以下に、本発明にかかる高周波パッケー� ��の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明� ��る。なお、この実施の形態によりこの発明� ��限定されるものではない。

 図1は、高周波パッケージ1が搭載される� �受信モジュール10の構成を示す断面図である 。図2は高周波パッケージ1の構成を示す断面� ��である。この送受信モジュール10は、例え� �、ミリ波帯の電磁波を使用し、前方の目標� �(車両など)との距離および相対速度を検知す る機能を有するFM-CWレーダに適用される。FM-C Wレーダは、周波数変調された高周波信号(送� ��信号)を目標に照射し、目標から反射した信 号(受信信号)と送信信号の周波数の差を検出� ��、その周波数を使って目標までの距離およ� ��相対速度を算出するものである。

 この送受信モジュール10は、導波管11が形 成された導波管プレート12と、導波管プレー� ��12上に搭載される金属製のキャリア基板13と 、キャリア基板13上に搭載される高周波パッ� ��ージ1と、導波管プレート12上に搭載される� ��ジュール制御基板(制御/インタフェース基� �ともいう)14とを備える。導波管プレート12下 面側には、アンテナ基板(図示せず)が接続さ� ��る。キャリア基板13は接地されており、キ� �リア基板13にも導波管15が形成されている。� ��ジュール制御基板14には、制御回路、電源� �路などを構成する電子回路16、外部端子17な� ��が搭載されている。キャリア基板13上には� �高周波パッケージ1の構成要素である多層誘� ��体基板20が搭載されており、この多層誘電� �基板20の表層側の中央部には、高周波デバイ ス2を搭載するための凹部40が形成されている 。

 多層誘電体基板20に形成された凹部40の底 面上には、高周波デバイス(MMIC)2が収容され� �いる。多層誘電体基板20上には、高周波デバ イス2から外部への不要放射をシールドする� �属製の枠形状のシールリング3が搭載され、� ��らにシールリング3上には金属製のカバー4� �設けられている。シールリング3およびカバ� ��4によって、多層誘電体基板20の表層の一部� ��よび高周波デバイス2を覆う電磁シールド部 材を構成している。すなわち、多層誘電体基 板20と、シールリング3と、カバー4によって� �まれて外部と遮断されているキャビティ内� �、高周波デバイス2が収容されている。この� ��うに、高周波パッケージ1は、多層誘電体基 板20、高周波デバイス2、シールリング3およ� �カバー4などで構成されている。

 また、電磁シールド部材の内部側の多層� ��電体基板20の表層には、高周波デバイス2に� ��イアス電圧を供給したり、あるいは高周波� ��バイス2との間で制御信号を入出力するため の内部導体パッド(バイアス/制御信号用パッ� ��という)5が設けられている。高周波デバイ� �2側にも、導体パッド7が設けられている。内 部導体パッド5と高周波デバイス2の導体パッ� ��7との間は、金などで構成されるワイヤ6に� �ってワイヤボンディング接続されている。

 シールリング3の外側の多層誘電体基板20� ��には、外部導体パッド(外部端子)21が設けら れている。外部導体パッド21は、シールリン� ��3の外側の多層誘電体基板20内に形成された� ��号ビア22、内層信号線路23、シールリング3� �内側の多層誘電体基板20内に形成された信号 ビア24を介して内部導体パッド5と電気的に接 続されている。外部導体パッド21は、図1に示 すように、ワイヤ27を介してモジュール制御� ��板14上に形成された外部端子17に接続されて いる。このような接続構成により、シールリ ング3の外側に配置されたモジュール制御基� �14からシールリング3の内側に配置された高� �波デバイス2に対してバイアス電圧あるいは� ��御信号を供給することができる。

 なお、シールリング3の内側においては、 多層誘電体基板20の表層は、内部導体パッド5 の周囲の誘電体が露出された部分以外は、基 本的に、表層接地導体としてのグランドパタ ーンが形成されており、表層を介して多層誘 電体基板20の内部に不要波としての高周波信� ��が進入することを防止している。この表層� ��地導体は、グランドビア28などを介してキ� �リア基板13あるいは多層誘電体基板20の内層� ��形成された内層接地導体(図示せず)に適宜� �続されている。また、信号ビア24の周囲には 、誘電体を挟んで複数のグランドビア(図示� �ず)が配されており、これら複数のグランド� ��アによって他の信号ビアからの電界をシー� ��ドしている。

