Die vorliegende Patentanmeldung nimmt die Priorität der am 28 . September 2022 eingereichten deutschen Patentanmeldung DE 10 2022 210 262 . 2 in Anspruch, auf die verwiesen wird und deren Inhalt hier vollständig einbezogen wird ( „incorporation by reference" ) .

Die Erfindung betri f ft ein Verfahren zum Bearbeiten eines Körpers , insbesondere eines Spiegelkörpers eines EUV-Spiegels .

Bei dem Verfahren wird ein lonenstrahl auf eine zu bearbeitende Oberfläche des Körpers gerichtet , um Material von der Oberfläche des Körpers abzutragen . Der lonenstrahl wird entlang einer Bahn über die Oberfläche geführt . Die Erfindung betri f ft auch eine Vorrichtung und ein Computerprogrammprodukt zum Bearbeiten eines solchen Körpers .

Integrierte Schaltkreise mit besonders kleinen Strukturen werden unter Verwendung von mikrolithographischen Proj ektionsbelichtungsanlagen hergestellt . Eine mit sehr kurzwelliger, tief ultravioletter oder extrem ultravioletter Strahlung ( DUV- oder EUV-Strahlung) beleuchtete Maske (= Retikel ) wird auf ein Lithograf ieob ekt abgebildet , um die Maskenstruktur auf das Lithograf ieob ekt zu übertragen .

Die Proj ektionsbelichtungsanlage umfasst mehrere Spiegel , an denen die Strahlung reflektiert wird . Die Spiegel haben eine präzise definierte Form und sind präzise ausgerichtet , damit die Abbildung der Maske auf das Lithograf ieobj ekt eine hinreichende Qualität hat . Damit eine hinreichende Menge an EUV- oder DUV-Strahlung auf das Lithograf ieobj ekt geleitet werden kann, werden große Spiegel verwendet , deren Ausdehnung in der Größenordnung von mehreren 100 mm liegen kann . In manchen Fällen umfasst der Herstellungsprozess des Spiegels einen Schritt , bei dem der Spiegelkörper mit einem lonenstrahl behandelt wird, um Material von der Oberfläche des Spiegelkörpers abzutragen . Die herausgeschlagenen Partikel erhalten durch den lonenstrahl so viel kinetische Energie , dass sie sich von der Oberfläche des Spiegelkörpers entfernen . Bei Spiegelkörpern mit großen Abmessungen stellt sich das Problem, dass die herausgeschlagenen Partikel sich an einer anderen Stelle der Oberfläche niederschlagen können und sich dort gemeinsam mit von der lonenstrahl- quelle ausgehenden Bestandteilen des ionisierten Prozessgases zu einer Schicht aufbauen können . Dies ist unerwünscht , weil die Qualität der Oberfläche beeinträchtigt wird .

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde , ein Verfahren, eine Vorrichtung und ein Computerprogrammprodukt vorzustellen, mit denen diese Nachteile vermieden werden . Die Aufgabe wird gelöst mit den Merkmalen der unabhängigen Ansprüche . Vorteilhafte Aus führungs formen sind in den Unteransprüchen angegeben .

Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren umfasst die Bahn des lonenstrahl auf der zu bearbeitenden Oberfläche des Körpers eine erste Teilbahn und eine zeitlich nach der ersten Teilbahn liegende zweite Teilbahn . Der lonenstrahl überstreicht während der ersten Teilbahn die gesamte Oberfläche . Der lonenstrahl überstreicht auch während der zweiten Teilbahn die gesamte Oberfläche .

Indem während der Bearbeitung des Körpers die gesamte zu behandelnde Oberfläche mehrfach mit dem lonenstrahl überstrichen wird, können abgelagerte Partikel von der Oberfläche entfernt werden, bevor sich eine nur schwierig zu beseitigende Schicht aus den Partikeln gebildet hat . Die Erfindung hat erkannt , dass die konventionelle Vorgehensweise , bei der der lonen- strahl die zu bearbeitende Oberfläche genau einmal überstreicht von Nachteil ist , wenn die zu bearbeitende Oberfläche größer ist . Die aus herausgeschlagenen Partikeln und Bestandteilen des Prozessgases entstehende Schicht bildet sich in einem Abstand zu dem mit dem lonenstrahl behandelten Bereich der Oberfläche , so dass die Schicht nur bei größeren Oberflächen stört . Mit der Erfindung kann das Verfahren auch dann angewendet werden, wenn die Partikel sich auf der zu bearbeitenden Oberfläche niederschlagen, weil die Partikel im Laufe des Verfahrens immer wieder entfernt werden und deswegen das Ergebnis der Bearbeitung nicht beeinträchtigen können .

