以下、本発明の実施形態について図を参� ��しながら説明する。図1は本発明に基づくパ イプ状放電極13を有する電極要素11,11からな� �低温プラズマ発生体1の一例を表わした部分� ��断斜視図であり、図2は本発明に基づく棒状 放電極15を有する電極要素11,11からなる低温� �ラズマ発生体1の一例を表わした部分破断斜� ��図である。各例示の低温プラズマ発生体1は 、各電極要素11を構成するパイプ状絶縁体が� ��径1mm、内径0.6mm、長さ35mmの断面丸形のガラ� ��パイプ12であり、導電ペーストとしてガラ� �フリットを混入した銀ペーストを前記ガラ� �パイプ12の内面に塗布した導電薄膜131をパイ プ状放電極13とした例(図1)又はガラスパイプ1 2に充填した導電中実体151を放電極15とした例 (図2)である。これから、各例においてオゾン 生成に寄与するパイプ状放電極13又は棒状放� ��極15の最短直交距離は、ガラスパイプ12,12を 線接触させているとして、0.4mmである。

 本発明の低温プラズマ発生体1は、例えば 図1に見られるように、パイプ状絶縁体であ� �ガラスパイプ12の内面に、導電ペーストとし て銀ペーストを塗布して形成される導電薄膜 131をパイプ状放電極13とする電極要素11,11を� �として、互い違いに向けた各電極要素11それ ぞれのパイプ状放電極13,13を並行にし、互い� ��ガラスパイプ12,12を線接触して接合し、構� �される。ガラスパイプ12をはじめとするセラ ミックスパイプ又は樹脂パイプ等のパイプ状 絶縁体は、耐熱性を備えた接着剤により前記 線接触部位を接着し、接合できる。また、本 例のガラスパイプ12又は樹脂パイプであれば� ��前記線接触部位を一部溶融することにより� ��容易に接合できる。このほか、例えば電極� ��子14を機械的に固定し、ガラスパイプ12,12を 線接触又は近接した位置関係及び姿勢を維持 できれば、電極要素11,11を物理的に一体にし� ��くても構わない。

 パイプ状放電極13を構成する導電薄膜131� �、ガラスパイプ12の内面に塗布された銀ペー ストを焼成して形成される。本例の低温プラ ズマ発生体1において、銀ペーストの塗布す� �厚さは、およそ気泡の混入の虞がなくなる50 μm以下、好ましくは40μm以下にすることが望� ��しい。

 また、銀ペーストの塗布する範囲は、ガ� ��スパイプ12の内面全域が対象になるが、本� �のように対となる電極要素11,11を互い違いに 向けた場合、次のように銀ペーストの塗布す る範囲を制約することが望ましい。まず、ガ ラスパイプ12の前端(図1中手前側の電極要素11 の左端)寄りの塗布開始位置は、対となる一� �(図1中奥側)の電極要素11の電極端子14と、他� ��(図1中手前側)の電極要素11のパイプ状放電� �13の先端との間で起きる放電を防止するため 、ガラスパイプ12の前端より少し奥まった位� ��とすることが望ましい。本例の場合、銀ペ� ��ストを塗布開始位置は、ガラスパイプ12の� �端から8mm奥まった位置である。

 これに対し、銀ペーストの塗布終了位置� ��自由である。本例は、ガラスパイプ12の後� �から端面、そして折り返した表面に連続し� �銀ペーストを塗布し、パイプ状放電極13とな る導電薄膜131に連続する導電薄膜141を形成し 、前記導電薄膜141を電極端子14としている。� ��イプ状放電極13の導電薄膜131と電極端子14の 導電薄膜141とは、同じ銀ペーストにより形成 されることから、パイプ状放電極13となる導� ��薄膜131を形成する銀ペーストを塗布する際� ��前記銀ペーストをガラスパイプ12の後端か� �端面、そして折り返した表面まで塗布する� �よい。この場合、導電薄膜131及び導電薄膜14 1について同時に銀ペーストを焼成でき、製� �工程を簡略できる。また、パイプ状放電極13 は電極端子14と通電しなければならないので� ��導電薄膜131は電極端子14の導電薄膜141まで� �する必要がある。これから、好適な銀ペー� �トを塗布する範囲は、上記ガラスパイプ12の 前端より少し奥まった位置から、ガラスパイ プ12の後端(図1中手前側の電極要素11の右端)� �での範囲となる。

