Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Integration wenigstens eines Bauteils in eine Leiterplatte oder ein Leiterplatten-Zwischenprodukt sowie auf eine Leiterplatte oder ein Leiterplatten-Zwischenprodukt.

Im Zusammenhang mit wachsenden Produktfunktionalitäten von mit insbesondere elektronischen Bauteilen versehenen Geräten und einer zunehmenden Miniaturisie- rung derartiger Bauteile sowie einer zunehmenden Anzahl von Bauteilen, mit welchen Leiterplatten zu bestücken sind, werden zunehmend leistungsfähige feld- bzw. array- förmig aufgebaute Bauteile bzw. Packages mit mehreren elektronischen Komponenten eingesetzt, die eine Vielzahl von Kontakten bzw. Anschlüssen bei zunehmend verringertem Abstand dieser Kontakte aufweisen. Zur Festlegung bzw. Kontaktierung der- artiger Bauteile wird zunehmend der Einsatz von stark entflochtenen Leiterplatten erforderlich, wobei davon auszugehen ist, dass bei einer gleichzeitigen Verringerung der Produktgröße sowie der einzusetzenden Bauteile und Leiterplatten sowohl hinsichtlich der Dicke als auch der Fläche derartiger Elemente zu erwarten ist, dass eine Bestückung bzw. Anordnung derartiger Bauteile über die erforderliche Vielzahl von Kontaktstellen an Leiterplatten problematisch wird bzw. an Grenzen der möglichen Auflösung derartiger Kontaktstellen gelangt.

Bei einer Integration von Bauteilen in eine Leiterplatte oder ein Leiterplatten-Zwischenprodukt wurde ursprünglich ein derartiger Bauteil oder eine Komponente im Wesent- liehen auf einer Schicht bzw. Lage einer Leiterplatte angeordnet, wobei die Dicke eines derartigen Bauteils die Dicke wenigstens einer Schicht bzw. Lage zur Ummantelung desselben bestimmte. Eine derartige Ummantelung erfolgte bei bekannten Ausführungsformen aus einem isolierenden bzw. nicht-leitenden Material, wodurch sich eine entsprechende Vergrößerung der Gesamtdicke der herzustellenden Leiterplatte oder des Leiterplatten-Zwischenprodukts ergibt.

Zur Lösung derartiger Probleme wurde vorgeschlagen, Bauteile wenigstens teilweise in eine Leiterplatte zu integrieren, wobei beispielsweise auf die WO 03/065778, die WO 03/065779 oder die WO 2004/077902 verwiesen wird. Bei diesen bekannten Verfahren bzw. Ausführungsformen von in einer Leiterplatte integrierten Bauteilen bzw. Komponenten ist jedoch nachteilig, dass für die Aufnahme derartiger elektronischer Bauteile bzw. Komponenten jeweils Ausnehmungen bzw. Löcher in einem Grundelement einer Leiterplatte vorzusehen sind, wobei darüber hinaus vor Anordnung eines Bauteils in einem derartigen Loch Leiterbahnen ausgebildet werden. Die vorliegende Erfindung zielt daher darauf ab, die oben genannten Probleme bei einer Integration bzw. Aufnahme eines Bauteils in eine Leiterplatte bzw. ein Leiterplatten-Zwischenprodukt zu beheben oder zumindest zu minimieren, und zielt insbesondere darauf ab, ein Verfahren der eingangs genannten Art sowie eine Leiterplatte oder ein Leiterplatten-Zwischenprodukt zur Verfügung zu stellen, bei welchen nicht nur eine einfache und zuverlässige Anordnung eines derartigen Bauteils in einer Leiterplatte bzw. in einem Leiterplatten-Zwischenprodukt ermöglicht wird, sondern auch selbst bei Bauteilen mit insbesondere großer Dicke eine Reduzierung bzw. Minimierung der gesamten Dicke der herzustellenden Leiterplatte bzw. des herzustellenden Leiterplatten-Zwischenprodukts erzielbar ist. Weiters wird auf eine verbesserte Zu- gänglichkeit des einzubettenden Bauteils abgezielt.

