Elektrische Kontaktstruktur für ein Halbleiterbauelement und Halbleiterbauelement

Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2014 107 555.2, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.

Es werden eine elektrische Kontaktstruktur für ein

Halbleiterbauelement und ein Halbleiterbauelement angegeben.

Zumindest eine Aufgabe von bestimmten Ausführungsformen ist es, eine elektrische Kontaktstruktur für ein

Halbleiterbauelement anzugeben, die bevorzugt eine

zuverlässige Kontaktierung des Halbleiterbauelements erlaubt. Zumindest eine weitere Aufgabe von bestimmten

Ausführungsformen ist es, ein Halbleiterbauelement mit einer solchen elektrischen Kontaktstruktur anzugeben.

Diese Aufgaben werden durch Gegenstände gemäß den

unabhängigen Patentansprüchen gelöst. Vorteilhafte

Ausführungsformen und Weiterbildungen der Gegenstände sind in den abhängigen Ansprüchen gekennzeichnet und gehen weiterhin aus der nachfolgenden Beschreibung und den Zeichnungen hervor .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist eine elektrische Kontaktstruktur für ein Halbleiterbauelement eine

transparente elektrisch leitende Kontaktschicht auf. Die elektrische Kontaktstruktur kann insbesondere dafür

eingerichtet sein, das Halbleiterbauelement elektrisch zu kontaktieren. Der elektrische Kontakt kann insbesondere mittels der transparenten elektrisch leitenden Kontaktschicht erfolgen .

Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist ein

Halbleiterbauelement die elektrische Kontaktstruktur auf einer Oberfläche einer Halbleiterschichtenfolge auf.

Insbesondere kann das Halbleiterbauelement ein Substrat aufweisen, auf dem die Halbleiterschichtenfolge aufgebracht ist. Die Oberfläche, auf der die elektrische Kontaktstruktur angeordnet ist, kann insbesondere eine dem Substrat

abgewandte Oberseite der Halbleiterschichtenfolge sein, so dass die elektrische Kontaktstruktur einen Oberseitenkontakt zur elektrische Kontaktierung der Halbleiterschichtenfolge darstellt. Die Halbleiterschichtenfolge kann somit zwischen dem Substrat und der elektrischen Kontaktstruktur angeordnet sein .

Die hier und im Folgenden beschriebenen Merkmale gelten gleichermaßen für die elektrische Kontaktstruktur sowie für das Halbleiterbauelement mit der elektrischen

Kontaktstruktur .

Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die elektrische Kontaktstruktur eine erste metallische Kontaktschicht auf. Die erste metallische Kontaktschicht ist insbesondere auf der transparenten elektrisch leitenden Kontaktschicht angeordnet.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die elektrische Kontaktstruktur eine zweite metallische Kontaktschicht auf, die die erste metallische Kontaktschicht vollständig

überdeckt. Dies kann insbesondere bedeuten, dass die zweite metallische Kontaktschicht von der transparenten elektrisch leitenden Kontaktschicht aus gesehen über der ersten metallischen Kontaktschicht angeordnet ist und weiterhin in einer lateralen Richtung eine größere Ausdehnung als die erste metallische Kontaktschicht aufweist. Eine laterale Richtung bezeichnet hier und im Folgenden eine Richtung entlang der Haupterstreckungsebene der transparenten

elektrisch leitenden Kontaktschicht. Insbesondere kann die zweite metallische Kontaktschicht zumindest in einer oder auch in allen lateralen Richtungen über die erste metallische Kontaktschicht hinausragen, so dass bei einer Aufsicht auf die zweite metallische Kontaktschicht die zweite metallische Kontaktschicht in zumindest einer oder auch in allen

lateralen Richtungen breiter ist als die erste metallische Kontaktschicht . Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die elektrische Kontaktstruktur eine Trennschicht auf, die zwischen der transparenten elektrisch leitenden Kontaktschicht und der zweiten metallischen Kontaktschicht angeordnet ist und die die zweite metallische Kontaktschicht von der transparenten elektrisch leitenden Kontaktschicht trennt. Dass zwei

Schichten durch eine weitere Schicht getrennt werden, bedeutet hier und im Folgenden, dass die zwei Schichten zumindest zum Teil aufgrund der trennenden Schicht keinen direkten Kontakt zueinander haben. Im Falle der hier

beschriebenen elektrischen Kontaktstruktur bedeutet dies insbesondere, dass die zweite metallische Kontaktschicht keinen direkten unmittelbaren und physischen Kontakt zur transparenten elektrisch leitenden Kontaktschicht hat.

Insbesondere kann die Trennschicht die zweite metallische Kontaktschicht von der transparenten elektrisch leitenden Kontaktschicht in den Bereichen trennen, in denen die

transparente elektrisch leitende Kontaktschicht nicht von der ersten metallischen Kontaktschicht und gegebenenfalls auch nicht von einer Barriereschicht bedeckt ist und in denen die zweite metallische Kontaktschicht die transparente elektrisch leitende Kontaktschicht bei Abwesenheit der Trennschicht direkt kontaktieren würde.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die elektrische Kontaktstruktur zwischen der ersten und zweiten metallischen Kontaktschicht eine Barriereschicht auf, die die erste metallische Kontaktschicht vollständig überdeckt und die von der zweiten metallischen Kontaktschicht, bevorzugt

vollständig, überdeckt wird. Insbesondere ist die zwischen der ersten und zweiten metallischen Kontaktschicht

angeordnete Barriereschicht dafür vorgesehen, die erste und zweite metallische Kontaktschicht voneinander zu trennen, so dass die erste und zweite metallische Kontaktschicht keinen unmittelbaren und physischen Kontakt zueinander haben. Die Barriereschicht kann insbesondere unmittelbar und in

physischem Kontakt zur ersten metallischen Kontaktschicht auf dieser angeordnet sein. Die zweite Metallschicht kann

insbesondere unmittelbar und in physischem Kontakt zur

Barriereschicht auf dieser angeordnet sein. Die

Barriereschicht kann somit in direktem Kontakt sowohl zur ersten als auch zur zweiten Metallschicht stehen. Bei der hier beschriebenen elektrischen Kontaktstruktur kann die erste metallische Kontaktschicht insbesondere unmittelbar und im physischen Kontakt mit der transparenten elektrisch leitenden Kontaktschicht auf dieser angeordnet sein.

Weiterhin kann besonders bevorzugt die Trennschicht

unmittelbar und im physischen Kontakt mit der transparenten elektrisch leitenden Kontaktschicht auf dieser angeordnet sein. Dies bedeutet mit anderen Worten, dass die erste metallische Kontaktschicht und die Trennschicht nebeneinander, also in lateraler Richtung benachbart

zueinander, auf der transparenten elektrisch leitenden

Kontaktschicht angeordnet sind. Die Trennschicht kann hierbei von der ersten metallischen Kontaktschicht beabstandet sein, so dass in lateraler Richtung eine Lücke zwischen der ersten metallischen Kontaktschicht und der Trennschicht vorhanden ist. In der Lücke ist die transparente elektrisch leitende Kontaktschicht weder von der ersten metallischen

Kontaktschicht noch von der Trennschicht bedeckt. Die

Trennschicht kann in diesem Fall eine Öffnung aufweisen, in der die erste metallische Kontaktschicht angeordnet ist, wobei die Öffnung eine größere Ausdehnung in lateraler

Richtung aufweist als die erste metallische Kontaktschicht. Weist die elektrisch leitende Kontaktstruktur eine

Barriereschicht zwischen der ersten und zweiten metallischen Kontaktschicht auf, so kann ein Teil der Barriereschicht in der Lücke zwischen der Trennschicht und der ersten

metallischen Kontaktschicht angeordnet sein, so dass in lateraler Richtung ein Teil der Barriereschicht zwischen der ersten metallischen Kontaktschicht und der Trennschicht angeordnet ist. Die Barriereschicht kann somit unmittelbar auf der transparenten elektrisch leitenden Kontaktschicht in einem die erste metallische Kontaktschicht umgebenden Bereich angeordnet sein.

