Verfahren zum Aufbringen einer Struktur auf ein Halbleiterbauelement

B e s c h r e i b u n g

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Aufbringen einer Struktur aus einem Strukturmaterial auf ein Halbleiterbauelement gemäß Anspruch 1 , sowie eine Halbleiterschichtstruktur gemäß Anspruch 15.

Verfahren gemäß des Oberbegriffes von Anspruch 1 werden typischerweise in der Halbleitertechnologie eingesetzt, um dünne Metallisierungsstrukturen auf ein Halbleiterbauelement aufzubringen. So ist es beispielsweise bekannt, eine Metallstruktur auf einen Siliziumwafer aufzubringen, in dem zunächst ein photosensitiver Lack auf den Siliziumwafer aufgebracht wird. Der photosensitive Lack wird anschließend über eine Belichtungsmaske belichtet, sodass die Bereiche des photosensitiven Lackes auf den Siliziumwafer belichtet werden, an denen sich später Metall auf der Oberfläche befinden soll. Nach der Belichtung wird der Lack entwickelt, so dass die belichteten Bereiche des Lackes entfernt werden.

Im nächsten Schritt wird nun ganzflächig ein Metallfilm aufgetragen, sodass der Metallfilm zum einen auf dem verbliebenen Lack aufliegt und zum anderen in den Bereichen, in denen der Lack wieder entfernt wurde, der Metallfilm auf den Siliziumwafer aufgebracht wird.

Schließlich wird mittels Lösungsmitteln auch der verbleibende Lack entfernt, sodass bei diesem Schritt auch der Metallfilm in den Bereichen, in denen er auf dem Lack aufliegt, mit entfernt wird.

Im Ergebnis verbleibt auf dem Siliziumwafer eine vorgegebene Metallstruktur. Das vorhergehend beschriebene Verfahren ist auch als „Lift-Off -Verfahren" bekannt.

Wesentlich bei diesem Verfahren ist, dass das Lösemittel durch den Metallfilm hindurch zu dem unter dem Metallfilm liegenden Lack gelangen muss, um diesen abzulösen. Hierfür sind entweder lange Prozesszeiten für den Ablösevorgang notwendig, damit das Lösemittel über kleine Poren durch den Metallfilm dringen kann oder seitlich den Lack in manchen Bereichen ablösen kann, sodass der Ablöseprozess sich schließlich auf die gesamten mit Lack bedeckten Bereiche fortsetzt.

Ebenso ist aus der US 3,934,057 bekannt, ein zweistufiges Lackbeschichtungsverfahren durchzuführen, sodass der Metallfilm nach dem Aufbringen nicht flächig verbunden ist, sondern die Bereiche, in denen der Metallfilm auf dem Lack aufliegt und die Bereiche, in denen der Metallfilm direkt auf dem Siliziumwafer aufliegt, durch Lücken voneinander getrennt sind. Auf diese Weise kann das Lösemittel durch die genannten Lücken zu dem Lack gelangen.

Dieses Verfahren weist jedoch den Nachteil auf, dass ein kosten- und zeitaufwendiger mindestens zweistufiger Lackbeschichtungsschritt notwendig ist.

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, das bekannte Verfahren zum Aufbringen einer vorgegebenen Struktur aus einem Strukturmaterial auf ein Halbleiterbauelement zu verbessern, sodass insbesondere die Prozesszeiten verringert werden können und außerdem Kosten eingespart werden. Weiterhin soll durch das erfindungsgemäße Verfahren eine geringere Anforderung an die zu verwendenden Lösemittel zum Ablösen des Lackes gestellt werden und an die Mittel, aus denen die Maskierungsschicht gebildet ist, sodass zum einen Kosten eingespart werden können und zum anderen eine Verringerung der Umweltbelastung durch die Prozessabfallprodukte möglich ist.

Gelöst ist diese Aufgabe durch ein erfindungsgemäßes Verfahren gemäß Anspruch 1 , sowie durch eine Halbleiterschichtstruktur gemäß Anspruch 15. Vorteilhafte Ausgestaltungen des Verfahrens finden sich in den Ansprüchen 2 bis 14.

Das erfindungsgemäße Verfahren ist somit zum Aufbringen einer Struktur aus einem Strukturmaterial auf ein Halbleiterbauelement geeignet. Dies umfasst das vorhergehend beschriebene Aufbringen einer Metallstruktur auf ein Halbleiterbauelement, ebenso sind jedoch beliebige weitere Strukturen aus beliebigen weiteren Strukturmaterialien mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens auf das Halbleiterbauelement aufbringbar.