Zur Lösung dieser Aufgaben umfasst ein Verfahren der eingangs genannten Art im Wesentlichen die folgenden Schritte:

- Bereitstellen einer Schicht zur wenigstens temporären Abstützung des zu integrie- renden Bauteils,

- Festlegen des zu integrierenden Bauteils auf der abstützenden Schicht,

- Bereitstellen eines Leiterplattenelements mit einer Ausnehmung, welche Abmessungen zumindest entsprechend der Größe und Form des zu integrierenden Bauteils aufweist,

- Festlegen des Leiterplattenelements auf der abstützenden Schicht, wobei der zu integrierende Bauteil in der Ausnehmung aufgenommen wird,

wobei das die Ausnehmung zur Aufnahme des zu integrierenden Bauteils aufweisende Leiterplattenelement von wenigstens einer nicht-leitenden Schicht der herzustellenden Leiterplatte oder des herzustellenden Leiterplatten-Zwischenprodukts gebildet wird.

Durch die erfindungsgemäß vorgeschlagenen Verfahrensschritte lässt sich in einfacher und zuverlässiger Weise ein zu integrierender Bauteil bzw. eine zu integrierende Komponente in einer Ausnehmung eines Leiterplattenelements festlegen bzw. mit dem herzustellenden Leiterplattenelement koppeln. Durch die erfindungsgemäße Vorgangs- weise wird die Möglichkeit gegeben, selbst bei Einsatz von eine vergleichsweise große Dicke aufweisenden zu integrierenden Bauteilen in weiterer Folge eine Leiterplatte oder ein Leiterplatten-Zwischenprodukt mit entsprechend reduzierter Gesamthöhe zur Verfügung zu stellen. Insbesondere lässt sich auch ein Bauteil großer Dicke zuverlässig innerhalb des Leiterplattenelements, bestehend aus wenigstens einer nichtleitenden Schicht der herzustellenden Leiterplatte oder des herzustellenden Leiter- platten-Zwischenprodukts integrieren, wobei entsprechend dem zu integrierenden Bauteil das die Ausnehmung aufweisende Leiterplattenelement mit einer entsprechenden, gegebenenfalls großen Dicke bereitgestellt wird. Als Material für das die Ausnehmung aufweisende Leiterplattenelement kann beispielsweise ein FR4-Material bzw. eine FR4-Leiterplatte verwendet werden, welche(s) abgestimmt auf die Abmes- sungen des zu integrierenden Bauteils mit einer entsprechenden Ausnehmung bzw. Freistellung ausgebildet ist. Es lässt sich somit erfindungsgemäß der zu integrierende Bauteil zuverlässig und positionsgenau innerhalb des umgebenden Leiterplattenelements, welches aus wenigstens einer nicht-leitenden Schicht besteht, integrieren. Für eine zuverlässige Integration sowie Positionierung des in der herzustellenden Leiterplatte oder dem Leiterplatten-Zwischenprodukt zu integrierenden Bauteils wird gemäß einer bevorzugten Ausführungsform vorgeschlagen, dass ein Verbinden bzw. Koppeln des zu integrierenden Bauteils mit dem Leiterplattenelement vorgenommen wird.

Neben einer Verbindung bzw. Kopplung zwischen dem zu integrierenden Bauteil und dem Leiterplattenelement im Bereich der in dem Leiterplattenelement vorgesehenen Ausnehmung zur Aufnahme bzw. Einbettung des zu integrierenden Bauteils ist für eine zusätzliche Verbindung bzw. Kopplung bei einem weiteren Aufbau der herzustellenden Leiterplatte bzw. des herzustellenden Leiterplatten-Zwischenprodukts gemäß einer weiters bevorzugten Ausführungsform vorgesehen, dass das Verbinden bzw. Koppeln des zu integrierenden Bauteils mit dem Leiterplattenelement durch Anordnen wenigstens einer den Bauteil und das Leiterplattenelement übergreifenden, zusätzlichen Schicht der herzustellenden Leiterplatte oder des herzustellenden Leiterplatten-Zwi- schenprodukts vorgenommen wird.