Alternativ hierzu kann es auch möglich sein, dass die

Trennschicht bis zur ersten metallischen Kontaktschicht heranreicht oder sogar bis unter die erste metallische

Kontaktschicht reicht, wobei die Trennschicht in diesem Fall eine Öffnung aufweist, in der ein Teil der ersten

metallischen Kontaktschicht durch die Trennschicht hindurch zur transparenten elektrisch leitenden Kontaktschicht reicht. Weist die elektrische Kontaktstruktur zwischen der ersten und zweiten metallischen Kontaktschicht eine Barriereschicht auf, so kann diese in den vorgenannten Fällen jeweils einen

Bereich aufweisen, der auf der Trennschicht angeordnet ist, so dass sich die Barriereschicht über einen Teil der

Trennschicht und über die erste metallische Kontaktschicht erstrecken kann. Die Barriereschicht kann also die

Trennschicht teilweise überdecken. Hierbei kann die

Barriereschicht unmittelbar und in physischem Kontakt auf einem Teil der Trennschicht angeordnet sein.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die elektrische Kontaktstruktur besonders bevorzugt eine transparente

elektrisch leitende Kontaktschicht auf, auf der die erste metallische Kontaktschicht aufgebracht ist, wobei auf der ersten metallischen Kontaktschicht die zweite metallische

Kontaktschicht so aufgebracht ist, dass die erste metallische Kontaktschicht von der zweiten metallischen Kontaktschicht vollständig überdeckt ist, und wobei eine Trennschicht zwischen der transparenten elektrisch leitenden

Kontaktschicht und der zweiten metallischen Kontaktschicht angeordnet ist und die zweite metallische Kontaktschicht von der transparenten elektrisch leitenden Kontaktschicht trennt. Weiterhin kann es auch besonders bevorzugt sein, wenn

zwischen der ersten und zweiten metallischen Kontaktschicht die Barriereschicht angeordnet ist, die die erste metallische Kontaktschicht vollständig überdeckt und die von der zweiten metallischen Kontaktschicht überdeckt wird.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird bei einem Verfahren zur Herstellung der Kontaktstruktur für ein

Halbleiterbauelement die transparente elektrisch leitende Kontaktschicht auf einer Halbleiterschichtenfolge

aufgebracht. Auf der transparenten elektrisch leitenden Kontaktschicht wird die erste metallische Kontaktschicht aufgebracht. Weiterhin wird auf der transparenten elektrisch leitenden Kontaktschicht die Trennschicht aufgebracht. Die Trennschicht kann hierbei vor oder nach der ersten

metallischen Kontaktschicht aufgebracht werden. Insbesondere wird die Trennschicht mit zumindest einer oder mehreren

Öffnungen versehen, in der oder denen die erste metallische Kontaktschicht angeordnet wird. Wird die erste metallische Kontaktschicht vor der Trennschicht aufgebracht, weisen die zumindest eine oder die mehreren Öffnungen in der

Trennschicht in lateraler Richtung zumindest die

entsprechenden Abmessungen der ersten metallischen

Kontaktschicht auf. Wird die Trennschicht vor der ersten metallischen Kontaktschicht aufgebracht, kann die erste metallische Kontaktschicht auch eine größere laterale

Ausdehnung als die Öffnungen in der Trennschicht aufweisen, so dass in diesem Fall die erste metallische Kontaktschicht zum Teil auf der Trennschicht aufgebracht ist und die

Trennschicht unter die erste metallische Kontaktschicht reicht. Die Trennschicht kann beispielsweise mittels

chemischer oder physikalischer Gasphasenabscheidung

(„chemical vapor deposition", CVD; „physical vapor

deposition", PVD) oder mittels Atomlagenabscheidung („atomic layer deposition", ALD) aufgebracht werden. Hierbei ist ein strukturiertes Aufbringen der Trennschicht beispielsweise mittels einer Maske möglich. Weiterhin kann die Trennschicht auch unstrukturiert und großflächig aufgebracht werden und anschließend mittels eines geeigneten

Strukturierungsverfahrens , beispielsweise ein

fotolithografisches Verfahren oder ein

Laserablationsverfahren, in den Bereichen entfernt werden, in denen die erste metallische Kontaktschicht angeordnet ist oder angeordnet werden soll. In diesem Fall kann es auch möglich sein, dass bei der Herstellung der Öffnung in der Trennschicht auch ein Teil der transparenten elektrisch leitenden Kontaktschicht entfernt wird, beispielsweise im Rahmen eines Ätzverfahrens, so dass die transparente

elektrisch leitende Kontaktschicht im Bereich der Öffnung der Trennschicht eine geringere Dicke als in Bereichen unterhalb der verbleibenden Trennschicht aufweisen kann.

Weiterhin wird auf der ersten metallischen Kontaktschicht und auf einem Teil der Trennschicht die zweite metallische

Kontaktschicht aufgebracht, so dass die zweite metallische Kontaktschicht die erste metallische Kontaktschicht

vollständig überdeckt und die zweite metallische

Kontaktschicht in Bereichen, in der diese die transparente elektrisch leitende Kontaktschicht bei Abwesenheit der

Trennschicht unmittelbar kontaktieren beziehungsweise

berühren könnte, durch die Trennschicht von der transparenten elektrisch leitenden Kontaktschicht getrennt ist. Die

metallischen Kontaktschichten können beispielsweise mittels eines AufdampfVerfahrens aufgebracht werden. Insbesondere kann die transparente elektrisch leitende Kontaktschicht auf einer Oberseite einer Halbleiterschichtenfolge aufgebracht werden, wobei die Oberseite eine Seite der

Halbleiterschichtenfolge ist, die einem Substrat, auf dem die Halbleiterschichtenfolge aufgebracht ist, abgewandt ist.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform ragt die Trennschicht unter der zweiten metallischen Kontaktschicht hervor. Das bedeutet mit anderen Worten, dass die Trennschicht bei einer Aufsicht auf die elektrische Kontaktstruktur eine größere laterale Ausdehnung als die zweite metallische Kontaktschicht aufweist. Entsprechend bedeckt die zweite metallische

Kontaktschicht einen Teil der Trennschicht. Gemäß einer weiteren Ausführungsform bedeckt die Trennschicht die transparente elektrisch leitende Schicht großflächig bis auf einen die erste metallische Kontaktschicht umgebenden Bereich. Dies kann insbesondere bedeuten, dass die

Trennschicht die transparente elektrisch leitende Schicht vollständig bedeckt oder sogar überdeckt bis auf denjenigen Bereich, in dem die erste metallische Kontaktschicht und gegebenenfalls auch die Barriereschicht unmittelbar auf der transparenten elektrisch leitenden Kontaktschicht angeordnet sind .

Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die transparente elektrisch leitende Kontaktschicht ein elektrisch leitfähiges transparentes Oxid oder Oxinitrid auf oder ist daraus. Solche Oxide werden auch als „transparent conductive oxides", kurz TCOs, bezeichnet, entsprechende Oxinitride als TCONs . Bei dem TCO oder TCON handelt es sich insbesondere um ein Metalloxid oder Metalloxinitrid, wie beispielsweise Zinkoxid,

Zinkoxinitrid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, Indiumzinnoxid (ITO) oder Indiumzinnoxinitrid . Neben binären MetallsauerstoffVerbindungen gehören auch ternäre

MetallsauerstoffVerbindungen, wie beispielsweise Zn2SnOzi, oder Mischungen unterschiedlicher transparenter leitender Oxide zu der Gruppe der TCOs. Entsprechendes gilt für die transparenten leitenden Oxinitride. Weiterhin entsprechen die TCOs und TCONs nicht zwingend einer stöchiometrischen

Zusammensetzung und können auch p- oder n-dotiert sein.

Besonders bevorzugt kann die transparente elektrisch leitende Kontaktschicht ein Indium-haltiges Oxid oder Oxinitrid aufweisen oder daraus sein, beispielsweise Indiumzinnoxid oder Indiumzinnoxinitrid. Die transparente elektrisch

leitende Kontaktschicht kann eine Dicke von größer oder gleich 20 nm oder größer oder gleich 40 nm und kleiner oder gleich 300 nm aufweisen.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die erste

metallische Kontaktschicht Aluminium auf oder ist daraus.

Aluminium kann besonders geeignet sein, um eine transparente elektrisch leitende Kontaktschicht aus einem Indium-haltigen Oxid oder Oxinitrid zu kontaktieren, da keine unerwünschten Reaktionen zwischen dem Aluminium und dem Material der transparenten elektrisch leitenden Kontaktschicht

stattfinden, die den elektrischen Kontakt zwischen der ersten metallischen Kontaktschicht und der transparenten elektrisch leitenden Kontaktschicht verschlechtern könnten. Weiterhin kann die erste metallische Kontaktschicht auch mehrschichtig ausgebildet sein, wobei hierbei besonders bevorzugt zumindest eine Schicht Aluminium aufweist oder daraus ist. Die erste metallische Kontaktschicht kann eine Dicke von größer oder gleich 20 nm oder größer oder gleich 50 nm oder größer oder gleich 100 nm und kleiner oder gleich 200 nm aufweisen.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die zweite

metallische Kontaktschicht Gold auf oder ist daraus. Die zweite metallische Kontaktschicht kann sich dadurch durch eine geringe Empfindlichkeit gegenüber Substanzen,

insbesondere Gasen, aus der Umgebung auszeichnen, die andere Materialien beispielsweise durch Oxidierungsprozesse

schädigen könnten. Weiterhin kann ein Teil der zweiten metallischen Kontaktschicht aus Gold als Bondpad ausgebildet sein, durch das die elektrische Kontaktstruktur von extern elektrisch kontaktiert werden kann. Die zweite metallische Kontaktschicht kann eine Dicke von größer oder gleich 1 ym und kleiner oder gleich 4 ym aufweisen. Die zweite

metallische Kontaktschicht kann weiterhin auch mehrschichtig ausgebildet sein und in diesem Fall besonders bevorzugt zumindest eine Schicht aufweisen, die Gold aufweist oder daraus ist. Auf der Goldschicht kann eine Abdeckschicht vorhanden sein, die beispielsweise Titan und/oder Nickel aufweist oder daraus ist. Die Abdeckschicht kann bevorzugt eine Dicke von größer oder gleich 1 nm und kleiner oder gleich 10 nm aufweisen.

Der hier beschriebenen elektrischen Kontaktstruktur liegt die Überlegung zugrunde, dass insbesondere Gold in direktem

Kontakt zu einem TCO oder TCON wie beispielsweise ITO zu einer Reaktion zwischen dem Gold und den Bestandteilen des TCOs oder TCONs führen kann, im genannten Beispiel zwischen dem Gold und Indium aus dem TCO oder TCON. Eine solche

Reaktion kann zu einer Reduktion der Leitfähigkeit des TCOs beziehungsweise TCONs und damit zu einer Erhöhung der

Betriebsspannung eines Halbleiterbauelements führen, der mit einer solchen Kontaktstruktur elektrisch kontaktiert ist. Ebenso sind teilweise „Aufblühungen" in Form von

Reaktionsprodukten aus Gold und Indium an den

Metallstrukturkanten zu beobachten. Durch die hier

beschriebene elektrische Kontaktstruktur mit der

Trennschicht, die die zweite metallische Kontaktschicht von der transparenten elektrisch leitenden Kontaktschicht trennt, kann ein direkter Kontakt zwischen der zweiten metallischen Kontaktschicht, also vorzugsweise dem die zweite metallische Kontaktschicht bildenden Gold, und einem die transparente elektrisch leitende Kontaktschicht bildenden TCO oder TCON verhindert werden, so dass die vorab beschriebenen Nachteile bei der hier beschriebenen elektrischen Kontaktstruktur nicht auftreten . Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die

Barriereschicht eines oder mehrere Materialien ausgewählt aus Ti, Pt, W, Ni sowie Verbindungen mit diesen auf. Besonders bevorzugt kann die Barriereschicht eine oder mehrere

Schichten aus Ti, Pt, TiW, TiWN, W und/oder Ni aufweisen oder daraus sein.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist die Trennschicht transparent. Insbesondere für den Fall, dass die Trennschicht die Oberseite der Halbleiterschichtenfolge des

Halbleiterbauelements großflächig bedeckt und das

Halbleiterbauelement als Licht emittierendes oder Licht detektierendes Halbleiterbauelement ausgebildet ist, kann durch die transparente Trennschicht sowie durch die

transparente elektrisch leitende Kontaktschicht in den

Bereichen, in denen keine erste und zweite metallische

Kontaktschicht vorhanden ist, Licht vom Halbleiterbauelement abgestrahlt oder Licht in die Halbleiterschichtenfolge des Halbleiterbauelements eingestrahlt werden.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die Trennschicht ein dielektrisches Material, also ein elektrisch nicht leitendes Material, auf oder besteht daraus. Insbesondere kann die Trennschicht ein anorganisches Material aufweisen oder daraus bestehen. Das anorganische Material kann

insbesondere ein Oxid, Nitrid oder Oxinitrid aufweisen oder daraus bestehen. Insbesondere kann das anorganische Material ausgewählt sein aus einem oder mehreren der folgenden

Materialien: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid,

Titanoxid, Hafniumoxid, Lanthanoxid, Tantaloxid, Niobiumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumdioxid, Siliziumoxinitrid. Die