Bei der Herstellung der Struktur wird zunächst in einem Schritt A eine Oberfläche des Halbleiterbauelementes teilweise mittels einer Maskierungsschicht bedeckt, so dass die Bereiche ausgespart werden, an denen sich nach Abschluss des Verfahrens das Strukturmaterial auf der Oberfläche des Halbleiterbauelementes befinden soll. Anschließend wird in einem Schritt B ein Film des Strukturmaterials aufgebracht, sodass das Strukturmaterial zum einen die Maskierungsschicht bedeckt und zum anderen in den von der Maskierungsschicht ausgesparten Bereichen die Oberfläche des Halbleiterbauelementes bedeckt.

In einem Verfahrensschritt C wird wie vorhergehend beschrieben ein „Lift-Off" durchgeführt, das heißt die Maskierungsschicht wird abgelöst, sodass auch das sich auf der Maskierungsschicht befindende Strukturmaterial ebenfalls mit abgelöst wird. Im Ergebnis verbleibt Strukturmaterial in den vorgegebenen, von der Maskierungsschicht ausgesparten Bereichen auf der Oberfläche des Halbleiterbauelementes.

Wesentlich ist, dass zwischen den Verfahrensschritten B und C in einem

Verfahrensschritt B2 der Film aus Strukturmaterial teilweise entfernt wird. Es werden somit vor dem Ablösen der Maskierungsschicht öffnungen in dem Film aus Strukturmaterial erzeugt. Dadurch ist es möglich, dass das Lösemittel, welches in Schritt C die Maskierungsschicht ablöst, durch die in Verfahrensschritt B2 erzeugten öffnungen durch den Film aus Strukturmaterial hindurch zu der Maskierungsschicht gelangt, sodass der Ablösevorgang in Gang gesetzt wird.

Auf diese Weise kann eine erhebliche Beschleunigung des Verfahrensschrittes C erzielt werden, da durch die in Verfahrensschritt B2 erzielten öffnungen

sofort der Ablösevorgang initiiert wird. Ebenso kann auf aufwendige und kostenintensive Verfahren verzichtet werden, welche - wie im Einleitungsteil beschrieben - die Maskierungsschicht derart modifizieren, dass kein geschlossener Metallfilm entsteht.

Es ist somit eine Beschleunigung des Prozesses bei gleichzeitiger Kosteneinsparung möglich.

Vorteilhafterweise wird in dem Verfahrensschritt B2 bei dem erfindungsgemäßen Verfahren das Strukturmaterial in den Bereichen teilweise entfernt, in denen der Film auf die Maskierungsschicht aufgebracht wurde. Hierdurch kann in Verfahrensschritt C das Lösemittel direkt durch die entstandenen freien Bereiche zu der Maskierungsschicht gelangen und den Ablösevorgang initiieren.

Vorteilhafterweise wird in dem Verfahrensschritt B2 der Film aus Strukturmaterial perforiert, das heißt an mehreren, in etwa regelmäßig angeordneten Perforationspunkten durchlocht. Hierbei ist es insbesondere vorteilhaft, wenn die Perforation derart gewählt ist, das heißt die einzelnen Durchlochungen derart angeordnet sind, dass ein vorgegebener

Maximalabstand zwischen zwei Durchlochungen nicht überschritten wird. Dadurch ist gewährleistet, dass jeder Punkt der Maskierungsschicht um maximal den vorgegebenen Maximalabstand von einem Durchlochung entfernt ist, das heißt von einem Bereich, in dem der Film aus Strukturmaterial entfernt wurde und das Lösemittel unmittelbar an der Maskierungsschicht angreift.

Hierdurch ist auch die Zeitdauer begrenzt, die im Ablösevorgang benötigt wird, da der Ablösevorgang maximal um den vorgegebenen Maximalabstand zwischen zwei Perforationspunkten vordringen muss.

Untersuchungen der Anmelderin haben ergeben, dass vorzugsweise die Durchlochung maximal um 5000 μm, insbesondere höchstens um 1000 μm, höchst insbesondere höchstens um 500 μm beabstandet sind.

In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung des Verfahrens, wird der Film aus Strukturmaterial in Verfahrensschritt B2 entlang von mindestens einer vorgegebenen Linie zumindest perforiert.

