ ィラーを配合した樹脂などの絶縁体である。
また、半導体層または半金属層2としてはゲ� �マニウムGe、ケイ素Si、アルファースズα-Sn� �セレンSe、テルルTeが代表として挙げられ、� ��属光沢を呈するものであれば、特に制限は� ��いが、電磁波に影響を及ぼさない範囲とし� ��、半導体または半金属の導電率が10 ³ S/m以下であれば、より好ましい。
ここで、半金属とは、金属性伝導を示すが、 通常の金属より電気抵抗が大きい元素をいう 。長周期型周期表においては、ホウ素Bとア� �タチンAtを結ぶ斜めの線が金属と非金属との 境界線であり、この境界線付近の元素、即ち ホウ素B、炭素C、ケイ素Si、リンP、ゲルマニ� ��ムGe、ヒ素As、セレンSe、スズSn、テルルTe、 ビスマスBi、ポロニウムPo、アスタチンAt)の� �ち、半導体(Ge、Si、α-Sn、Se、Te)を除くもの� �意味する。

 半導体層または半金属層2は、例えば、真空 蒸着にて形成することができる。形成方法の 一例を挙げる。真空蒸着装置の所定位置に基 材1を設置し、蒸着材料として粒状のGeをタン グステンにて形成されたフィラメントに設置 する。真空蒸着装置を真空排気し、所定の真 空度に到達した状態で、タングステンフィラ メントに通電を行い、Geを一気に蒸発させ、� ��材1上に堆積させ半導体層または半金属層2� �形成する。
このような薄膜形成方法は、いわゆる、フラ ッシュ蒸着と呼ばれる方法で、基材に対する 熱影響を抑制することが可能で、樹脂基材へ の薄膜形成に適している。この他、真空蒸着 においては、材料を電子ビームにて溶融させ る方法もあるが、一般的には、蒸発材料の輻 射熱が大きいため、熱影響をきらう基材を用 いる場合には大きな真空槽が必要になる。
また、上記フラッシュ蒸着に際し、イオンガ ンやアンテナ式ボンバード装置を用いて、基 材1の表面をアルゴン(Ar)イオンや酸素(O ₂ )イオン等にて照射すると、半導体層または� �金属層2の膜密着性が向上し、好ましい。こ� ��で、アンテナ式ボンバード装置とは蒸着室� ��円形コイルを設け、これを電極としてチャ� ��バー全体にプラズマを生成させる装置を言� ��。

 図2は基材をガラスとした場合のGeの透過率� ��性を示す図で、横軸は波長(nm)、縦軸は透過 率(T%)であり、特性曲線11~17が各々Ge膜厚1nm、3 nm、5nm、10nm、20nm、40nm、100nmに対する透過率� �性を示している。
図2から分かるように、Geは膜厚の増加と共に 透過率が低下することが分かる。膜厚が5nmよ り厚くなると、波長400nm~800nmの可視光域での� ��均透過率が65%以下となる。発明者らの調査� ��よれば、Ge膜厚が5nm程度から弱い金属光沢� �呈し始め、100nmではっきりとした金属光沢を 呈するようになる。よって、金属光沢を呈す る加飾としては400nm~800nmの可視域での平均透� ��率が65%以下の場合に実現され、好ましくは5 %程度以下となる。

 図3は基材をガラスとした場合のGeの反射率� ��性を示す図で、横軸は波長(nm)、縦軸は透過 率(T%)であり、特性曲線21~29が各々Ge膜厚1nm、3 nm、5nm、10nm、1000nm、400nm、100nm、20nm、40nmに対 する反射率特性を示している。1000nmと400nmに� ��する特性曲線25,26はほとんど重なっている� �
上述の通り、発明者らの調査によれば、Ge膜� ��が5nm程度から弱い金属光沢を呈し始め、100n mではっきりとした金属光沢を呈するように� �る。よって、金属光沢を呈する加飾として� �400nm~800nmの可視域での平均反射率が20%以上の 場合に実現され、好ましくは40%程度以上とな る。

 図4は基材をガラスとした場合のSiの透過率� ��性を示す図で、横軸は波長(nm)、縦軸は透過 率(T%)であり、特性曲線31~38が各々Si膜厚1nm、3 nm、5nm、10nm、20nm、40nm、100nm、400nmに対する透 過率特性を示している。
図4から分かるように、SiはGeと違い、40nm以上 の膜厚では干渉の影響を生じ、波長帯によっ ては膜厚の増加と共に透過率が増加する。こ のことは、加飾で言えば、色コントロールは 不安定であるが、見る角度によって色が変化 しうるという特徴を有することを意味する。

