SCHWINGKÖRPERSENSORS

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Bestimmung der Konzentration eines Dampfes in einem Volumen, insbesondere zur Bestimmung oder Regelung des Massenflusses des von einem Trägergas durch das Volumen geförderten Dampfes, wobei das Volumen mit einer Heizeinrichtung auf eine Temperatur oberhalb der Kondensationstemperatur des Dampfes aufheizbar ist beziehungsweise aufgeheizt wird, mit einem Sensor, der ein von der Konzentration des Dampfes abhängiges Sensorsignal liefert.

Die DE 10 2011 051 931 AI beschreibt eine OLED-Beschichtungseinrichtung. In einem Depositionsreaktor befindet sich ein Suszeptor, dessen Oberfläche ge- kühlt wird und ein zu beschichtendes Substrat trägt. Aus einem auf eine Temperatur oberhalb der Kondensationstemperatur eines Dampfes aufgeheizten Gaseinlassorgan wird ein Trägergas-Dampfgemisch in die Prozesskammer eingespeist. Der Dampf kondensiert auf der Oberfläche des Substrates, wobei die Qualität der Schicht einerseits von der Konzentration (dem Partialdruck) des Dampfes in der Prozesskammer, andererseits aber auch von der Temperatur der Substratoberfläche abhängt. Bei einem Verfahren zum Abscheiden von

OLED-Schichten auf einem Substrat ist die Beibehaltung einer zeitlich konstanten Dampffluss-Rate in die Prozesskammer gewünscht. Der Dampf wird in einem Dampferzeuger durch Wärmebeaufschlagung eines festen oder flüssigen Ausgangsstoffes erzeugt. Der Ausgangsstoff kann als Aerosol in ein Verdampfungsvolumen gebracht werden. Das Verdampfungsvolumen wird von einem Trägergas durchströmt, mit welchem der Dampf in die Prozesskammer gebracht wird. Das Trägergas wird über einen Massenfluss-Kontroller in das Rohrleitungssystem der Verdampfungseinrichtung eingespeist. Mit einem zweiten Sensor wird ein Sensorsignal gewonnen, welches von der Konzentration (dem Partialdruck) des Dampfes beeinflusst wird.

Aus den WO 2010/130775 AI, US 2006/0179918 AI und US 8,215,171 Bl sind sogenannte QCM-Sensoren (Quartz crystal microbalance) bekannt. Diese Sensoren werden in Vakuum-Bedampfungsvorrichtungen, sogenannten

VTE-Systemen (Vacuum thermal evaporation) verwendet. Ein QCM-Sensor besteht aus einem Quarzkristall, der in seiner Resonanzfrequenz zum Schwingen angeregt wird. Bei der Bedampfung, beispielsweise der Bedampfung von Objekten mit Metallen, beispielsweise Gold, oder aber auch der Bedampf ung von Objekten mit Nichtmetallen kondensiert eine gewisse Dampfmenge auf einem Abschnitt der Oberfläche des von dem Quarz gebildeten Schwingkörper. Der Schwingkörper wird beim Stand der Technik auf einer Temperatur von etwa 50°C gehalten. Während des Beschichtungsvorganges wächst eine Kon- densatschicht auf der Oberfläche des Schwingkörpers auf. Diese zusätzliche

Masse verstimmt den Schwingkörper, so dass sich die Frequenz zeitlich ändert. Dies erfolgt nach der sogenannten SAUERBREY-Gleichung. Bei der bekannten Verwendung dieses QCM-Sensors wird der Beschichtungsprozess beendet, wenn diese Oszillatorfrequenz einen vorbestimmten Endwert erreicht hat.

Nach einer bestimmten Anzahl von Beschichtungsvorgängen muss der Sensor entweder ausgetauscht oder gereinigt werden, damit seine Schwingfähigkeit erhalten bleibt, da die auf dem Quarzkristall abgeschiedenen Schichten nicht nur die Frequenz, sondern auch die Amplitude beeinflussen, da sie dämpfend wirken.

Bauartbedingt lassen sich handelsübliche QCM-Sensoren nicht bei hohen, wesentlich oberhalb von 50°C liegenden Temperaturen verwenden. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, bei einer gattungsgemäßen Vorrichtung oder einem gattungsgemäßen Verfahren, insbesondere einem Verfahren zum Abscheiden von OLED-Schichten einen Sensor zur Bestimmung der Dampfkonzentration anzugeben, dessen Sensorsignal vom Trägergas nicht oder allenfalls geringfügig beeinflusst wird.

