Lumineszenzdiodenanordnung, Hinterleuchtungsvorrichtung und Anzeigevorrichtung

Die vorliegende Anmeldung betrifft eine Lumineszenzdiodenanordnung, eine Hinterleuchtungsvorrichtung und eine

Anzeigevorrichtung .

Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Offenbarung, eine Lumineszenzdiodenanordnung für eine Hinterleuchtungsvorrichtung einer Anzeigevorrichtung anzugeben, mit der kostengünstig ein großer Gamut der Anzeigevorrichtung erzielbar ist.

Gemäß zumindest einem Aspekt wird eine Lumineszenzdioden ^¬ anordnung mit einem ersten Lumineszenzdiodenchip, einem zweiten Lumineszenzdiodenchip und einem Lumineszenzkonversionselement angegeben. Unter einem "Lumineszenzdiodenchip" wird im vorliegenden Zusammenhang ein

optoelektronischer Halbleiterchip mit einer zur

Strahlungserzeugung vorgesehenen Halbleiterschichtenfolge verstanden, zum Beispiel ein Leuchtdiodenchip oder ein Laserdiodenchip .

Gemäß zumindest einem weiteren Aspekt wird eine Hinter ^¬ leuchtungsvorrichtung mit der Lumineszenzdiodenanordnung angegeben, die insbesondere zur Hinterleuchtung einer Anzeigevorrichtung ausgebildet ist. Die Hinterleuchtungs ^¬ vorrichtung enthält insbesondere eine Mehrzahl der

Lumineszenzdiodenanordnungen. Die in der Hinterleuchtungsvorrichtung enthaltenen Lumineszenzdiodenanordnungen sind insbesondere baugleich. Gemäß zumindest einem weiteren Aspekt wird eine

Anzeigevorrichtung mit der Hinterleuchtungsvorrichtung angegeben. Bei der Anzeigevorrichtung kann es sich um eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung (LCD, Liquid Crystal

Display) wie einen LCD-Fernseher handeln. Beispielsweise ist die Hinterleuchtungsvorrichtung zur Hinterleuchtung einer Lichtventilanordnung des LCD ausgebildet.

Bei zumindest einer Ausgestaltung ist der erste Lumineszenzdiodenchip zur Emission blauen Lichts ausgebildet. Der zweite Lumineszenzdiodenchip ist insbesondere zur Emission grünen Lichts ausgebildet. Vorzugsweise enthält er eine Halbleiter ^¬ schichtenfolge, die zur Emission des grünen Lichts

ausgebildet ist. Das Lumineszenzkonversionselement ist insbesondere zur Konversion eines Teils des vom ersten

Lumineszenzdiodenchip emittierten blauen Lichts in rotes Licht ausgebildet. Zeckmäßigerweise emittiert der erste

Lumineszenzdiodenchip im Betrieb der Lumineszenzdiodenanordnung blaues Licht, der zweite Lumineszenzdiodenchip emittiert im Betrieb der Lumineszenzdiodenanordnung grünes Licht und das Lumineszenzkonversionselement emittiert im Betrieb der Lumineszenzdiodenanordnung rotes Licht.

Dass der erste Lumineszenzdiodenchip blaues Licht emittiert bedeutet im vorliegenden Zusammenhang insbesondere, dass die vom ersten Lumineszenzdiodenchip im Betrieb emittierte elektromagnetische Strahlung eine dominante Wellenlänge im blauen Spektralbereich, insbesondere zwischen 420 nm und 490 nm, vorzugsweise zwischen 430 nm und 480 nm, hat, wobei die Grenzen jeweils eingeschlossen sind. Bei einer Ausgestaltung liegt die dominante Wellenlänge zwischen 435 nm und 445 nm, wobei die Grenzen eingeschlossen sind, zum Beispiel hat sie einen Wert von 440 nm. Bei einer anderen Ausgestaltung liegt sie zwischen 445 nm und 455 nm, wobei die Grenzen eingeschlossen sind, beispielsweise hat sie einen Wert von 450 nm.

Dass die Halbleiterschichtenfolge des zweiten Lumineszenz ^¬ diodenchips grünes Licht emittiert bedeutet im vorliegenden Zusammenhang insbesondere, dass die von der Halbleiterschichtenfolge im Betrieb emittierte elektromagnetische

Strahlung eine dominante Wellenlänge im grünen Spektral ^¬ bereich, insbesondere zwischen 490 nm und 575 nm, vorzugs ^¬ weise zwischen 500 nm und 550 nm, hat, wobei die Grenzen jeweils eingeschlossen sind. Beispielsweise liegt die

dominante Wellenlänge zwischen 520 nm und 530 nm, wobei die Grenzen eingeschlossen sind, zum Beispiel hat sie einen Wert von 525 nm.

Als "dominante Wellenlänge" wird im vorliegenden Zusammenhang insbesondere die Wellenlänge derjenigen Spektralfarbe

verstanden, die den gleichen Farbeindruck hervorruft wie das vom ersten bzw. zweiten Lumineszenzdiodenchip emittierte Licht .

Dass das Lumineszenzkonversionselement blaues Licht in rotes Licht konvertiert bedeutet im vorliegenden Zusammenhang insbesondere, dass das Lumineszenzkonversionselement

elektromagnetische Primärstrahlung mit einer Wellenlänge im blauen Spektralbereich absorbiert und elektromagnetische Sekundärstrahlung emittiert, die ein Intensitätsmaximum mit einer Wellenlänge im roten Spektralbereich, insbesondere zwischen 620 nm und 750 nm, vorzugsweise zwischen 630 nm und 700 nm, hat, wobei die Grenzen jeweils eingeschlossen sind. Beispielsweise hat das Intensitätsmaximum der Sekundärstrahlung eine Wellenlänge zwischen 650 nm und 750 nm, bevorzugt zwischen 610 nm und 640 nm, wobei die Grenzen jeweils eingeschlossen sind.

Die Lumineszenzdiodenanordnung ist bei zumindest einer

Ausgestaltung zur Abstrahlung von Mischlicht ausgebildet, das blaues Licht des ersten Lumineszenzdiodenchips, grünes Licht des zweiten Lumineszenzdiodenchips und rotes Licht des

Lumineszenzkonversionselements enthält. Insbesondere besteht das Mischlicht aus blauem Licht des ersten Lumineszenz ^¬ diodenchips, grünem Licht des zweiten Lumineszenzdiodenchips und rotem Licht des Lumineszenzkonversionselements.