Das Verfahren kann so durchgeführt werden, dass die Dauer einer einzelnen Teilbahn wesentlich kleiner ist als die Gesamtdauer der Bearbeitung . Beispielsweise kann die Dauer einer Teilbahn kleiner sein als 10 % , vorzugsweise kleiner sein als 5 % , weiter vorzugsweise kleiner sein als 1 % der Gesamtdauer der Bearbeitung . Die Gesamtdauer der Bearbeitung hängt davon ab, wieviel Material abgetragen werden soll . Es gibt Anwendungs fälle , in den sich die Bearbeitung über wenigstens 5h, vorzugsweise wenigstens 10h, weiter vorzugsweise wenigstens 20h erstreckt . Die Dauer einer einzelnen Teilbahn kann beispielsweise zwischen 2 Minuten und 20 Minuten, vorzugsweise zwischen 5 Minuten und 10 Minuten liegen . In anderen Anwendungs fällen, in denen nur wenig Material abgetragen werden soll , kann die Dauer der Bearbeitung kleiner sein und beispielsweise zwischen 0 , 5h und 5h liegen .

In vielen Fällen ist es gewünscht , dass die Oberfläche einer im Wesentlichen gleichmäßigen Bearbeitung unterzogen wird . Dies kann erreicht werden, indem die Parameter des lonen- strahls konstant gehalten werden und indem der lonenstrahl mit nahezu konstanter Geschwindigkeit über die zu bearbeitende Oberfläche geführt wird . Als nahezu konstant wird die Geschwindigkeit bezeichnet , wenn die niedrigste Geschwindigkeit während einer Teilbahn um nicht mehr als 10 % von der höchs- tene Geschwindigkeit während der Teilbahn abweicht . Auch über verschiedene Teilbahnen hinweg kann die Geschwindigkeit in diesem Sinne nahezu konstant gehalten werden . Jede einzelne Teilbahn kann so gestaltet sein, dass die Teilbahn keine Bahnabschnitte umfasst , die sich gegenseitig kreuzen . Die verschiedenen Teilbahnen können so aufeinander abgestimmt sein, dass die Teilbahnen sich nicht kreuzen . Dies gilt vorzugsweise für die Gesamtheit der erfindungsgemäßen Teilbahnen .

In einer Aus führungs form ist die Bahn über die Oberfläche so eingerichtet , dass der lonenstrahl die zu behandelnde Oberfläche im Laufe der ersten Teilbahn und/oder der zweiten Teilbahn nicht verlässt . Hat die zu bearbeitende Oberfläche eine abgerundete Umfangslinie , wie es beispielsweise bei einer kreisförmigen oder ovalen Form der Oberfläche der Fall ist , so kann der lonenstrahl entlang einer spiralartigen Teilbahn über die Oberfläche geführt werden . Die spiralartige Teilbahn kann in einem peripheren Bereich der Oberfläche beginnen und zum Zentrum führen oder umgekehrt .