Gelöst wird die Aufgabe durch das in den Ansprüchen angegebene Verfahren und die in den Ansprüchen angegebene Vorrichtung. Zunächst und im Wesentlichen wird vorgeschlagen, dass als Sensor ein

QCM-Sensor verwendet wird, also ein Sensor, der einen in Oszillation bringbaren Schwingkörper aufweist, dessen Oszillationsfrequenz von einer auf einer Oberfläche des Schwingkörpers vom kondensierten Dampf gebildeten Massenanhäufung, insbesondere Schicht beeinflusst wird. Die Oszillatorfrequenz hängt einerseits von der Dicke und andererseits von der Qualität, also den physikalischen aber auch chemischen Eigenschaften der Schicht ab. Der Sensor wird in dem Volumen angeordnet, durch welches der Trägergasstrom den Dampf transportiert. Durch die zeitliche Änderungsrate der Resonanzfrequenz des vom Schwingkörper ausgebildeten Oszillators lässt sich ein Wert für die Dampf- konzentration (Partialdruck) innerhalb des Volumens ableiten. Aus der Flussrate des kontrolliert in das Volumen eingespeisten und das Volumen durchströmenden Trägergases lässt sich dann die Flussrate des Dampfes ermitteln.

Die Erfindung betrifft darüber hinaus die Verwendung eines derartigen Sensors bei einer Gasversorgung einer OVPD-Beschichtungseinrichtung, die einen De- positionsreaktor aufweist, in dem ein kühlbarer Suszeptor angeordnet ist zur Aufnahme ein oder mehrerer zu beschichtender Substrate. Die Erfindung betrifft somit auch eine Vorrichtung zum Verdampfen eines flüssigen oder festen Ausgangsstoffs mit einem beheizbaren Verdampfer, in den durch eine Ein- trittsöffnung ein Eingangsstrom eines Trägergases eintritt, welches den Ver- dampfer durchströmt und zusammen mit einem durch Verdampfen des Ausgangsstoffs erzeugten Dampf als Ausgangsstrom aus dem Verdampfer durch eine Austrittsöffnung austritt. In Stromrichtung ist vor der Eintrittsöffnung ein erster Sensor angeordnet zur Ermittlung eines den Massenfluss des Eingangs- Stromes zugeordneten ersten Wertes. Die Erfindung betrifft die Weiterbildung eines zweiten Sensors zur Ermittlung eines vom Partialdruck des Dampfes abhängigen zweiten Wertes. Mit einer Recheneinrichtung einer Auswerteeinrich- tung und/ oder eines Reglers wird durch Inbeziehungsetzen der beiden Werte ein dem Partialdruck des im Ausgangsstrom transportierten Dampfes entspre- chender Wert gewonnen. Erfindungs gemäß wird der zweite Wert aus der zeitlichen Änderung der Oszillationsfrequenz des OCM-Sensors gewonnen. Mit einem entsprechenden Verfahren zum Erzeugen eines in einem Trägergas transportierten Dampfs lässt sich dann der Massenfluss des Dampfes ermitteln, der in eine Prozesskammer einer OVPD-Beschichtungsanlage eingespeist wird. Der Sensor kann somit als Bestandteil eines geschlossenen Regelkreises verwendet werden, da mit ihm Antwortzeiten von 0,1 Sekunde oder weniger verwirklichbar sind. Das Sensorsignal des Sensors wird einem Regler zugeleitet, der die Verdampfungsrate beziehungsweise den Massenfluss des Trägergases steuern kann. Durch eine Variation der Dampferzeugungsrate oder des Trä- gergasflusses lässt sich die Förderrate des Dampfes mit hoher Genauigkeit einstellen und konstant halten. Das Volumen, in dem sich der Sensor befindet, kann auf Temperaturen größer als 200°C, insbesondere größer als 350°C und auf Temperaturen, die bis 450°C erreichen, aufgeheizt werden. Ein Sensorkristall aus Gallium-Ortho-Phosphat (GaPO ₄ ) erweist sich als optimal, wenn die Sen- sortemperaturen größer als 160°C und bevorzugt auch größer als 180°C liegen sollen. Die Wachstumsrate, mit der der Dampf auf der Oberfläche des