Trennschicht kann insbesondere eine oder mehrere Schichten aus einem oder mehreren der genannten anorganischen Materialien aufweisen oder daraus sein, besonders bevorzugt zumindest eine Schicht aus Siliziumdioxid. Die Trennschicht kann eine Dicke von größer oder gleich 1 nm oder größer oder gleich 5 nm oder größer oder gleich 10 nm oder größer oder gleich 40 nm oder größer oder gleich 50 nm oder größer gleich 100 nm oder größer oder gleich 200 nm aufweisen. Weiterhin kann die Trennschicht eine Dicke von kleiner oder gleich 1 ym oder kleiner oder gleich 500 nm oder kleiner oder gleich 300 nm aufweisen. Weist die Trennschicht mehrere Schichten auf, so ist die Trennschicht bevorzugt nicht als Bragg-Spiegel für solche Wellenlängen ausgebildet, die durch die Trennschicht hindurch treten sollen. Im Falle eines Licht emittierenden Halbleiterbauelements sind dies insbesondere Wellenlängen des in der Halbleiterschichtenfolge erzeugten Lichts, im Falle eines Licht detektierenden Halbleiterbauelements insbesondere Wellenlängen von Licht, das in der Halbleiterschichtenfolge detektiert werden soll.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist die

Halbleiterschichtenfolge unmittelbar auf das Substrat

aufgebracht, das besonders bevorzugt ein Aufwachssubstrat ist, auf dem die Halbleiterschichtenfolge epitaktisch

aufgewachsen ist. Hierbei berühren sich die

Halbleiterschichtenfolge und das Aufwachssubstrat bevorzugt ganzflächig. Bei dem Substrat kann es sich um ein

Saphirsubstrat handeln. Es ist hierbei möglich, dass das Substrat an einer der Halbleiterschichtenfolge zugewandten Seite eine Strukturierung aufweist. Im Falle eines

Saphirsubstrats kann das Substrat dann als sogenanntes strukturiertes Saphirsubstrat („patterned sapphire

Substrate", PSS) ausgebildet sein. Weiterhin kann das

Substrat beispielsweise SiC oder Si, GaAs, GaN, InGaAlP, Ge aufweisen oder daraus sein, wobei auch dieses eine vorab beschriebene Strukturierung aufweisen kann.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform steht die transparente elektrisch leitende Kontaktschicht wenigstens stellenweise in direktem Kontakt mit der Halbleiterschichtenfolge. Das heißt, stellenweise berührt die transparente elektrisch leitende Kontaktschicht die Halbleiterschichtenfolge. Besonders bevorzugt kann die transparente elektrisch leitende Kontaktschicht die Halbleiterschichtenfolge bis auf einen Randbereich, in dem die Oberseite der

Halbleiterschichtenfolge an Seitenflächen der

Halbleiterschichtenfolge angrenzt, vollständig bedecken.

Weiterhin kann die transparente elektrisch leitende

Kontaktschicht die Halbleiterschichtenfolge bis auf den

Randbereich und einen Bereich, in dem ein Bondpad zur

externen elektrischen Kontaktierung des Halbleiterbauelements auf der Halbleiterschichtenfolge angeordnet ist, vollständig bedecken. Mit anderen Wort ist in diesem Fall keine

transparente elektrisch leitende Kontaktschicht zwischen dem Bondpad und der Halbleiterschichtenfolge angeordnet, die in diesem Bereich eine Öffnung aufweist, in dem das Bondpad angeordnet ist.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist die transparente elektrisch leitende Kontaktschicht stellenweise oder

ganzflächig unmittelbar auf eine Hauptfläche einer p- dotierten Schicht, beispielsweise einer p-dotierten GaN- Schicht, der Halbleiterschichtenfolge aufgebracht. Es ist auch möglich, dass sich stellenweise zwischen der

transparente elektrisch leitende Kontaktschicht und der

Halbleiterschichtenfolge eine elektrisch isolierende Schicht, etwa aus Siliziumoxid oder Siliziumnitrid, befindet. Diese als elektrische Blockierschicht ausgebildete elektrisch isolierende Schicht kann insbesondere unterhalb der ersten und zweiten metallischen Kontaktschicht zwischen der

transparenten elektrisch leitenden Kontaktschicht und der

Halbleiterschichtenfolge angeordnet sein. Die Blockierschicht ist bevorzugt vollständig von der transparenten elektrisch leitenden Kontaktschicht überdeckt und von dieser und der Halbleiterschichtenfolge eingeschlossen .

Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die

Halbleiterschichtenfolge mehrere Halbleiterschichten und zumindest eine aktive Zone auf. Die aktive Zone kann

beispielsweise einen optoelektronisch aktiven Bereich in Form einer Licht emittierenden oder Licht detektierenden

Halbleiterschicht aufweisen oder daraus sein. In diesem Fall ist das Halbleiterbauelement insbesondere als Licht

emittierendes oder Licht detektierendes Halbleiterbauelement ausgebildet, beispielsweise als Leuchtdiodenchip,

Laserdiodenchip oder Fotodiodenchip. Das Halbleiterbauelement kann in diesem Fall zur Erzeugung oder Detektion von

elektromagnetischer Strahlung eingerichtet sein, insbesondere im nahen ultravioletten, im sichtbaren und/oder im infraroten Spektralbereich. Bevorzugt ist das Halbleiterbauelement zur Emission oder Detektion von Licht in einem

Wellenlängenbereich zwischen einschließlich 340 nm und 820 nm oder zwischen einschließlich 380 nm und 780 nm eingerichtet. Weiterhin kann das Halbleiterbauelement auch ein anderer elektronischer Chip ohne optoelektronische Eigenschaften sein.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist das

Halbleiterbauelement als anorganisches Halbleiterbauelement, insbesondere als Halbleiterchip, ausgebildet. Beispielsweise kann der Halbleiterchip in diesem Fall als Leuchtdiodenchip oder als Fotodiodenchip ausgebildet sein. Die

Halbleiterschichtenfolge kann in diesem Fall bevorzugt auf einem III-V-Verbindungshalbleitermaterial basieren. Bei dem Halbleitermaterial handelt es sich zum Beispiel um ein

Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial wie Al _x In _] __ _x _yGayN oder um ein Phosphid-Verbindungshalbleitermaterial wie

Al _x In _] __ _x _yGayP oder auch um ein Arsenid- Verbindungshalbleitermaterial wie Al _x In _] __ _x _yGayAs, wobei jeweils O ^ x ^ l, O ^ y ^ l und x + y < 1 gilt. Dabei kann die Halbleiterschichtenfolge Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen. Der Einfachheit halber sind jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters der Halbleiterschichtenfolge, also AI, As, Ga, In, N oder P, angegeben, auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt und/oder ergänzt sein können.

Bevorzugt basiert die Halbleiterschichtenfolge auf AlInGaN und umfasst mindestens eine n-dotierte Schicht und mindestens eine p-dotierte Schicht, wobei sich zwischen diesen beiden Schichten eine aktive Zone befindet.

Das Halbleiterbauelement kann darüber hinaus auch als

Solarzelle ausgebildet sein, beispielsweise als Solarzelle, die auf Silizium basiert.

Weiterhin kann es auch möglich sein, dass das

Halbleiterbauelement als organisches Halbleiterbauelement, insbesondere als optoelektronisch aktives organisches

Halbleiterbauelement mit einer durch organische

Halbleiterschichten gebildeten Halbleiterschichtenfolge ausgebildet ist. Das Halbleiterbauelement kann in diesem Fall insbesondere als organische Leuchtdiode oder auch als organische Fotodiode oder organische Solarzelle ausgebildet sein .