Die Teilbahn ist vorzugsweise so gestaltet , dass der lonenstrahl ohne abrupte Richtungsänderungen über die zu bearbeitende Oberfläche geführt wird . Im Sinne der Erfindung gilt eine abrupte Richtungsänderung als Änderung der Geschwindigkeit , mit der der lonenstrahl über die Oberfläche geführt wird . Es kann von Vorteil sein, den lonenstrahl in einen außerhalb der zu bearbeitenden Oberfläche liegenden Bereich zu führen, um abrupte Richtungsänderungen innerhalb der Oberfläche zu vermeiden . Außerhalb der zu bearbeitenden Oberfläche kann die Bahn des lonenstrahls beliebigen Richtungsänderungen unterzogen werden, ohne dass die gleichmäßige Bearbeitung der Oberfläche beeinträchtigt wird . Beispielsweise kann der lonen- strahl die zu bearbeitende Oberfläche entlang eines ersten geradlinigen Bahnabschnitts queren, außerhalb der zu bearbeitenden Oberfläche seine Richtung umkehren und entlang eines zweiten geradlinigen Bahnabschnitts , der parallel zu dem ersten geradlinigen Bahnabschnitt ist , die zu bearbeitende Oberfläche erneut queren . Mit einer Viel zahl von geradlinigen Bahnabschnitten kann auf diese Weise die gesamte zu bearbeitende Oberfläche überstrichen werden, ohne dass es auf der Oberfläche zu abrupten Richtungsänderungen kommt .

Der Körper kann so gestaltet sein, dass der lonenstrahl außerhalb der zu bearbeitenden Oberfläche nicht mehr auf den Körper tri f ft . Möglich ist auch, dass der lonenstrahl außerhalb der zu bearbeitenden Fläche auf periphere Oberflächenbereiche des Körpers tri f ft , die keiner gezielten Bearbeitung unterzogen werden .

Von Vorteil kann es sein, den lonenstrahl zwischen der ersten Teilbahn und der zweiten Teilbahn in einen Bereich außerhalb der zu bearbeitenden Oberfläche zu führen . In einer Aus führungs form hat die zu bearbeitende Fläche eine zentrale Ausnehmung . Der lonenstrahl kann beim Übergang zwischen der ersten Teilbahn und der zweiten Teilbahn in den Bereich der zentralen Ausnehmung geführt werden und dort beliebigen Richtungsänderungen unterzogen werden .

Die als Halbwertsbreite ( FWHM - Full Width at Hal f Maximum) angegebene Querschnittsausdehnung des lonenstrahls quer zur Bahnrichtung ( laterale Querschnittsausdehnung) kann beispielsweise zwischen 30 mm und 150 mm, vorzugsweise zwischen 50 mm und 100 mm liegen . Die Angaben zur Bahn, entlang derer der lonenstrahl geführt wird, beziehen sich auf den Zentralstrahl der Verteilung . In anderen Anwendungsbereichen kann die Halbwertsbreite des lonenstrahls kleiner sein und beispielsweise zwischen 0 , 5 mm und 30mm liegen .

Das Verfahren kann so durchgeführt werden, dass der Zentralstrahl während einer Teilbahn einen konstanten lateralen Abschnitt zu dem Zentralstrahl eines früheren Bahnabschnitts derselben Teilbahn einhält . Der laterale Abstand kann kleiner sein als die laterale Querschnittsausdehnung des lonenstrahls , sodass der lonenstrahl mit dem früheren Bahnabschnitt überlappt . Die Überlappung kann sich über wenigstens 10 % , vorzugsweise wenigstens 20 % , weiter vorzugsweise wenigstens 30 % der Querschnittsausdehnung erstrecken . Mit anderen Worten können die Teilbahnen, entlang derer der lonenstrahl geführt wird, kann zueinander benachbarte Bahnabschnitte umfassen, wobei der Abstand zwischen den Bahnabschnitten so gewählt ist , dass sich die gewünschte Überlappung einstellt . Der Abstand zwischen den zueinander benachbarten Bahnabschnitte kann beispielsweise zwischen 20 mm und 100 mm liegen . Alle Angaben zu den lateralen Abständen beziehen sich auf den Zentralstrahl des lonenstrahls . Dies kann für j ede der Teilbahnen gelten .