 これら半導体層または半金属層2により加飾 を行うと次のようなメリットが生ずる。すな わち、従来、部品の加飾は、部品表面にアル ミニウムAlやスズSnのような金属材料を形成� �ることにより行われてきた。その理由は、� �属膜の場合、上記Geにて説明したように、膜 厚の増加と共に透過率が低下し金属光沢を呈 する特性を有しているため、加飾の際の膜厚 制御が容易となるからである。
しかしながら、これら加飾部品を携帯電話の 筐体として使用する場合には以下のような問 題が生ずる。すなわち、近年の携帯電話の筐 体はデザイン性を重視することから、携帯電 話と基地局との間で電波を送受信するための アンテナが筐体の内部に配置されていること が多く、金属膜を形成した加飾部品は使用が 制限され、筐体外観のデザイン面で制約とな っていた。最近、この問題を解消するために 、上述したようにこれら金属膜を島状に形成 する、いわゆる、不連続蒸着技術が開発され 、実用化されてきている。

 図5は従来のアンテナ装置における装飾部を 表わす断面図であり、40は装飾部、41は絶縁� �、42は導電材料の粒子を表わす。従来のアン テナ装置における装飾部40においては、導電� ��料42は粒子状で互いに接触しないように形� �されているため、一部電波は導電材料42、絶 縁部41を透過することになる。
しかしながら、装飾部40が金属色に見えるよ� ��絶縁部41の全面に導電材料42が形成されてお り、導電材料42の内部には電流が流れるため� ��飾部40に照射される電磁波が損失を生じ、� �分なアンテナ特性が得られないという問題� �あった。また、一般的には、蒸着物質が不� �続となるのは、~数10Å以下程度の極く薄膜� �おいてであり、通常、100Åを超えるような� �厚においてはこれら島が接触してしまうこ� �から、アンテナ特性が損なわれるようにな� �。
従って、一般的には、前述の不連続蒸着には 厚みの制限が存在する。膜厚に制限が存在す ると、携帯電話の筐体のような矩形部材、曲 面を有する部材の全面に均一に膜形成するこ とが困難で、歩留まりの低下に繋がる。この 他、レーザや露光技術を用いて金属膜にパタ ーン形成し不連続を実現する方法も考えられ るが、コストが上昇するため、適用範囲は制 限される。

 この発明にかかる加飾部品はこのような� ��題を解決することを目的として開発された� ��のである。すなわち、従来の導電材料に変� ��て半導体膜もしくは半金属膜を用いるため� ��加飾部品が電磁波の透過を遮断することが� ��く、携帯電話の筐体として、金属光沢を確� ��した上で所定のアンテナ特性を容易に確保� ��ることができる。また、従来の不連続蒸着� ��比して、半導体膜もしくは半金属膜の膜厚� ��制限が実用上ほとんど存在しないため製造� ��容易で製造コストが低減されるという利点� ��ある。

 金属膜、半導体膜と電磁波との透過、遮� ��の関係は概ね以下のように理解することが� ��きる。すなわち、携帯電話にて使用される� ��磁波はセンチ波、極超短波と呼ばれ、波長� ��囲で言うと概ね1mm~1m程度である。金属膜の� ��合、これら電磁波が照射されると、自由電� ��がバリアを作り(分極作用)、膜中への進入� �防ぐ。そのため、電磁波は金属膜により反� �されることになる。一方、半導体膜の場合� �金属膜のような自由電子を持たないため、� �属膜にて生じる分極作用が生じることはな� �。半導体においては、例えば、Siが約1.1eV(波 長1127nmの電磁波が持つエネルギーに相当)、Ge が約0.7eV(波長1850nmの電磁波が持つエネルギー に相当)のバンドギャップを有し、バンドギ� �ップに相当する波長より長い波長の電磁波� �吸収されることがないため、これら半導体� �表面に形成しても、携帯電話にて使用され� �電磁波は筐体を透過することが可能となる� �

 図7は電磁波を十分に透過させるために必要 な半導体または半金属に求められる導電率に ついて検討した結果である。図6に示した1次� ��の計算モデルに基づき、左方からの平面波� ��半導体層または半金属層(誘電率εr、導電率 σ)に垂直に入射した場合の透過損T(dB)を算出� ��た。ただし半導体層または半金属層の厚さ� ��100nmとした。なお、誘電率εrは1、16、50の場 合について求めたが、透過損T(dB)に対してほ� ��んど影響しない。電磁波を十分に透過し、� ��帯電話としての機能を満足する透過損T(dB)� �しきい値を-0.1dB以下とすると、半導体また� �半金属に求められる導電率は10 ³ S/m以下であることが分かる。本実施の形態で 説明したGeまたはSiの導電率はそれぞれ2.1S/m(a t 300K)、3.16×10 ^-4 S/m(at 300K)であり、いずれも10 ³ S/mよりはるかに低い。