 本例のパイプ状放電極13は、内部に充填� �た後に真空脱泡して自然硬化させた絶縁物� �であるシリコーン・ポッティング材132を導� �薄膜131の内側から押し当て、前記導電薄膜13 1の剥離を防止している。パイプ状放電極13の 内部に充填する絶縁物質は、導電薄膜131の剥 離を防止する観点から、絶縁性及び耐熱性を 備えていれば足りる。しかし、パイプ状放電 極13の内部に充填する絶縁物質は、硬化に伴� ��体積膨張がなく、また気泡を含むことなく� ��イプ状放電極13の内部を中実にできること� �望ましいことから、真空脱泡して自然硬化� �せることのできるシリコーン・ポッティン� �材132が好ましい。本例のシリコーン・ポッ� �ィング材132は、ガラスパイプ12の前端から後 端にわたって全域に充填され、ガラスパイプ 12の前記前端及び後端を封止する働きも有し� ��いる。

 本発明の低温プラズマ発生体1によるオゾ ンの生成は、特許文献1に見られる低温プラ� �マ発生体(後掲図3参照)と同様で、パイプ状� �電極13が対向する範囲の各ガラスパイプ12,12� ��表面間の放電による。ここで、パイプ状放� ��極13は銀ペーストの導電薄膜131を焼成して� �成されるところ、前記焼成温度(例えば560℃) はガラスパイプ12を変形させることがなく(例 えば硼珪酸ガラスの軟化点は770℃)、またガ� �スパイプ12の寸法精度は高いため、パイプ状 放電極13からガラスパイプ12の表面までの厚� �は均一で、当然材質も均一となる。これに� �り、本発明の低温プラズマ発生体1は、ガラ� ��パイプ12の表面における電解強度が均一と� �り、ガラスパイプ12のより広い表面の範囲で 安定した放電を起こすことができる。このほ か、既述したように、本発明の低温プラズマ 発生体1は、ガラスパイプ12の内部で放電させ ないことにより、無駄な電力消費をなくし、 発熱量を抑えているので、オゾンの生成に必 要な電力消費を少なくし、オゾンの生成に寄 与するガラスパイプ12の表面の範囲を拡げて� ��ゾンの生成量を増やし、そして生成された� ��ゾンが熱分解される量を減らして、オゾン� ��成効率を向上させる。

 本発明の低温プラズマ発生体1は、図2に� �られるように、パイプ状絶縁体であるガラ� �パイプ12に、導電ペーストとして銀ペースト を充填して形成される導電中実体151を棒状放 電極15とする電極要素11,11を対として、上記� �示(図1参照)同様、ガラスパイプ12,12を線接触 して接合される構成としてもよい。棒状放電 極15を構成する導電中実体151は、ガラスパイ� ��12に充填された銀ペーストを焼成して形成� �れる。銀ペーストの充填する範囲は、上記� �示同様の理由に基づき、ガラスパイプ12の前 端(図2中手前側の電極要素11の左端)より少し� ��まった位置からガラスパイプ12の後端(図2中 手前側の電極要素11の右端)までの範囲となる 。これから、前記ガラスパイプ12の後端は、� ��極端子14を構成する導電薄膜141に塞がれた� �となる(図1中奥側の電極要素11の左端と2中奥 側の電極要素11の左端とを比較対照)。

 棒状放電極15を内蔵する電極要素11は、上 記例示のように、導電薄膜141(図1参照)の剥離 を考慮する必要がない。しかし、対となる一 方(図1中奥側)の電極要素11の電極端子14と、� �方(図2中手前側)の電極要素11のパイプ状放電 極13の先端との間で起きる放電を防止するた� ��、銀ペーストの充填開始位置をガラスパイ� ��12の前端より少し奥まった位置としている� �とから、前記ガラスパイプ12の前端と銀ペー ストの充填開始位置との隙間に、上記例示に 用いたシリコーン・ポッティング材132を充填 し、ガラスパイプ12の前端を封止している。� ��状放電極15を内蔵する電極要素11からなる低 温プラズマ発生体1は、内部構造こそ上記例� �と異なるが、電気的には棒状放電極15の表面 と上記例示のパイプ状放電極13とは同じであ� ��から、上述したところと同様に、オゾン生� ��効率を向上させている。