Название изобретения

Светодиод-лампа (далее по тексту СДЛ), светодиод с нормированной яркостью, мощный чип для свето диода.

Область техники, к которой относится изобретение

Изобретение относится к конструкциям светодиодов, светодиодных ламп и ламп, используемых в качестве источника света в осветительных приборах.

Уровень техники

В настоящее время известен широкий ряд конструкций светодиодов, например, и светодиодных ламп. Здесь, выше и далее, если иное не указано отдельно, термин светодиод (СД) - обозначает полупроводниковый светоизлучающий диод, любой известной из уровня техники конструкции, а также может использоваться для обозначения СДЛ. Здесь, выше и далее, если иное не указано отдельно, термин светодиодная электролампа (СДЭЛ) - обозначает техническое устройство, выполненное в форм-факторе электрической лампы, в котором непосредственную функцию источника света выполняет установленный в нем, по крайней мере, один СД, предназначенное для альтернативной установки в качестве источника света в осветительные приборы вместо электрической лампы.

Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «осветительный прибор» (ОП) обозначает устройство, содержащее элементы необходимые для крепления, подключения, защиты ЭЛ и распределения светового потока ЭЛ.

Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «электрическая лампа» (ЭЛ) обозначает электрическое устройство, предназначенное для излучения света на базе физического эффекта свечения нагретого тела, например, нити накала в галогеновой лампе, и/или физических эффектов свечения связанных непосредственно или опосредованно с электрическим разрядом в газе, в парах металла или в смеси газа и пара, например, эффектов свечения в видимом диапазоне люминофоров за счет переизлучения энергии излучения, например, ультрафиолетового, исходящего от электрического разряда в электролюминесцентной лампе. Из уровня техники, известен United States Patent Application 20100181593, где СД представляет собой техническую систему в составе элементов выбираемых из группы, но не ограничиваемых ею: чип, подложка чипа, теплоотводящее устройство, монтажные проводники, корпус СД, монтажные выводы, люминофор, линза, промежуточная оптическая среда, крепежные элементы, в которой, при размещении в корпусе СД чипов в количестве более чем один, чипы размещаются в одной плоскости.

Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «техническая система» (ТС) обозначает взаимодействующие между собой материальные объекты, которые совершают в определенном порядке действия над внешними объектами и друг над другом для обеспечения полезных функций ТС.

Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «полезная функция» (ПФ) обозначает способность ТС удовлетворять какую-либо установленную потребность надсистемы.

Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «надсистема» (НС) обозначает систему, в которую ТС входит в качестве компонента. К надсистеме относят и элементы окружающей ТС среды.

Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «подложка чипа» (ПЧ) обозначает устройство, к которому крепится чип любым известным из уровня техники способом, выполненное в виде электропроводящей или диэлектрической пластины, обладающей высокой теплопроводностью для отвода тепла от чипа, крепящаяся, по крайней мере, к одному теплоотводяшему устройству СД.

Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «диаграмма направленности» (ДН) обозначает графическое отображение зависимости интенсивности светового потока от направления излучения в пространстве, при проведении измерений в плоскости, лежащей на оси телесного угла, в пределах которого распространяется излучение исходящее из светоизлучающего прибора, выбираемого из группы, но не ограничиваемого ею: СД, СДЭЛ, ЭЛ, светильник.

Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «ширина ДН» (ШДН), если отдельно не указано иное, обозначает значение угла, измеряемого в той же плоскости, в которой осуществляется измерение ДН, между направлениями излучений светового потока, по которым интенсивность светового потока составляет 0,7 от максимального значения интенсивности светового потока.

Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «ДН стремящаяся к сферической» (ДНСС), если отдельно не указано иное, обозначает ДН для рассматриваемого светового прибора, например, СД или ЭЛ, у которой ширина телесного угла, в котором распространяется исходящий световой поток, измеренная в любой плоскости совпадающей с осью указанного телесного угла между направлениями излучений светового потока, по которым интенсивность светового потока составляет 0,7 от максимального значения интенсивности светового потока, превышает 180° .

Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «чип» обозначает твердотельный полупроводниковый прибор, состоящий из, по крайней мере, частично, монокристаллических структур формируемых любым известным из уровня техники способом, например методом эпитаксии: подложки кристалла, буферного слоя, активных гетероструктур, токораспределительных дорожек, выполненный в виде призмы, по крайней мере, в виде параллелепипеда с габаритными размерами: длина, ширина и высота, где высота измеряется по направлению, соответствующему направлению роста эпитаксиальных слоев чипа на подложке кристалла, далее по тексту, если не оговорено отдельно, длина и ширина чипа полагаются равными друг другу, и образующими квадрат. Квадрат, который представляет собой чип в плоскости активных гетероструктур является оптимальной формой, которая позволяет получить максимальную площадь излучающей поверхности чипа при его минимальных габаритах, а также минимизировать отходы при разделении, например, скрайбировании, пластин со сформированными светодиодными структурам на отдельные чипы. Чип также может быть выполнен с разными по значению, но сопоставимыми между собой размерами длины и ширины.

Существует эмпирическая обратная зависимость между размером стороны квадрата чипа и коэффициентом полезного действия преобразования электрической энергии в световую. В рамках этой зависимости для чипа существует технологический предел его максимальных габаритов по длине и ширине, представляющий собой квадрат со стороной ~2 мм, при которых чип сохраняет работоспособность и обеспечивает приемлемые характеристики в течение заданного срока службы.

Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «подложка кристалла» (ПК) обозначает пластину монокристаллического материала, предназначенную для эпитаксиального выращивания на ней любым известным из уровня техники способом, эпитаксиальных слоев необходимых для создания активных гетероструктур и задающей структуру кристаллической решетки этих слоев, ПК может быть изолирующей, т.е. выполненной из диэлектрического материала, например, из сапфира, или полупроводящей, т.е. выполненной из полупроводникового материала, например, из кремния.

Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «буферный слой» (БС) обозначает, по крайней мере, один, по крайней мере, частично, монокристаллический эпитаксиальный слой, выращенный на поверхности ПК, который, при отличии показателей кристаллической решетки ПК от необходимых показателей для выращивания активных гетероструктур, в т.ч. по видам и количеству дефектов кристаллической решетки, внутри себя изменяет структуру кристаллической решетки до требуемых на своей поверхности, на которой осуществляется последующее эпитаксиальное выращивание активных гетероструктур.

Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «активные гетероструктуры» (ЛГС) обозначает, по крайней мере, два монокристаллических эпитаксиальных слоя различных материалов с допустимыми, по видам и по количеству, дефектами кристаллической решетки, образующими, по крайней мере, один ρ-η-переход в области границы между эпитаксиальными гетерослоями, в котором осуществляется генерация квантов света с длиной волны обусловленной характеристиками материалов составляющих АГС.

Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «контактная площадка» (КП) обозначает электропроводное устройство, через которое проходит ток СД или, по крайней мере, его часть, или, по крайней мере, часть поверхности электропроводного устройства, любой геометрической формы, предназначенное для осуществления электрического контакта любым, по крайней мере, одним разъемным и/или неразъемным способом, известным из уровня техники, например, приклеиванием, или сваркой, например, термозвуковой, между, по крайней мере, двумя токопроводными конструкционными элементами СД и/или монтажными проводниками.

Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «токораспределительный проводник чипа» (ТРПЧ) обозначает, по крайней мере, устройство в виде, по крайней мере, из одного слоя электропроводящего материала, нанесенного любым известным из уровня техники способом, обеспечивающим адгезию, достаточную для закрепления электропроводящего материала на поверхности ПК или АГС в условиях эксплуатации чипа, обладающего более высокой проводимостью, чем материал ПК или АГС, покрывающего, по крайней мере, частично, с любой топологией стороны ПК или АГС, соответственно, и имеющее в своей конструкции, по крайней мере, одну КП чипа, предназначенное для равномерного распределения тока СД или, по крайней мере, его части по всей площади границы, по крайней мере, между двумя слоями АГС.

Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «КП чипа» (КПЧ) обозначает КП расположенную на поверхности чипа, через которую осуществляется подключения чипа в электрическую цепь СД посредством электрического подключения к ней токопроводных конструкционных элементов.

Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «токопроводный конструкционный элемент» (ТКЭ) обозначает, по крайней мере, одно, устройство в составе конструкции СД, предназначенное для прохождения по нему тока СД или, по крайней мере, части тока СД, выбираемое из группы элементов конструкции СД: токораспределительные проводники, подложка чипа, монтажные выводы, корпус СД, но не ограничиваемых указанной группой.

Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «монтажные проводники» (МП) обозначает, элемент, с помощью которого осуществляется, по крайней мере, электрическая коммутация, по крайней мере, между двумя ТКЭ СД, для обеспечения прохождения по МП тока СД, или, по крайней мере, части тока СД, представляющий собой электропроводящий материал, выбираемый из группы, но не ограничиваемый ею: клей электропроводящий, припой, эвтектика известный из уровня техники, и/или гибкий проводник, выбираемый из группы, но не ограничиваемый ею: проволока металлическая, например, одножильная, например, золотая, например алюминиевая, например медная, и/или пленочный проводник выбираемый из группы, но не ограничиваемый ею печатный проводник, напыленный.

Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «монтажные выводы» (МБ) обозначает группу устройств из, по крайней мере, одного устройства, любой конструкции известной из уровня техники, предназначенного для осуществления механического крепления и/или электрического подключения СД, к элементам надсистемы, через, по крайней мере, один, MB осуществляется подвод, по крайней мере, части тока СД осуществляется подвод входному и выходному току СД любыми известными из уровня техники СД способами для обеспечения фиксации СД в надсистеме и протекания тока СД через чип.

Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «ток СД» (ТСД) обозначает электрический ток, значение которого равно суммарному электрическому току, входящему в СД через все MB, предназначенными для подачи электрического тока для, по крайней мере, одного, чипа находящегося в конструкции СД или суммарному электрическому току, выходящему из СД через все MB, предназначенными для вывода электрического тока из, по крайней мере, одного, чипа находящегося в конструкции СД.

Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «ток чипа СД» (ТЧСД) обозначает электрический ток, значение которого не превышает допустимого, проходящий через чип и вызывающий излучение чипа.

Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «электрическая цепь СД» (ЭЦСД) обозначает совокупность устройств для протекания ТСД или, по крайней мере, его части.

Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «излучение чипа» (ИЧ), если отдельно не указано иное, обозначает выходящее за пределы чипа электромагнитное излучение, генерируемое в АГС со спектром длин волн, например, в оптическом диапазоне, состоящим, по крайней мере, из одной длины волны, определяемым свойствами материалов, из которых состоят АГС.

Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «теплоотводящее устройство» (ТОУ), если отдельно не указано иное, обозначает, по крайней мере, одно устройство, выбираемое из группы, но не ограничиваемое ею: MB, КСД, ПЧ, МП, и/или выполненное в виде отдельного специального устройства, любой конструкции известной из уровня техники, предназначенное для отвода, за счет эффекта теплопроводности, по крайней мере, одного материала ТОУ, по крайней мере, части избыточного тепла, выделяемого чипом при генерации ИЧ, от места крепления чипа внутри корпуса СД за пределы корпуса СД в надсистему, обладающую температурой ниже, по крайней мере, в месте контакта ТОУ с надсистемой, чем у чипа при генерации ИЧ.

Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «корпус СД» (КСД), если отдельно не указано иное, обозначает устройство, любой конструкции известной из уровня техники, предназначенное для размещения в нем элементов конструкции СД и их защиты от воздействия надсистемы с целью обеспечения и поддержания необходимых условий внутри КСД для обеспечения работоспособности чипа при допустимых, по техническим требованиям к СД, условиях, по крайней мере, по месту размещения СД в надсистеме.

Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «отражатель» (ОТ), если отдельно не указано иное, обозначает устройство, любой конструкции известной из уровня техники, предназначенное для изменения направления излучения, по крайней мере, части падающего на ОТ потока ИЧ посредством отражения.

Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «промежуточная оптическая среда» (ПОС), если отдельно не указано иное, обозначает, по крайней мере, один материал, по крайней мере, одного физического тела окружающего, чип и, по крайней мере, частично заполняющее пространство между поверхностью чипа и линзой СД, по крайней мере, частично прозрачный для ИЧ и дополнительного оптического излучения, который может выполнять функции, по крайней мере, частично, по крайней мере, одного элемента конструкции СД выбираемого из группы: КСД, линза, носитель люминофора.

Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «линза» (ЛН), если отдельно не указано иное, обозначает оптическое устройство для рассеяния/концентрации потоков ИЧ и ДОИ в надсистеме, выполняющее также функцию защиты внутреннего пространства СД от воздействий окружающей среды.

Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «люминофор» (ЛМ), если отдельно не указано иное, обозначает материал и его частицы, получаемые любым известным из уровня техники способом, предназначенный для преобразования лучистой энергии, по крайней мере, части падающего на него потока ИЧ в энергию дополнительного оптического излучения с, по крайней мере, одной, длинной волны, например, за счет эффекта люминесценции.

Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «дополнительное оптическое излучение» (ДОИ), если отдельно не указано иное, обозначает оптическое излучение, излучаемое люминофором, размещенным на/в носителе люминофора, со спектром излучения состоящим, по крайней мере, из одной длины волны, которое, например, при смешении с ИЧ позволит получить оптическое излучение СД.

Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «оптическое излучение СД» (ОИСД), если отдельно не указано иное, обозначает оптическое излучение СД, выходящее за пределы СД, соответствующее техническим требованиям к СД, формируемое любым известным из уровня техники способом, например, цветосмешением, например, ИЧ, по крайней мере, одного чипа и/или, например, ДОИ, по крайней мере, одного люминофора.

Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «носитель люминофора» (НЛМ), если отдельно не указано иное, обозначает элемент конструкции СД предназначенный для размещения на/в нем люминофора любым известным из уровня техники способом, выбираемый из группы, но не ограничиваемый ею: ОТ, чип, ЛН, ПОС.

Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «фронтальная поверхность чипа» (ФПЧ) обозначает поверхность чипа, которая формируется на заключительной стадии эпитаксии и к которой ближе всего располагаются АГС.

Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «тыльная поверхность чипа» (ТПЧ) обозначает поверхность чипа со стороны ПК.

Недостатки вышеприведенных конструкций и способов

Недостатком конструкции US7510888 является недостаточно высокий КПД для мощных СД, значение которого лежит в диапазоне 40%-60%, в то время как КПД маломощных СД достаточно высокий и лежит в пределах 90%-95%.

Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «КПД», если отдельно не указано иное, обозначает КПД преобразования электроэнергии, которую потребляет чип, в энергию квантов света.

Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «мощный СД» (МСД), если отдельно не указано иное, обозначает СД с мощностью рассеяния 1 Вт и более.

Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «маломощный СД» (ММСД), если отдельно не указано иное, обозначает СД с мощностью рассеяния менее 50 мВт.

Недостатком вышеприведенных способов изготовления СД, например, конструкции US7282853, является то, что световой поток, излучаемый чипом СД может быть достаточно интенсивным и вызывать дискомфорт при прямом попадании в глаз человека в зоне использования СД.

Недостатком вышеприведенных способов изготовления СДЭЛ, например, конструкции US6793374, является то, что излучение отдельных СД, может быть достаточно интенсивным и вызывать дискомфорт при прямом попадании в глаз человека в зоне использования СДЭЛ.

Изобретение ставит своей целью:

Повышение КПД для МСД до значений соответствующих КПД ММСД, формирование излучения ДН единичного СД в виде ДНСС, формирование комфортной, для восприятия глазом человека, яркости прямого светового потока, исходящего от светоизлучающей поверхности СД и/или СДЭЛ в зоне их использования.

Указанная цель достигается следующим образом Повышение КПД для МСД достигается за счет исполнения чипа, предназначенного для размещения в МСД, в виде, по крайней мере, одного чипа-полосы. Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «чип-полоса» (ЧП) обозначает чип, один из размеров которого, например, длина в два, и больше, раза превышает другой показатель, например, ширину, а ширина ЧП равна или меньше, чем аналогичный показатель, например, ширина, чипа для ММСД, имеющего значение КПД более высокий, чем значение КПД чипа используемого в МСД. ЧП может быть выполнен в виде прямолинейного отрезка, криволинейного отрезка, комбинации прямолинейных и/или криволинейных отрезков, в виде замкнутого контура. Примеры выполнения ЧП отражены на Фигуре 1.

Повышение КПД для МСД достигается за счет замены чипов МСД, по крайней мере, одной, группой чипов с высоким КПД например, выполненных виде устройства, например, содержащего чипы, выполненные в линейных размерах, соответствующих размерам чипов используемым в конструкции ММСД и имеющих соответствующий высокий КПД, например в виде пространственно-скрепленной группы чипов, и/или распределенной группы отдельных чипов размещенных и скоммутированных между собой, например, МП.

Обеспечение оптимального температурного режима работы чипов, размешенных в КСД обеспечивается, по крайней мере, путем уменьшения количества выделяемого тепла при генерации ИЧ, за счет использования группы чипов с высоким КПД обеспечивающей световой поток, по крайней мере, эквивалентный световому потоку от чипа для МСД.

Обеспечение оптимального температурного режима работы чипов, размещаемых в КСД обеспечивается посредством увеличения площади чипа, от которой осуществляется отвод тепла, за счет переноса тепла, конвективного и/или посредством принудительного приведения в движение, жидкой, например, диэлектрической, или газообразной ПОС от чипа к, по крайней мере, одному, элементу СД, осуществляющему вывод тепла за пределы СД и рассеяние его в надсистеме.

Обеспечение ДНСС СД осуществляется посредством размещения, по крайней мере, двух чипов внутри пространства КСД в, по крайней мере, двух различных плоскостях, при которых ДН отдельных чипов в совокупности составляют ДНСС, а также посредством исключения ЛН из конструкции, СД и выполнения КСД прозрачным, по крайней мере, для ОИСД, по крайней мере, в той части поверхности КСД, которая необходима для прохождения потока ОИСД с ДНСС формируемого совокупностью чипов установленных в СД. Повышение КПД для МСД достигается за счет выполнения в поверхности чипа, например, со стороны ФПЧ, по крайней мере, одного, световыводящего глухого отверстия и/или световыводящего канала, через который кванты света выводятся из чипа непосредственно из слоев АГС и БС.

Для снижения дискомфорта восприятия яркого прямого излучения СД, в зоне использования СД, яркость СД снижается за счет направления, большей части или, по крайней мере, половины, светового потока исходящего от чипа на, по крайней мере, один, рассеивающий отражатель, площадь которого, например, многократно, превышает площадь поверхности, по крайней мере, одного чипа, который производит отражение, например, с рассеянием, например, частичным, светового потока от чипа и направляет отраженный световой поток за пределы СД, при этом яркость излучающей поверхности СД обеспечивает комфортное восприятие излучения СД глазом человека в зоне использования СД.

Для снижения дискомфорта восприятия яркого прямого излучения, по крайней мере, одного, СД, установленного в СДЭЛ, по крайней мере, в зоне использования СДЭЛ, часть светового потока, например, большая часть или, по крайней мере, его половина, этого СД направляется на, по крайней мере, один, отражатель СДЭЛ, площадь которого, например, многократно, превышает площадь излучающей поверхности СД, в итоге СДЭЛ излучает, например, преимущественно, отраженный световой поток, например, равномерный, исходящий от, по крайней мере, одного, отражателя СДЭЛ и обеспечивает комфортное восприятие излучение СДЭЛ глазом человека в зоне использования СДЭЛ.

Описание устройства в статике

СД представляет собой техническую систему в составе элементов выбираемых из группы: чип, держатель чипов, панель, светопрозрачный корпус, ТОУ, МП, ЛМ, MB, ПОС, движитель ПОС, преобразовательно-регулирующее устройство, отражатель-расееиватель.

Чип, состоящий из ПК, БС, АГС, КПЧ и ТРПЧ, в котором АГС, ПК, БС представляют собой плоские оптические волноводные слои. Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «оптический волноводный слой» (ОВС) обозначает слой оптически прозрачного материала чипа, по крайней мере, частично, по крайней мере, в диапазоне длины волны излучаемых АГС, граничащего с материалами, поверхностью чипа и/или слоями в составе чипа, имеющими оптическую плотность меньшую и/или большую, чем у рассматриваемого материала. Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «геторострушпурный оптический волноводный слой» (ГОВС) обозначает ОВС представляющий собой АГС или БС. Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «оптический волноводный слой ПК» (ОВСПК) обозначает ОВС который образует тело ПК.

Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «световыводящее отверстие» (СВО) сквозное и/или, например, глухое, отверстие в поверхности чипа, сечение которое может иметь любую геометрическую форму, например, криволинейную форму, например, в виде круга и/или прямолинейную форму, например, в виде прямоугольника и/или объединения, например, этих геометрических фигур, выполняемое, любым известным из уровня техники способом, на глубину, по крайней мере, достигающую и/или пересекающую зону расположения АГС и БС, стенки СВО могут быть, например, параллельны.

Чип с выполненными на нем, по крайней мере, одним СВО, далее по тексту ЧСВО, представляет собой чип, в фронтальной и/или тыльной поверхности которого располагается, по крайней мере, одно СВО, например, вдоль направления движения носителей электрического тока в чипе в, по крайней мере, одной локальной области чипа, например, в окрестности, по крайней мере, одной КПЧ и/или ТРПЧ. Через сквозное СВО может протекать жидкость и/или газ, например, для охлаждения ЧСВО.

Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «световыводящий канал» (СВК) обозначает, по крайней мере, одно углубление в поверхности чипа в виде канала (борозды) пересекающей поверхность чипа, сечение которого может иметь любую геометрическую форму, например, криволинейную форму, выполняемое, любым известным из уровня техники способом, на глубину, по крайней мере, достигающую и/или пересекающую зону расположения БС. СВК в плоскости поверхности чипа может быть выполнен в виде геометрической фигуры любой формы, например, линии, например, прямой и/или кривой. Два и более СВК, нанесенные на поверхности чипа могут между собой пересекаться, по крайней мере, один и/или более раз. СВК доходит до края поверхности чипа таким образом, что углубление, выполненное в поверхности чипа выходит на образует на боковую поверхность чипа, образуя профиль углубления, например, соответствующий сечению СВК. Глубина СВК выполняется такой, что СВК рассекает ГОВС, как минимум, до уровня залегания зоны генерации квантов, например, гетероперехода, между АГС, и как максимум - полностью рассекает слои ГОВС и частично ОВСПК. Иллюстрация движения квантов в ОВС и ГОВС приведена на Фигуре 2, там же приведена иллюстрация оптимальных условий для выхода квантов из СВО и СВК.

По крайней мере, один, СВК, например, при диэлектрической ПК может образовывать на поверхности чипа две и более обособленных области чипа. Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «обособленная область чипа» (ООЧ) обозначает электрически изолированную область в виде АКС и БС располагающихся на диэлектрической ПК у которых отсутствует гальваническая связь с АКС и БС областями чипа, соседствующими с ООЧ. На поверхности ООЧ располагаются ТРПЧ и КПЧ обеспечивающие подвод и отвод электрического тока к/от АГС ООЧ. ООЧ предстваляет собой самостоятельную светодиодную структуру. Две и более ООЧ могут быть соединены в, по крайней мере, одну, электрическую цепь, например, посредством МП, например, последовательно, и включены в электрическую цепь СДЛ. Пример возможной организации ООЧ с помощью СВК и последовательной коммутации ООЧ приведен на Фигуре 3. Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «чип со световыводящим каналом» (ЧСВК) обозначает чип, на фронтальной и или тыльной поверхности которого выполнен, по крайней мере, один СВК.

Чип в СДЛ может быть выполнен, например, в виде ЧП, ЧСВО, ЧСВК.

Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «держатель чипов» (ДЧ) обозначает ПЧ, выполненную в виде теплорассеивающей подложки чипа и/или пространственно-объемной несущей поверхности группы чипов, к которой может быть прикреплен, любым известным из уровня техники способом, по крайней мере, один, чип, например ЧП, и/или группа чипов, выполненных в виде, например, пространственно-скрепленной группы чипов, где ИЧ чипов в составе группы чипов может различаться по спектру излучения, к, по крайней мере, одной, несущей поверхности ДЧ, на которой могут располагаться, например, отражатель-рассеиватель, электрические контакты и проводники, любой известной из уровня техники конструкции, осуществляющие электрическую коммутацию между электропроводящими элементами СДЛ размещенными, по крайней мере, частично, на ДЧ, выбираемыми из группы, но не ограничиваемые группой: чип, например, отдельно размещаемый чип, например, ЧП и/или чип в составе пространственно- скрепленной группы чипов, электропроводящий элемент в составе пространственно-скрепленной группы чипов, теплорассеивающая подложка чипа, МП.

ДЧ может быть выполнен в виде подложки-зажиам чипа. Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «подложка-зажим чипа» (ПЗЧ) обозначает устройство, к которому чип крепится механически посредством крепления внатяг и/или в замок, и/или посредством прижима, например, специальной ответной частью ПЗЧ и/или любым другим устройством в составе СД. ПЗЧ может иметь в своей конструкции, по крайней мере, один, прижимной контакт, который имеет электрический контакт, по крайней мере, с одной КПЧ и/или одну КП для, по крайней мере, одного, МП, например, проволока, который, например, приварен к КП и/или КПЧ и обеспечивает электрическое соединение этой КП с, по крайней мере, одной КПЧ, по крайней мере, одного, чипа. По крайней мере, одна КП на ПЗЧ может быть включена в электрическую цепь СД для прохождения через эту КП на ПЗЧ, по крайней мере, части ТСД. ПЗЧ, по крайней мере, её часть, может быть выполнена, например, из светопрозрачного материала, например, содержащего частицы ЛМ. Форма ПЗЧ может быть выполнена таким образом, чтобы, например, рассеивать, по крайней мере, часть, проходящего через ПЗЧ потока ОИЧ.

По крайней мере, две и более ПЗЧ, с установленными на них чипами, могут соединяться между собой механически и/или электрически, любым известным из уровня техники способом, например, образуя гибкую электропроводящую цепь, предназначенную для прохождения ТСД.

Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «пространственно-скрепленная группа чипов» (ПСГЧ), обозначает устройство, состоящее из, по крайней мере, двух, последовательно соединенных чипов, между которыми может располагаться, по крайней мере, один, диэлектрический материал, эластичный и/или неэластичный, выбираемый из группы, но не ограничиваемые ею: электроизолирующий адгезив, изоляционный материал, и/или электропроводящий материал, выбираемые из группы, но не ограничиваемые ею: электропроводящий адгезив, электропроводящая резина, припой, эвтектика, и/или, по крайней мере, одно устройство, известное из уровня техники и выбираемое из группы, но не ограничиваемые указанной группой: МП, электромеханическое коммутирующие устройство, устройство механического крепления, электронное устройство, например, изменяющее проводимость, например, под воздействием внешнего управляющего сигнала, которые обеспечивают последовательное механическое соединение группы чипов в пространственную фигуру, например, в, по крайней мере, одну, прямую, например, в виде отрезка и/или кривую линию, например, в виде фрагмента винтовой линии, и/или объединения линий, например, в виде пространственной решетки, например, в форме линейной и/или нелинейной поверхности, ДН ИЧ, по крайней мере, двух чипов, находящиеся например, в одной линии, могут быть ориентированы в, по крайней мере, два различных направления пространства, по крайней мере, два чипа, например, находящихся в одной пространственной линии и располагающихся в ней друг за другом, могут образовывать между собой, по крайней мере, одну электрическую цепь, например, параллельную и/или последовательную, через которую может проходить, по крайней мере, часть ТСД, например, ТЧСД, которая входит/выходит по крайней мере, через одну КП чипа и/или, например, через часть поверхности, по крайней мере, одного электропроводящего элемента, являющегося элементом конструкции ПСГЧ, находящегося в электрическом контакте и/или, по крайней мере, в одной электрической цепи с, по крайней мере, одним чипом, через который протекает, по крайней мере, ТЧСД. ПСГЧ, по крайней мере, в одной точке, к несущей поверхности ДЧ.

Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «пространственно-объемная несущая поверхность группы чипов» (ПОНПГЧ) обозначает устройство, выполненное, любым известным из уровня техники способом, из, по крайней мере, одного, например, диэлектрического материала, в виде геометрического тела любой формы, например, в форме призмы, и/или цилиндра и/или трубки, поверхность, которого, например, сплошная и/или, например, в виде сетки, по крайней мере, с одной стороны, например, внешней, задает положение ДН ИЧ в пространстве для, по крайней мере, одного, чипа и/или одной ПСГЧ, прикрепленного к ПОНПГЧ, любым известным из уровня техники способом, необходимое для формирования, по крайней мере, части, ДНСС ОИСД СДЛ. По крайней мере, часть конструкции ПОНПГЧ может быть выполнена гибкой, например, в виде ленты, и при размещении в СК может сгибаться и/или сворачиваться, например, в спираль. К ПОНПГЧ может быть прикреплен, любым известным из уровня техники способом, по крайней мере, один, МП, предназначенный для коммутации, по крайней мере, одного чипа, прикрепленного к ПОНПГЧ, и/или, по крайней мере, одной электрической цепи присутствующей в составе ПСГЧ, с общей электрической цепью СДЛ. В точках крепления, по крайней мере, одного, чипа и/или одной ПСГЧ, к ПОНПГЧ, между ПОНПГЧ и чипом и/или ПСГЧ может размещаться теплорассеивающая подложка чипа, ПОНПГЧ может быть выполнен в виде, по крайней мере, одной, контактной площадки, выполненной любым известным из уровня техники способом, на поверхности любого, например, диэлектрического и/или электропроводящего, элемента конструкции СДЛ, располагающегося во внутреннем пространстве СДЛ. Пример исполнения ПОНПГЧ на базе гибкой ленты с печатными проводниками приведен на Фигуре 4.

Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «электрическая цепь СДЛ» (ЭЦСДЛ) обозначает совокупность электрических устройств, через которые протекает ТСД или, по крайней мере, его часть, от MB, по которым ТСД или, по крайней мере, его часть входит в СДЛ, до MB, через которые ТСД или, по крайней мере, его часть выходит из СДЛ, или для прохождения токов движителя ПОС.

По крайней мере, два чипа, с различными спектрами ИЧ, могут образовывать, по крайней мере, две отдельные, например, гальванически связанные между собой электрические цепи, каждая из которых, имеет, например, разные MB для подключения к надсистеме по входному и выходному токам.

Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «теплорассеивающая подложка чипа» (ТРПЛЧ) обозначает устройство, предназначенное для крепления на его поверхности чипа и отвода от чипа, по крайней мере, части избыточного тепла, генерируемого чипом, для ускорения его передачи в ПОС, любым известным из уровня техники способом, например, за счет эффекта конвекции, например, жидкости, и/или посредством теплопроводности, выполненное в виде геометрического тела любой формы, например, в виде пластины, например, в форме полосы, имеющее плоскую поверхность достаточную для размещения на ней, по крайней мере, одного чипа, любым известным из уровня техники способом, обеспечивающим передачу, по крайней мере, тепла от чипа к ТРПЛЧ с минимальными потерями и, по мере необходимости, ТЧСД выходящего из чипа, выполненное из материала с теплопроводностью превышающей теплопроводность чипа, и, по мере необходимости, из электропроводящего материала, на поверхности ТРПЛЧ могут располагаться КП для электрического подключения ТРПЛЧ и чипа, размещенного на ТРПЛЧ, в ЭЦСДЛ.

Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «панель» (ПЛ) обозначает устройство представляющее собой конструкцию, элементы которой выполнены любым известным из уровня техники способом, предназначенную для крепления к ней, любыми известными из уровня техники способами, например, на ей поверхности и/или внутри неё, по крайней мере, частично, элементов, выбираемых из группы: ДЧ, ТОУ, МП, MB, ПОС, движитель ПОС, преобразовательно-регулирующее устройство, отражатель-рассеиватель. В СДЛ между, по крайней мере, одним чипом, вырабатывающим избыточное тепло при излучении ИЧ, и надсистемой, поглощающей избыточное тепло, может быть установлено, по крайней мере, одно ТОУ, выполненное любым известным из уровня техники способом, выбираемое из группы, но не ограничиваемое ею: ТОУ использующее фазовый переход и/или гравитационную конвекцию и/или принудительное перемещение теплоносителя, ТОУ использующее термоэлектрический эффект, например, эффект Пельтье и/или эффект Томсона, ТОУ использующее эффект теплопроводности для переноса, по крайней мере, части тепла, выделяемого, при работе, по крайней мере, одним, чипом, от чипа к надсистеме. Например, для отвода тепла от чипов, например, не имеющих, непосредственного теплового контакта с поверхностью ТОУ, например, отводящего избыточное тепло за счет эффекта теплопроводности материала, например, с ТОУ, для отвода избыточного тепла от чипа и/или, по крайней мере, одного элемента конструкции СДЛ, выбираемыми из группы: ПН, ТРПЛЧ, элементы ПСГЧ, МП, ЛМ, ДЧ, имеющим тепловой контакт с чипом и температурный градиент, к, по крайней мере, теплообменной поверхности ТОУ, помещается жидкая и/или газообразная ПОС, для переноса избыточного тепла от чипа к ТО, по крайней мере, посредством гравитационной конвекции и/или принудительного перемещения, ПОС. для приведения в движение которой, по крайней мере, от, по крайней мере, части поверхности чипа и контактирующими с ним элементов к, по крайней мере, части теплообменной поверхности ТОУ, по крайней мере, к панели может крепиться, любым известным из уровня техники способом, движитель ПОС.