Die zweite Teilbahn kann sich parallel zu der ersten Teilbahn erstrecken . Dies bedeutet , dass der Zentralstrahl des lonenstrahls während der zweiten Teilbahn einen Weg nimmt , der einen konstanten lateralen Abstand zu dem Weg des Zentralstrahls während der ersten Teilbahn hat . Eine zweite Teilbahn kann genau mittig zwischen zwei Bahnabschnitten der ersten Teilbahn geführt werden . Weitere Teilbahnen können den von der ersten Teilbahn gelassenen Freiraum mit äquidistanten lateralen Abständen aus füllen . Das Verfahren kann mit wenigstens 50 Teilbahnen, vorzugsweise mit wenigstens 100 Teilbahnen, weiter vorzugsweise mit wenigstens 200 Teilbahnen durchgeführt werden . Während einer Teilbahn können die Parameter der Bearbeitung konstant gehalten werden . Insbesondere können die Eigenschaften des lonenstrahls konstant gehalten werden und kann der lo- nenstrahl mit einer konstanten Geschwindigkeit entlang der Teilbahn bewegt werden . Jede Teilbahn kann geradlinig sein oder eine kontinuierliche Krümmung aufweisen, wie es bei einer Spirale der Fall ist . Die Parameter des lonenstrahls können auch beim Wechsel zwischen zwei Teilbahnen konstant gehalten werden . Die Geschwindigkeit des lonenstrahls und die Form der Bahn unterliegen in einer Zwischenphase zwischen zwei Teilbahnen keinen besonderen Einschränkungen . In einem häufigen Anwendungs fall gibt es keine Kreuzungen zwischen den Teilbahnen . Von der Erfindung umfasst ist auch die Möglichkeit , dass ein oder mehrere Teilbahnen mehrfach identisch abgefahren werden . Dies kann für j ede der Teilbahnen gelten .

Die Vorgabe , dass die Teilbahnen sich nicht kreuzen sollen, dient in erster Linie dem Ziel , eine gleichmäßige Bearbeitung der Oberfläche zu ermöglichen, sodass insbesondere eine Schicht von konstanter Dicke von dem Körper abgetragen werden kann . Für den Fall , dass an bestimmten Stellen der zu bearbeitenden Oberfläche mehr Material abgetragen werden soll als an anderen Stellen, kann es zweckmäßig sein, dass Teilbahnen sich kreuzt .

Das Verfahren kann durchgeführt werden an einem Körper, dessen zu bearbeitende Oberfläche mit einer Maske versehen ist , durch die Oberflächenbereiche , von denen Material abgetragen werden soll , getrennt werden, von Oberflächenbereichen, in denen kein Material abgetragen werden soll . Die Maske kann beispielsweise aus einer Fotolackschicht bestehen . Die mit der Maske definierten Strukturen sind üblicherweise so klein, dass der Io- nenstrahl gleichzeitig mehrere Oberflächenbereiche über- streicht . Auch in einem solchen Anwendungs fall ist es erstrebenswert , dass die zu bearbeitende Oberfläche gleichmäßig mit dem lonenstrahl behandelt wird .

Das Problem von unerwünschten Ablagerungen der herausgeschlagenen Partikel stellt sich besonders , wenn die zu bearbeitende Oberfläche groß ist . Beispielsweise kann die größte Ausdehnung der zu bearbeitenden Oberfläche wenigstens 300 mm, vorzugsweise wenigstens 500 mm liegen .

Der Körper kann ein Spiegelkörper eines EUV- oder DUV-Spiegels sein . Im fertigen Spiegel kann der Spiegelkörper mit einer für EUV-Strahlung oder DUV-Strahlung hoch reflektierenden Beschichtung versehen sein . Es kann sich um eine Multilayer-Be- schichtung handeln, insbesondere um eine Multilayer-Beschich- tung mit alternierenden Lagen aus Molybdän und Sili zium . Die erfindungsgemäße Bearbeitung des Spiegelkörpers kann durchgeführt werden, bevor der Spiegelkörper mit der Beschichtung versehen wird . Als EUV-Strahlung wird elektromagnetische Strahlung im extrem ultravioletten Spektralbereich mit Wellenlängen zwischen 5 nm und 100 nm, insbesondere mit Wellenlängen zwischen 5 nm und 30 nm bezeichnet . DUV-Strahlung liegt im tiefen ultravioletten Spektralbereich und hat eine Wellenlänge zwischen 100 nm und 300 nm .