Gemäß einer weiteren Ausführungsform bildet die transparente elektrisch leitende Kontaktschicht eine

Stromaufweitungsschicht . Ein elektrischer Strom, der zum Betrieb des Halbleiterbauelements in die zweite und somit auch in die erste metallische Kontaktschicht und folglich auch in die transparente elektrisch leitende Kontaktschicht eingespeist wird, kann durch die transparente elektrisch leitende Kontaktschicht großflächig in die

Halbleiterschichtenfolge eingespeist werden, so dass eine flächenmäßig möglichst gleichförmige Bestromung der aktiven Zone der Halbleiterschichtenfolge möglich sein kann.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die elektrische Kontaktstruktur ein Bondpad und/oder einen oder mehrere Leitungsstege zur Stromaufweitung auf oder bildet solche Strukturen. Insbesondere können beispielsweise die erste und zweite metallische Kontaktschicht einen oder mehrere

Leitungsstege zur Stromaufweitung bilden, die sich über die transparente elektrisch leitende Kontaktschicht erstrecken. Ein Teil der zweiten metallischen Kontaktschicht kann auch ein Bondpad bilden.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist das

Halbleiterbauelement an die Oberseite anschließende

Seitenflächen auf, wobei sich die Trennschicht zumindest teilweise über die Seitenflächen erstreckt und damit zumindest teilweise über die Seitenflächen reicht. Dadurch kann die Trennschicht, die wie vorab beschrieben besonders bevorzugt ein dielektrisches Material aufweist oder daraus ist, als Passivierungsschicht der Seitenflächen des Halbleiterbauelements dienen. Alternativ hierzu kann es auch möglich sein, dass die Trennschicht nur auf der Oberseite der Halbleiterschichtenfolge angeordnet ist, beispielsweise auch nur auf der transparenten elektrisch leitenden

Kontaktschicht. In diesem Fall kann es vorteilhaft sein, wenn das Halbleiterbauelement eine Passivierungsschicht zusätzlich zur Trennschicht aufweist, die zumindest einen Teil der

Seitenflächen und zumindest einen Teil der Trennschicht auf der Oberseite bedeckt. Die Passivierungsschicht kann die Oberseite des Halbleiterbauelements auch komplett bis auf ein Bondpad auf der Oberseite der Halbleiterschichtenfolge bedecken, insbesondere die gesamte elektrische

Kontaktstruktur bis auf ein Bondpad. Die Passivierungsschicht kann eines oder mehrere der vorab für die Trennschicht genannten Materialien aufweisen.

Weitere Vorteile, vorteilhafte Ausführungsformen und

Weiterbildungen ergeben sich aus den im Folgenden in

Verbindung mit den Figuren beschriebenen

Ausführungsbeispielen.

Es zeigen:

Figur 1A eine elektrische Kontaktstruktur für ein

Halbleiterbauelement gemäß einem Ausführungsbeispiel,

Figur 1B eine elektrische Kontaktstruktur für ein

Halbleiterbauelement gemäß einem weiteren

Ausführungsbeispiel ,

Figur 2 eine elektrische Kontaktstruktur für ein

Halbleiterbauelement gemäß einem weiteren

Ausführungsbeispiel , Figuren 3A und 3B Ansichten eines Halbleiterbauelements mit einer elektrischen Kontaktstruktur gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel und

Figuren 4 und 5 Halbleiterbauelemente mit elektrischen

Kontaktstrukturen gemäß weiteren Ausführungsbeispielen.

In den Ausführungsbeispielen und Figuren können gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente jeweils mit denselben Bezugszeichen versehen sein. Die dargestellten Elemente und deren Größenverhältnisse untereinander sind nicht als maßstabsgerecht anzusehen, vielmehr können einzelne Elemente, wie zum Beispiel Schichten, Bauteile, Bauelemente und Bereiche, zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.

In Figur 1A ist ein Ausführungsbeispiel für eine elektrische Kontaktstruktur 10 für ein Halbleiterbauelement gezeigt. Die elektrische Kontaktstruktur 10 kann beispielsweise auf einer Halbleiterschichtenfolge eines Halbleiterbauelements

angeordnet sein, wobei das Halbleiterbauelement

beziehungsweise die Halbleiterschichtenfolge ausschnittsweise durch die gestrichelte Linie angedeutet ist.

Die elektrische Kontaktstruktur 10 weist eine transparente elektrisch leitende Kontaktschicht 1 auf, die beispielsweise unmittelbar auf einer Halbleiterschichtenfolge eines

Halbleiterbauelements aufgebracht sein kann. Die transparente elektrisch leitende Kontaktschicht 1 weist ein transparentes elektrisch leitendes Oxid oder Oxinitrid auf. Insbesondere weist die transparente elektrisch leitende Kontaktschicht 1 im gezeigten Ausführungsbeispiel ein Indium-haltiges Oxid oder Oxinitrid, insbesondere Indiumzinnoxid oder Indiumzinnoxinitrid, auf. Die transparente elektrisch

leitende Kontaktschicht 1 dient zum einen einer

Stromaufweitung eines Stroms, der über die elektrische

Kontaktstruktur 10 in ein Halbleiterbauelement eingespeist werden kann. Hierzu ist die elektrische Kontaktstruktur 10 vorzugsweise großflächig auf einer Halbleiterschichtenfolge eines Halbleiterbauelements aufgebracht. Weiterhin kann die transparente elektrisch leitende Kontaktschicht 1 im Falle eines optoelektronischen Halbleiterbauelements, insbesondere eines Licht emittierenden oder Licht detektierenden

Halbleiterbauelements, dazu vorgesehen und eingerichtet sein, dass Licht, das im Halbleiterbauelement erzeugt oder vom Halbleiterbauelement detektiert wird, durch die transparente elektrisch leitende Kontaktschicht 1 hindurchtreten kann. Die transparente elektrisch leitende Kontaktschicht 1 weist eine Dicke von größer oder gleich 20 nm und kleiner oder gleich 300 nm auf. Auf der transparenten elektrisch leitenden Kontaktschicht 1 ist eine erste metallische Kontaktschicht 2 aufgebracht. Die erste metallische Kontaktschicht 2 kann insbesondere

Aluminium aufweisen oder daraus sein. Die erste metallische Kontaktschicht 2 weist eine Dicke von größer oder gleich 20 nm und kleiner oder gleich 200 nm auf und ist unmittelbar auf der transparenten elektrisch leitenden Kontaktschicht 1, das bedeutet mit einem direkten physischen und elektrischen

Kontakt zu dieser, aufgebracht. Auf der ersten metallischen Kontaktschicht 2 ist eine zweite metallische Kontaktschicht 3 angeordnet, die die erste metallische Kontaktschicht 2 vollständig überdeckt. Hierzu weist die zweite metallische Kontaktschicht 3 in lateraler Richtung, das bedeutet in einer Richtung entlang der Haupterstreckungsebene der transparenten und elektrisch leitenden Kontaktschicht 1, eine größere

Breite als die erste metallische Kontaktschicht 2 auf, so dass die zweite metallische Kontaktschicht 3 die erste metallische Kontaktschicht 2 seitlich überragt. Die zweite metallische Kontaktschicht 3 weist Gold auf oder ist aus Gold und weist eine Dicke von größer oder gleich 1 ym und kleiner oder gleich 4 ym auf. Während die erste metallische

Kontaktschicht 2 einem elektrischen Anschluss der

transparenten elektrisch leitenden Kontaktschicht 1 dient, kann die zweite metallische Kontaktschicht 3 beispielsweise einen Abschluss der elektrischen Kontaktstruktur 10 nach außen hin bilden sowie beispielsweise auch zumindest in einem Teil als Bondpad zum externen elektrischen Anschluss der elektrischen Kontaktstruktur 10 dienen. Die erste metallische Kontaktschicht 2 und/oder die zweite metallische

Kontaktschicht 3 können, wie oben im allgemeinen Teil beschrieben ist, alternativ zur im vorliegenden

Ausführungsbeispiel gezeigten jeweiligen einschichtigen

Ausführung auch mehrschichtig ausgebildet sein.