Ebenso ist es denkbar, den Film aus Strukturmaterial vollständig entlang der vorgegebenen Linie zu entfernen. Bei der vollständigen Entfernung des Strukturmaterials entlang der Linien ergibt sich der Vorteil, dass bei evtl. unerwünscht auf dem Halbleiterbauelement verbleibendem Strukturmaterial außerhalb der ausgesparten Bereiche der Maskierungsschicht aufgrund der Linien eine Trennung zwischen diesem Strukturmaterial und dem in den ausgesparten Bereichen verbleibenden Strukturmaterial gegeben ist. Hierdurch ist beispielsweise bei einer Metallisierung kein elektrischer Kontakt zwischen einer Metallstruktur in den ausgesparten Bereichen und unerwünschterweise verbliebenen Metallresten außerhalb dieser Bereiche gegeben und Kurzschlüsse können verhindert werden.

Die Linien sind vorteilhafter Weise derart vorgegeben, dass sie den ausgesparten Bereichen folgen, d.h. in etwa die Form und den Verlauf der Ränder der ausgesparten Bereiche aufweisen.

Hierdurch ist es möglich, die vorgegebenen Linien in der Nähe der Ränder der von der Maskierungsschicht ausgesparten Bereiche vorzugeben, sodass insbesondere entlang der nach Abschluss des Verfahrens auf der Oberfläche des Halbleiterbauelementes verbleibenden Struktur ein definierter Ablösevorgang initiiert werden kann.

Hierzu ist es insbesondere vorteilhaft, wenn zu mindestens zwei Seiten der vorgegebenen Struktur eine Linie wie vorhergehend beschrieben vorgegeben wird, entlang derer der Film aus Strukturmaterial perforiert wird, oder gänzlich entfernt wird. Ein gänzliches Entfernen kann z.B. mittels eines gepulsten

Lasers erfolgen, in dem eine überlappung der durch die Laserpulse entfernten Bereiche vorgenommen wird.

Vorteilhafterweise weist die vorgegebene Linie zu der vorgegebenen Struktur, d.h. zu den Rändern der ausgesparten Bereiche einen im Wesentlichen konstanten Abstand auf. Dies hat folgenden Hintergrund:

Wie vorhergehend beschrieben verbleibt in den von der Maskierungsschicht ausgesparten Bereichen das Strukturmaterial auf der Oberfläche des Halbleiterbauelementes. An den Rändern der ausgesparten Bereiche reißt somit beim Ablösen der Maskierungsschicht der Film aus Strukturmaterial ab, denn zum einen bleibt Strukturmaterial in den ausgesparten Bereichen auf der Oberfläche des Halbleiterbauelementes und zum anderen wird das

Strukturmaterial, das sich auf der Maskierungsschicht befindet, mit abgelöst.

Durch die Perforierung oder das komplette Entfernen des Strukturmaterials entlang einer vorgegebenen Linie, welche entlang der ausgesparten Bereiche verläuft, kann somit ein definierter Ansatzpunkt für den Abreißvorgang vorgegeben werden, so dass die Kräfte, welche auf das auf der Oberfläche des Halbleiterbauelementes verbleibende Strukturmaterial wirken, verringert werden und ein unerwünschtes Abreißen des Strukturmaterials in den ausgesparten Bereichen verhindert werden kann.

Untersuchungen der Anmelderin haben ergeben, dass vorteilhafter weise die vorgegebenen Linien in etwa auf den Rändern der ausgesparten Bereiche liegen, d.h. der Abstand der vorgegebenen Linie zu den Rändern der ausgesparten Bereiche in etwa 0 ist. Hierdurch werden Kräfte auf das auf dem Halbleiterelement verbleibende Strukturmaterial beim Ablösevorgang vermieden und ein unerwünschtes Abreißen des Strukturmaterials aus den ausgesparten Bereichen kann verhindert werden.