Vorzugsweise ruft das Mischlicht einen weißen Farbeindruck hervor. Anders ausgedrückt hat das Mischlicht vorzugsweise einen Farbort im weißen Bereich der CIE-Normfarbtafel . Die CIE-Normfarbtafel , auch CIE-Diagramm genannt, dient der

Darstellung der x- und y-Koordinaten des von der

Internationalen Beleuchtungskommission (CIE, Commission internationale de l'eclairage) im Jahr 1931 entwickelten Normfarbsystems und ist dem Fachmann prinzipiell bekannt.

Zur Konversion des blauen Lichts des ersten Lumineszenzdiodenchips in rotes Licht enthält das Lumineszenz ^¬ konversionselement bei zumindest einer Ausgestaltung

mindestens einen Leuchtstoff, beispielsweise einen

anorganischen Leuchtstoff wie einen Aluminiumnitrid ^¬ leuchtstoff. Das Lumineszenzkonversionselement kann aus dem Leuchtstoff bestehen oder es kann ein Matrixmaterial

aufweisen, in welches der Leuchtstoff eingebettet ist.

Beispielsweise weist das Lumineszenzkonversionselement ein keramisches Material auf, das aus dem Leuchtstoff oder mehreren Leuchtstoffen besteht oder mindestens einen Leuchtstoff enthält. Das Lumineszenzkonversionselement kann auch eine, zum Beispiel elektrophoretisch abgeschiedene, Pulverschicht mit einem oder mehreren Leuchtstoffen

enthalten. Alternativ können Partikel mindestens eines

Leuchtstoffs in ein Matrixmaterial, beispielsweise ein

Epoxidharz oder ein Silikonmaterial, eingebettet sein.

Bei zumindest einer Ausgestaltung weist das Mischlicht, das von der Lumineszenzdiodenanordnung im Betrieb emittiert wird, ein Intensitätsmaximum im grünen Spektralbereich auf. Die Lumineszenzdiodenanordnung ist bei dieser Ausgestaltung vorzugsweise frei von einem Leuchtstoff mit einem

Intensitätsmaximum im grünen Spektralbereich. Insbesondere enthält bei dieser Ausgestaltung das Lumineszenzkonversions ^¬ element keinen Leuchtstoff, der im Betrieb der Lumineszenz ^¬ diodenanordnung Sekundärlicht mit einem Intensitätsmaximum im grünen Spektralbereich emittiert.

Auf diese Weise kann ein gegenüber Temperaturschwankungen und Alterung besonders unempfindliches Emissionsspektrums des Mischlichts erzielt werden. Die Lebensdauer der

Lumineszenzdiodenanordnung bis zum Unterschreiten der

sogenannten "L50/B50" Schwelle ist beispielsweise größer als 20000 Betriebsstunden. Die Gefahr von Schwankungen des

Farborts des von der Lumineszenzdiodenanordnung emittierten Mischlichts aufgrund von Temperaturänderungen oder

Betriebsdauer der Lumineszenzdiodenanordnung ist im Vergleich zu Lumineszenzkonversionselementen, welche grünes Licht emittierende Leuchtstoffe erhalten, verringert.

Der Begriff "L50/B50" ist dem Fachmann im Prinzip bekannt. Insbesondere bedeutet eine "L50/B50" Schwelle von über 20000 Betriebsstunden, dass von einer Vielzahl von gleichartigen Lumineszenzdiodenanordnungen 50% der Lumineszenzdiodenanordnungen eine Lebensdauer von mindestens 20000

Betriebsstunden hat und zu diesem Zeitpunkt noch Licht aussendet, das mindestens 50 % der Lichtstärke und/oder

Leuchtdichte des bei 0 Betriebsstunden ausgesandten Lichts hat. Bei einer anderen Ausgestaltung hat die sogenannte

"L70/B30" Schwelle, bei der 70 % der Lumineszenzdioden ^¬ anordnungen noch 70 % der Anfangslichtstärke und/oder

-leuchtdichte erreichen, einen Wert von 5000 Betriebsstunden oder mehr.

Das vom zweiten Lumineszenzdiodenchip emittierte grüne Licht hat bei einer Ausgestaltung in der CIE-Normfarbtafel einen Farbort, für dessen Koordinaten [ xg , yg ] gilt: xg -S 0,15 und yg > 0,7. Vorzugsweise gilt für die Koordinaten [ xg , yg ] : 0 -S x _G < 0,15 und 0,7 < y _G < 0,9.

Ein solcher Farbort liegt in der CIE-Normfarbtafel

vorteilhafterweise vergleichsweise nahe an den Farborten, welche den Spektralfarben des grünen Spektralbereichs

zugeordnet sind. Demgegenüber weisen grünes Licht

emittierende Leuchtstoffe, beispielsweise Orthosilikatleucht- stoffe in der CIE-Normfarbtafel Farborte auf, die weiter von den Farborten der Spektralfarben des grünen Spektralbereichs entfernt sind. Vorteilhafterweise sind so gegenüber

Lumineszenzdiodenanordnungen, die Leuchtstoffe zur Erzeugung grünen Lichts enthalten, sind bei der Lumineszenzdiodenanordnung gemäß der vorliegenden Offenbarung Anzeigevorrichtungen mit größerem Gamut erzielbar.

Der Gamut bezeichnet in vorliegendem Zusammenhang insbesondere die Menge aller Farben, welche die Anzeigevorrichtung darstellen kann. Der Gamut entspricht im CIE-Diagramm einer begrenzten Fläche, beispielsweise einer Dreiecksfläche. Die Anzeigevorrichtung kann nur Farbreize wiedergeben, die innerhalb dieser Fläche liegen.