Schwingkörpers kondensiert und die physikalischen Schichteigenschaften hängen von der Kondensationstemperatur ab. Es ist von Vorteil, wenn die Sensortemperatur nur geringfügig unterhalb der Kondensationstemperatur liegt. Die Temperatur innerhalb des Volumens liegt deutlich höher als die Kondensati- onstemperatur des Dampfes, ist aber geringer als die Zerlegungstemperatur, bei der sich der Dampf chemisch zerlegen kann. Die Temperatur der Sensoroberfläche kann auf einer Temperatur gehalten werden, die etwa 50° niedriger liegt als die Kondensationstemperatur des Dampfes oder als die oberhalb der Kon- densationstemperatur des Dampfes liegende Gastemperatur im Volumen. Die Wachstumsrate der Schicht auf der Oberfläche des Schwingkörpers beeinflusst die Änderung der Frequenz des Schwingkörpers. Eventuelle nicht lineare Zusammenhänge werden über einen Korrekturfaktor berücksichtigt. Der Sensor ist bevorzugt innerhalb des Gasstroms angeordnet, der den Dampf transportiert. Die Sensoroberfläche wird deshalb mit einer relativ hohen Dampf konzentration beaufschlagt. Die Oberflächentemperatur des Sensors wird so eingestellt, dass sich eine möglichst geringe Wachstumsrate einstellt, so dass der Sensor über eine längere Zeit betrieben werden kann. Es ist von besonderem Vorteil, wenn der Sensor auf Temperaturen oberhalb der Kondensationstemperatur des Dampfes aufheizbar ist. Er ist insbesondere auf die Temperatur des Gasvolumens aufheizbar, die im Bereich zwischen 200 und 450°C liegen kann. Bei einer derart erhöhten Temperatur dampft die Beschichtung von der Schwingkörperoberfläche wieder ab, so dass der Sensor in situ gereinigt werden kann. Es können zwei Sensoren verwendet werden. Die beiden Sensoren sind jeweils mit dem Regler verbunden und können alternativ verwendet werden. Der zur Regelung beziehungsweise zur Bestimmung der Dampf konzentration im Volumen verwendete Sensor wird mit Hilfe einer Temperiereinrichtung gekühlt. Die Temperiereinrichtung kann einen Kühlflüssigkeitskanal aufweisen, der von einer Kühlflüssigkeit durchströmt wird. Der Schwingkörper kann in einem Gehäuse angeordnet sein, welches die besagten Kühlkanäle aufweist, wobei die Kühlkanäle bevorzugt so angeordnet sind, dass lediglich der Schwingkörper und insbesondere lediglich dessen dem Dampf ausgesetzte Oberfläche gekühlt wird. Bei der Verwendung von zwei Sensoren wird der nicht zur Regelung verwendete Sensor nicht gekühlt. Dessen aktive Oberfläche des Schwingkörpers ist somit auf einer Temperatur, bei der eine Beschichtung von der aktiven Ober- fläche abdampfen kann. In einer bevorzugten Ausgestaltung besitzt das Sensorgehäuse eine Verschlusseinrichtung, mit der eine Öffnung, rückwärtig derer sich die aktive Oberfläche des Schwingkörpers befindet, verschlossen werden kann, so dass die aktive Oberfläche nicht dem Dampf ausgesetzt ist. Durch das zyklische Reinigen der Sensoroberfläche durch Aufheizen des Sensors auf eine Temperatur, die oberhalb der Kondensationstemperatur liegt, lässt sich die Standzeit um einen Faktor 100 gegenüber der Standzeit von QCM-Sensoren erhöhen, wie sie gemäß eingangs genanntem Stand der Technik verwendet werden. Der erfindungsgemäße Sensor kann bei Totalgasdrücken im Bereich von 0,1 und 10 mbar verwendet werden. Die Einsatztemperatur des Sensors liegt zwischen 200 und 400°C. Der Dampf im Trägergas kann einen Massenanteil von 0,1 bis 10% besitzen. Die Massenkonzentration des Dampfes innerhalb der Messzelle wird durch die Änderungsrate der Schwingfrequenz des

