以下に、本発明を実施するための最良の� ��態を、添付図面を参照しながら説明する。� ��1は本発明に係るレーザスクライブ装置10の� ��面概略図、図2は本発明に係るレーザスクラ イブ装置10によるレーザスクライブ動作を平� ��視的に示す図、図3は解析用コンピュータの 構成概要を示す図である。各図において直交 座標系の3軸をX、Y、Zとし、XY平面は水平面、 Z方向は鉛直方向であり、Z方向まわりの回転� ��向をθ方向とする。

 図1に示すように、レーザスクライブ装置 10は、可動テーブル20、初期亀裂形成機構30、 レーザ光照射ユニット40、冷却ユニット50及� �スクライブ状態検査装置60を備える。初期亀 裂形成機構30、レーザ光照射ユニット40及び� �却ユニット50は、可動テーブル20よりも高い� ��置において一体的に基台70に固設される。

 可動テーブル20は、載置された基板Kを真� ��吸着により保持可能なテーブル面を備える� ��共に、テーブル駆動装置21によりXYZθ各方向 に駆動可能とされる。スクライブ線形成時は Y1方向に駆動される。

 初期亀裂形成機構30は、先端に回転刃31を 有し上下駆動可能とされた回転刃ユニット32� ��備え、可動テーブル20に載置保持された基� �Kにおける割断予定線Jの始端JSに極微小な初� ��亀裂Cを形成可能に構成される。

 レーザ光照射ユニット40は、レーザ発振� �から出力されたレーザ光Lを、反射ミラーや� ��キスパンドレンズなどからなる光学系を経� ��して、レーザ照射窓41から基板Kの表面に向� ��て照射可能に構成される。レーザ照射窓41� �ら照射されるレーザ光Lは、基板Kにスクライ ブ線SBを形成するのに十分な出力を有するも� ��とされる。レーザ照射窓41は、スクライブ� �形成時における可動テーブル20に対するレー ザ光Lの相対移動の方向Y2を基準に回転刃31の� ��方部に設けられる。

 冷却ユニット50は、霧状の冷却ミストMを� ��射可能な噴射ノズル51を備える。噴射ノズ� �51は、基板K上に照射されるレーザ光Lに追随� ��るように、スクライブ線形成時における可� ��テーブル20に対するレーザ光Lの相対移動の� ��向Y2を基準にレーザ照射窓41の後方部に設け られる。

 スクライブ状態検査装置60は、スクライ� �線形成時に当該スクライブ線における亀裂� �生部分より放出される超音波をリアルタイ� �で検出可能なように可動テーブル20に取り付 けられたAEセンサ1、AEセンサ1の出力信号を増 幅するアンプ2、アンプ2の出力信号をA-D(アナ ログ-デジタル)変換するAD変換器3、AD変換器3� ��接続された解析用コンピュータ4、ブザーや ランプにより警報を発する警報装置5、解析� �コンピュータ4が出力した異常信号S3に基づ� �てレーザ光照射ユニット40、冷却ユニット50� ��びテーブル駆動装置21を停止させると共に� �報装置5を励起させる制御装置6を備える。

 解析用コンピュータ4は、形成中のスクラ イブ線SBが正常か否かを解析するコンピュー� ��であり、図3に示すように、記憶部42と比較� ��理部43とを有する。記憶部42には、次に示す 正常超音波信号S2が予め登録されている。す� ��わち正常超音波信号S2とは、正常なレーザ� �クライブ動作時の亀裂成長時にその亀裂発� �部分より放出される固有の音波信号のこと� �ある。比較処理部43は、AEセンサ1で検出した 基板Kからの超音波信号S1と、記憶部42に登録� ��れた正常超音波信号S2とを比較して、両者� �一致する場合はレーザスクライブ動作が正� �であると判断し、不一致の場合はレーザス� �ライブ動作が異常であると判断して異常信� �S3を出力するように構成される。このような 記憶部42及び比較処理部43は、メモリチップ� �マイクロプロセッサーなどを主体とした適� �なハードウエア及びこれに組み込んだコン� �ュータプログラムにより実現される。