Bei der Anzeigevorrichtung ist bei einer Ausgestaltung mittels des von der Lumineszenzdiodenanordnung oder den

Lumineszenzdiodenanordnungen der Hinterleuchtungsvorrichtung emittierten Mischlichts ein Gamut erzielt, dessen

Flächeninhalt bei Darstellung in der CIE-Normfarbtafel mindestens 100 %, vorzugsweise mindestens 110 %, besonders bevorzugt mindestens 120 % des Flächeninhalts des NTSC- Farbraums beträgt. Als NTSC-Farbraum wird dabei im

vorliegenden Zusammenhang derjenige Farbortbereich

verstanden, der durch ein Dreieck mit den Koordinaten

[0, 67; 0, 33] , [0,21;0,71] und [0,14;0,08] im CIE-Diagramm begrenzt ist.

Bei zumindest einer Ausgestaltung ist die Lumineszenzdiodenanordnung zur Abstrahlung des Mischlichts von einer

Vorderseite vorgesehen. Bei einer Weiterbildung ist der erste Lumineszenzdiodenchip in Draufsicht auf die Vorderseite zumindest stellenweise von dem Lumineszenzkonversionselement bedeckt. Der zweite Lumineszenzdiodenchip kann von dem

Lumineszenzkonversionselement unbedeckt sein oder zumindest stellenweise von dem Lumineszenzkonversionselement bedeckt sein. Die Lumineszenzdiodenanordnung ist mit Vorteil

besonders einfach herstellbar, wenn alle Lumineszenzdiodenchips von dem Lumineszenzkonversionselement bedeckt sind .

Beispielsweise bei einer Ausgestaltung, bei der der zweite Lumineszenzdiodenchip zumindest stellenweise von dem

Lumineszenzkonversionselement bedeckt ist ist das Lumineszenzkonversionselement insbesondere zusätzlich dazu ausgebildet, einen Teil der vom zweiten Lumineszenzdiodenchip emittierten elektromagnetischen Strahlung, insbesondere einen Teil des von der Halbleiterschichtenfolge emittierten grünen Lichts, in rotes Licht zu konvertieren.

Bei zumindest einer Ausgestaltung ist das Lumineszenzkonversionselement - insbesondere mittels eines weiteren Leuchtstoffs - dazu ausgebildet, blaues Licht des ersten Lumineszenzdiodenchips und/oder grünes Licht des zweiten Lumineszenzdiodenchips in gelbes Licht zu konvertieren. Auf diese Weise ist eine besonders hohe Gesamteffizienz der

Lumines zenzdiodenanordnung erzielbar.

Bei zumindest einer Ausgestaltung ist das Lumineszenzkonversionselement als ein separat gefertigtes

Konverterplättchen, das auf dem ersten Lumineszenzdiodenchip ausgebildet oder auf diesen aufgebracht sein kann,

ausgebildet. Insbesondere ist das Konverterplättchen dann auf einer vorderseitigen Hauptfläche des ersten

Lumineszenzdiodenchips aufgebracht oder ausgebildet. Das Konversionsmaterial ist in diesem Fall insbesondere nicht in einen Verguss eingebracht, mit dem der Lumineszenzdiodenchip vergossen ist.

Bei zumindest einer Ausgestaltung ist das Lumineszenzkonversionselement als separat gefertigte Kappe ausgebildet, die zusätzlich zur vorderseitigen Hauptfläche des ersten Lumineszenzdiodenchips auch dessen Seitenflanken zumindest stellenweise bedeckt oder überdecken kann. Das heißt, in diesem Fall ist auch Seitenflächen des Lumineszenzdiodenchips das Lumineszenzkonversionselement nachgeordnet. Bei einem als Kappe ausgebildeten Lumineszenzkonversionselement ist es insbesondere möglich, dass zwischen dem Lumineszenzdiodenchip und dem Lumineszenzkonversionselement ein Spalt ausgebildet ist, der zum Beispiel mit Luft gefüllt sein kann. In diesem Fall wird das Lumineszenzkonversionselement im Betrieb weniger stark aufgeheizt, als wenn ein Lumineszenzkonversionselement Verwendung findest, das mit dem

Lumineszenzdiodenchip in direktem Kontakt steht. Eine

Alterung des Lumineszenzkonversionselements kann auf diese Weise verlangsamt werden.

Bei zumindest einer Ausgestaltung sind alle Lumineszenzdiodenchips der Lumineszenzdiodenanordnung - und insbesondere alle Lumineszenzdiodenchips der Hinterleuchtungsvorrichtung - zur Emission von sichtbarem und/oder ultraviolettem Licht ausgebildet, das eine dominante Wellenlänge außerhalb des roten Spektralbereichs aufweist. Insbesondere emittieren alle Lumineszenzdiodenchips der Lumineszenzdiodenanordnung bzw. der Hinterleuchtungsvorrichtung sichtbares Licht mit einem Intensitätsmaximum, das eine Wellenlänge außerhalb des roten Spektralbereichs, insbesondere im blauen und/oder grünen Spektralbereich, hat. Bei einer Weiterbildung basieren alle Lumineszenzdiodenchips der Lumineszenzdiodenanordnung - und insbesondere die Lumineszenzdiodenchips aller Lumineszenz ^¬ diodenanordnungen der Hinterleuchtungsvorrichtung - auf dem gleichen Halbleitermaterial, insbesondere auf einem Nitrid- Verbindungshalbleitermaterial wie AlGalnN.

"Auf Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial basierend" bedeutet im vorliegenden Zusammenhang, dass die Lumineszenzdiodenchips oder zumindest ein Teil davon, besonders bevorzugt zumindest eine aktive Zone und/oder der Aufwachssubstratwafer, ein Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial, vorzugsweise AlGalnN - das heißt Al _n Ga _m In _] __ _n _ _m N, wobei 0 ^ n < 1, 0 ^ m < 1 und n+m < 1 - aufweist oder aus diesem besteht. Dabei muss dieses Material nicht zwingend eine mathematisch exakte Zusammen ^¬ setzung nach obiger Formel aufweisen. Vielmehr kann es beispielsweise ein oder mehrere Dotierstoffe sowie

zusätzliche Bestandteile aufweisen. Der Einfachheit halber beinhaltet obige Formel jedoch nur die wesentlichen

Bestandteile des Kristallgitters (AI, Ga, In, N) , auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt und/oder ergänzt sein können.