Schwingkörpers ermittelt. Die eingangs genannte DE 10 2011 051 931 AI, die DE 10 2011 051 261 AI und die DE 10 2011 051 260 AI beschreiben Verfahren und Vorrichtungen zur Regelung der Dampfproduktionsrate durch einerseits Variation der Förderleistung des zu verdampfenden Stoffs und andererseits durch Variation der Verdampfungstemperatur. Die insbesondere das Regelverfahren und die Regel Vorrichtung betreffenden Merkmale dieser drei Druckschriften werden vollinhaltlich mit in den Offenbarungsgehalt dieser Anmeldung einbezogen. Eine bevorzugte Regeleinrichtung zur Regelung der Dampfproduktionsrate umfasst erfindungsgemäß zwei Regelkreise. Mit einem ersten Regelkreis, der eine große Zeitkonstante aufweist, also ein„langsamer" Regler ist, wird eine durchschnittliche Dampfproduktionsrate auf einem vorgegebenen Durchschnittswert gehalten. Dies erfolgt durch die Variation der Förderleistung des zu verdampfenden Stoffs. Die mittlere Förderleistung des zu verdampfenden Stoffs entspricht langfristig der durchschnittlichen Dampfproduktionsrate. Mit einem zweiten Regelkreis, der eine verglichen mit dem ersten Regelkreis kleine Zeitkonstante aufweist, also ein„schneller" Regler ist, werden kurzzeitige Abweichungen einer aktuellen Dampfproduktionsrate von einem Mittelwert kompensiert. Kurzzeitige Abweichungen können beispielsweise eine periodische Natur haben, wenn eine Fördereinrichtung zur Förderung des zu verdampfenden Stoffs, also bevorzugt eines zu verdampfenden Pulvers, mechanische, rotativ betriebene Antriebs- beziehungsweise Fördermittel aufweist. Kurzzeitige Störungen in der Konstanz der Förderleistung können aber auch in einer Inhomogenität des zu verdampfenden Pulvers begründet sein. Diese kurzzeitigen Änderungen werden durch Erhöhen beziehungsweise Absenken der Verdampfungstemperatur kompensiert, wobei mit dem ersten Regelkreis die Förderleistung so eingestellt wird, dass die Verdampfungstemperatur so- wohl nach oben als auch nach unten variiert werden kann. Begrenzt ist die

Verdampfungstemperatur nach unten durch die Kondensationstemperatur und nach oben durch die Zerlegungstemperatur des zu verdampfenden Stoffs. Mit dem ersten Regelkreis wird die Förderleistung so eingestellt, dass im zeitlichen Mittel die Verdampfungstemperatur etwa in der Mitte zwischen einer oberen Grenztemperatur und einer unteren Grenztemperatur liegt.

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachfolgend anhand beigefügter Zeichnungen erläutert. Es zeigen: Fig. 1 schematisch den Aufbau einer OLED-Beschichtungseinrichtung und

Fig. 2 schematisch den Aufbau eines in der Figur 1 bezeichneten

QCM-Sensors. Die in der Figur 1 dargestellte Beschichtungseinrichtung besitzt einen Deposi- tionsreaktor 9. Es handelt sich um einen gasdichten Behälter, in dem sich eine Prozesskammer befindet, in der ein Totaldruck von 0,1 bis 100 mbar einstellbar ist. Insbesondere ist dort ein geregelter Totaldruck von 0,1 bis 10 mbar einstellbar. Innerhalb des Depositionsreaktors 9 befindet sich ein Suszeptor 12, der Kühlkanäle 15 aufweist, durch die eine Kühlflüssigkeit fließen kann, um den Suszeptor 12 auf einer definierten Depositionstemperatur zu halten. Auf der Oberseite des Suszeptors liegt ein zu beschichtendes Substrat 11 auf.

Oberhalb des Suszeptors 12 befindet sich ein duschkopfartiges Gaseinlassorgan 10, durch welches ein Dampfträgergasgemisch in die zwischen Suszeptor 12 und Gaseinlassorgan 10 angeordnete Prozesskammer eingeleitet werden kann. Das Gaseinlassorgan 10 ist auf einer Temperatur gehalten, die oberhalb der Kondens ationstemperatur des Dampfes liegt, so dass ein gasförmiger Ausgangsstoff in die Prozesskammer gebracht wird und sich der Dampf auf dem Substrat 11 niederschlagen kann. Das Kondensat des Dampfes bildet eine OLED-Schicht.

Das Gaseinlassorgan 10 wird mittels einer Dampf einspeiseleitung 14 mit einem Trägergas-Dampfgemisch gespeist, welches in einem Dampferzeuger 2, 3, 4 erzeugt wird. Der Dampferzeuger 2, 3, 4 und die Dampfeinspeiseleitung 14 werden mittels einer Heizeinrichtung 8 auf einer Temperatur gehalten, die oberhalb der Kondensationstemperatur des Dampfes aber unterhalb der Zerlegungstemperatur des Dampfes liegt. Mittels eines Massenflusskontrollers 7 wird ein definierter Fluss eines Trägergases, beispielsweise Stickstoff, durch eine eine Eintrittsöffnung bildende Zuleitung 13 in den Verdampfer 2, 3, 4 eingeleitet.

Im Ausführungsbeispiel besitzt der Verdampfer eine Injektionskammer, in die ein Injektor 4 mündet, mit dem ein zu verdampfender Festkörper oder eine zu verdampfende Flüssigkeit als Aerosol in die Injektionskammer gebracht wird.

Das Aerosol gelangt in einen heißen Verdampfungskörper 3, wo es verdampft.