 つぎに、図3及び図4を用いて本実施形態� �おける要部について説明する。図3及び図4は 、カバー4を除去した状態での多層誘電体基� �20の表層を示す平面図である。図3及び図4に� ��すように、高周波デバイス2に対しワイヤ6� �接続された内部導体パッド5には、高周波デ� ��イス2で使用する高周波信号の波長λの略1/4� ��長さを有する、別言すればキャビティ内の� ��要放射の波長λの略1/4の長さを有する先端� �放線路50を多層誘電体基板20の表層に設ける� ��すなわち、内部導体パッド5に接続される信 号ビア24が短絡点になるように、信号ビア24� �らの長さが不要波の波長λの略1/4の長さを有 する先端開放線路50を内部導体パッド5に対し 接続するようにする。先端開放線路50の延在� ��向は、図3および図4に示すように任意であ� �。

 キャビティ内部には高周波デバイス2によ る不要放射が空間伝搬しており、従来は、こ の不要放射が内部導体パッド5と高周波デバ� �ス2間のワイヤ6に結合して、図1、図2の破線� ��示すように、内部導体パッド5及び信号ビア 24を経由して内層信号線路23、信号ビア22、外 部導体パッド21からなる例えばバイアスライ� ��に伝搬して、外部へ放射してしまうという� ��題があった。

 そこで、本実施の形態においては、内部� ��体パッド5にλ/4長の先端開放線路50を接続す るようにしているので、ワイヤ6に結合した� �要放射を先端開放線路50の箇所で反射するこ とができ、これにより不要放射が内層信号線 路23、信号ビア22、外部導体パッド21を介して 外部に漏洩することを抑止することができる 。すなわち、先端開放線路50を設けることに� ��り、キャビティ内に空間伝搬している不要� ��射がワイヤ6に結合する量を少なくすること ができ、電波法で規定されるEMI特性を満足さ せることができる。

 図5および図6は、ワイヤ6の長さをλ/4にし たときの外部への不要波の漏洩量のシュミレ ーション特性、すなわちワイヤ6と外部導体� �ッド21との間における高周波成分の通過シュ ミレーション特性を示しており、図5が先端� �放線路50を設けない場合を、図6がλ/4長の先� ��開放線路50を設ける場合を示している。図5� ��よび図6において、f0が不要放射の周波数で� ��る。

 これらのシュミレーション結果からも分� ��るように、図5に示すように、先端開放線路 50を設けない場合は、不要放射周波数f0が外� �へ漏れ出す量は-50dBであるのに対し、図6に� �すように、先端開放線路50を設けた場合は、 不要放射周波数f0が外部へ漏れ出す量は-64dB� �あることが判る。すなわち、先端開放線路50 を設けた場合は、バンドストップフィルタの 機能が働き、不要波周波数λに対応する周波� ��f0の近傍帯域において、通過量を極端に減� �すことができる。このため、ワイヤ6に結合� ��た不要波成分が先端開放線路50より先まで� �過することを抑止することができ、これに� �り外部への高周波成分の漏洩を抑圧する事� �可能となる。

 なお、上記では、キャビティ構成するた� ��の電磁シールド部材としては、別体のシー� ��リング3およびカバー4を採用するようにし� �が、電磁シールド部材として、これらが一� �的に構成されているキャップ部材を採用す� �ようにしてもよい。

 このように実施の形態によれば、バイア� ��/制御信号用の内部導体パッド5に、ワイヤ6� ��結合する不要波の波長の略1/4の長さを有す� ��先端開放線路を設けるようにしているので� ��ワイヤ6に結合した不要波は内部導体パッド の先端開放線路の箇所で反射されることにな るので、ワイヤ6への結合量を減らすことが� �き、これにより外部への漏出量を減らすこ� �ができる。したがって、不要波成分の高周� �パッケージ外部への漏洩を確実に抑止する� �とができる。このように、高周波パッケー� �内部で、高周波成分の高周波パッケージ外� �への漏洩を抑止することができるので、製� �コストを低減することができる。