以下、誘電体共振器装置の構成例を説明� ��る。

 図1は、誘電体共振器1の構成を説明する� �である。同図(A)は、誘電体共振器1の正面図� ��あり、同図(B)は、図中に一点鎖線(B-B’)で� �す部分の誘電体共振器1の断面図である。

 誘電体共振器1は、誘電体ブロック2を備� �ている。誘電体ブロック2は誘電体材料によ� ��組成された略直方体形状のブロックである� ��誘電体ブロック2の内部には正面から背面に かけて、誘電体ブロック2の内部を貫通する� �導体形成孔3が設けられている。内導体形成� ��3は、大径孔3Aと小径孔3Bとからなるステッ� �構造である。なお、内導体形成孔は、誘電� �ブロック内部で軸心がずれる異軸構造であ� �てもよい。

 誘電体ブロック2の外面の略全体には外導 体6が設けられている。誘電体ブロック2正面� ��外導体6には、矩形筒状に外導体6が除去さ� �た電極非形成領域5Cが内導体形成孔3の外周� �形成されている。この電極非形成領域5Cが第 一の開放面電極非形成領域に相当する。また 、略矩形状に外導体6が除去された電極非形� �領域5Bが、電極非形成領域5Cの内側に突設さ� ��ている。電極非形成領域5Bが第二の開放面� �極非形成領域に相当する。

 また、内導体形成孔3の内面には、内導体 4が設けられている。内導体4は、大径孔周面� ��体部4Aと小径孔周面導体部4Bと段差面導体部 4Cとから構成されている。大径孔周面導体部4 Aは内導体形成孔3の大径孔3Aの内周面に形成� �れている。小径孔周面導体部4Bは内導体形成 孔3の小径孔3Bの内周面に形成されている。段 差面導体部4Cは、大径孔3Aと小径孔3Bとの、軸 方向に略垂直な段差面に形成されている。こ の段差面には、略矩形状に段差面導体部4Cが� ��去された電極非形成領域5Aが形成されてい� �。電極非形成領域5Aが段差面電極非形成領域 に相当する。

 この内導体4は電極非形成領域5Cにより誘� ��体ブロック2の正面側で一端が開放され、誘 電体ブロック2の背面で他端が外導体6に接続� ��れて、1/4波長共振器を構成している。

 なお、各導体非形成領域5A,5B,5Cは、レー� �のスポットを走査して導体を削除するレー� �加工により形成すると好適である。

 電極非形成領域5Aを設けているため、こ� �誘電体共振器1の1/4波長共振器の共振周波数� ��低いものになる。導体非形成領域5Aを設け� �い場合よりも導体非形成領域5Aを設けた場合 のほうが、誘電体共振器1の1/4波長共振器の� �振周波数を低くできる。

 また、共振器の開放端の近傍に導体非形� ��領域5Bを設けているが、これにより、この� �電体共振器1の1/4波長共振器の共振周波数は� ��いものになる。導体非形成領域5Bを設けな� �場合よりも導体非形成領域5Bを設けた場合の ほうが、1/4波長共振器の共振周波数を高くで きる。

 したがって、1/4波長共振器の共振周波数� ��導体非形成領域5Aにより下げ調整し、導体� �形成領域5Bにより上げ調整できる。本構成で は、共振周波数の上げ調整と下げ調整とが、 誘電体ブロック2の正面側に露出する部分で� �施できる。

 なお、導体非形成領域5Aによる共振周波� �の調整量は、導体非形成領域の加工面積に� �って左右される。図2に、導体非形成領域5A� �加工面積と共振周波数の関係を説明するグ� �フを示す。このグラフは、実際に製作した10 個の誘電体共振器に対して、導体非形成領域 5Aを形成する前に共振周波数を測定した平均� ��と、導体非形成領域5Aを小面積にて形成し� �共振周波数を測定した平均値と、導体非形� �領域5Aを大面積にて形成して共振周波数を測 定した平均値と、を示す。共振周波数の平均 値は、導体非形成領域5Aの形成前には約2022MHz であった。小面積の導体非形成領域5Aの形成� ��には約2020MHzであった。大面積の導体非形成 領域5Aの形成後には約2018MHzであった。このよ うに、導体非形成領域5Aの加工面積によって� ��共振周波数の下げ調整の程度を設定できる� ��

 なお、導体非形成領域5Aの形成位置によ� �て、共振周波数の調整感度は異なる。具体� �には、段差面における軸心方向内側ほど調� �感度は高く、軸心方向外側ほど調整感度は� �い。そのため、共振周波数を大きく調整す� �場合には、導体非形成領域5Aの形成位置を軸 心方向内側とすると、導体非形成領域5Aの形� ��面積を微小に変化させても共振周波数を大� ��く変化させられるので好適である。一方、� ��振周波数を精緻に調整する場合には、導体� ��形成領域5Aの形成位置を軸心方向外側とす� �と、導体非形成領域5Aの形成面積を大きく変 化させても共振周波数は小さくしか変化しな いので好適である。

 ところで、レーザビームによる熱で導体� ��除去して導体非形成領域5Aを形成する場合� �どには、加工によって生じる加工熱により� �電体材料に特性劣化が生じてしまう。した� �って、導体非形成領域5Aの形成面積が大きい 場合には加工熱が大きく、特性劣化も著しい ものになってしまう。この問題を回避するた めには、導体非形成領域5Aの形成面積を小さ� ��することが望ましく、電極非形成領域5Aは� �差面における軸心方向内側の端部付近、具� �的には、軸心方向内側の端部と軸心方向外� �の端部との中央位置よりも、軸心方向内側� �位置に、小面積で配置すると好適である。

 次に、この誘電体共振器1の製造工程のう ち、レーザ加工による電極非形成領域の形成 工程について説明する。この形成工程よりも 前の工程については、どのような工程を用い ても良く、ここでは説明を省く。従来の誘電 体ブロックの成形工程、従来の導体膜の成膜 工程、および従来の誘電体ブロックおよび導 体膜の焼成工程などを前工程とすると好適で ある。

 図3は、電極非形成領域の形成工程のフロ ーである。この形成工程では、まず、第一プ ロセス(S1)で所定の姿勢制御を行って、誘電� �ブロック2の正面側がレーザ照射面を向くよ� ��に、誘電体ブロック2を加工調整機に設置す る。ここで、加工調整機に設置する誘電体ブ ロック2は、前工程で、誘電体ブロック2が成� ��され、外面および内導体形成孔3内面の全面 が導体膜で覆われた、焼成済みのものである 。

 次プロセス(S2)では、加工調整機よりレー ザを照射して、誘電体ブロック2の正面側に� �出する導体膜の一部を除去する。最初のレ� �ザ加工では、導体非形成領域5C部分の電極を 除去する。このレーザ加工プロセス(S2)では� �レーザ加工によって生じる熱により、誘電� �材料や導体膜の特性が劣化してしまう。そ� �ため次プロセス(S3)では、加工調整機内で熱� ��理を行って、誘電体材料や導体膜を改質し� ��特性を回復させる。

 この熱処理プロセス(S3)で特性回復した誘 電体共振器1に対して、次プロセス(S4)では、� ��工調整機内で共振特性の測定および品質の� ��格判定を行う。この品質判定プロセス(S4)で は、予め設定された合格品質(適格共振特性)� ��あると特性が測定されれば、誘電体共振器1 は良品として選別され、加工調整機から退出 させられる。一方、予め設定された合格品質 を満たさなければ、この誘電体共振器1に対� �て再びレーザ加工プロセス(S2)が行われる。

 この2度目以降のレーザ加工プロセス(S2)� �は、導体非形成領域5A部分または導体非形成 領域5B部分の電極が除去される。具体的には� ��前プロセス(S4)で測定された共振周波数が、 合格品質の共振周波数よりも高すぎる場合に は、内導体形成孔3の段差面に、導体非形成� �域5Aを形成する。一方、前プロセス(S4)で測� �された共振周波数が、合格品質の共振周波� �よりも低すぎる場合には、誘電体ブロック2� ��面に、導体非形成領域5Bを形成する。

 このようなレーザ加工プロセス(S2)後には 、再び加工調整機内で熱処理プロセス(S3)を� �って、誘電体材料や導体膜を改質し、特性� �回復させ、品質判定プロセス(S4)で、再び共� ��特性の測定および合格判定を行う。

 以上のフローにより、誘電体共振器1の製 造工程では合格判定を合格するまで(または� �格判定の実施回数が上限調整数に達するま� �)、レーザ加工プロセス(S2)、熱処理プロセス (S3)、および合格判定プロセス(S4)が繰り返さ� ��る。そのため、導体非形成領域5Aおよび導� �非形成領域5Bの形成面積が調整され、一定品 質以上の良品と判定される誘電体共振器1が� �産されることになる。