Die Flüssigkeit oder der Festkörper wird über eine Fördereinrichtung aus einem

Vorratsbehälter transportiert. Der Injektor 4 kann Teil eines Aerosolerzeugers 5 sein, mit dem der Festkörper oder die Flüssigkeit als Aerosol in den Träger- gasstrom eingespeist wird. Die Förderrate des festen oder flüssigen zu verdampfenden Ausgangsstoffs beziehungsweise der Massenfluss des Trägergases wird von einem Regler 6 vorgegeben. In dem Verdampfungskörper 3 wird dem zu verdampfenden Feststoff oder der zu verdampfenden Flüssigkeit, insbesondere dem erzeugten Aerosol Wärme zugeführt, so dass der Festkörper oder die Flüssigkeit ihren Aggregationszu- stand ändert. Der Ausgangsstoff verlässt den Verdampfungskörper 3 als im Trägergas transportierter Dampf durch eine eine Austritts Öffnung bildende Leitung 14. Er erreicht das Volumen 2, in dem sich ein Sensorelement 1 befindet, welches in der Lage ist, die Massenkonzentration beziehungsweise den Partial- druck des Dampfes innerhalb des Volumens 2 zu bestimmen. Aus der im Mas- senflusskontroller 7 eingestellten Trägergas-Massenfluss lässt sich somit der Massenfluss des Dampfes durch die sich dem Volumen 2 anschließende Leitung 14, also der Austrittsleitung, bestimmen.

Der Regler 6 erhält als Eingangsgröße entweder das Sensorsignal des Sensors 1 oder aber ein aus dem Sensorsignal 1 durch Messwert-Umformung gewonnenes, dem Massenfluss des Dampfes proportionales Messsignal.

Durch Variation der Förderrate des zu verdampfenden Festkörpers oder der zu verdampfenden Flüssigkeit oder durch Variation der Verdampfungstemperatur des zu verdampfenden Stoffes und Variation des im Massenflussregler 7 eingespeisten Massenflusswertes kann der Massenfluss des Dampfes eingestellt und zeitlich konstant gehalten werden.

Der in der Figur 2 dargestellte Sensor 1 besitzt ein Gehäuse 24. Das Gehäuse 24 besitzt eine Öffnung 21. Die Öffnung ist mittels eines Verschlusses 22 verschließbar. Die Verschlussstellung ist in der Figur 2 gestrichelt dargestellt. Der Boden der Öffnung 21 wird von einer aktiven Oberfläche 18 eines Kristalls aus Gallium-Ortho-Phosphat oder einem ähnlichen Werkstoff gebildet. Der Kristall 17 wird mittels einer Temperiereinrichtung 19 auf einer Temperatur gehalten, die niedriger ist, als die Temperatur des Volumens 2. Während die Temperatur des Volumens 2 oberhalb der Kondensationstemperatur des Dampfes, also ins- besondere oberhalb von 350°C liegt, liegt die Temperatur des Kristalls 17 und insbesondere die Temperatur der aktiven Oberfläche 18 auf einer Temperatur, die niedriger ist, als die Kondensationstemperatur des Dampfes, also beispielsweise bei 300°C. Dies hat zur Folge, dass sich auf der Oberfläche 18 eine mit der Zeit dicker werdende Schicht abscheidet. Bei dieser Schicht handelt es sich um kondensierten Dampf.

Mittels einer nicht dargestellten elektrischen Anregungsvorrichtung bildet der Kristall 17 einen Schwingkreis. Die Resonanzfrequenz dieses Schwingkreises wird von den physikalischen Eigenschaften des Kristalls 17 bestimmt. Die Re- sonanzfrequenz wird aber auch durch die Massenanhäufung auf der aktiven Oberfläche 18 beeinflusst. Die kondensierte Schicht bildet eine Massenanhäufung auf der aktiven Oberfläche, die zu einer Dämpfung und zu einer Verstimmung der Resonanzfrequenz führt. Beispielsweise kann die Resonanzfrequenz mit zunehmender Schichtdicke abnehmen. Die Frequenz, mit der der Kristall 17 schwingt, ist somit ein Maß für die Dicke der auf der aktiven Oberfläche 18 abgeschiedenen Schicht. Demzufolge ist die Änderungsrate der Frequenz ein Maß für die Dampfkonzentration (den Partialdruck) innerhalb des Volumens, da die Abscheiderate, also die Wachstumsrate der auf der aktiven Oberfläche 18 abgeschiedenen Schicht von der Dampfkonzentration abhängig ist.