In diesem Zusammenhang wird darüber hinaus vorgeschlagen, dass die wenigstens eine zusätzliche Schicht mit dem zu integrierenden Bauteil und dem Leiterplattenelement laminiert wird, wie dies einer weiteren bevorzugten Ausführungsform des erfin- dungsgemäßen Verfahrens entspricht. Derartige Laminiervorgänge zwischen einzelnen Schichten bzw. Lagen einer mehrlagigen Leiterplatte sind für sich gesehen bei der Herstellung einer Leiterplatte bekannt, so dass mit an sich bekannten Verfahrensschritten das erfindungsgemäße Verfahren zur Integration eines Bauteils in eine Leiterplatte oder ein Leiterplatten-Zwischenprodukt umgesetzt werden kann. Bei der Integration eines Bauteils bzw. einer Komponente in einer Leiterplatte bzw. ein Leiterplatten-Zwischenprodukt ist es insbesondere in Abhängigkeit von dem Einsatzbereich bzw. Einsatzzweck des zu integrierenden Bauteils manchmal erforderlich, wenigstens Teilbereiche des zu integrierenden Bauteils beispielsweise für eine nachfolgende Kontaktierung oder während nachfolgender Bearbeitungs- bzw. Herstel- lungsschritte der Leiterplatte freizulegen. In diesem Zusammenhang wird gemäß einer weiters bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens für ein einfaches, wenigstens teilweises Entfernen der vorzusehenden zusätzlichen Schicht vorgeschlagen, dass auf dem zu integrierenden Bauteil vor einem Anordnen einer weiteren Schicht ein ein Anhaften der weiteren Schicht verhinderndes Material aufge- bracht wird. Durch Verwenden eines derartigen, ein Anhaften verhindernden Materials wird der nachfolgend freizulegende Teilbereich vor einer festen Verbindung mit der übergreifenden zusätzlichen Schicht gestützt, so dass durch einfache, in der Herstellung einer Leiterplatte bekannte Verfahrensschritte, wie beispielsweise ein Fräsen oder dgl., die übergreifende zusätzliche Schicht in dem freizulegenden bzw. freizu- stellenden Bereich des zu integrierenden Bauteils einfach entfernt werden kann. In diesem Zusammenhang wird gemäß einer weiters bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens vorgeschlagen, dass der zu integrierende Bauteil nach dem Ausbilden bzw. Anordnen der zusätzlichen Schicht insbesondere durch ein Ausbilden von Durchbrechungen in der zusätzlichen Schicht und/oder durch ein partielles Entfernen wenigstens teilweise freigelegt wird.

Für eine gegebenenfalls weiter vorzusehende Verringerung der gesamten Dicke des herzustellenden Bauteils einer mehrlagigen Leiterplatte wird gemäß einer weiters bevorzugten Ausführungsform vorgesehen, dass auf der den zu integrierenden Bauteil umgebenden nicht-leitenden Schicht ein wenigstens eine leitende und wenigstens eine nicht-leitende Schicht aufweisendes Core-Element angeordnet wird, welches insbesondere eine Ausnehmung entsprechend dem zu integrierenden Bauteil aufweist. Derart gelingt es, neben dem Vorsehen wenigstens einer Schicht aus einem nichtleitenden Material, welches zur Positionierung bzw. Aufnahme des zu integrierenden Bauteils dient, im Wesentlichen auf Höhe des zu integrierenden Bauteils ein zusätzliches Core-Element vorzusehen, welches wenigstens eine leitende und wenigstens eine nicht-leitende Schicht aufweist, so dass insbesondere bei eine große Höhe aufweisenden zu integrierenden Bauteilen leitende, gegebenenfalls strukturierte Schichten auf Höhe bzw. dem Niveau des zu integrierenden Bauteils in der herzustellenden Leiterplatte vorgesehen werden können.

In Abhängigkeit von der herzustellenden Leiterplatte bzw. dem herzustellenden Leiterplatten-Zwischenprodukt erfolgt nach einer Einbettung bzw. Aufnahme des zu integrierenden Bauteils in dem Leiterplattenelement eine weitere Anordnung von Schichten bzw. Lagen und Verbindung derselben zur Herstellung der Leiterplatte. Hierbei wird gemäß einer bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens vorgeschlagen, dass die abstützende Schicht nach einem Verbinden bzw. Koppeln des zu integrierenden Bauteils mit dem Leiterplattenelement entfernt wird. Es wird die abstützende Schicht im Wesentlichen nur für eine provisorische Abstützung eingesetzt, worauf nach einer Entfernung derselben ein Aufbau von weiteren Schichten bzw. Lagen, welche sowohl den eingebetteten Bauteil als auch das umgebende Leiterplattenelement abdecken, vorgenommen werden kann.