В СДЛ функцию ТОУ могут выполнять элементы СДЛ контактирующие с надсистемой, по крайней мере, СК и MB.

Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «светопрозрачный корпус» (СК) обозначает, устройство, предназначенное для защиты элементов СДЛ выбираемых из группы: ДЧ, ПЛ, ТОУ, МП, ЛМ, MB, ТОУ, преобразовательно-регулирующег� � устройства, и/или, по крайней мере, их частей, от воздействий окружающей среды и для обеспечения выхода потока ОИСД в виде ДНСС, выхода, представляющее собой геометрическое тело, по крайней мере, частично полое, в полости которого, по крайней мере, частично располагаются указанные элементы СДЛ, по крайней мере, частично выполненное любым известным из уровня техники способом, любой формы, например, в виде, по крайней мере, части сферы и/или цилиндра, и/или спирали, например, в форм-факторе ЭЛ, выполненное из материала оптически прозрачного, по крайней мере, частично для ДОИ и ИЧ, которое может, например, частично корректировать, по совокупному спектру и направлению потоки ДОИ и ИЧ, а также, например, выполнять функцию ПОС и ТОУ, на поверхность СК, например, на внутреннюю, может быть нанесен ЛМ, также, ЛМ может присутствовать в составе материала, из которого изготовлен СК. СК быть выполнен в виде ПОНПГЧ, на внутренней поверхности СК может располагаться, по крайней мере, одна, контактная площадка, для крепления и/или электрического подключения к контактной площадке, по крайней мере, одного чипа, например, и/или, ПСГЧ, и/или одного МП. Также, на внутренней поверхности СК, может располагаться, по крайней мере, одно устройство, выполненное любым известным из уровня техники способом, например, в виде части СК и/или в виде отдельного устройства, крепящегося к СК, любым известным из уровня техники способом, предназначенное для крепления к нему, по крайней мере, одного, ДЧ и/или МП.

MB, по крайней мере, в части, предназначенной для подключения к надсистеме, например, может быть в выполненным в виде ответной части для патронов ЭЛ, известных из уровня техники.

ЛМ, предназначенный для излучения ДОИ, по крайней мере, с одной длинной волны, может быть размещен в пространстве между, по крайней мере, одним чипом и внешней поверхностью СК, например, на поверхности, например, на внешней поверхности СК и/или внутренней поверхности СК и/или поверхности чипа и/ или в объеме, например, ПОС и/или материала СК, и/или на поверхности отражателя- рассеивателя, и или в объеме материала отражателя-рассеивателя, любым известным из уровня техники способом, таким образом, чтобы, например, равномерно, по крайней мере, в пределах телесного угла ОИЧ, по крайней мере, одного чипа, по крайней мере, частично, преграждать путь для потока ОИЧ.

Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «движитель ПОС» (ДПОС) обозначает устройство, любой известной из уровня техники конструкции, например, с электрическим приводом, предназначенное для увеличения интенсивности переноса тепла, выделяемого чипом при протекании через него ТЧСД, посредством жидкой или газообразной ПОС внутри СК, например, СК выполненного в виде трубки.

СДЛ может содержать в своей конструкции ТОУ, выполненный любым известным из уровня техники способом, для отвода тепла от, по крайней мере, двух, чипов размещенных на ТОУ, в по крайней мере, двух различных плоскостях.

Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «преобразовательно-регулирующе� � устройство» (ПРУ) обозначает устройство, выполненное любым известным из уровня техники способом, предназначенное для согласования напряжения и/или токов в электрической цепи надсистемы, куда осуществляется подключение ЭЦСДЛ, и напряжений и/ токов, по крайней мере, одной ветви ЭЦСДЛ в которой протекает, по крайней мере, один, ТЧСД, и/или управления значением, по крайней мере, одного ТЧСД в, по крайней мере, одной ветви ЭЦСДЛ, например, дифференцированного управления ТЧСД в, по крайней мере, двух различных ветвях ЭЦСДЛ, под воздействием, по крайней мере, одного управляющего сигнала поступающего от, по крайней мере, одного управляющего устройства в конструкции ПРУ, который формируется и/или в соответствии с алгоритмом, заданном в управляющем устройстве, например, аппаратным способом, например, в зависимости от, по крайней мере, сигналов, по крайней мере, одного датчика, выполненного любым известным из уровня техники способом, который может входить в конструкцию ПРУ, и/или под воздействием на органы ручного управления, входящих в состав управляющего устройства, и/или под воздействием принимаемого управляющим устройством, по крайней мере, одного внешнего управляющего сигнала передаваемого от надсистемы, любым способом известным из уровня техники способом, например, посредством электромагнитного излучения, например, в инфракрасном диапазоне и/или, например, посредством электрического сигнала передаваемого по электрической сети, в которую подключен СЛД.

Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «отражатель-рассеиватель» (ОРС) обозначает устройство, выполненное любым известным из уровня техники способом, в виде, например, прозрачного, по крайней мере, частично, в диапазоне ОИЧ и/или ДОИ, тела любой геометрической формы, и/или имеющего светоотражающую/светопреломляю� �ую поверхность или в виде светоотражающих частиц, например, в виде включений в состав материала, по крайней мере, одного, светопрозрачного элемента СДЛ, например, ПОС и/или СК, предназначенное для рассеяния потока ОИЧ и/или ДОИ, падающего на ОРС в окружающем пространстве, например, равномерного, любым известным из уровня техники способом, например, изменением направления движения, по крайней мере, части ОИЧ и/или ДОИ проходящего через ОРС и/или, например, посредством отражения, по крайней мере, части потока на ОИЧ и/или ДОИ падающего на ОРС.

В конструкции может присутствовать предохранительный клапан, выполненный любым известным из уровня техники способом, для защиты от взрыва при вскипании ПОС.