Durch die Vorgabe der Linie in etwa auf den Rändern der ausgesparten Bereiche ergibt sich ebenfalls ein weiterer wesentlicher Vorteil:

Damit das vorhergehend beschriebene Abreißen des Films aus Strukturmaterial stattfindet, ist eine auf den Film einwirkende Mindestkraft notwendig. Die auf den Film an den Rändern der ausgesparten Bereiche einwirkende Kraft hängt hierbei auch von der Größe des mittels des

Lösungsmittels abgelösten Bereiches des Films ab: Je größer der abgelöste Bereich, desto größer die Kraft, die auf den Film an den Rändern der ausgesparten Bereiche einwirkt. Bei kleinen Abständen der vorgegebenen Linie zu den Rändern der ausgesparten Bereiche ist es möglich, dass der Film aufgrund zu geringer einwirkender Kräfte nicht abreißt und somit ein Teil des Films aus Strukturmaterial außerhalb der ausgesparten Bereiche nicht abgelöst wird.

Um Justierungsungenauigkeiten bei der Entfernung des Strukturmaterials in Verfahrensschritt B2 zu berücksichtigen ist es vorteilhaft, wenn der Abstand im Bereich 10 μm bis 20 μm liegt, so dass auch bei Justierungsungenauigkeiten kein Strukturmaterial in den ausgesparten Bereichen entfernt wird.

Sofern ein guter mechanischer Kontakt, d.h. ein gutes Anhaften zwischen Strukturmaterial und Oberfläche des Halbleiterbauelementes besteht kann der Ablöseprozess in Verfahrensschritt C dadurch nochmals beschleunigt werden, dass die vorgegebenen Linien einen größeren Abstand, d.h. mindestens einen vorgegebenen Abstand zu den Rändern der ausgesparten Bereiche aufweisen, da in diesem Fall der Ablösevorgang ausgehend von den vorgegebenen Linien sowohl in Richtung der Ränder der ausgesparten Bereiche, als auch in Gegenrichtung initiiert wird.

Ein weiterer Vorteil solch eines vorgegebenen Mindestabstandes ist, dass hierdurch genügend große Kräfte auf den Film aus Strukturmaterial an den Rändern der ausgesparten Bereiche entstehen, so dass ein Abreißen stattfindet und unerwünscht auf dem Halbleitbauelement verbleibende Filmreste aufgrund zu geringer einwirkender Kräfte wie vorhergehend beschrieben vermieden werden. Um ein Abreißen sicherzustellen ist es somit vorteilhaft, entweder die vorgegebene Linie in etwa auf den Rändern der ausgesparten Bereiche vorzugeben oder einen Mindestabstand zu diesen Rändern einzuhalten.

Untersuchungen der Anmelderin haben ergeben, dass hierbei ein Abstand von mindestens 100 μm, insbesondere von etwa 500 μm vorteilhaft ist.

Weiterhin ist es vorteilhaft, wenn zumindest auf zwei Seiten eines ausgesparten Bereiches der Film aus Strukturmaterial entlang einer Linie perforiert oder gänzlich entfernt wird.

In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung des erfindungsgemäßen

Verfahrens wird der gesamte Film aus Strukturmaterial in Verfahrensschritt B2 mit einer rasterartigen Perforation versehen. Hierbei werden vorteilhafterweise die nicht von der Maskierungsschicht bedeckten Bereiche ausgespart, so dass der Film aus Strukturmaterial in den Bereichen nicht durchlocht wird, in denen die Struktur auf dem Halbleiterbauelement erzeugt werden soll. Diese

Rasterartige Perforation führt zu einer Vielzahl von Angriffspunkten für das Lösemittel an der Maskierungsschicht, so dass eine optimale Beschleunigung des Ablöseprozesses in Verfahrensschritt C erreicht wird.

Das teilweise Entfernen des Films aus Strukturmaterial in Verfahrensschritt B2 kann vorteilhafterweise mechanisch erfolgen. Dies ist beispielsweise durch ein Ritzen mit spitzen oder messerartigen Vorrichtungen denkbar, ebenso ist auch ein Fräsen oder ein Schneiden mittels eines rotierenden Schneidblattes möglich.

Besonders vorteilhaft ist es jedoch, wenn in Verfahrensschritt B2 der Film aus Strukturmaterial mittels lokaler Einwirkung von Strahlung teilweise entfernt wird. Versuche der Anmelderin haben ergeben, dass insbesondere ein teilweises Entfernen des Filmes mittels eines Lasers vorteilhaft ist. Denn hierfür sind Vorrichtungen bekannt, welche eine exakte Positionierung des Laserstrahls relativ zu dem Halbleiterbauelement und ebenso einen schnellen Wechsel zwischen mehreren Punkten auf der Oberfläche des Halbleiterbauelementes ermöglichen, beispielsweise durch die Verwendung von Drehspiegeln im Strahlengang des Laserstrahls. Hierdurch kann in kürzester Zeit der Film aus Strukturmaterial an einer großen Anzahl von Punkten perforiert werden, insbesondere durch Verdampfen des Strukturmaterials mittels des Laserstrahls.