In einer Aus führungs form hat der Spiegelkörper die Form eines Hohlspiegels . Die zu bearbeitende Oberfläche kann der Reflexions fläche des Hohlspiegels entsprechen . Die erste Teilbahn kann spiralartig von der Peripherie der Hohlspiegel-Reflexions fläche zum Zentrum der Hohlspiegel-Reflexions fläche geführt sein oder umgekehrt vom Zentrum der Hohlspiegel-Reflexions fläche zur Peripherie geführt sein . Die zweite Teilbahn kann sich entlang des spiralartigen Zwischenraums zwischen den Bahnabschnitten der ersten Teilbahn erstrecken, also mit der ersten Teilbahn verschlugen sein . Alle weiteren Teilbahnen können sich ebenfalls entlang des spiralartigen Zwischenraums der ersten Teilbahn erstrecken .

Der Hohlspiegel-Spiegelkörper kann einen zentralen Bereich umfassen, der außerhalb der zu bearbeitenden Oberfläche liegt . Der zentrale Bereich kann konzentrisch zu der Achse des Hohlspiegels angeordnet sein . In einer Aus führungs form hat der Hohlspiegel-Spiegelkörper eine zentrale Ausnehmung, die einen Durchbruch in dem Hohlspiegel-Spiegelkörper bildet .

Hat der Hohlspiegel-Spiegelkörper einen zentralen Bereich, der außerhalb der zu bearbeitenden Oberfläche liegt , so kann die erste Teilbahn sich zwischen dem peripheren Rand und dem zentralen Rand der zu bearbeitenden Oberfläche erstrecken . Wird am Ende der Teilbahn ein Rand der zu bearbeitenden Oberfläche erreicht , so kann der lonenstrahl in einen Bereich außerhalb der zu bearbeitenden Oberfläche geführt werden und dort umgelenkt bzw . in eine Position gebracht werden, in der die zweite Teilbahn beginnen kann . Entsprechend kann mit allen nachfolgenden Teilbahnen verfahren werden .

Der lonenstrahl kann mit einer lonenstrahlquelle erzeugt werden, in der ein Prozessgas mit RF-Strahlung (Radiofrequenz ) ionisiert wird . In der lonenstrahlquelle kann eine elektrische Spannung angelegt werden, um den lonenstrahl zu formen und auf die zu bearbeitende Oberfläche zu richten .

Die Erfindung betri f ft auch eine Vorrichtung zum Bearbeiten eines Körpers , insbesondere eines Spiegelkörpers eines EUV- Spiegels . Die Vorrichtung umfasst eine lonenstrahlquelle und ein Positioniersystem, um einen von der lonenstrahlquelle abgegebenen lonenstrahl auf eine zu bearbeitende Oberfläche des Körpers zu richten, so dass Material von der Oberfläche des Körpers abgetragen wird . Die Vorrichtung umfasst weiter eine Steuereinheit , die das Positioniersystem so ansteuert , dass der lonenstrahl entlang einer Bahn über die Oberfläche geführt wird . Die Bahn umfasst eine erste Teilbahn und eine zeitlich nach der ersten Teilbahn liegende zweite Teilbahn . Der Tonenstrahl überstreicht während der ersten Teilbahn die gesamte Oberfläche und überstreicht während der zweiten Teilbahn die gesamte Oberfläche .

Das Positioniersystem kann so gestaltet sein, dass der Körper in fester Position gehalten wird und die lonenstrahlquelle relativ zu dem Körper bewegt wird oder umgekehrt . Möglich ist auch ein Positioniersystem, bei dem sowohl die lonenstrahlquelle als auch der Körper bewegt werden . I st der Körper ein Spiegelkörper in Form eines Hohlspiegels , so kann dieser um seine optische Achse rotiert werden . Um den lonenstrahl auf verschiedene meridionale Abschnitte des Hohlspiegels , also verschiedene Abschnitte entlang eines Meridians des Hohlspiegels , richten zu können, kann die lonenstrahlquelle in geeigneter Weise relativ zu dem Spiegelkörper Verfahren und geschwenkt werden . Dabei kann die lonenstrahlquelle j eweils so ausgerichtet werden, dass der lonenstrahl senkrecht auf die zu bearbeitende Fläche des Hohlspiegels tri f ft .