 電極非形成領域5A~5Cは、いずれも誘電体� �ロック2の正面側に露出するようにして設け� ��れているので、誘電体ブロック2は、最初に 姿勢制御されて加工調整機に設置された以降 に、再び姿勢制御される必要がない。

 次に、誘電体フィルタの構成例を説明す� ��。図4は誘電体フィルタ11正面の加工時の状� ��を説明する図である。

 誘電体フィルタ11は、ステップ構造の3つ� ��内導体形成孔13,23,33それぞれに対応する3段� ��共振器を構成し、図示しない側面に入出力� ��の共振器に結合する入出力電極を形成して� ��る。

 誘電体ブロック2の正面には外導体16と開� ��面電極12,22,32とが設けられている。誘電体� �ロック2の正面には、内導体形成孔13,23,33の� �差面(ステップ面)に設けた段差面導体部14C,24 C,34Cが、内導体形成孔13,23,33の一端から露出� �る。外導体16と開放面電極12,22,32との間は、� ��極非形成領域15C,25C,35Cを形成して、分離し� �いる。また、段差面導体部14C,24C,34Cには、電 極非形成領域15A,25A,35Aを形成して、共振周波� ��を調整している。

 電極非形成領域15A,25A,35Aと電極非形成領� �15C,25C,35Cの形成には、レーザ加工を用いる。 レーザ加工プロセスではレーザ照射装置51と� ��射鏡52とを用いる。レーザ照射装置51は、誘 電体フィルタ11の電極除去のためのレーザを� ��射する。反射鏡52は揺動自在にレーザ経路� �配置されていて、レーザ照射装置51の照射し たレーザを反射する。反射鏡52は設置角度が� ��御されて、レーザの反射角を変化させ、誘� ��体フィルタ11に照射されるレーザのスポッ� �を走査する。

 なお、電極非形成領域15Aは段差面導体部1 4Cの図中左側に配置し、電極非形成領域25Aは� ��差面導体部24Cの図中右側に配置し、電極非� ��成領域35Aは段差面導体部34Cの図中上側に配� ��している。これらの配置の違いは、共振周� ��数や共振器間結合度に殆ど寄与せず、した� ��って、電極非形成領域15A,25A,35Aの配置方向� �ついてはどのようなものであってもよい。

 次に、誘電体デュプレクサの構成例を説� ��する。図5は誘電体デュプレクサ101の展開図 であり、同図(A)が短絡面図、同図(B)が断面図 、同図(C)が開放面図である。

 誘電体デュプレクサ101は、誘電体ブロッ� ��102を備えている。誘電体ブロック102は、内� ��体形成孔113,123,133,143,153,163と結合孔173とが� �部を貫通する。各内導体形成孔はステップ� �造で、かつ異軸構造である。具体的には、� �れぞれ短絡面側孔部113A,123A,133A,143A,153A,163Aと 、開放面側孔部113B,123B,133B,143B,153B,163Bとを備� ��ている。

 内導体形成孔113,123,133は受信側フィルタ� �構成し、短絡端側孔部113A,123A,133Aの配置間隔 が、開放面側孔部113B,123B,133Bの配置間隔より� ��広く、それぞれの内面に設けた内導体が互� ��に容量性結合する。

 結合孔173は誘電体ブロック102の開放端面� ��外導体に導通し、誘電体ブロック102の短絡� ��でアンテナ端子174に導通する。アンテナ端� ��174は外導体から分離されている。

 内導体形成孔143,153,163は送信側フィルタ� �構成し、短絡端側孔部143A,153A,163Aの配置間隔 が、開放面側孔部143B,153B,163Bの配置間隔より� ��狭く、それぞれの内面に設けた内導体が互� ��に誘導性結合する。

 各内導体形成孔113,123,133,143,153,163におけ� �、開放面側孔部と短絡面側孔部との段差面(� ��軸面)にも内導体は形成され、内導体形成孔 113の段差面には電極非形成領域115が形成され ている。電極非形成領域115は、開放面側孔部 113Bを介して誘電体ブロック102の開放面に露� �する。内導体形成孔163の段差面には電極非� �成領域165が形成されている。電極非形成領� �165は、開放面側孔部163Bを介して誘電体ブロ� ��ク102の開放面に露出する。

 最後に、上述の構成例の説明は、すべて� ��点で例示であって、制限的なものではない� ��考えられるべきである。本発明の範囲は、� ��述の構成例ではなく、特許請求の範囲によ� ��て示される。さらに、本発明の範囲には、� ��許請求の範囲と均等の意味および範囲内で� ��すべての変更が含まれることが意図される� ��