Durch die Verwendung eines Lasers findet auch keine Abnützung eines Fräskopfes oder Schneidblattes statt, sodass entsprechende Wartungsarbeiten entfallen.

Bei dem teilweisen Entfernen des Films aus Strukturmaterial in

Verfahrensschritt B2 ist dieser Entfernungsvorgang derart zu wählen, dass das Halbleiterbauelement nicht beeinträchtigt wird, insbesondere, dass die elektrischen Eigenschaften des Halbleiterbauelementes nicht beispielsweise durch Einbringen von Störstellen in der Halbleiterstruktur verändert und beeinträchtigt werden.

Hierbei ist es vorteilhaft, wenn die Energie der Bestrahlung zum Entfernen des Films aus Strukturmaterial und die Dicke der Maskierungsschicht eine vorgegebene Mindestdicke aufweist, so dass der Laserstrahl zwar möglicherweise eine Veränderung der Maskierungsschicht, jedoch keine

änderung des unter der Maskierungsschicht liegenden Halbleiterbauelementes bewirkt.

Untersuchungen der Anmelderin haben ergeben, dass für die Herstellung einer Metallisierungsstruktur eine Dicke der Maskierungsschicht von mindestens

1 μm, insbesondere mindestens 5 μm, höchstinsbesondere 10 μm, im Weiteren insbesondere im Bereich von 20 μm bis 40 μm bei der Verwendung eines Lasers zur öffnung des Metallfilms vorteilhaft ist.

Das teilweise Bedecken der Oberfläche des Halbleiters mit der

Maskierungsschicht in Verfahrensschritt A kann durch ein an sich bekanntes Fotolithographieverfahren erfolgen:

Hierzu wird zunächst in einem Verfahrensschritt A1 die Oberfläche des Halbleiterbauelementes mit einem photosensitiven Lack bedeckt.

Anschließend wird der photosensitive Lack in einem Verfahrensschritt A2 in den Bereichen belichtet, in denen die Oberfläche des Halbleiterbauelementes mit dem Strukturmaterial bedeckt werden soll.

Danach wird in einem Verfahrensschritt A3 der photosensitive Lack entwickelt, sodass lediglich die belichteten Bereiche des photosensitiven Lacks von der Oberfläche des Halbleiterbauelementes entfernt werden.

Alternativ ist auch die Verwendung eines so genannten „Negativ-Lackes" denkbar, das heißt ein Lack, bei dem die nicht belichteten Bereiche bei der Entwicklung abgelöst werden. Entsprechend müssen in diesem Fall die Bereiche der Oberfläche des Halbleiterbauelementes nicht belichtet werden, in denen eine Bedeckung durch das Strukturmaterial erwünscht ist.

Insbesondere bei der Verwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens zur Metallisierung von Solarzellen ist es jedoch vorteilhaft, wenn die Maskierungsschicht in Verfahrensschritt A mittels an sich bekannter Siebdruckverfahren oder mittels an sich bekannter InkJet-Verfahren auf das Halbleiterbauelement, das heißt in diesem Fall auf den Solarzellen-Wafer aufgebracht wird. Eine übersicht über die Technik der Inkjet-Druckverfahren findet sich in J. Heinzl, CH. Hertz, „Ink-Jet Printing", Advances in Electronics and Electron Physics, Vol. 65 (1985), pp. 91-112.

Diese Verfahren stellen besonders kostengünstige Herstellungsmethoden dar, welche in Verbindung mit dem erfindungsgemäßen teilweisen Entfernen des Films aus Strukturmaterial, insbesondere unter Verwendung eines Lasers, zu einer weiteren Kostenreduzierung bei der Herstellung der Solarzelle beitragen.

Wie eingangs beschrieben, ist bei bekannten Verfahren häufig eine lange

Einwirkungsdauer in Verfahrensschritt C zum Ablösen der Maskierungsschicht durch das Lösemittel notwendig. Daher muss bei bekannten Verfahren auf hochwertige und damit kostenintensive Lösungsmittel zurückgegriffen werden, welche auch bei langen Einwirkzeiten den Film aus Strukturmaterial, das heißt insbesondere einen Metallfilm nicht angreifen.