Die Of fenbarung umfasst Weiterbildungen des Verfahrens mit Merkmalen, die im Zusammenhang der erfindungsgemäßen Vorrichtung beschrieben sind . Die Of fenbarung umfasst Weiterbildungen der Vorrichtung, die im Zusammenhang des erfindungsgemäßen Verfahrens beschrieben sind .

Die Erfindung betri f ft auch ein Computerprogrammprodukt oder einen Satz von Computerprogrammprodukten, umfassend Programmteile , welche , wenn geladen in einen Computer oder in untereinander vernetzte Computer, die mit einer erfindungsgemäßen Vorrichtung verbunden sind, zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens ausgelegt sind . Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen anhand vorteilhafter Aus führungs formen beispielhaft beschrieben. Es zeigen:

Fig. 1: eine Aus führungs form einer erfindungsgemäßen Vorrichtung;

Fig. 2: einen beispielhaften Ablauf beim Bearbeiten eines

Körpers ;

Fig. 3: eine schematische Darstellung einer erfindungsgemäßen Teilbahn;

Fig. 4: ein mit einem lonenstrahl erzeugtes Profil;

Fig. 5: eine Kombination aus mehreren Teilbahnen;

Fig. 6: einen Spiegelkörper mit einer zu bearbeitenden

Oberfläche ;

Fig. 7: eine alternative Aus führungs form einer erfindungsgemäßen Vorrichtung.

In Fig. 1 ist ein Körper in Form eines Spiegelkörpers 20 auf einer Trägerfläche einer erfindungsgemäßen Bearbeitungsvorrichtung 15 angeordnet. Die Bearbeitungsvorrichtung 15 umfasst ein Positioniersystem in Form eines X-Y-Positionierers 16, der eine lonenstrahlquelle 17 trägt. Die lonenstrahlquelle 17 erzeugt einen lonenstrahl 18, der senkrecht auf eine zu bearbeitende Oberfläche 21 des Spiegelkörpers 20 trifft. Indem die lonenstrahlquelle 17 mit dem X-Y-Positionierer 16 bewegt wird, wird der lonenstrahl 18 über die Oberfläche 21 (Fig. 2) des Spiegelkörpers 20 bewegt. Die Bearbeitungsvorrichtung 15 umfasst eine Steuereinheit 14, die den X-Y-Positionierer 16 so ansteuert, dass der lonenstrahl 18 eine vorgegebene Bahn auf der zu bearbeitenden Oberfläche 21 abfährt. Gemäß Fig . 2 ist die zu bearbeitende Oberfläche 21 rechteckig, wobei die längere Seite des Rechtecks etwa 70 cm misst . Der lonenstrahl überstreicht die zu bearbeitende Oberfläche 21 mit einer Mehrzahl von Teilbahnen 22 , 23 , 24 , 25 . Die erste Teilbahn 22 beginnt damit , dass der lonenstrahl 18 die kürzere Dimension der rechteckigen Oberfläche 21 einmal entlang eines geradlinigen Bahnabschnitts 19 quert . Außerhalb der zu bearbeitenden Oberfläche 21 wird die Bahn des lonenstrahls 18 entlang eines halbkreis förmigen Bogens umgelenkt , sodass der lonenstrahl 18 die zu bearbeitende Oberfläche 21 in entgegengesetzter Richtung überstreichen kann . Die erste Teilbahn 22 wird auf diese Weise fortgesetzt , bis das bezogen auf die längere Dimension des Rechtecks gegenüberliegende Ende der zu bearbeitenden Oberfläche 21 erreicht ist .