Mit Vorteil kann auf diese Weise auf Treiberschaltungen, die verschiedene Lumineszenzdiodenchips mit verschiedenen

Spannungsbereichen versorgen, verzichtet werden. Beispielsweise enthält die Lumineszenzdiodenanordnung gemäß der vorliegenden Offenbarung vorzugsweise keine rot emittierenden Leuchtdiodenchips, welche in einem anderen Betriebs ^¬ spannungsbereich betrieben werden müssen als blau oder grün emittierende Lumineszenzdiodenchips, die auf dem Verbindungs ^¬ halbleitermaterial AlInGaN basieren. Auf diese Weise ist die Lumineszenzdiodenanordnung einfacher und mit einer kostengünstigeren Steuereinheit ansteuerbar.

Bei zumindest einer Ausgestaltung weist die Lumineszenzdiodenanordnung und/oder die Hinterleuchtungsvorrichtung eine Steuereinheit auf, die dazu ausgebildet ist, den ersten

Lumineszenzdiodenchip und den zweiten Lumineszenzdiodenchip getrennt voneinander anzusteuern. Beispielsweise enthält die Steuereinheit einen Farbsensor und/oder einen Temperatursensor .

Beispielsweise ist die Steuereinheit zur Regelung des

Intensitätsverhältnisses des vom ersten Lumineszenzdiodenchip emittierten blauen Lichts zu dem vom zweiten Leuchtdiodenchip emittierten grünen Licht in Abhängigkeit von Messwerten des Färb- beziehungsweise Temperatursensors ausgebildet. Auf diese Weise kann mit Vorteil eine temperaturabhängige oder betriebsdauerabhängige Veränderung des Emissionsspektrums des von der Lumineszenzdiodenanordnung emittierten Mischlichts weitergehend verringert oder vollständig kompensiert werden.

Bei einer Ausgestaltung weist die Lumineszenzdiodenanordnung ein optoelektronisches Bauteil auf, das den ersten

Lumineszenzdiodenchip, den zweiten Lumineszenzdiodenchip und das Lumineszenzkonversionselement umfasst. Das

optoelektronische Bauteil weist beispielsweise mindestens zwei externe elektrische Anschlüsse zur elektrischen

Kontaktierung des ersten und zweiten Lumineszenzdiodenchips auf. Insbesondere weist es einen Chipträger und/oder ein Bauteilgehäuse auf. Der erste Lumineszenzdiodenchip, der zweite Lumineszenzdiodenchip und das Lumineszenzkonversions ^¬ element sind vorzugsweise auf dem Chipträger und/oder in dem Bauteilgehäuse angeordnet. Bei einer Weiterbildung weist das Bauteil eine Bauteilumhüllung auf, mit welcher der erste und der zweite Lumineszenzdiodenchip sind auf dem Chipträger und/oder in dem Bauteilgehäuse vorzugsweise verkapselt sind.

Die Bauteilumhüllung enthält beispielsweise eine

strahlungsdurchlässige Vergussmasse. Bei einer Weiterbildung verkapselt die strahlungsdurchlässige Vergussmasse auch das Lumineszenzkonversionselement. Bei einer anderen

Weiterbildung stellt die strahlungsdurchlässige Vergussmasse das Matrixmaterial dar, in dem der Leuchtstoff oder die

Leuchtstoffe des Lumineszenzkonversionselements eingebettet sind .

Bei einer alternativen Ausgestaltung weist die Lumineszenzdiodenanordnung ein erstes optoelektronisches Bauteil auf, das den ersten Lumineszenzdiodenchip umfasst. Zusätzlich weist sie ein zweites, separates, optoelektronisches Bauteil auf, das den zweiten Lumineszenzdiodenchip umfasst.

Bei dieser Ausgestaltung ist insbesondere entweder das

Lumineszenzkonversionselement von dem ersten opto ^¬ elektronischen Bauteil umfasst oder ein erster Teil des

Lumineszenzkonversionselements ist von dem ersten opto ^¬ elektronischen Bauteil und ein zweiter Teil des Lumineszenzkonversionselements von dem zweiten optoelektronischen

Bauteil umfasst. Beispielsweise sind der erste Lumineszenz ^¬ diodenchip und das Lumineszenzkonversionselement

beziehungsweise der erste Teil des Lumineszenzkonversions ^¬ elements in einer Reflektorwanne des ersten opto ^¬ elektronischen Bauteils angeordnet, wobei die Reflektorwanne beispielsweise von einer Ausnehmung eines Bauteilgehäuses des ersten optoelektronischen Bauteils gebildet wird. Der zweite Lumineszenzdiodenchip und gegebenenfalls der zweite Teil des Lumineszenzkonversionselements sind beispielsweise in einer Reflektorwanne des zweiten optoelektronischen Bauteils angeordnet, die insbesondere von einer Ausnehmung eines

Bauteilgehäuses des zweiten optoelektronischen Bauteils gebildet wird.

Weitere Vorteile und vorteilhafte Ausgestaltungen und

Weiterbildungen der Lumineszenzdiodenanordnung, der

Hinterleuchtungsvorrichtung und der Anzeigevorrichtung ergeben sich aus den folgenden, im Zusammenhang mit den

Figuren dargestellten exemplarischen Ausführungsbeispielen.

Es zeigen: Figur 1A, eine schematische Draufsicht auf eine

Lumineszenzdiodenanordnung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel ,

Figur 1B, einen schematischen Querschnitt durch die

Lumineszenzdiodenanordnung der Figur 1A,

Figur 2, eine schematische Draufsicht auf eine

Lumineszenzdiodenanordnung gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel ,

Figur 3A, eine schematische Draufsicht auf eine

Lumineszenzdiodenanordnung gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel ,

Figur 3B, einen schematischen Querschnitt durch die

Lumineszenzdiodenanordnung der Figur 3A,

Figur 4A, eine schematische Draufsicht auf einen Ausschnitt einer Lumineszenzdiodenanordnung gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel,

Figur 4B, einen schematischen Querschnitt durch die

Lumineszenzdiodenanordnung der Figur 4A,

Figur 5A, eine schematische Draufsicht auf einen Ausschnitt einer Lumineszenzdiodenanordnung gemäß einem fünften Ausführungsbeispiel,

Figur 5B, einen schematischen Querschnitt durch die

Lumineszenzdiodenanordnung der Figur 5A, Figur 6, eine schematische Draufsicht auf einen Ausschnitt einer Lumineszenzdiodenanordnung gemäß einem sechsten Ausführungsbeispiel,

Figur 7, eine schematische Draufsicht auf einen Ausschnitt einer Lumineszenzdiodenanordnung gemäß einem siebten Ausführungsbeispiel,

Figur 8, eine schematische Draufsicht auf einen Ausschnitt einer Hinterleuchtungsvorrichtung gemäß einem

Ausführungsbeispiel ,

Figur 9, einen schematischen Querschnitt durch eine

Anzeigevorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel,

Figur 10, ein CIE-Diagramm mit verschiedenen Farbräumen sowie den Farborten des roten Lichts und des grünen

Lichts der Lumineszenzdiodenanordnung gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel,

Figur 11, die spektrale Intensitätsverteilung des von der

Lumineszenzdiodenanordnung gemäß dem ersten

Ausführungsbeispiel emittierten Mischlichts,

Figur 12, ein CIE-Diagramm mit dem von der Anzeigevorrichtung gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figur 9 erzielbaren Farbraum.