Die Wachstumsrate der auf der aktiven Oberfläche 18 abgeschiedenen Schicht ist aber auch von der Temperatur des Kristalls 17 beziehungsweise der Temperatur der aktiven Oberfläche 18 abhängig. Um eine möglichst lange Verwen- dungszeit des Sensors zu gewährleisten, ist vorgesehen, dass die Temperatur der aktiven Oberfläche nur geringfügig unterhalb der Kondensationstemperatur liegt. Beispielsweise kann die Temperatur der aktiven Oberfläche 18 50°C weniger betragen als die Kondensationstemperatur des Dampfes. Eine derart hohe Temperatur hat nicht nur eine geringe Wachstumsrate zur Folge, sondern auch die Bildung einer dichten beziehungsweise kompakten Schicht. Die abgeschiedene Schicht bildet sich mit einer minimalen Fehlstellungskonzentration, also einer dichtesten Packung der die Schicht bildenden Moleküle. Dies hat eine geringe Dämpfung des Schwingverhaltens des Kristalls 17 zur Folge. Eine geringere Wachstumsrate unterdrückt darüber hinaus Diffusionseinflüsse, die das Träger gas auf die Wachstumsrate hat.

Der Dampf besteht aus aromatischen Kohlenwasserstoffen, die als Festkörper eine höhere Elastizität aufweisen, als Metall oder anderweitige anorganische Materialien.

Beim erfindungsgemäßen Verfahren lässt sich mit Hilfe des zuvor beschriebenen Sensors 1 selektiv die Massenkonzentration eines verdampften organischen Ausgangsstoffs in einem Trägergas bestimmen. Als Trägergas wird beispielsweise N ₂ verwendet. Dies erfolgt bei erhöhten Temperaturen oberhalb von 200°C und bei Gasdrucken im Bereich von 0,1 und 10 mbar. Der Anteil des

Dampfes am Dampf trägergasgemisch kann 0,1 bis 10 % betragen. Der Sensor 1 erreicht eine Antwortzeit von weniger als 0,1 Sekunden. Als Teil eines Regelkreises kann mit dem Sensor 1 eine Dampfzufuhrrate zeitlich konstant gehalten werden.

Da der erfindungsgemäße Sensor durch Aufheizen der aktiven Oberfläche 18 auf eine Temperatur oberhalb der Kondensationstemperatur selbsttätig und in situ gereinigt werden kann, besitzt eine bevorzugte Variante der Erfindung zwei oder mehr derartige Sensoren 1, die wahlweise zur Regelung verwendet werden können. Der zur Regelung verwendete Sensor wird über die Zulei- tung/ Ableitung 20 mit einer Kühlflüssigkeit, die in die Kühlkanäle 15 der Temperiereinrichtung eingespeist wird, auf eine Temperatur unterhalb der Kondensationstemperatur des Dampfes gekühlt. Die Sensorfrequenz wird über elektrische Leitungen 23 dem Regler 6 zugeführt. Die Öffnung 21 ist geöffnet.

Ein nicht zur Regelung verwendeter Sensor 1 wird nicht gekühlt. Seine aktive Oberfläche 18 besitzt eine Temperatur, die oberhalb der Kondensationstemperatur des Dampfes liegt, so dass eine sich dort gebildete Schicht verdampfen kann oder so dass dort keine Schicht wächst. Die Öffnung 21 kann aber auch mit dem Verschluss 22 verschlossen sein.

Der Regler 6 liefert zwei Stellgrößen. Mit einer ersten Stellgröße wird die Förderleistung eines zu verdampfenden Stoffes, insbesondere eines zu verdampfenden Pulvers, eingestellt. Beispielsweise kann dies durch Steuerung der Drehzahl einer Förderschnecke erfolgen, mit der ein Pulver zu einem Aerosolerzeuger gefördert wird, mit dem es in einen Gasstrom gebracht wird, der auf Verdampferflächen gerichtet ist. Mit einer zweiten Stellgröße wird die Temperatur der Verdampferflächen eingestellt. Gewisse Mengen des zu verdampfenden Pulvers können an den Verdampfungsflächen anhaften und so ein Reser- voir bilden. Mit Hilfe dieses Reservoirs kann durch Variation der Verdampfungstemperatur die Dampfproduktionsrate kurzfristig variiert werden. Die langfristige Variation der Dampfproduktionsrate erfolgt durch Steuerung der Förderrate, mit der der zu verdampfende Stoff in den Verdampfer gebracht wird.