 次に、図4を参照して、レーザスクライブ 装置10のスクライブ線形成動作について説明� ��る。図4はレーザスクライブ装置10によるス� ��ライブ線形成動作を示すフローチャートで� ��る。

 まず、ステップ100において、テーブル駆� ��装置21は、基板Kを載置保持した可動テーブ� ��20を、回転刃31と基板Kにおける割断予定線J� ��始端JSとを結ぶ直線t1(図2(A)参照)がY方向に� �行となるように駆動配置する。続いて、ス� �ップ110において、初期亀裂形成機構30は回転 刃31を降下させて、その刃先が基板Kの表面よ りも低くなる位置に配置する。

 続いて、ステップ120において、テーブル駆� ��装置21は、可動テーブル20をY1方向に駆動す� ��(図2(B)参照)。可動テーブル20の移動により� �回転刃31が基板Kにおける割断予定線Jの始端J Sに衝突する。その直後に初期亀裂形成機構30 は回転
刃31を上昇させる。これにより、割断予定線J の始端JSに所定深さ及び長さの極微小な初期� ��裂Cが形成される。

 初期亀裂Cが形成されると、ステップ130に おいて、レーザ光照射ユニット40は、レーザ� ��射窓41から基板Kに向けてレーザ光Lを照射す る。また、ステップ140において、冷却ユニッ ト50は、レーザ光Lに追随するように噴射ノズ ル51から冷却ミストMを噴射する。基板Kに対� �るレーザ光L及び冷却剤Mの相対的な移動によ り、始端JSを起点として、レーザ光Lは割断予 定線Jを急激に加熱し局所的に熱膨張させて� �縮応力を生じさせ、冷却剤Mはその直後に加� ��部分を急激に冷却することで局所的に収縮� ��せて引張応力を生じさせる。これにより、� ��期亀裂Cを亀裂進展の開始点として、基板K� �表面に、割断予定線Jに沿う微小亀裂を連続� ��長させてスクライブ線SBを形成していく。

 スクライブ線SBの形成動作時に、AEセンサ 1は、当該スクライブ線SBにおける亀裂発生部 分より放出される超音波をリアルタイムで検 出して解析用コンピュータ4に送信している� �解析用コンピュータ4は、比較処理部43にお� �て、AEセンサ1から出力された超音波信号S1と 、記憶部42に登録された正常超音波信号S2と� �比較する。検出した超音波信号S1と正常超音 波信号S2とが一致している限りは、比較処理� ��43はレーザスクライブ動作が正常であると� �断して(ステップ150でイエス)、割断予定線J� �終端JEに至るまでレーザスクライブ動作を続 行する。終端JEまでスクライブ線SBを形成し� �時点でレーザ光Lの照射、ミストMの噴射、及 び可動テーブル20の走行を停止する(ステップ 180)。

 割断予定線Jの終端JEまでに到達するまで� ��、両超音波信号が不一致となる部分があっ� ��場合は(ステップ150でノー)、比較処理部43は レーザスクライブ動作が異常であると判断し て異常信号S3を出力する。制御装置6は、異常 信号S3により機器制御信号S4を出力する。機� �制御信号S4により、警報装置5が励起して警� �を発し(ステップ160)、レーザ光Lの照射、ミ� �トMの噴射、及び可動テーブル20の走行を停� �する(ステップ180)。なお、上記両超音波信号 の一致または不一致の判定基準は、振幅及び /または周波数、すなわち振幅の強さの違い� �周波数の違いとの両方またはいずれか一方� �基づいて行うことが好ましい。また、ノイ� �による判断ミスを防止するため100kHz以下、20 0kHz以上の周波数信号は除去しておくことが� �ましい。

 このように、レーザスクライブ装置10に� �ると、正常なスクライブ線が確実に形成さ� �ているか否かを、スクライブ線形成中に確� �することができる。スクライブ線形成が異� �であった場合、直ちに対処できるので、割� �工程において基板を確実に割断できるよう� �なる。また、割断後の基板は、割断部分の� �進性や断面品質が優れたものとなる。また� �続けて多くの基板に異常なスクライブ線を� �成してしまうことが防止でき、歩留まりの� �上を図ることができる。併せて生産時間の� �長も招かない。