In den Ausführungsbeispielen und Figuren sind gleiche oder gleich wirkende Elemente mit denselben Bezugszeichen

versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich anzusehen, es sei denn es ist eine Skala explizit angegeben. Ist keine Skala angegeben, können einzelne

Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.

Die Figuren 1A und 1B zeigen eine Lumineszenzdiodenanordnung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel. Figur 1A zeigt eine schematische Draufsicht auf eine Vorderseite 100 der

Lumineszenzdiodenanordnung. Figur 1B zeigt einen

schematischen Querschnitt durch die Lumineszenzdiodenanordnung .

Die Lumineszenzdiodenanordnung 1 enthält einen ersten

Lumineszenzdiodenchip 2 und einen zweiten Lumineszenzdiodenchip 3. Der erste und der zweite Lumineszenzdiodenchip 2, 3 sind in einer Ausnehmung 50 eines gemeinsamen

Bauteilgehäuses 5 angeordnet. Die Ausnehmung 50 kann auch als Chipwanne bezeichnet werden. Sie kann beispielsweise eine Reflektorwanne und/oder eine Vergusswanne darstellen.

Der erste Lumineszenzdiodenchip 2 und der zweite Lumineszenzdiodenchip 3 basieren bei der Lumineszenzdiodenanordnung 1 gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel beide auf dem

Verbindungshalbleitermaterial AlInGaN, insbesondere auf dem Halbleitermaterial InGaN. Beispielsweise handelt es sich bei den Lumineszenzdiodenchips 2, 3 um Leuchtdiodenchips, die jeweils zur Strahlungsemission von einer ihrer Hauptflächen vorgesehen sind.

Der erste Lumineszenzdiodenchip 2 weist eine epitaktische Halbleiterschichtenfolge auf, die zur Emission blauen Lichts vorgesehen ist. Insbesondere hat die von der Halbleiterschichtenfolge des ersten Lumineszenzdiodenchips 2 im Betrieb der Lumineszenzdiodenanordnung emittierte elektromagnetische Strahlung eine dominante Wellenlänge im blauen

Spektralbereich, beispielsweise bei einer Wellenlänge

zwischen 430 nm und 480 nm, wobei die Grenzen eingeschlossen sind. Vorliegend hat sie einen Wert zwischen 445 und 455 nm, zum Beispiel von 450 nm. Bei einer Variante hat sie einen Wert zwischen 435 nm und 445 nm, beispielsweise von 440 nm.

Der zweite Lumineszenzdiodenchip 3 weist eine epitaktische Halbleiterschichtenfolge auf, die zur Emission von grünem Licht ausgebildet ist, insbesondere mit einer dominanten Wellenlänge zwischen 490 nm und 575 nm, vorzugsweise zwischen 500 nm und 550 nm, wobei die Grenzen jeweils eingeschlossen sind. Beispielsweise die dominante Wellenlänge des vom zweiten Lumineszenzdiodenchip 3 emittierten grünen Lichts einen Wert von 525 nm.

Weiter weist die Lumineszenzdiodenanordnung ein Lumineszenzkonversionselement 4 auf. Bei der Lumineszenzdiodenanordnung gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel ist das Lumineszenz ^¬ konversionselement 4 auf den ersten Lumineszenzdiodenchip 2 aufgebracht. Beispielsweise handelt es sich bei dem

Lumineszenzkonversionselement 4 um ein Konverterplättchen, das auf dem ersten Lumineszenzdiodenchip 2 ausgebildet oder auf diesen aufgebracht ist. Insbesondere ist das Konverter ^¬ plättchen auf einer vorderseitigen Hauptfläche des ersten Lumineszenzdiodenchips 2 aufgebracht oder ausgebildet. Das Lumineszenzkonversionselement 4 kann auch als Kappe

ausgebildet sein, die zusätzlich zur vorderseitigen

Hauptfläche des ersten Lumineszenzdiodenchips 2 dessen

Seitenflanken zumindest stellenweise bedeckt.

Der erste Lumineszenzdiodenchip 2 mit dem Lumineszenzkonversionselement 4 und der zweite Lumineszenzdiodenchip 2 sind bei einer Ausgestaltung mit einem lichtdurchlässigen, insbesondere transparenten, Vergussmasse umhüllt, welche in die Ausnehmung 50 gefüllt ist.

Das Lumineszenzkonversionselement 4 ist bei dem ersten

Ausführungsbeispiel von der Vergussmasse verschieden, welche als Bauteilumhüllung in der Ausnehmung 50 angeordnet ist, um die Lumineszenzdiodenchips 2,3 zu verkapseln. Vielmehr ist das Lumineszenzkonversionselement 4 insbesondere mit dem ersten Lumineszenzdiodenchip 2 integriert ausgebildet und wird zusammen mit der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge des ersten Lumineszenzdiodenchips 2 in der Ausnehmung 50 des Bauteilgehäuses 5 montiert. Vorzugsweise grenzt die Ober ^¬ fläche der Ausnehmung 50 bei der Lumineszenzdiodenanordnung 1 gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel nicht an das

Lumineszenzkonversionselement 4 an oder das Lumineszenz ^¬ konversionselement 4 grenzt nur mit einem rückseitigen, den ersten Lumineszenzdiodenchip 2 umlaufenden und insbesondere schmalen Randbereich an das Bauteilgehäuse 5 an.