Die lonenstrahlquelle 17 wird anschließend außerhalb der zu bearbeitenden Oberfläche 21 zum Ausgangsende zurückgefahren, sodass der lonenstrahl 18 entlang einer zweiten Teilbahn 23 über die Oberfläche 21 geführt werden kann . Die zweite Teilbahn 23 hat denselben Verlauf wie die erste Teilbahn 22 ist aber so relativ zu der ersten Teilbahn 22 verschoben, dass die geradlinigen Bahnabschnitte 19 parallel zueinander liegen . Das Verfahren wird mit weiteren Teilbahnen fortgesetzt , bis der Zwischenraum zwischen den geradlinigen Abschnitten 19 der ersten Teilbahn 22 gleichmäßig mit geradlinigen Abschnitten 19 der anderen Teilbahnen bedeckt ist . In der vereinfachten Ski z ze in Fig . 2 ist dies für vier Teilbahnen 22 , 23 , 24 , 25 gezeigt . Tatsächlich wird das Verfahren in der Praxis regelmäßig mit wesentlich mehr Teilbahnen, beispielsweise zwischen 100 und 200 Teilbahnen durchgeführt . Die Geschwindigkeit , mit der die Teilbahnen abgefahren werden, ist über alle Teilbahnen hinweg identisch . Die Gesamtdauer der Bearbeitung kann beispielsweise 20h sein . Die Zeitdauer einer einzelnen Teilbahn 22 , 23 , 24 , 25 kann Beispielsweise zwischen 5 Minuten und 10 Minuten liegen . In dem Aus führungsbeispiel gemäß Fig . 2 ist die zweite Teilbahn 23 benachbart zu der ersten Teilbahn 22 , die dritte Teilbahn 24 benachbart zu der zweiten Teilbahn 23 usw . Es sind auch andere Abfolgen von Teilbahnen möglich, bei denen beispielsweise die j eweils aktuelle Teilbahn möglichst mittig zwischen bestehenden Teilbahnen angeordnet ist .

Die lonenstrahlquelle 17 bleibt während des gesamten Ablaufs in Betrieb und sendet einen konstanten lonenstrahl 18 aus . Gemäß Fig . 3 ist der lonenstrahl 18 nicht sehr stark fokussiert , sondern hat eine deutliche Ausdehnung quer zur Richtung der ersten Teilbahn 22 . Die Halbwertsbreite ( FWHM - Full Width at Hal f Maximum) des lonenstrahls 18 beträgt etwa 70 mm . Damit ist die laterale Querschnittsausdehnung 26 des lonenstrahls 18 so groß , dass es zu einer Überlappung der mit dem lonenstrahl 18 bearbeiteten Bereiche kommt , wenn der lonenstrahl 18 entlang benachbarter geradliniger Bahnabschnitte 19 einer einzelnen Teilbahn 22 geführt wird . Der Abstand zwischen den benachbarten geradlinigen Bahnabschnitten 19 ist etwa 100 mm . Auf diese Weise wird erreicht , dass mit j eder der Teilbahnen 22 , 23 , 24 , 25 die Oberfläche 21 in ihrer Gesamtheit einer Bearbeitung unterzogen wird .

In Fig . 4 ist ein durch die Bearbeitung mit dem lonenstrahl 18 erzeugtes Profil gezeigt . Der lonenstrahl 18 dringt in das Material des Spiegelkörpers 20 ein, indem Partikel aus der Oberfläche herausgeschlagen werden . Es wird eine Furche 29 gebildet , deren größte Tiefe mit dem Zentralstrahl 27 des lonenstrahls 18 erzeugt wird und die mit zunehmendem Abstand vom Zentralstrahl 18 flacher wird . Die Skala auf der senkrechten Achse in Fig . 4 liegt im Nanometer-Bereich .

Die zu bearbeitende Oberfläche 21 des Spiegelkörpers 20 hat eine Ausdehnung 30 von 700 mm . Die in der Furche 29 ausge- schlagenen Partikel sowie Bestandteile des ionisierten Prozessgases lagern sich in einem Abstand von etwa 300 mm zu dem Zentralstrahl 27 ab und bauen sich dort zu einer Schicht 28 auf. Indem gemäß der Erfindung die zu bearbeitende Oberfläche 21 mit jeder Teilbahn in ihrer Gesamtheit bearbeitet wird, wird die Schicht 28 jeweils nach kurzer Zeit wieder entfernt, sodass die abgelagerten Partikel das Ergebnis der Bearbeitung insgesamt nicht beeinträchtigen.

