図1の斜視図、図2の概略断面図の符号1は、� ��発明の実施例であり、第一例の蒸着装置を� ��している。
 この蒸着装置1は、真空槽11と、蒸着源3とを 有している(図1では真空槽11は省略してある)� ��
 真空槽11には真空排気系9が接続されており� ��真空排気系9を動作させると真空槽11の内部� ��真空排気される。

 蒸着源3は蒸着容器21と、蒸発室15と、供� �装置30とを有している。蒸着容器21は真空槽1 1内部に配置されている。蒸着容器21には複数 の放出口24が列設され、後述するように、供� ��装置30から供給された蒸着材料16が蒸発室15� ��で蒸発すると、その蒸気が蒸着容器21内部� �導入され、各放出口24からは真空槽11の内部� ��蒸着材料の蒸気が放出されるように構成さ� ��ている。

 真空槽11の内部には、基板搬送機構14が配 置されている。基板搬送機構14にはホルダ10� �取りつけられている。ホルダ10に成膜対象物 の基板を保持させ、真空槽11内を移動させる� ��、基板は放出口24と対面する位置を、放出� �24の列設方向と直交する方向に通過するよう に構成されている。

 基板の幅は、放出口24が配置された領域� �長さよりも短く、放出口24から真空槽11の内� ��に放出された蒸着材料蒸気は、基板表面に� ��一に到達し、蒸着材料の薄膜が形成される� ��基板と放出口24の間にマスクを配置し、基� �表面の所定領域にだけ薄膜を形成してもよ� �。

 次に、蒸着源3について詳細に説明する。
 供給装置30は、供給室31と、パイプ32と、回� ��軸35とを有している。供給室31は蒸発室15の� ��方に配置されている。
 パイプ32は蒸発室15の天井に気密に挿通され 、その下端が蒸発室15内部に露出し、上端が� ��給室31の内部に接続されている。

 供給室31はパイプ32よりも大径であり、供給 室31の底面にパイプ32の上端開口が露出して� �る。
 回転軸35は、上端が供給室31とパイプ32の接� ��部分よりも上方に突き出るように、パイプ3 2に挿入されている。

 回転軸35の側面のうち、パイプ32の下端よ りも上の部分には、少なくとも供給室31とパ� ��プ32の接続部分よりも上方位置まで螺旋状� �溝が形成されており、供給室31の底面上に蒸 着材料16がたまると、溝に蒸着材料が接触す� ��。

 この蒸着装置1で使用される蒸着材料16は� ��体である。回転軸35の溝と溝の間の凸部は� �パイプ32の内壁面と接触するか、凸部と内壁 面との間の隙間が、蒸着材料16の粒子径以下� ��あり、回転軸35が静止した状態では、蒸着� �料16が落下しないようになっている。

 真空槽11の外部には回転手段37が配置され ている。回転軸35は回転手段37に接続されて� �り、回転手段37の動力を回転軸35に伝達させ� ��と、回転軸35は上昇も下降もせずに、パイ� �32内に挿通された状態を維持しながら、中心 軸線Cを中心として回転するように構成され� �いる。

 このときの回転方向は、回転軸35を固体に� �じ込んだと仮定した時に、回転軸35が上方に 移動する方向であり、周囲の蒸着材料16は回� ��軸35にかかる力の反作用によって下方に押� �込まれる。
 溝の下端は蒸発室15の内部空間に接続され� �おり、蒸着材料16が下方に押し込められると 蒸発室15内部に落下する。

 回転軸35を1回転させた時に落下する蒸着� ��料16の量は予め分かっており(例えば1回転で 0.01g)、必要量に応じた回転数で回転軸35を回� ��させることで、必要量の蒸着材料16を蒸発� �15に供給することができる。

 蒸発室15には透明な窓部19が設けられてい る。ここでは、蒸発室15は真空槽11内部に位� �し、真空槽11の側壁の窓部19と対面する位置� ��も窓部4が設けられている。

 真空槽11の外部には加熱手段であるレー� �ー照射装置2が配置されており、レーザー照� ��装置2が照射するレーザー光は、窓部4、19を 通過し、蒸発室15内部の蒸着材料16に入射し� �蒸発室15内部に蒸着材料16の蒸気が発生する� ��

 蒸発室15と蒸着容器21は仕切り部材25で内� ��空間が仕切られており、仕切り部材25に設� �られた小孔(孔)38によって蒸発室15と蒸着容� �21の内部が接続され、蒸発室15で発生した蒸� ��は、小孔38を通って蒸着容器21に移動し、放 出口24を通って真空槽11の内部に放出される� �

 ここでは、蒸発室15と蒸着容器21は一面が 互いに向き合って配置され、蒸発室15と蒸着� ��器21の間にパイプ26が設けられ、パイプ26に� ��って蒸発室15と蒸着容器21の内部空間が接続 されている。

 従って、仕切り部材25は、蒸発室15と蒸着 容器21の互い対面する壁面と、パイプ26の壁� �で構成され、小孔38はパイプ26の内部空間の� ��ち、最も大きさが小さい部分で構成されて� ��る。ここでは、パイプ26は内径が均一であ� �(例えば内径1mmのステンレス管)、パイプ26内� ��の任意の一部分が小孔38となる。

 仕切り部材25のうち、少なくとも小孔の� �囲(パイプ26)には加熱手段28が設けられてい� �。ここでは、加熱手段28は、蒸発室15と、蒸� ��容器21にも取り付けられており、該加熱手� �28に通電し、蒸発室15と、蒸着容器21と、パ� �プ26を蒸気が析出しない温度に加熱すれば、 蒸気が析出せずに蒸発室15から小孔38を通り� �蒸着容器21へ移動する。

 尚、仕切り部材25と小孔38は特に限定され ず、図3に示す第二例の蒸着装置50のように、 蒸着容器21と蒸発室15を一枚の壁51で仕切り、 その壁51を仕切り部材とし、その壁51に形成� �た貫通孔55を小孔としてもよい。

 次に、本発明の蒸着装置1を用いて有機薄膜 を成膜する工程について説明する。
 ここでは、真空槽11と、蒸発室15と、蒸着容 器21と、供給室31にはそれぞれ真空排気系9が� ��続されており、真空槽11と、蒸発室15と、蒸 着容器21と、供給室31をそれぞれ真空排気し� �所定圧力の真空雰囲気を形成した後真空槽11 の真空排気は続けたまま、蒸発室15と、蒸着� ��器21と、供給室31の真空排気を停止する。

 供給室31には、蒸着材料16として、例えば有 機EL素子用の有機材料(電荷移動材料、電荷発 生材料、発光材料等)が予め収容されている� �
 一枚の基板の成膜に必要な蒸着材料16の量� �予め分かっており、真空槽11の真空排気を続 けたまま、一枚以上の基板の成膜に必要な量 の蒸着材料16を供給装置30から蒸発室15に供給 し、蒸発室15と、パイプ26と、蒸着容器21を加 熱手段で蒸着材料16の蒸気が析出しない温度( 例えば150℃~450℃)に保温しながら、レーザー� ��を蒸着材料16に照射し、蒸発させる。

 蒸発室15の内部空間は蒸着容器21の内部空間 よりも小さくなっている。蒸着材料16が蒸発� ��ると、蒸発室15内部に蒸着材料16の蒸気が充 満し、蒸発室15の圧力が蒸着容器21の圧力よ� �も高くなり、圧力差によって蒸気が蒸着容� �21に移動する。
 真空槽11の真空排気が続けられ、所定圧力� �真空雰囲気(例えば10 ^-7 Torr)にされているので、蒸気は蒸着容器21か� �真空槽11に引き出される。従って、蒸着容器 21の内部の圧力は蒸発室15よりも常に低くな� �。

 上述したように、蒸発室15の内部空間と� �着容器21の内部空間は、仕切り部材25よりも� ��さい小孔38で接続されているから、蒸発室15 と蒸着容器21の圧力差はより大きくなる。

 蒸着容器21内には真空計5が配置されてい� ��。真空計5とレーザー照射装置2はそれぞれ� �御装置7に接続されている。制御装置7には、 予め目標圧力が設定されており、真空計5か� �送られる信号に基づいて蒸着容器21内の圧力 を求め、その圧力が目標圧力になるように、 レーザー照射装置2の照射時間、パルス数等� �変え、蒸着材料16の蒸発量を増減させる。

 小孔38の大きさは、蒸着容器21の内部圧力が 目標圧力になった時に、蒸発室15の内部圧力� ��所定範囲になるように設定されている。例� ��ば目標圧力が10 ^-4 Torrの時、蒸発室15の内部圧力は10 ^-3 Torr~10 ^-2 Torrである。

 ホルダ10に、成膜面を下側に向けた状態� �基板6を保持させておき、蒸着容器21の内部� �力が目標圧力で安定し、放出口24からの蒸気 放出量が安定したところで、放出口24と対面� ��る位置(成膜位置)を通過するように基板6を� ��動させると、基板6の表面に有機薄膜が形成 される。

 所定枚数の基板6が成膜位置を通過し終わ ったところで、次の基板6が成膜位置に到達� �る前に、所定枚数の成膜に必要な量の蒸着� �料16を供給装置30から供給されるように、回� ��軸35を決められた回数回転させる。このと� �の供給量は、基板一枚分であってもよいし� �複数枚分であってもよい。