Beispielsweise enthält das Lumineszenzkonversionselement 4 mindestens einen Leuchtstoff oder besteht aus mindestens einem Leuchtstoff. Bei einer Ausgestaltung ist der mindestens eine Leuchtstoff in einem keramischen Material enthalten oder das Lumineszenzkonversionselement 4 besteht aus einer

Leuchtstoffkeramik, die beispielsweise ein Aluminiumnitrid enthält. Bei einer anderen Ausgestaltung enthält das

Lumineszenzkonversionselement Partikel des Leuchtstoffs oder der Leuchtstoffe, die in einem Matrixmaterial, beispielsweise einem Duroplastmaterial oder einem Thermoplastmaterial, eingebettet sind. Bei einer Ausgestaltung sind die

Leuchtstoffpartikel in einer Epoxidharzmatrix oder einer Matrix aus einem Silikonmaterial eingebettet. Das Lumineszenzkonversionselement 4 ist - insbesondere mittels des Leuchtstoffs oder mindestens eines der

Leuchtstoffe - dazu ausgebildet, einen Teil des vom ersten Lumineszenzdiodenchip 2 emittierten blauen Lichts in rotes Licht zu konvertieren. Insbesondere ist das

Lumineszenzkonversionselement 4 zur Absorption von

elektromagnetischer Primärstrahlung aus dem blauen

Spektralbereich und zur Emission von Sekundärstrahlung im roten Spektralbereich zu emittieren, insbesondere von Licht mit einem Intensitätsmaximum bei einer Wellenlänge zwischen 600 nm und 750 nm, insbesondere zwischen 650 nm und 700 nm, wobei die Grenzen jeweils eingeschlossen sind. Beispielsweise hat das Intensitätsmaximum der Sekundärstrahlung eine

Wellenlänge zwischen 650 nm und 750 nm, bevorzugt zwischen 610 nm und 640 nm, wobei die Grenzen jeweils eingeschlossen sind .

Beispielsweise enthält das Lumineszenzkonversionselement 4 einen auf Aluminiumnitrid basierenden Leuchtstoff, der zur Absorption von Primärstrahlung aus dem blauen Spektralbereich und zur Emission von Sekundärstrahlung aus dem roten

Spektralbereich ausgebildet ist. Vorliegend handelt es sich bei dem Leuchtstoff um den unter der Bezeichnung BR1 (MCC- A1N) oder BR101D von der Firma Mitsubishi Chemical

Corporation kommerziell erhältlichen Leuchtstoff.

Bei einer Variante dieses Ausführungsbeispiels enthält das Lumineszenzkonversionselement einen weiteren Leuchtstoff, insbesondere einen Granatleuchtstoff wie YAG:Ce, der zur Emission von Sekundärstrahlung aus dem gelben Spektralbereich ausgebildet ist. Insbesondere hat die Sekundärstrahlung des weiteren Leuchtstoffs eine Wellenlänge zwischen 550 nm und 600 nm, beispielsweise zwischen 565 nm und 585 nm, wobei die Grenzen jeweils eingeschlossen sind. Das

Lumineszenzkonversionselement 4 ist jedoch frei von einem Leuchtstoff, der Sekundärstrahlung mit einem

Intensitätsmaximum im grünen Spektralbereich emittiert.

Figur 10 zeigt die Farborte des rote Sekundärstrahlung emittierenden Leuchtstoffs und der Halbleiterschichtenfolge des zweiten Lumineszenzdiodenchips 3 der Lumineszenzdiodenanordnung 1 gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel im CIE- Diagramm.

Beispielsweise hat der zur Emission von Sekundärstrahlung aus dem rotem Spektralbereich ausgebildete Leuchtstoff im CIE- Diagramm einen Farbort mit den Koordinaten [XR _/ YR] _/ wobei XR > 0,6 und YR ^ 0,25. Insbesondere liegen die Koordinaten XR und YR in einem durch 0,6 -S XR -S 0,75 und

0,25 y^ 0,45 begrenzten Bereich des CIE-Diagramms .

Vorzugsweise liegt der Farbort des roten Lichts in einem Bereich P , der die rote Ecke des NTSC-Farbraums

(Koordinaten: x = 0,67 und y = 0,33) sowie die Farborte enthält, deren x- und y-Koordinaten um 0,1 oder weniger von diesem Wert abweichen.

Das von der Halbleiterschichtenfolge des zweiten Lumineszenz ^¬ diodenchips 3 ausgesandte grüne Licht hat insbesondere einen Farbort in der CIE-Normfarbtafel , der in einem Farbortbereich PQ liegt, welcher den Farbort auf der Spektralfarblinie S enthält, welcher der Wellenlänge 520 nm zugeordneten ist, sowie die Farborte, deren Abstand in y-Richtung kleiner als 0,1 und in y-Richtung kleiner als 0,15 von diesem Farbort ist . Demgegenüber sind mit Leuchtstoffen, die Sekundärstrahlung mit einem Intensitätsmaximum im grünen Spektralbereich emittieren - zum Beispiel mit Orthosilikatleuchtstoffen - in der Regel nur Farborte P _conv erzielbar, die weiter von dem Farbort einer grünen Spektralfarbe auf der Spektralfarblinie S entfernt sind (siehe Figur 10) . Der mit solchen grün emittierenden Leuchtstoffen erzielbare Farbortbereich P _conv liegt fast vollständig innerhalb des so genannten NTSC- Farbraums, der durch das Dreieck NTSC mit den Koordinaten

[0, 67; 0, 33] , [0,21;0,71] und [0,14;0,08] im CIE-Diagramm begrenzt ist. Ein weiterer, in der Figur 10 dargestellter Farbraum ist der so genannte sRGB-Farbraum, der im CIE- Diagramm durch das Dreieck sRGB mit den Koordinaten

[0, 64; 0, 33] , [0,30;0,60] und [0,15;0,06] begrenzt wird.

Die Lumineszenzdiodenanordnung 1 gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel ist zur Emission von Mischlicht ausgebildet, das blaues Licht des ersten Lumineszenzdiodenchips 2, grünes Licht des zweiten Lumineszenzdiodenchips 3 und rotes Licht des Lumineszenzkonversionselements 4 enthält. Im CIE-Diagramm hat das Mischlicht beispielsweise einen Farbort mit den

Koordinaten = 0,27 und = 0,24 (siehe Figur 12) .