Светопрозрачный корпус СЛД может быть выполнен в виде несущего светопрозрачного колпака СД. Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «несущий светопрозрачный колпак СД» (НСПКСД) обозначает устройство, выполненное в виде, например, равномерного, например, одного, слоя светопрозрачного материала, имеющего любую геометрическую форму, например, в виде листа и/или трубки, и/или колбы, выполненные любым известным из уровня техники способом, к поверхности которого со стороны внутреннего пространства СД прикреплены, любым известным из уровня техники способом, по крайней мере, одна ПЧ, например, ПЗЧ, с установленным на неё чипом, и МП, которые обеспечивают электрическую коммуникацию между, по крайней мере, одним, чипом установленном на ПЧ, и MB. Поверхность НСПКСД может быть выполнена, например, текстурированной. На поверхность НСПКСД, например, на внутреннюю, может быть нанесен слой люминофора и/или материала с неравномерной спектральной характеристикой в полосе пропускания, по крайней мере, в видимом диапазоне света. В составе материала НСПКСД может присутствовать ЛМ и/или любые, известные их уровня техники, добавки обеспечивающие неравномерность спектральной характеристикой в полосе пропускания материала НСПКСД, по крайней мере, в видимом диапазоне света. Пример исполнения НСПКСД для СДЛ в форм-факторе спот- электролампы приведен на Фигуре 5. Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «несущий светопрозрачный колпак СДЭЛ» (НСПКСДЭЛ) обозначает устройство, выполненное в виде, например, равномерного, например, одного, слоя светопрозрачного материала, имеющего любую геометрическую форму, например, в виде листа и/или трубки, и/или колбы, выполненные любым известным из уровня техники способом, к поверхности которого со стороны внутреннего пространства СДЭЛ прикреплены, любым известным из уровня техники способом, по крайней мере, один СД и проводники, для подведения питающего электрического тока к, по крайней мере, одному СД. Поверхность НСПКСДЭЛ может быть выполнена, например, текстурированной. На поверхность НСПКСДЭЛ, например, на внутреннюю, может быть нанесен слой люминофора и/или материала с неравномерной спектральной характеристикой в полосе пропускания, по крайней мере, в видимом диапазоне света. В составе материала НСПКСДЭЛ может присутствовать ЛМ и/или любые, известные их уровня техники, добавки обеспечивающие неравномерность спектральной характеристикой материала НСПКСДЭЛ в полосе пропускания, по крайней мере, в видимом диапазоне света. Пример исполнения НСПКСДЭЛ для СДЭЛ в форм-факторе спот-электролампы приведен на Фигуре 6.

ОРС может быть выполнен в виде светоотражающего рефлектора СД. Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «светоотражающий рефлектор СД» (СОРСД) обозначает устройство, выполненное любым известным из уровня техники способом, рабочим органом которого является отражающая поверхность, геометрия которой, может быть выполнена любой, которая обеспечит отражение, по крайней мере, части светового потоков, по крайней мере, одного чипа, для формирования требуемой ДН СД Поверхность СОРСД может быть выполнена, например, текстурированной. На рабочую поверхность СОРСД может быть нанесен слой люминофора и/или материала с неравномерной спектральной характеристикой отражения, по крайней мере, в видимом диапазоне света. СОРСД может быть установлен в СД, любым известным из уровня техники способом, в любом месте, на которое беспрепятственно падает световой поток от, по крайней мере, одного чипа.

Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «светоотражающий рефлектор СДЭЛ» (СОРСДЭЛ) обозначает устройство, выполненное любым известным из уровня техники способом, рабочим органом которого является отражающая поверхность, геометрия которой, может быть выполнена любой, которая обеспечит отражение, по крайней мере, части светового потоков, по крайней мере, одного чипа, для формирования требуемой ДН СДЭЛ Поверхность СОРСДЭЛ может быть выполнена, например, текстурированной. На рабочую поверхность СОРСДЭЛ может быть нанесен слой люминофора и/или материала с неравномерной спектральной характеристикой отражения, по крайней мере, в видимом диапазоне света. СОРСДЭЛ может быть установлен в СДЭЛ, любым известным из уровня техники способом, в любом месте, на которое беспрепятственно падает световой поток от, по крайней мере, одного СД. Устройство работает следующим образом

На MB СДЛ, например, включенную в электрическую цепь надсистемы, подается напряжение электрической цепи надсистемы, например, 220 В, например, переменное.

Через MB и МП напряжение электрической цепи надсистемы поступает на вход ПРУ, на выходе которого формируется, например, постоянное электрическое напряжение и электрический ток, в по крайней мере, одной ветке ЭЦСДЛ, значения которых соответствуют, например, номинальному, для, например, ТЧСД, по крайней мере, одного чипа, в, по крайней мере, одной ветке ЭЦСДЛ, протекание которого через чип вызывает генерацию в чипе ИЧ и выделение избыточного тепла.

При подаче электрического напряжения на MB, по внутренней электрической цепи СД напряжение от MB подается на, по крайней мере, один чип, например, ЧСВО, например, установленный на ПЗЧ, в результате через, по крайней мере, через один ЧСВО начинает протекать электрический ток, являющийся, по крайней мере, частью ТСД.

При прохождении электрического тока через чип выполненный в виде ЧСВО, в АГС ЧСВО возникают кванты света, часть квантов, находясь внутри ЧСВО изучается по направлению в сторону фронтальной и/или тыльной поверхности ЧСВО и, например, переотражаясь внутри ЧСВО от его граней ЧСВО, попадают на прозрачную, фронтальную или тыльную, и/или боковые поверхности ЧСВО под углами, позволяющими квантам выйти из кристалла ЧСВО, и выходят через эти грани этих поверхностей из ЧСВО. Часть квантов, находящихся внутри ЧСВО, направляющихся в сторону боковых граней ЧСВО, например, переотражаясь внутри ЧСВО от его граней ЧСВО, попадают на поверхность СВО под углами позволяющими выйти из ЧСВО, проходят через поверхность СВО и переотражаясь от поверхности СВО вне тела ЧСВО, выходят за границы ЧСВО.

За пределами чипа, например, ЧСВО, часть направленного потока, попадает, например, на поверхность светопрозрачной ПЗЧ, проходит, через неё, по крайней мере, например, частично преобразуясь в ДОИ. Поток ОИЧ и, например ДОИ, при выходе из ПЗЧ, по крайней мере, частично, рассеивается.

При прохождении электрического тока через ЧСВК, в АГС возникают кванты света, часть квантов, находясь внутри ЧСВК изучается по направлению в сторону фронтальной и/или тыльной поверхности ЧСВК и, например, переотражаясь внутри ЧСВК от его граней ЧСВК, попадают на прозрачную, фронтальную или тыльную, и/или боковые поверхности ЧСВК под углами, позволяющими квантам выйти из кристалла ЧСВК, выходят через эти грани этих поверхностей из ЧСВК и/или поглощаются материалом чипа. Часть квантов, находящихся внутри ЧСВК, направляется в сторону боковых граней ЧСВК вдоль ОВС: АГС, БС, ПК. Часть квантов, распространяющихся вдоль ОВС, поглощаются материалом ОВС, а часть квантов выходят за границы ЧСВК через боковые грани ЧСВК и/или в местах пересечения ОВС с СВК. Часть ИЧ генерируемая, по крайней мере, одним чипом, излучаемая в сторону поверхности СК, по крайней мере, частично, падает на поверхность СК и/или на ЛМ, находящийся, например, на поверхности чипа и/или СК, и/или ОРС, или на частицы ЛМ, распределенные в ПОС, через которую ИЧ проходит к поверхности СК.

Часть ИЧ генерируемая, по крайней мере, одним чипом, излучаемая в направлении элементов конструкции СДЛ, не являющихся частью СК или частицами ЛМ, падает на эти элементы конструкции СДЛ и, отражаясь, по крайней мере, однократно, от них, проходя через ПОС падает на поверхность СК и/или частиц ЛМ и/или затухает.