Der Regler 6 umfasst somit zwei Regelkreise. Mit dem ersten Regelkreis, der eine große Zeitkonstante besitzt, wird die Förderleistung des zu verdampfenden Stoffs geregelt. Die Förderleistung wird so eingestellt, dass eine durchschnittliche Dampfproduktionsrate auf einem vorgegebenen Sollwert gehalten ist. Mit dem zweiten Regelkreis wird die Verdampfungstemperatur verändert. Der zweite Regelkreis hat eine gegenüber der Zeitkonstante des ersten Regelkreises kleine Zeitkonstante. Mit diesem zweiten Regelkreis kann auf kurzzeitige Abweichungen der Dampfproduktionsrate durch Änderung der Verdampfungstemperatur reagiert werden. Beispielsweise kann durch Absenken der Ver- dampfungstemperatur die Verdampfungsleistung vermindert werden. Hierdurch kann sich eine Speichermasse in dem Verdampfer ansammeln. Durch Anheben der Verdampfungstemperatur kann diese Speichermasse verdampft werden, um auf ein kurzzeitiges Absinken der Förderleistung zu reagieren. Ein hier verwendetes Regel verfahren beziehungsweise eine anzuwendende

Regelvorrichtung beschreiben die DE 10 2011 051 261 AI, DE 10 2011 051 260 AI und DE 10 2011 051 931 AI, die zum Gegenstand der Offenbarung dieser Anmeldung gehören. Die vorstehenden Ausführungen dienen der Erläuterung der von der Anmeldung insgesamt erfassten Erfindungen, die den Stand der Technik zumindest durch die folgenden Merkmalskombinationen jeweils eigenständig weiterbilden, nämlich: Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass der Sensor 1 einen in eine Oszillation bringbaren Schwingkörper 17 aufweist, dessen Oszillationsfrequenz von einer auf einer Oberfläche 18 des Schwingkörpers 17 vom kondensierten Dampf gebildeten Massenanhäufung beeinflusst wird, wobei der Schwingkörper 17 eine Temperiereinrichtung 19, 20 aufweist, mit der er auf eine Temperatur unterhalb der Kondensationstemperatur des Dampfes bringbar ist, wobei eine Auswerteeinrichtung die Konzentration beziehungsweise den Parti- aldruck aus der zeitlichen Änderung der Oszillatorfrequenz ermittelt.

Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass der Sensor 1 einen oszil- lierenden Schwingkörper 17 aufweist, dessen Oszillationsfrequenz von einer auf einer Oberfläche 18 des Schwingkörpers 17 vom kondensierten Dampf gebildeten Massenanhäufung beeinflusst wird, wobei der Schwingkörper 17 mittels einer Temperiereinrichtung 19, 20 auf einer Temperatur unterhalb der Kondensationstemperatur des Dampfes gebracht wird und die Konzentration be- ziehungsweise der Partialdruck aus der zeitlichen Änderung der Oszillatorfrequenz ermittelt wird.

Eine Vorrichtung oder ein Verfahren, die dadurch gekennzeichnet sind, dass die Temperiereinrichtung 19, 20 eine Kühleinrichtung ist, mit der der Schwingkör- per 17 gekühlt wird.

Eine Vorrichtung oder ein Verfahren, die dadurch gekennzeichnet sind, dass der Schwingkörper 17 ein Kristall aus Gallium-Ortho-Phosphat (GaPO ₄ ) ist. Eine Vorrichtung oder ein Verfahren, die dadurch gekennzeichnet sind, dass mittels einer Einspeiseeinrichtung 7 ein Trägergas in einen Verdampfer 2, 3, 4 eingespeist wird, in welchen eine Flüssigkeit oder ein Festkörper durch Wärmebeaufschlagung in einen gasförmigen Zustand gebracht wird, wobei die Flussrate des Trägergases und/ oder die Dampf produktionsrate des Verdamp- fers 2, 3, 4 von einem Regler 6 veränderbar ist, der zusammen mit dem Sensor 1 einen geschlossenen Regelkreis bildet.

Eine Vorrichtung oder ein Verfahren, die dadurch gekennzeichnet sind, dass der Regler 6 zur Regelung der Dampfproduktionsrate zwei Regelkreise aufweist: Einen, eine große Zeitkonstante aufweisenden ersten Regelkreis, mit dem eine durchschnittliche Dampfproduktionsrate auf einem vorgegebenen Durchschnittswert durch Variation der Förderleistung des zu verdampfenden Stoffs geregelt wird, und einen eine kleine Zeitkonstante aufweisenden zweiten Regelkreis, mit dem kurzzeitige Abweichungen der aktuellen Dampfprodukti- onsrate vom Durchschnittswert durch Änderung der Verdampfungstemperatur kompensiert werden.