Figur 11 zeigt das Emissionsspektrum des von der Lumineszenzdiodenanordnung gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel

emittierten Mischlichts. In Figur 11 ist die Intensität I des Mischlichts in willkürlichen Einheiten in Abhängigkeit von der Emissionswellenlänge λ aufgetragen.

Das Mischlicht hat einen ersten Emissionspeak der sich von etwa 410 nm bis 480 nm erstreckt und ein Emissionsmaximum Ig im blauen Spektralbereich, das der dominanten Wellenlänge des ersten Lumineszenzdiodenchips 2 entspricht, bei 450 nm aufweist. Ein zweiter Peak erstreckt sich von etwa 490 nm bis 570 nm mit einem Intensitätsmaximum I Q im grünen

Spektralbereich bei 525 nm, welches der dominanten

Wellenlänge der Halbleiterschichtenfolge des zweiten

Lumineszenzdiodenchips 3 entspricht. Ein dritter Peak des Intensitätsspektrums des Mischlichts erstreckt sich von etwa 580 nm bis mindestens 750 nm, insbesondere bis etwa 780 nm und hat ein Intensitätsmaximum I R im roten Spektralbereich bei einer Wellenlänge von etwa 640 nm.

Die Verhältnisse der Intensitätsmaxima der drei Peaks sind insbesondere so gewählt, dass das Mischlicht einen weißen Farbeindruck hervorruft. Die Intensitätsmaxima des ersten, zweiten und dritten Peaks haben vorliegend ein Verhältnis von etwa 10:4:2.

Figur 2 zeigt eine schematische Draufsicht auf die Vorder ^¬ seite 100 einer Lumineszenzdiodenanordnung 1 gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel.

Die Lumineszenzdiodenanordnung 1 gemäß dem zweiten

Ausführungsbeispiel unterscheidet sich dadurch von derjenigen des ersten Ausführungsbeispiels, das auch der zweite

Lumineszenzdiodenchip 2 mit dem Lumineszenzkonversionselement 4 versehen ist. Beispielsweise ist ein erster Teil 4A des Lumineszenzkonversionselements auf die Halbleiterschichten ^¬ folge des ersten Lumineszenzdiodenchips aufgebracht und ein zweiter Teil 4B des Lumineszenzkonversionselements ist auf die Halbleiterschichtenfolge des zweiten Lumineszenzdioden ^¬ chips 3 aufgebracht.

Der erste Teil 4A und/oder der zweite Teil 4B des

Lumineszenzkonversionselements kann beispielsweise analog zu der Ausgestaltung des in Zusammenhang mit dem ersten

Ausführungsbeispiel beschriebenen Lumineszenzkonversions- elements 4 ausgebildet sein. Insbesondere kann es sich bei dem ersten Teil 4A und/oder bei dem zweiten Teil 4B jeweils um ein Konverterplättchen oder um eine die jeweilige

Halbleiterschichtenfolge zumindest teilweise umschließende Kappe handeln.

Die Figuren 3A und 3B zeigen eine Lumineszenzdiodenanordnung 1 gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel in einer

schematischen Draufsicht auf die Vorderseite 100 (Fig. 3A) und in einem schematischen Querschnitt (Fig. 3B) .

Im Gegensatz zum ersten und zum zweiten Ausführungsbeispiel ist das Lumineszenzkonversionselement 4 beim dritten

Ausführungsbeispiel nicht als Schicht ausgeführt, die auf der Halbleiterschichtenfolge des ersten beziehungsweise des ersten und zweiten Lumineszenzdiodenchips 2, 3 aufgebracht ist. Stattdessen ist das Lumineszenzkonversionselement 4 mit der Bauteilumhüllung, welche die Lumineszenzdiodenchips 2, 3 verkapselt, integriert ausgebildet. Die Bauteilumhüllung enthält vorliegend eine Vergussmasse, die vorzugsweise ein Epoxidharz und/oder ein Silikonmaterial aufweist.

Zweckmäßigerweise sind der erste und der zweite Lumineszenz ^¬ diodenchip 2, 3 bei diesem Ausführungsbeispiel mittels des Lumineszenzkonversionselements 4 in der Ausnehmung 50 des Bauteilgehäuses 5 verkapselt. Vorzugsweise füllt das

Lumineszenzkonversionselement 4 die Ausnehmung 50 teilweise oder vollständig aus und grenzt insbesondere an eine

Bodenfläche und/oder mindestens eine Seitenfläche der

Ausnehmung 50 an. Insbesondere überdeckt es in Draufsicht auf die Vorderseite die gesamte Bodenfläche der Ausnehmung 50. Insbesondere bei Ausgestaltungen wie dem zweiten und dritten Ausführungsbeispiel, bei denen der zweite Leuchtdiodenchip 3 nicht vom Lumineszenzkonversionselement 4 beziehungsweise 4B bedeckt ist, kann das Lumineszenzkonversionselement dazu ausgebildet sein, einen Teil des vom zweiten Lumineszenzdiodenchip 3 emittierten grünen Lichts in rotes Licht

und/oder in gelbes Licht zu konvertieren. Die Konversion von grünem Licht des zweiten Lumineszenzdiodenchips 2 in rotes Licht kann dabei eine geringere Effizienz haben als die

Konversion von blauem Licht des ersten Lumineszenzdiodenchips 2 in rotes Licht.

Die Figuren 4A und 4B zeigen eine Lumineszenzdiodenanordnung 1 gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel in einer

schematischen Draufsicht auf die Vorderseite 100 (Fig. 4A) und in einem schematischen Querschnitt (Fig. 4B) .

Die Lumineszenzdiodenanordnung 1 gemäß dem vierten

Ausführungsbeispiel unterscheidet sich dadurch von derjenigen des ersten Ausführungsbeispiels, dass der erste

Lumineszenzdiodenchip 2 in der Reflektorwanne 50 eines ersten Bauteilgehäuses 5A angeordnet ist und der zweite

Lumineszenzdiodenchip 3 in der Reflektorwanne 50 eines zweiten, von dem ersten verschiedenen Bauteilgehäuses 5B angeordnet ist. Die Bauteilgehäuse 5A, 5B können

beispielsweise auf einem gemeinsamen Bauteilträger 6 montiert sein .