ОИЧ, по крайней мере, его часть, падающее на ЛМ, поглощается в ЛМ, где поглощенная в ЛМ энергия ИЧ, по крайней мере, в частично, пере излучается ЛМ в виде ДОИ, которое, по крайней мере, частично, излучается в направлении поверхности СК и, крайней мере, частично, в сторону других элементов конструкции СДЛ, не являющихся частью СК или частицами ЛМ.

Часть ДОИ, излучаемая ЛМ в направлении элементов конструкции СДЛ, не являющихся частью СК, падает на эти элементы конструкции СДЛ и, отражаясь, по крайней мере, однократно, от них, проходя через ПОС, падает на поверхность СК и/или затухает.

ОИЧ и ДОИ падающие на ОРС, по крайней мере, частично, проходя через ОРС и/или отражаясь от него, по крайней мере, частично рассеиваются и направляются, по крайней мере, частично, к внутренней поверхности СК и, по крайней мере, частично, в сторону других элементов конструкции СДЛ.

ОИЧ и ДОИ падающие на СК, по крайней мере, частично, проходят через СК и, смешиваясь, выходят за пределы СДЛ образуя ОИСД, и частично, отражаются от СК и, переотражаясь, по крайней мере, однократно, от элементов конструкции СДЛ, частично выходят за пределы СДЛ, смешиваясь образуя ОИСД, и/или затухают. ДН ОСИД СДЛ, например, в виде ДНСС формируется совокупностью ДН чипов размещенных в СДЛ.

При прохождении электрического тока через, по крайней мере, один, чип, крепящийся на, например, ПЗЧ, установленной на НСПКСД, ОИЧ от, по крайней мере, одного чипа, по крайней мере, частично, падает на, по крайней мере, один, СОРСД, отражается от СОРСД, по крайней мере, с частичным, рассеиванием ОИЧ. Отраженный, например, неравномерно по спектру излучения, частично рассеянный ОИЧ падает на внутреннюю поверхность НСПКСД, по крайней мере, свободную от ПЧ и МП, и проходит, проходит через НСПКСД и, например, частично рассеиваясь, выходит за пределы СД. В случае, когда на поверхности СОРСД и/или НСПКСД присутствует слой люминофора часть ОИЧ преобразуется в ДОИ и смешивается с ОИЧ. В случае, когда на поверхности СОРСД и/или НСПКСД, и/или внутри материала НСПКСД присутствует, по крайней мере, один, материал и/или его фрагменты, обладающие неравномерной пропускной и/или отражательной спектральной характеристикой, то при взаимодействии ОИЧ и ДОИ с данным материалом спектр ОИЧ и ДОИ подвергается соответствующим изменениям.

Избыточное тепло, выделяемое, по крайней мере, одним чипом, при генерации ИЧ, за счет эффекта теплопроводности, нагревает элементы конструкции СДЛ, с которыми чип имеет, по крайней мере, непосредственный тепловой контакт, например, ТРПЛЧ и/или МП и/или ПОС. Элементы конструкции СДЛ, которые обладают избыточным теплом, нагревают ПОС, нагретая ПОС передает избыточное тепло ТОУ, нагревая его, по крайней мере, в области контакта, по крайней мере, части поверхности ТОУ и ПОС, посредством любого известного из уровня техники физического эффекта, например, когда ПОС, по крайней мере, частично, является веществом в твердой фазе, посредством эффекта теплопроводности, и/или, например, когда ПОС, по крайней мере, частично, является веществом в жидкой или газообразной фазе, посредством эффекта конвекции. ПОС, находящаяся в жидкой и/или газообразной фазе, посредством ДПОС, работающего любым известным из уровня техники способом, например, и приводимый в движение, например, посредством электрического привода, например запитываемого путем пропускания через него, по крайней мере, части ТСД, может принудительно перемещаться, например, по замкнутому контуру, по крайней мере, внутри СК, и переносить избыточное тепло, получаемое от, по крайней мере, части поверхности, по крайней мере, одного чипа и контактирующих с ним элементов СДЛ, к ТОУ, передавая избыточное тепло к ТОУ, по крайней мере, через поверхность ТОУ соприкасающуюся с ПОС, избыточное тепло, поступившее в ТОУ, по крайней мере, от ПОС, рассеивается за пределами СДЛ в надсистеме любым известным из уровня техники способом, например, основанном на физическом эффекте теплопроводности и/или эффекте конвекции, например, газа, например, воздуха.

Управляющий сигнал от датчика ПРУ, например, о снижении интенсивности, по крайней мере, ОИЧ по мере деградации чипа, и/или органов ручного управления и/или внешний управляющий сигнал от надсистемы, обрабатывается ПРУ в соответствии с заложенным в него алгоритмом и изменяет ТЧСД, например увеличивает и/или уменьшает, по крайней мере, в одной ветке ЭЦСДЛ, что изменяет ОИЧ, по крайней мере, одного чипа, которое уменьшает или увеличивает интенсивность ОИСД СДЛ и/или изменяет цветовой баланс ОИСД СДЛ, обусловленный, например, наличием, в ЭЦСДЛ, по крайней мере, двух чипов, ОИЧ которых различно по спектру, установленных, по крайней мере, в двух, разных ветвях ЭЦСДЛ.

При вскипании ПОС, например под действием внешних факторов, например, при пожаре, предохранительный клапан срабатывает и выпускает ПОС из корпуса светодиода, предотвращая взрыв корпуса светодиода.

При прохождении электрического тока через, по крайней мере, один, СД, установленный на НСПКСДЭЛ, ОИСД от, по крайней мере, одного СД, по крайней мере, частично, падает на, по крайней мере, один, СОРСДЭЛ, отражается от СОРСДЭЛ, по крайней мере, с частичным, рассеиванием светового потока ОИСД. По крайней мере, часть ОИСД, отраженная неравномерно по спектру излучения, по крайней мере, одного СД, падает на внутреннюю поверхность НСПКСДЭЛ, по крайней мере, свободную от СД, и проходит, проходит через НСПКСДЭЛ и, например, частично рассеиваясь, выходит за пределы СДЭЛ. В случае, когда на поверхности СОРСДЭЛ и/или НСПКСДЭЛ присутствует слой люминофора часть светового потока, по крайней мере, одного СД, преобразуется, например, в ДОИ и смешивается с ОИСД. В случае, когда на поверхности СОРСДЭЛ и/или НСПКСДЭЛ, и/или внутри материала НСПКСДЭЛ присутствует, по крайней мере, один, материал и/или его фрагменты, обладающие неравномерной пропускной и/или отражательной спектральной характеристикой, то при взаимодействии ОИСД и ДОИ с данным материалом спектр ОИСД и ДОИ подвергается соответствующим изменениям.