Zwischen der transparenten elektrisch leitenden

Kontaktschicht 1 und der zweiten metallischen Kontaktschicht 3 ist weiterhin eine Trennschicht 4 angeordnet, die die zweite metallische Kontaktschicht 3 von der transparenten elektrisch leitenden Kontaktschicht 1 trennt. Durch die

Trennschicht 4 kann insbesondere ein direkter Kontakt zwischen der zweiten metallischen Kontaktschicht 3 und der transparenten elektrisch leitenden Kontaktschicht 1 in den Bereichen verhindert werden, in denen die zweite metallische Kontaktschicht 3 bei Abwesenheit der Trennschicht 4 und der im Folgenden beschriebenen Barriereschicht 5 unmittelbar auf der transparenten elektrisch leitenden Kontaktschicht 1 aufliegen und mit dieser in Kontakt stehen würde. Insbesondere bei den im gezeigten Ausführungsbeispiel

beschriebenen Materialien, also Gold für die zweite

metallische Kontaktschicht 3 und ein Indium-haltiges TCO oder TCON für die transparente elektrisch leitende Kontaktschicht 1, könnte es bei einem solchen direkten Kontakt zwischen den Schichten 1 und 3 zu einer Reaktion zwischen dem Gold und Bestandteilen der transparenten elektrisch leitenden

Kontaktschicht, insbesondere Indium, kommen. Dies könnte zu einer Reduktion der Leitfähigkeit der transparenten

elektrisch leitenden Kontaktschicht 1 sowie auch zu

„Aufblühungen" in Form von Reaktionsprodukten aus Gold und Indium an die Metallstrukturkanten führen. Aufgrund der

Trennschicht 4 können solche unerwünschten Effekte vermieden werden .

Die Trennschicht 4 weist eine Dicke von größer oder gleich 1 nm und kleiner oder gleich 300 nm auf, wobei die Trennschicht 4 insbesondere unterhalb der zweiten metallischen

Kontaktschicht 3 ausreichend dick ist, um eine löcherfreie Barriere zwischen der transparenten elektrisch leitenden

Kontaktschicht 1 und der zweiten metallischen Kontaktschicht 3 zu bilden.

Im gezeigten Ausführungsbeispiel ist weiterhin zwischen der ersten und zweiten metallischen Kontaktschicht 2, 3 eine Barriereschicht 5 angeordnet, die die erste metallische

Kontaktschicht 2 vollständig überdeckt und die von der zweiten metallischen Kontaktschicht 3 wiederum überdeckt ist. Insbesondere ist die Barriereschicht 5 im gezeigten

Ausführungsbeispiel durch die zweite metallische

Kontaktschicht 3 vollständig überdeckt. Alternativ zur gezeigten vollständigen Überdeckung der Barriereschicht 5 durch die zweite metallische Kontaktschicht 3 können die Barriereschicht 5 und die zweite metallische Kontaktschicht 3 beispielsweise auch gemeinsam zum Rand hin dünn auslaufen. Durch die Barriereschicht 5 kann eine Trennung der

metallischen Kontaktschichten 2, 3 erreicht werden, so dass eine Diffusion von Material zwischen der ersten und zweiten metallischen Kontaktschicht 2, 3 verhindert werden kann. Die Barriereschicht 5 weist eine oder mehrere Schichten,

beispielsweise mit oder aus Ti, Pt, W, Ni, TiW oder TiWN auf. Die Trennschicht 4 ist insbesondere transparent ausgebildet, so dass, wie weiter oben für die transparente elektrisch leitende Kontaktschicht 1 beschrieben ist, Licht in den

Bereichen durch die elektrische Kontaktstruktur 10

hindurchtreten kann, in denen keine Metallschichten 2, 3 vorhanden sind. Insbesondere weist die Trennschicht 4 ein dielektrisches Material auf, das insbesondere aus einem Oxid, Nitrid oder Oxinitrid ausgewählt sein kann. Besonders

bevorzugt ist die Trennschicht 4 aus Siliziumdioxid.

Alternativ hierzu sind auch andere, oben im allgemeinen Teil genannte Materialien möglich.

Wie in Figur 1A erkennbar ist, ragt die Trennschicht 4 unter der zweiten metallischen Kontaktschicht 3 hervor und bedeckt vorzugsweise die transparente elektrisch leitende

Kontaktschicht 1 in den Bereichen, in denen keine erste

Metallschicht 2 und gegebenenfalls keine Barriereschicht 5 vorhanden sind.

Der elektrische Kontakt zwischen der transparenten elektrisch leitenden Kontaktschicht 1 und den darüber angeordneten weiteren elektrisch leitenden Schichten, im gezeigten

Ausführungsbeispiel also den metallischen Kontaktschichten 2, 3 und der Barriereschicht 5, erfolgt im Bereich 9, der einer Öffnung in der Trennschicht 4 entspricht. Im gezeigten

Ausführungsbeispiel ist die Öffnung in der Trennschicht 4 hinsichtlich ihrer lateraler Ausdehnung größer als die laterale Ausdehnung der ersten metallischen Kontaktschicht 2, so dass die im gezeigten Ausführungsbeispiel ebenfalls vorhandene Barriereschicht 5 in lateraler Richtung zwischen der ersten metallischen Kontaktschicht 2 und der Trennschicht 4 angeordnet ist und in diesem Bereich neben der ersten metallischen Kontaktschicht 2 in unmittelbarem Kontakt zur transparenten elektrisch leitenden Kontaktschicht 1 steht. Die Barriereschicht 5 ist weiterhin auf einem Teil der

Trennschicht 4 angeordnet.

Weiterhin kann die Öffnung in der Trennschicht 4 und somit der Bereich 9, der frei von der Trennschicht 4 ist, eine laterale Ausdehnung aufweisen, die der lateralen Ausdehnung der ersten metallischen Kontaktschicht 2 entspricht, so dass in diesem Fall die Trennschicht 4 bis an die erste

metallische Kontaktschicht 2 heranreichen würde. Weiterhin kann es auch möglich sein, dass die Trennschicht 4 bis unter die erste metallische Kontaktschicht 2 reicht.