Durch das erfindungsgemäße Verfahren ist jedoch nur eine geringere Einwirkzeit des Lösemittels zum Ablösen der Maskierungsschicht notwendig, sodass auch auf kostengünstige Lösungsmittel, welche bei langen Einwirkzeiten das Halbleiterbauelement und/oder den Metallfilm

beeinträchtigen würden, zurückgegriffen werden kann und darüber hinaus umweltverträgliche Lösungsmittel verwendet werden können.

Insbesondere ist die Verwendung von alkalischen Lösemitteln, wie schwach konzentrierte Kalilauge (z.B. auf 3% verdünnte KOH-Lauge) vorteilhaft.

Weiterhin kann vorteilhafterweise ein dibasischer Ester verwendet werden, wie z.B. von LEMRO, Chemieprodukte, Michael Mrozyk KG, D-41515 Grevenbroich unter der Bezeichnung „DBE" angeboten. Hier ergibt sich der zusätzliche Vorteil, dass ein Metallfilm durch den dibasischen Ester nicht angegriffen wird.

Weiterhin kann bei dem erfindungsgemäßen Verfahren ein typischer Abdecklack für die mittels Siebdruck- oder InkJet- Verfahren aufgebrachte Maskierungsschicht verwendet werden, insbesondere der von den Lackwerken Peters GmbH+Co KG, D-47906 unter der Bezeichnung „SD 2154E" angebotenen Abdecklack. Dieser kann mittels des zuvor beschriebenen „DBE" gelöst werden.

Eine weitere Möglichkeit ist die Verwendung des Lackes mit der Bezeichnung „SD 2042AL" desselben Anbieters, welcher mittels KOH-Lauge gelöst werden kann.

Bei der Verwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung einer Metallisierungsstruktur auf einem Halbleiterbauelement ist es insbesondere vorteilhaft, wenn in Verfahrensschritt B das Metall mittels Verdampfen oder Sputtern aufgebracht wird.

Ein Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens wird im Folgenden anhand der Figuren näher erläutert. Dabei zeigen:

Figur 1 eine schematische Darstellung des erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung einer Metallisierungsstruktur auf einer Solarzelle und

Figur 2 eine Draufsicht auf eine Solarzelle mit einer Metallisierungsstruktur, wobei durch Punkte angegeben ist, an welchen Stellen eine Perforation mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens erfolgt.

Wie vorhergehend beschrieben, eignet sich das erfindungsgemäße Verfahren insbesondere dazu, eine Metallisierungsstruktur auf eine Solarzelle aufzubringen. Ein solches Verfahren ist in Figur 1 dargestellt. Dabei ist in Teilbild a) ein Halbleiterbauelement dargestellt, welches als Solarzelle 1 ausgeführt ist, welche in diesem Beispiel aus einem Siliziumwafer mit entsprechenden Dotierungen zur Erzeugung eines pn-überganges besteht. Die Darstellung in Teilbild a) stellt ein Verfahrensstadium dar, in dem eine dielektrische Schicht 2 bereits mittels einer Maskierungsschicht 3 strukturiert wurde:

Auf die Solarzelle 1 wurde ganzflächig eine dielektrische Schicht 2 aufgebracht und auf diese mittels Siebdruck eine Maskierungsschicht 3 aufgedruckt, welche die Bereiche ausspart, in denen eine Metallisierung der Solarzelle erwünscht ist. Die Maskierungsschicht 3 besteht aus dem vorhergehend genannten Lack „SD 2154 E", das heißt die Maskierungsschicht stellt einen ätz-Resist dar und wird durch ätzende Substanzen nicht angegriffen. Durch einen ätzschritt kann somit die dielektrische Schicht 2 in den Bereichen abgeätzt werden, die von der Maskierungsschicht 3 ausgespart sind. Die Maskierungsschicht 3 besitzt eine Dicke im Bereich von 20 μm bis 40 μm.

Wie in Figur 1 , Teilbild b) dargestellt, wird anschließend ganzflächig ein Film aus Strukturmaterial aufgebracht, der in diesem Fall als Metallfilm 4 realisiert ist. Der Metallfilm 4 wurde in bekannter Weise mittels Aufdampfen aufgebracht und besteht aus mehreren Schichten: Zunächst wird ein Aluminiumschicht mit etwa 300 nm Dicke aufgedampft, anschließend eine etwa 30 nm dicke Schicht Titan und eine etwa 100 nm dicke Schicht Silber. Hierdurch ist zum einen ein guter elektrischer und mechanischer Kontakt zwischen Metallstruktur und Halbleiter und zum einen ein niedriger ohmscher Querleitungswiderstand der Metallstruktur gewährleistet.