 なお、上記実施の形態においては基材1を構 成する材料として樹脂の一例を挙げたが、基 材1は上記に挙げた樹脂に限らず、その他の� �可塑性樹脂または熱硬化性樹脂、さらには� �ラスやセラミックスなどの他の絶縁体でも� �に問題はなく、同様の効果を奏することは� �うまでもない。
 また、半導体層または半金属層2の成膜方法 として真空蒸着法を用いた方法につき説明し たが、半導体層または半金属層2の製法とし� �はこれに限られることはなく、部品表面に� �的損傷を与えない方法であればいずれの方� �でも良く、スパッタ法、イオンプレーティ� �グ法、スピンコート法などの物理的方法や� �CVD法、メッキ法などの化学的方法を用いる� �とも可能であることは言うまでもない。
 さらに、上記実施の形態においては半導体� ��または半金属層2が単層である場合について 説明したが、電磁波を遮断しない範囲であれ ば、半導体層または半金属層は積層しても良 く、例えば、SiとGeの多層構造とする場合や� �SiとGeを同時蒸着する場合等が挙げられる。
 さらに、上記実施の形態においては、携帯� ��話の筐体への適用例を示したが、この発明� ��かかる加飾部品の適用はかかる例に留まる� ��とはなく、例えばカメラ、携帯用音楽再生� ��、携帯用ゲーム機、携帯用の通信機、ラジ� ��、テレビ、ノート型パソコン、ノート型ワ� ��プロ、ビデオカメラ、電子手帳、各種の赤� ��線式または無線式リモートコントローラ、� ��卓、自動車用電子制御機器など、各種電磁� ��を送受信する電子機器に適用することが可� ��であることは言うまでもない。
 Ge、Siを代表とする半導体は電磁波のみなら ず、近赤外~遠赤外光を透過する特性を有す� �ため、例えば、赤外線センサーを利用する� �器の筐体としても同様の効果を奏すること� �言うまでもない。

 以上のように、この発明に係る加飾部品� ��、部材の表面に、膜厚が5nm以上で、波長400n m~800nmの可視光域における平均透過率が65%以� �かつ平均反射率が20%以上である半導体層ま� �は半金属層を形成して構成されているため� �従来のように導電材料を用いた場合に比べ� �電磁波の透過を遮断することがなく、携帯� �話等の電子機器の筐体として、金属光沢を� �保した上で所定のアンテナ特性を容易に確� �することができる上、従来の不連続蒸着に� �して、半導体膜もしくは半金属膜の膜厚の� �限が実用上ほとんど存在しないため製造が� �易で製造コストが低減されるという利点が� �る。

実施の形態2.
 図8はこの発明の実施の形態2に係る加飾部� �を示す断面図で、基材1の表面上に下地層3が 設けられ、その上に半導体層または半金属層 2が設けられている。半導体層または半金属� �2の上にはさらに保護層4が設けられ半導体層 または半金属層2を保護している。下地層3が� ��けられたのは、基材1と半導体層または半金 属層2との密着性を向上させるためである。� �の構成は実施の形態1にて示した場合と同じ� ��ある。

 下地層3は、特に、基材1が樹脂の場合に効� �が大きく、通常、アンダーコートと呼ばれ� �各種樹脂材料を用いることができる。保護� �4はオーバーコートまたはハードコートとも� ��ばれ、比較的高い硬度を有した透過性の材� ��が用いられる。
 この発明に係る構成とすることで、実施の� ��態1にて示した効果に加え、半導体層または 半金属層2の密着性が向上した加飾部品が実� �される。

実施の形態3.
 図9はこの発明の実施の形態3に係る加飾部� �を示す断面図で、実施の形態2にて示した構� ��に加え、半導体層または半金属層2と保護層 4の間に中間層5が設けられたものである。他� ��構成は実施の形態1にて示した場合と同じで ある。中間層5はミドルコートとも呼ばれ、� �導体層または半金属層2と保護層4との密着性 を向上させるとともに、顔料を添加すること で、外観を変化させることを目的としたもの である。中間層5には透過性の各種樹脂を用� �ることができる。
 この発明に係る構成とすることで、実施の� ��態2にて示した効果に加え、保護層4の密着� �が向上するとともに、デザイン性に優れた� �飾部品が実現される。