Das Lumineszenzkonversionselement 4 ist wie beim ersten

Ausführungsbeispiel als Lumineszenzkonversionsschicht auf dem ersten Lumineszenzdiodenchip 2 aufgebracht. In der

Reflektorwanne 50 des zweiten Bauteilgehäuses ist

beispielsweise kein Lumineszenzkonversionselement enthalten. Figuren 5A und 5B zeigen ein fünftes Ausführungsbeispiel einer Lumineszenzdiodenanordnung 1 in einer schematischen Draufsicht auf die Vorderseite 100 (Fig. 5A) und in einem schematischem Querschnitt (Fig. 5B) .

Die Lumineszenzdiodenanordnung 5 gemäß dem fünften

Ausführungsbeispiel entspricht im Wesentlichen derjenigen des vierten Ausführungsbeispiels, jedoch mit dem Unterschied, dass das Lumineszenzkonversionselement nicht als Schicht auf den ersten Lumineszenzdiodenchip 2 aufgebracht ist.

Stattdessen ist - analog zum dritten Ausführungsbeispiel - das Lumineszenzkonversionselement 4 mit der Vergussmasse, welche den ersten Lumineszenzdiodenchip 2 verkapselt, integriert ausgebildet. Insbesondere ist das Lumineszenz ^¬ konversionselement 4 in die Reflektorwanne 50 des ersten Bauteilgehäuses 5A eingefüllt.

Die Reflektorwanne 50 des zweiten Bauteilgehäuses 5B kann beispielsweise frei von einer Vergussmasse sein oder mit einer transluzenten oder transparenten Vergussmasse teilweise oder vollständig gefüllt sein, wobei die transluzente oder transparente Vergussmasse insbesondere keinen Leuchtstoff enthält .

Figur 6 zeigt ein sechstes Ausführungsbeispiel einer

Lumineszenzdiodenanordnung 1 in Draufsicht auf ihre

Vorderseite 100.

Wie beim zweiten Ausführungsbeispiel ist der erste

Lumineszenzdiodenchip 2 mit einem ersten Teil 4A des

Lumineszenzkonversionselements versehen und der zweite

Lumineszenzdiodenchip 3 ist mit einem zweiten Teil 4B des Lumineszenzkonversionselements versehen. Im Unterschied zum zweiten Ausführungsbeispiel sind der erste und der zweite Lumineszenzdiodenchip 2, 3 jedoch in separaten Bauteilgehäusen 5A, 5B angeordnet. Insbesondere sind der erste

Lumineszenzdiodenchip 2 und der erste Teil 4A des

Lumineszenzkonversionselements in der Reflektorwanne 50 des ersten Bauteilgehäuses 5A angeordnet und der zweite

Lumineszenzdiodenchip 3 und der zweite Teil 4B des

Lumineszenzkonversionselements sind in der Reflektorwanne 50 des zweiten Bauteilgehäuses 5B angeordnet.

Figur 7 zeigt ein siebtes Ausführungsbeispiel einer

Lumineszenzdiodenanordnung 1 in Draufsicht auf ihre

Vorderseite 100.

Dieses Ausführungsbeispiel unterscheidet sich vom sechsten Ausführungsbeispiel dadurch, dass der erste Teil 4A und der zweite Teil 4B des Lumineszenzkonversionselements als den jeweiligen Lumineszenzdiodenchip 2 bzw. 3 in der

Reflektorwanne 50 des jeweiligen Bauteilgehäuses 5A bzw. 5B verkapselnde Vergussmasse ausgeführt sind.

Figur 8 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer Hinterleuchtungs- vorrichtung 10 in einer schematischen Draufsicht.

Die Hinterleuchtungsvorrichtung 10 enthält eine Mehrzahl von Lumineszenzdiodenanordnungen 1, die beispielsweise gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel ausgebildet sein können. Auch die Lumineszenzdiodenanordnungen 1 der anderen Ausführungsbeispiele sind für die Hinterleuchtungsvorrichtung 10 geeignet . Die Lumineszenzdiodenanordnungen 1 können beispielsweise auf einem gemeinsamen Vorrichtungsträger 7 angeordnet sein. Bei einer Ausgestaltung sind sie in Zeilen und Spalten

angeordnet .

Figur 9 zeigt eine Anzeigevorrichtung mit der

Hinterleuchtungsvorrichtung 10 gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figur 8 in einem schematischen Querschnitt. Bei der

Anzeigevorrichtung gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figur 9, bei der es sich insbesondere um ein LCD handelt,

hinterleuchtet die Hinterleuchtungsvorrichtung 10 eine

Lichtventilanordnung 8, die insbesondere eine Vielzahl von Flüssigkristallzellen enthält.

Figur 12 zeigt den mittels der Hinterleuchtungsvorrichtung 10 erzielbaren Gamut 9 der Anzeigevorrichtung gemäß dem

Ausführungsbeispiel der Figur 9 in der CIE-Normfarbtafel .

Der Gamut 9 der Anzeigevorrichtung hat bei Darstellung in der CIE-Normfarbtafel einen Flächeninhalt, der deutlich größer ist als derjenige des sRGB-Farbraums (in Figur 12 durch das mit sRGB bezeichnete Dreieck dargestellt) . Insbesondere beträgt der Flächeninhalt des Gamuts 9 etwa 110 % des

Flächeninhalts des NTSC-Farbraums , der in Figur 10

eingezeichnet ist.

Bei einer Variante weist die Anzeigevorrichtung eine

Hinterleuchtungsvorrichtung 10 auf, bei der die ersten

Lumineszenzdiodenchips 2 der Lumineszenzdiodenanordnungen 1 eine dominante Wellenlänge von 440 nm, statt von 450 nm wie beim ersten Ausführungsbeispiel, haben. Bei dieser Variante hat der Gamut 9 der Anzeigevorrichtung insbesondere einen Flächeninhalt von 120 % oder mehr des Flächeninhalts des NTSC-Farbraums .

Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen nicht explizit angegeben ist.

Diese Patentanmeldung beansprucht die Prioritäten der deutschen Patentanmeldungen DE 102010012423.0 und DE

102009059889.8, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch

Rückbezug aufgenommen wird.