Wie in Teilbild b) ersichtlich, bedeckt der Metallfilm 4 somit zum einen die Maskierungsschicht 3 und zum anderen die Solarzelle 1 in den von der Maskierungsschicht 3 ausgesparten Bereichen.

In einem weiteren Schritt wird nun mittels Laserstrahlen 7, 7' eine Perforation des Metallfilms 4 durchgeführt, siehe Figur 1 , Teilbild c). Das Ergebnis ist in Teilbild d) dargestellt:

Durch den Energieeintrag der Laserstrahlen 7 wurde lokal die Metallisierungsschicht 4 an einzelnen Punkten 8, 8' verdampft. Hierbei sind die Dicke der Maskierungsschicht 3 und die Intensität der Laserstrahlen 7, 7' derart gewählt, dass zum einen der Metallfilm 4 in den Perforationsbereichen 8, 8' vollständig entfernt ist und zum anderen keine Beeinträchtigung der Solarzelle 1 oder der dielektrischen Schicht 2 durch die Laserstrahlen 7, 7' stattfindet. Die Pulsenergie des Laserstrahls wurde dabei geringer als 5 μJ gewählt, um eine Beeinträchtigung der Solarzelle durch die Laserstrahlen zu vermeiden. Insbesondere eine Pulsenergie von 2 μJ ist gemäß Untersuchungen der Anmelderin hierbei vorteilhaft.

Die Perforation wurde mittels eines frequenzverdreifachten Nd:YAG-Laser mit einer Wellenlänge von 355 nm durchgeführt. Der Laser arbeitet mit gepulster Laserstrahlung, wobei die Pulslängen im Bereich 20 ns bis 30 ns liegen.

In einem weiteren Schritt wird nun die gesamte Struktur in ein Lösemittelbad gegeben, sodass insbesondere an den in Figur 1 , Teilbild e) mit Pfeilen gekennzeichneten öffnungen 8, 8' des Metallfilms 4 das Lösemittel 5, 5' direkt durch die öffnungen hindurch zu der Maskierungsschicht 3 gelangt und diese ablöst.

Auf diese Weise ist ein rasches Ablösen der Maskierungsschicht 3 möglich, sodass die in Figur 1 , Teilbild f) dargestellte Struktur erzeugt wird, das heißt die Solarzelle 1 mit der dielektrischen Schicht 2, welche an den gewünschten Aussparungsstellen eine Metallisierungsstruktur 10 aufweist, die aus den verbliebenen Bereichen des Metallfilms 4 besteht.

In Figur 2 ist eine Draufsicht auf eine Solarzelle mit einer stark vereinfacht dargestellten, kammartigen Metallisierungsstruktur 10 dargestellt:

Die Solarzelle 1 weist eine kammartige Metallisierungsstruktur 10 auf, über welche Ladungsträger aus dem Siliziumwafer über die Metallisierungsstruktur zu einem (nicht dargestellten) Kontaktierungspunkt gelangen können.

Die Punkte in Figur 2 geben die Perforationen entlang vorgegebener Linien an, von denen beispielhaft zwei Linien mit den Bezugszeichen 11 , 11 ' bezeichnet sind. An den Linien wurde mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens der Metallfilm 4 teilweise entfernt. Die dargestellten Perforationen folgen Linien, welche in etwa in konstantem Abstand von 500 μm zu den von der Maskierungsschicht ausgesparten Bereichen, das heißt zu der Metallisierungsstruktur 10 angeordnet sind, sodass ein definiertes Abreißen des Metallfilms an den Rändern der Metallisierungsstruktur 10 gegeben ist.

Eine typische kammartige Metallisierungsstruktur, wie in Figur 2 schematisch dargestellt, weist üblicherweise ausgehend von dem in Figur 2 untenliegenden Verbindungsbereich eine Vielzahl (über 80) sich in Figur 2 davon ausgehend nach oben erstreckender „Finger" auf, wobei die Finger in etwa einen Abstand von 1200 μm zueinander aufweisen und eine Breite von etwa 150 μm besitzen.