Zur Herstellung der elektrischen Kontaktstruktur 10 wird auf die zu kontaktierende Oberfläche, also beispielsweise eine Oberfläche einer Halbleiterschichtenfolge eines

Halbleiterbauelements, die transparente elektrisch leitende Kontaktschicht 1 aufgebracht, beispielsweise durch Sputtern oder Aufdampfen. Auf die transparente elektrisch leitende Kontaktschicht 1 wird die Trennschicht 4 beispielsweise mittels ALD, CVD oder PVD aufgebracht, wobei das Aufbringen strukturiert oder auch großflächig erfolgen kann, wobei im zweiten Fall anschließend eine Strukturierung der

Trennschicht 4 stattfindet, um die Bereiche 9 freizulegen, in denen die erste metallische Kontaktschicht 2 angeordnet wird. Die erste metallische Kontaktschicht 2, die zweite

metallische Kontaktschicht 3 und gegebenenfalls die

Barriereschicht 5 können beispielsweise durch Aufdampfen aufgebracht werden.

Im Bereich 9 kann die transparente elektrisch leitende

Kontaktschicht 1 auch eine geringere Dicke aufweisen als in den daneben liegenden Bereichen unterhalb der Trennschicht 4, wie in Figur 1B gezeigt ist. Die geringere Dicke kann

beispielsweise bei der Herstellung einer den Bereich 9 bildenden Öffnung in der Trennschicht 4 dadurch erzeugt werden, dass zur Bildung der Öffnung ein Ätzverfahren

verwendet wird, mit dem auch ein Teil der transparenten elektrisch leitenden Kontaktschicht 1 geätzt wird.

In Figur 2 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel für eine elektrische Kontaktstruktur 10 gezeigt, die im Vergleich zum vorherigen Ausführungsbeispiel eine Trennschicht 4 aufweist, die nicht nur aus einer Schicht besteht, sondern eine

Mehrzahl von Schichten aufweist, die gleiche oder

unterschiedliche Materialien, wie oben im allgemeinen Teil beschrieben ist, aufweisen können. Beispielsweise kann die Trennschicht 4 eine Siliziumdioxid-Schicht und darauf eine Siliziumnitrid-Schicht aufweisen oder daraus sein. Weiterhin kann die Trennschicht 4 beispielsweise auch eine insbesondere mittels ALD aufgebrachte Aluminiumoxid- oder Tantaloxid- Schicht und darauf eine Siliziumdioxid-Schicht aufweisen oder daraus sein.

Die mehrschichtige Trennschicht 4 ist insbesondere nicht als Bragg-Spiegel für solche Wellenlängen ausgebildet, die beispielsweise im Falle eines Licht emittierenden Halbleiterbauelements in der Halbleiterschichtenfolge, auf der die Kontaktstruktur 10 ausgebildet ist, erzeugt werden. Im Falle eines Licht emittierenden Halbleiterbauelements mit der gezeigten Kontaktstruktur 10 kann es weiterhin

vorteilhaft sein, wenn der Brechungsindex von der

Halbleiterschichtenfolge zur der Umgebung zugewandten

äußersten Schicht der Trennschicht 4 hin von Schicht zu

Schicht abnimmt. Durch eine derartige gestufte

Brechungsindex-Reduktion können optische Verluste bei der Auskopplung von Licht aus der Halbleiterschichtenfolge in die Umgebung durch die Kontaktstruktur 10 hindurch verringert werden .

In den Figuren 3A und 3B sind eine Schnittdarstellung und eine Aufsicht eines Halbleiterbauelements 100 mit einer elektrischen Kontaktstruktur 10 gezeigt, die gemäß einem der vorherigen Ausführungsbeispiele ausgeführt sein kann. Das Halbleiterbauelement 100 weist ein Substrat 20 auf, auf dem eine Halbleiterschichtenfolge 21 angeordnet ist. Auf einer dem Substrat 20 abgewandten Oberseite der

Halbleiterschichtenfolge 21 ist die elektrische

Kontaktstruktur 10 aufgebracht. Rein beispielhaft ist das Halbleiterbauelement 100 im gezeigten Ausführungsbeispiel als anorganischer Licht emittierender oder Licht detektierender Halbleiterchip ausgebildet, beispielsweise also als

Leuchtdiodenchip oder Fotodiodenchip. Alternativ hierzu kann das Halbleiterbauelement beispielsweise auch als anorganische Solarzelle, organische Licht emittierende Diode, organische Fotodiode oder organische Solarzelle ausgebildet sein.

Das Substrat 20 kann beispielsweise ein Aufwachssubstrat sein, auf dem die Halbleiterschichtenfolge 21 epitaktisch aufgewachsen ist. Beispielsweise kann das Substrat 20 Saphir aufweisen oder aus Saphir sein. Anders als dargestellt kann es auch möglich sein, dass eine der Halbleiterschichtenfolge 21 zugewandte Oberseite des Substrats 20 mit Strukturierungen versehen ist. Bei dem Substrat 20 kann es sich in diesem Fall um ein so genanntes „patterned sapphire Substrate" (PSS) handeln. Alternativ hierzu kann das Substrat 20

beispielsweise auch Sic oder Si oder ein anderes oben im allgemeinen Teil genanntes Material aufweisen oder daraus sein .

Die Halbleiterschichtenfolge 21 weist Halbleiterschichten 22, 23, 24 auf, die eine n-dotierte Halbleiterschicht 22, eine p- dotierte Halbleiterschicht 24 und dazwischen eine aktive Zone in Form einer optoelektronisch aktiven Halbleiterschicht 23 sein können. Die Halbleiterschichtenfolge 21 kann

beispielsweise auf einem der oben im allgemeinen Teil

genannten Verbindungshalbleitermaterialsysteme basieren.

Beispielsweise kann die Halbleiterschichtenfolge 21 auf

AlInGaN basieren. Im gezeigten Ausführungsbeispiel kann die Halbleiterschicht 23 insbesondere als Licht emittierende oder Licht detektierende Halbleiterschicht ausgebildet sein.

Alternativ zum gezeigten Aufbau kann die

Halbleiterschichtenfolge 21 auch weitere und/oder andere Halbleiterschichten aufweisen. Weiterhin kann die

Halbleiterschichtenfolge 21 eine andere aktive Zone mit einer anderen Funktionalität aufweisen, so dass das

Halbleiterbauelement 100 auch als nicht optoelektronisch aktives Halbleiterbauelement ausgebildet sein kann. Die elektrische Kontaktstruktur 100, also insbesondere die transparente elektrisch leitende Kontaktschicht 1, ist unmittelbar auf der Halbleiterschicht 24, im gezeigten

Ausführungsbeispiel also auf der p-dotierten Halbleiterschicht 24, aufgebracht. Alternativ hierzu kann der Aufbau der Halbleiterschichtenfolge 21 auch umgekehrt sein, so dass die elektrische Kontaktstruktur 10 auf einer n- dotierten Halbleiterschicht aufgebracht ist. Das

Halbleiterbauelement 100 weist einen weiteren elektrischen Kontakt zur elektrischen Kontaktierung der substratseitigen Halbleiterschicht auf, der der Übersichtlichkeit halber hier und auch in den nachfolgenden Ausführungsbeispielen nicht gezeigt ist.