Eine Vorrichtung oder ein Verfahren, die dadurch gekennzeichnet sind, dass der Sensor 1, der Verdampfer 2, 3, 4 Teile einer Gasversorgung einer

OVPD-Beschichtungseinrichtung sind, die einen Depositionsreaktor 9 aufweist, in den ein kühlbarer Suszeptor 12 angeordnet ist zur Aufnahme ein oder mehrerer zu beschichtender Substrate 11, wobei durch eine Zuleitung 13 ein Eingangsgasstrom eines Trägergases in den Verdampfer 2, 3, 4 eintritt, welches den Verdampfer 2, 3, 4 durchströmt und zusammen mit dem im Verdampfer 2, 3, 4 durch Verdampfen eines Ausgangsstoffs erzeugten Dampf als Ausgangsstrom aus dem Verdampfer 2, 3, 4 durch eine Einspeiseleitung 14 austritt, wobei der Massenfluss des Eingangsstromes mit einem vor der Eintrittsöffnung angeordneten Sensorelement 7 ermittelt wird und mit dem Sensor 1 ein vom Partial- druck des Dampfes abhängiger Wert, wobei mittels einer Recheneinrichtung durch Inbeziehungsetzen der beiden Werte ein dem Massenfluss des im Ausgangsstrom transportierten Dampfes entsprechender Wert gewonnen wird.

Eine Vorrichtung oder ein Verfahren, die dadurch gekennzeichnet sind, dass der Sensor 1 auf Temperaturen bis zu 450°C aufheizbar ist.

Eine Vorrichtung oder ein Verfahren, die dadurch gekennzeichnet sind, dass die Oberfläche 18 mittels eines Verschlusses 22 verschließbar ist. Eine Vorrichtung oder ein Verfahren, die dadurch gekennzeichnet sind, dass zwei baugleiche Sensoren 1 verwendet werden, wobei jeweils ein Sensor 1 auf einer Temperatur unterhalb der Kondensationstemperatur des Dampfes und insbesondere unterhalb der Temperatur des Volumens 2 gehalten wird und der jeweils andere Sensor 1 auf einer Temperatur oberhalb der Kondensationstem- peratur und insbesondere auf der Temperatur des Volumens 2 gehalten wird. Eine Vorrichtung oder ein Verfahren, die dadurch gekennzeichnet sind, dass der Sensor 1 auf einer Temperatur von größer als 160°C, bevorzugt größer als 180°C und besonders bevorzugt auf einer Temperatur von 50°C unterhalb der Tem- peratur des Volumens 2 gehalten wird, und/ oder, dass die Temperatur des Volumens 2 größer als 200°C, größer als 350°C und insbesondere kleiner als 450°C ist.

Eine Vorrichtung oder ein Verfahren, die dadurch gekennzeichnet sind, dass der Sensor 1 zur Reinigung auf eine Temperatur oberhalb der Kondensationstemperatur des Dampfes aufgeheizt wird, so dass das sich auf der Sensoroberfläche gebildete Kondensat abdampft.

Eine Vorrichtung oder ein Verfahren, die dadurch gekennzeichnet sind, dass der Totaldruck innerhalb des Volumens 2 im Bereich zwischen 0,1 und 10 mbar liegt, und/ oder, dass die Massenkonzentration des Dampfes im Trägergas im Bereich zwischen 0,1 und 10% liegt.

Alle offenbarten Merkmale sind (für sich, aber auch in Kombination unterei- nander) erfindungswesentlich. In die Offenbarung der Anmeldung wird hiermit auch der Offenbarungsinhalt der zugehörigen/ beigefügten Prioritätsunterlagen (Abschrift der Voranmeldung) vollinhaltlich mit einbezogen, auch zu dem Zweck, Merkmale dieser Unterlagen in Ansprüche vorliegender Anmeldung mit aufzunehmen. Die Unteransprüche charakterisieren mit ihren Merkmalen eigenständige erfinderische Weiterbildungen des Standes der Technik, insbesondere um auf Basis dieser Ansprüche Teilanmeldungen vorzunehmen. Bezugszeichenliste:

1 Sensor

2 Volumen

3 Verdampfungskörper

4 Injektor

5 Aerosolerzeuger

6 Regler

7 Massenflussregler, -kontroller

8 Heizeinrichtung

9 Depositionsreaktor

10 Gaseinlassorgan

11 Substrat

12 Suszeptor

13 Zuleitung

14 Dampfeinspeiseleitung

15 Kühlkanal

16 Gasaustrittsöffnung

17 Kristall

18 Oberfläche

19 Temperiereinrichtung

20 Zuleitung/ Ableitung

21 Öffnung

22 Verschluss

23 Leitung

24 Gehäuse