In Fig. 5 ist eine Kombination aus vier Teilbahnen 22, 23, 24, 25 gezeigt, die zur Bearbeitung einer kreisförmigen Oberfläche 21 geeignet ist. Jede der Teilbahnen 22, 23, 24, 25 bildet einen spiralförmigen Weg, der am peripheren Ende der kreisförmigen Oberfläche 21 beginnt und sich bis zum Zentrum der kreisförmigen Oberfläche 21 fortsetzt. Jede der Teilbahnen 22, 23, 24, 25 erstreckt sich innerhalb eines spiralförmigen Freiraums, der zwischen zwei benachbarten Teilbahnen gelassen ist, die Teilbahnen sind also miteinander verschlungen. Am Ende jeder Teilbahn wird die lonenstrahlquelle 17 deaktiviert und die lonenstrahlquelle 17 anschließend mit dem X-Y-Positionierer 16 zurück nach außen gefahren. Dort wird die lonenstrahlquelle 17 wieder in Betrieb gesetzt, und das Verfahren wird mit der nächsten Teilbahn fortgesetzt.

Auch dieses Verfahren, das in Fig. 5 anhand von vier Teilbahnen 22, 23, 24, 25 angedeutet ist, wird in der Praxis mit einer wesentlich größeren Anzahl von Teilbahnen durchgeführt.

Die Gesamtdauer der Bearbeitung kann zwischen 10h und 20h liegen, eine einzelne Teilbahn kann beispielsweise 5 Minuten oder 10 Minuten dauern.

In Fig. 6 ist ein Spiegelkörper 20 mit einem kreisförmigen Umfang und einer zentralen Ausnehmung 32 gezeigt. Bei einem solchen Spiegelkörper 20 kann das Teilbahn-Muster aus Fig. 5 angewendet werden, ohne dass die lonenstrahlquelle 17 am Ende einer Teilbahn ausgeschaltet wird . Der lonenstrahl 18 kann in der Ausnehmung 32 in einen Bereich geführt werden, der außerhalb der zu bearbeitenden Oberfläche 21 liegt . Dort kann die Bahn des lonenstrahls 18 beliebig verändert und umgelenkt werden, ohne dass die gleichmäßige Bearbeitung der Oberfläche 21 beeinträchtigt wird . Ab erneutem Erreichen der zu bearbeitenden Oberfläche 21 kann der lonenstrahl 18 wieder mit konstanter Geschwindigkeit entlang der nächsten spiral förmigen Teilbahn geführt werden .

Die Fig . 7 zeigt eine weitere Aus führungs form einer erfindungsgemäßen Vorrichtung . Die lonenstrahlquelle 17 ist auf einem Schlitten 35 gehalten, der mit einem Linearantrieb in X- Richtung verfahren werden kann . Mit einem Gelenkantrieb 36 , dessen Gelenkachse senkrecht zur Bildebene ausgerichtet ist , kann die Ausrichtung der lonenstrahlquelle 17 relativ zu dem Schlitten 35 verändert werden .

Der Spiegelkörper 20 , der die Form eines Hohlspiegels mit einer zentralen Ausnehmung 32 hat , ist an einer Halterung 33 befestigt . Mit einem Positionierantrieb 34 kann der Spiegelkörper 20 in Z-Richtung verfahren werden sowie um die Z-Achse gedreht werden . Mit diesem vierachsigen Positioniersystem können die lonenstrahlquelle 17 und der Spiegelkörper 20 so zueinander ausgerichtet werden, dass der lonenstrahl 18 senkrecht auf j ede Position der Oberfläche 21 des Spiegelkörpers 20 gerichtet werden kann .

Mit der Steuereinheit 14 werden der Schlitten 35 , der Gelenkantrieb 36 und der Positionierantrieb 34 so angesteuert , dass der lonenstrahl 18 eine erste spiralartige Teilbahn 22 auf der Oberfläche 21 abfährt , die sich mit nahezu gleichmäßiger Geschwindigkeit von dem peripheren Ende der Oberfläche 21 bis zu der zentralen Ausnehmung 32 erstreckt . Innerhalb der zentralen Ausnehmung 32 wird die Bewegungsrichtung umgelenkt , so dass der lonenstrahl 18 eine weitere spiralartige Teilbahn auf der Oberfläche 21 abfahren kann . Dies wird mit einer Viel zahl von spiralartigen Teilbahnen wiederholt , die sich j eweils innerhalb der spiralartigen Freiräume zwischen zwei benachbarten Teilbahnen erstrecken .