以下、本発明の一実施形態に係るイオン伝� ��性電解質膜の検査方法について、図1乃至図 4を用いて詳細に説明する。ここで図1は、検� ��対象となる電解質膜に調光薄膜を接合した� ��きの一構成例を示す図であり、図2は、図1� �電解質膜における水素ガス漏洩の例を示す� �略図である。更に図3は、図1に示される電解 質膜の斜視図であり、図4は、検査のために� �1に示す電解質膜等を容器に収容する場合の� ��略構成例を示す図である。
 図1乃至図3に示されるように、電解質膜10と 同一の平面状形を有する調光薄膜11は、触媒� ��12と反応層13を有し、触媒層12が電解質膜10� �第1の面10aに接している。なお、図1及び図2� �の符号10bは、電解質膜10の第2の面を示して� �る。電解質膜10には、例えば固体高分子膜で あるパーフルオロスルホン酸基ポリマー膜、 あるいはナフィオン膜等を使用することがで きる。調光薄膜11が有する反応層13は、例え� �MgNix(0≦x<0.6)の薄膜である。反応層13は、� �グネシウム・チタン合金、マグネシウム・� �オブ合金、マグネシウム・バナジウム合金� �しくはマグネシウムで形成することもでき� �。触媒層12は、例えばパラジウムもしくは白 金からなり、反応層13の表面にコーティング� ��どによって形成することができる。触媒層1 2の厚さは、1nm乃至100nmである。

 このように構成された調光薄膜11が、水素� �度が100ppm乃至1%程度以上の雰囲気に触れると 、例えば数秒乃至10秒程度で、反応層13が迅� �かつ可逆的に水素化して光学的反射率(以下� ��単に「反射率」と表示することがある)に目 視可能な変化が生じる。即ち、反応層13は、� ��素化していないときには反射率が高く、水� ��化すると反射率が低下する。
 なお、ポリエチレンシート上に反応層13を� �成し、さらに触媒層12を形成した調光薄膜11� ��は、その取り扱いが容易になる。この場合� ��図1における調光薄膜11の上面にポリエチレ� ��シートが位置する。
 電解質膜10を検査する場合、図4に示される� ��うに、調光薄膜11を接合した電解質膜10を容 器20に収容した後、電解質膜10の第2の面10b側� ��水素ガス供給空間21に、容器20の水素ガス供 給口21aから水素ガス(H ₂ )を、例えばポンプ26で供給する。調光薄膜11� ��側の空気供給空間22には、水素ガスを殆ど� �まないガス(例えば空気)が容器20の空気供給� ��22aから、図示しないポンプで供給される。� ��素ガス供給空間21と空気供給空間22とは、電 解質膜10で遮られている。空気供給空間22の� �壁23には、調光薄膜11を目視するための窓24� �設けられている。窓24には、ガラス25が取り� ��けられて容器20の内部と外部を遮蔽してい� �。なお、調光薄膜11を接合した電解質膜10は� ��その周辺部を枠(図示せず)で挟持されるな� �して容器20の内部に固定されている。

 電解質膜10にクラックやピンホール等の欠� �部が全くないときには、水素ガス供給空間21 に供給された水素ガスは、電解質膜10に阻ま� ��て調光薄膜11に触れることができない。従� �て、調光薄膜11は水素化されず、調光薄膜11� ��反射率は変化しない。このため、調光薄膜1 1の表面11aを目視したとき、調光薄膜11は、均 一な高い反射率を有して鏡面のように見える 。
 一方、電解質膜10にクラック10c(欠陥部)があ るときには、図2及び図4に示されるように、� ��素ガス(H ₂ )が電解質膜10の第2の面10bからクラック10cを� �て電解質膜10の第1の面10aへと漏洩する。す� �とクラック10cに接する調光薄膜11の部分11cは 、漏洩した水素ガス(H ₂ )の多寡に応じて反射率が迅速に低下し、調� �薄膜11の斑として目視することができる。

 なお、調光薄膜11と電解質膜10の第1の面10a� �の接合は、両膜の間に間隙が全く生じない� �全な密着状態のみを意味するものではない� �なぜならば、両膜を接合するときに僅かな� �隙が生じたとしても、クラック10cで漏洩し� �水素ガスは、クラック10cの直近の反応層13を 水素化できるからである。
 また、水素イオン伝導性電解質膜を検査す� ��場合において、電解質膜10の第2の面10bに水� ��極が接合されていてもよい。なぜならば、� ��解質膜10に欠陥部があるときには、水素ガ� �は、水素極を透過したのち欠陥部を通じて� �解質膜10の第1の面10aへと漏洩して反応層を� �素化するからである。従って、水素イオン� �導性電解質膜に水素極を接合した膜電極接� �体の半完成品状態において、欠陥部の検査� �行うことができる。また水素極を接合する� �とで、調光薄膜11と電解質膜10との接合体(両 膜とも極めて薄い)に水素極の厚さが加わっ� �、電解質膜等の取り扱いが容易になる。

 またポンプ26を用いて、水素ガスを供給す� �と共に、水素給空間21の気圧を空気供給空間 22の気圧よりも高く維持することが好ましい� ��そうすれば、電解質膜10に水素極を接合す� �か否かに拘らず、クラック10cにおける漏洩� �素ガスを増量させることができる。なお、� �の場合には、水素ガス供給空間21の気圧を空 気供給空間22の気圧よりも高く維持できるも� ��であれば、ポンプ26以外のものを用いても� �い。
 かくして本実施形態の検査法法によれば、� ��光薄膜11に水素ガス漏洩を生じさせる欠陥� �の有無、欠陥部の位置、欠陥部の形状を目� �によって迅速に検査することができる。ま� �目視に代えて、テレビジョンカメラなどで� �光薄膜11の反射率を電気信号に変換すれば、 映像処理装置で反射率の変化を検出して、電 解質膜10の欠陥部を迅速に検査することもで� ��る。

 電解質膜の形状は、実施例の平板形状に限� ��されず他の平面的な形状であってもよい。� ��た円柱状の電解質膜の場合には、円柱状の� ��解質膜の外周面に調光薄膜を接合し、円柱� ��内周面側の空間に水素ガスを供給するなど� ��てもよい。
 なお本発明の適用は、固体高分子型燃料電� ��の膜電極接合体に用いられるイオン伝導性� ��解質膜の検査に限定されるもではなく、上� ��した実施形態に限定されるものでもなく、� ��の趣旨を逸脱しない範囲において、適宜変� ��して実施できる。