 決められた供給量の蒸着材料16が供給さ� �終わったところで、新たな基板6を成膜位置� ��移動させ、有機薄膜を形成する。このよう� ��、蒸着材料16の供給と、所定枚数の成膜と� �繰り返せば、多数枚の基板6を連続して処理� ��ることができる。尚、蒸着材料16の供給は� �毎回同じ量を供給してもよいし、供給量を� �えてもよい。

 蒸発室15には必要な量の蒸着材料16が必要 に応じて供給されるので、従来のように大量 の蒸着材料16が長時間加熱されることなく、� ��着材料16は劣化しない。

 以上は、蒸着材料16の加熱にレーザー照� �装置2を用いる場合について説明したが、本� ��明はこれに限定されず、加熱装置としては� ��通電によって発熱する抵抗発熱体、電磁誘� ��によって蒸着容器21を加熱する装置、赤外� �放射によって蒸着容器21を加熱する装置、昇 温させた熱媒体の熱伝導によって蒸着容器21� ��加熱する装置、ペルチェ効果によって加熱� ��る装置等の蒸着容器21を加熱する装置等を� �いることができる。

 レーザー光は無機材料だけでなく、モノ� ��ー、オリゴマー、ポリマー等の有機材料を� ��発可能であり、しかも、蒸発するときに蒸� ��材料の化学組成の変化が少ないので特に好� ��しい。

 また、蒸着材料16の変性物や不純物は、� �収波長が、変性する前の目的化合物とは異� �るから、目的化合物に吸収されやすい波長� �レーザー光を選択すれば、蒸着材料16の一部 が変性したり、不純物が混入したとしても、 目的化合物のだけを選択的に蒸発させ、変性 物や不純物の混入量が少ない薄膜を形成でき る。

 レーザー照射装置2として、レーザー光の 波長を可変な可変型のものを用いれば、蒸着 材料16の吸収波長に応じて、放出するレーザ� ��光の波長を選択できるので、本発明の蒸着� ��置1を多様な蒸着材料16の成膜に用いること� ��できる。

 レーザー光の波長は特に限定されないが、� ��着材料16がポリマーの場合は、例えば680nm~10 .6μmである。レーザー照射装置2の一例を述べ ると、口径10μm~20μmのCO ₂ レーザーである。

 上記実施例では本発明の蒸着装置によって� ��機薄膜を形成したが、本発明の蒸着装置は� ��長時間の加熱によって劣化する蒸着材料を� ��空雰囲気内で蒸発させ、複数の成膜対象物� ��逐次薄膜を形成する製造方法に適しており� ��蒸発室15内で蒸気を発生させる蒸着材料は� �機化合物に限定されるものではない。要す� �に、本発明の蒸着装置は、有機化合物の薄� �を形成する場合の他、無機薄膜や複合材料� �薄膜を形成するのにも用いることができる� �
 蒸発室15と供給装置30を真空槽11の外部に配� ��することもできる。この場合、真空槽11に� �部4を設ける必要はない。

 また、一つの蒸着容器21に接続する蒸発� �15の数は特に限定されず、一つの蒸着容器21� ��複数の蒸発室15を小孔38を介して接続し、複 数の蒸発室15から蒸着容器21に蒸気を供給し� �もよい。この場合、各蒸発室15から同じ蒸着 材料16の蒸気を供給してもよいし、異なる蒸� ��材料16の蒸気を供給してもよい。異なる蒸� �材料16の蒸気を同時に供給すれば、2種類以� �の蒸着材料16からなる薄膜が形成される。

 以上は、蒸発室15と蒸着容器21にも真空排 気系9に接続する場合について説明したが、� �発明はこれに限定されない。真空排気系9を� ��空槽11だけに接続し、真空槽内部を真空排� �することで、放出口24を介して蒸着容器21の� ��部を真空排気し、更に小孔38を介して蒸発� �15の内部を真空排気することもできる。更に 、蒸発室15と蒸着容器21のいずれか一方を真� �排気系に接続することもできる。

 以上は、放出口24を鉛直上方に向け、成膜� �を下側に向けて基板を搬送する装置につい� �説明したが、本発明はこれに限定されるも� �ではない。
 例えば、図4の符号70に示す第三例の蒸着装� ��のように、細長の蒸着容器21を、長手方向� �鉛直下方に向けて配置してもよい。この蒸� �装置70には、図1、2の蒸着装置1と同じ部材に は同じ符号を付して説明を省略する。

 基板搬送機構74はホルダ77に保持された基板 6を鉛直に向けた状態で搬送可能になってお� �、基板6は放出口24と対面する位置を通過し� �放出口24から放出される蒸気によって基板6� �面に薄膜が形成される。