Weiterhin kann es auch möglich sein, dass mittels der hier beschriebenen Kontaktstruktur 10 die unterhalb der

optoelektronisch aktiven Schicht 23 angeordnete

Halbleiterschicht 22, die im gezeigten Ausführungsbeispiel eine n-dotierte Schicht ist, kontaktiert wird. Hierzu kann die Halbleiterschichtenfolge 21 beispielsweise eine durch ein Ätzverfahren hergestellte Öffnung aufweisen, die durch die Halbleiterschichten 23 und 24 hindurch bis zur oder in die Halbleiterschicht 22 reicht. Auf der dem Substrat 20

abgewandten Oberseite des durch die Öffnung freigelegten Bereichs der Halbleiterschicht 22 kann dann die

Kontaktstruktur 10 aufgebracht werden.

Weiterhin kann es möglich sein, dass die transparente

elektrisch leitende Kontaktschicht 1, wie in Figur 3B mit

Hilfe der gestrichelten Linie angedeutet ist, bis auf einen freiliegenden Randbereich der Oberseite der

Halbleiterschichtenfolge 21 die gesamte Oberseite der

Halbleiterschichtenfolge 21 bedeckt und somit elektrisch kontaktiert. Darüber hinaus kann es auch möglich sein, dass eine elektrisch isolierende Schicht, beispielsweise aus Siliziumdioxid und/oder Siliziumnitrid, die als elektrische Blockierschicht dient, unterhalb der metallischen Kontaktschichten 2, 3 zwischen der transparenten elektrisch leitenden Kontaktschicht 1 und der Halbleiterschichtenfolge 21 angeordnet ist, so dass in diesem Bereich kein Strom in die Halbleiterschichtenfolge 21 eingeprägt werden kann.

Dadurch kann insbesondere bei einem Licht emittierenden

Halbleiterbauelement erreicht werden, dass Strom in die Licht emittierende Schicht 23 vorzugsweise in denjenigen Bereichen eingeprägt wird, die nur von transparenten Schichten, also insbesondere von der transparenten elektrisch leitenden

Kontaktschicht 1 und der Trennschicht 4, überdeckt sind und aus denen das Licht auch aus dem Halbleiterbauelement 100 austreten kann.

Wie in Figur 3B weiterhin gezeigt ist, weist die elektrische Kontaktstruktur 10 ein Bondpad 11 sowie mehrere Leitungsstege 12 zur Stromaufweitung auf. Diese werden durch die

metallischen Kontaktschichten 2, 3 sowie gegebenenfalls durch die Barriereschicht 5 gebildet, die in der gezeigten

strukturierten Weise auf der transparenten elektrisch

leitenden Kontaktschicht 1 aufgebracht werden. Die

Trennschicht 4 weist hierzu eine oder mehrere Öffnungen gemäß der Struktur der darüber aufgebrachten metallischen

Kontaktschichten 2, 3 auf. Darüber hinaus kann es auch möglich sein, dass das Bondpad 11 nur aus einer Goldschicht, also nur aus der zweiten metallischen Kontaktschicht 4, besteht und dass im Bereich des Bondpads 11 keine

transparente elektrisch leitende Kontaktschicht 1 vorhanden ist. Unterhalb des Bondpads 11 kann die transparente

elektrisch leitende Kontaktschicht 1 somit eine Öffnung aufweisen, in der das Bondpad 11 angeordnet ist. Die gezeigte Struktur des Bondpads 11 und der Leitungsstege 12 ist rein beispielhaft und nicht beschränkend zu verstehen.

Insbesondere können die gezeigten Strukturen auch andere Geometrien aufweisen. Die Leitungsstege 12 können insbesondere eine Breite von größer oder gleich 2 ym und kleiner oder gleich 25 ym aufweisen. Insbesondere können die Leitungsstege 12 auch eine Breite von größer oder gleich 3 ym und kleiner oder gleich 12 ym aufweisen.

In Figur 4 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel für ein als Halbleiterchip ausgebildetes Halbleiterbauelement 100

gezeigt, wobei in der dargestellten Schnittdarstellung rein beispielhaft eine elektrische Kontaktstruktur 10 mit zwei als Leitungsstege 12 ausgebildeten Bereichen der metallischen Kontaktschichten 2, 3 und der Barriereschicht 5 gezeigt sind. Die Trennschicht 4 ist im Ausführungsbeispiel der Figur 4 großflächig bis auf die oben in Verbindung mit Figur 1A beschriebenen Bereiche 9 auf der transparenten elektrisch leitenden Kontaktschicht 1 angeordnet.

Weiterhin weist das Halbleiterbauelement 100 über der

elektrischen Kontaktstruktur 10 sowie über der weiteren

Oberseite und auch über an die Oberseite anschließenden

Seitenflächen der Halbleiterschichtenfolge 21 eine

Passivierungsschicht 30 auf, die somit zumindest teilweise auch die Seitenflächen der Halbleiterschichtenfolge 21, insbesondere den Bereich mit der aktiven Zone, bedeckt. Die Seitenflächen der Halbleiterschichtenfolge 21 werden im gezeigten Ausführungsbeispiel durch Mesakanten gebildet. Die Passivierungsschicht 30 ist im gezeigten Ausführungsbeispiel großflächig auf der elektrischen Kontaktstruktur 10

aufgebracht und bedeckt diese bis auf ein hier nicht

gezeigtes Bondpad komplett. Alternativ hierzu kann es auch möglich sein, dass die Passivierungsschicht 30 nur einen Teil der Trennschicht 4, beispielsweise nahe des von der

transparenten elektrisch leitenden Kontaktschicht 1 und der Trennschicht 4 nicht bedeckten Randbereichs der Oberseite der Halbleiterschichtenfolge 21, sowie Seitenflächen der

Halbleiterschichtenfolge 21 bedeckt. Die Passivierungsschicht 30 kann beispielsweise ein Oxid,

Nitrid oder Oxinitrid aufweisen, so etwa beispielsweise eines der oben im allgemeinen Teil für die Trennschicht

beschriebenen Materialien. In Figur 5 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel für ein als Halbleiterchip ausgebildetes Halbleiterbauelement 100

gezeigt, bei dem die Trennschicht 4 im Vergleich zum

vorherigen Ausführungsbeispiel über die transparente

elektrisch leitende Kontaktschicht 1 hinausreicht und

insbesondere zumindest teilweise auch über die an die

Oberseite der Halbleiterschichtenfolge 21 anschließenden Seitenflächen reicht. In diesem Fall kann die Trennschicht 4 gleichzeitig als Passivierungsschicht der

Halbleiterschichtenfolge 21 dienen, so dass es möglich sein kann, dass eine zusätzliche Passivierungsschicht wie die in

Figur 4 gezeigte Passivierungsschicht 30 nicht notwendig ist. Insbesondere kann die zweite metallische Kontaktschicht 3 der elektrischen Kontaktstruktur 10 freiliegend und von keiner Passivierungsschicht bedeckt sein.

Die in Verbindung mit den Figuren beschriebenen

Ausführungsbeispiele und Merkmale können gemäß weiterer

Ausführungsbeispiele auch miteinander kombiniert werden, auch wenn solche Kombinationen nicht explizit beschrieben sind. Weiterhin können die in den Figuren gezeigten

Ausführungsbeispiele weitere oder alternative Merkmale gemäß der Beschreibung im allgemeinen Teil aufweisen. Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen i den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den

Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.