Gemäß einer alternativen Verfahrensführung wird erfindungsgemäß bevorzugt vorgeschlagen, dass die abstützende Schicht von einer insbesondere mehrlagigen Folie gebildet wird, welche insbesondere aus wenigstens einer leitenden und wenigstens einer nicht-leitenden Schicht besteht, welche nach der Festlegung des zu integrierenden Bauteils und des Leiterplattenelements einen Teilbereich der herzustellenden Leiterplatte bzw. des herzustellenden Leiterplatten-Zwischenprodukts bildet. Derart kann die abstützende Schicht unmittelbar als Folie zur weiteren Herstellung bzw. zum weiteren Aufbau der herzustellenden Leiterplatte oder des herzustellenden Leiterplatten-Zwischenprodukts eingesetzt werden, wobei beispielsweise die leitende Schicht dieser abstützenden mehrlagigen Folie auch einer entsprechenden Strukturierung unterworfen werden kann. Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren lässt sich eine unterschiedliche Vielzahl von Bauteilen in eine herzustellende Leiterplatte insbesondere unter einer Reduktion bzw. Minimierung der Dicke der herzustellenden Leiterplatte integrieren, wobei in diesem Zusammenhang gemäß einer weiters bevorzugten Ausführungsform vorgeschlagen wird, dass der zu integrierende Bauteil von einem aktiven Bauteil, wie beispielsweise einem elektronischen Bauteil, einem opto-elektronischen Bauteil, einem Chip, einem Sensor, einem in ein Core-Element integrierten Bauteil, oder einem passiven Bauteil, wie beispielsweise einem Kühlelement, einem einen Durchtrittskanal definierenden Hohlkörper, insbesondere bestehend aus Glas oder Keramik, oder dgl. gebildet wird.

Für eine zuverlässige Kopplung bzw. Kontaktierung einer gegebenenfalls großen Vielzahl von Kontakten eines derartigen zu integrierenden, insbesondere elektronischen Bauteils wird darüber hinaus vorgeschlagen, dass Kontakte des zu integrierenden Bauteils oder eine insbesondere leitende Schicht desselben nach einer Verbindung mit dem Leiterplattenelement mit leitenden Bereichen der herzustellenden Leiterplatte oder des herzustellenden Leiterplatten-Zwischenprodukts gekoppelt wird bzw. werden, wie dies einer weiters bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens entspricht.

Für eine einfache und zuverlässige Festlegung sowohl des aufzunehmenden bzw. zu integrierenden Bauteils als auch des den Bauteil umgebenden Leiterplattenelements wird darüber hinaus bevorzugt vorgeschlagen, dass der zu integrierende Bauteil und das Leiterplattenelement unter Vermittlung eines Klebers, einer klebenden Folie, einer adhäsiven Beschichtung, durch ein Löten oder dgl. auf der abstützenden Schicht festgelegt werden. Insbesondere in Abhängigkeit davon, ob die abstützende Schicht lediglich für eine provisorische Abstützung oder gegebenenfalls für einen weiteren Aufbau der mehrlagigen Leiterplatte eingesetzt wird, kann eine entsprechende Wahl der einzusetzenden Verbindungsmittel erfolgen.

Zur Erzielung einer entsprechend geringen Gesamtdicke der herzustellenden Leiterplatte ist darüber hinaus vorgesehen, dass eine Klebeschicht oder -folie oder Be- Schichtung mit einer Dicke von maximal 15 μσι, insbesondere etwa 0,1 bis 10 μηι ausgebildet wird, wie dies einer weiteren bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens entspricht. Hierbei können für ein einfaches Aufbringen einer derartigen Klebeschicht für sich gesehen bekannte Verfahren eingesetzt werden, wobei erfindungsgemäß bevorzugt vorgeschlagen wird, dass eine Klebeschicht durch Tinten-, Flex-, Tiefen-, Sieb- oder Offsetdruck aufgebracht wird.

Für eine einfache Registrierung und Positionierung des zu integrierenden Bauteils ist darüber hinaus vorgesehen, dass der zu integrierende Bauteil relativ zu Markierungen auf der abstützenden Schicht und/oder auf dem die Ausnehmung aufweisenden Leiterplattenelement auf der abstützenden Schicht positioniert wird, wie dies einer weiters bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens entspricht. Wie bereits mehrfach erwähnt, gelingt durch die erfindungsgemäß vorgeschlagene Anordnung bzw. Einbettung eines zu integrierenden Bauteils in einem von wenigstens einer nicht-leitenden Schicht gebildeten Leiterplattenelement eine Reduktion bzw. Minimierung der gesamten Dicke der herzustellenden Leiterplatte selbst bei Einsatz von große Abmessungen und insbesondere große Dicken aufweisenden zu integrierenden Bauteilen. Hierbei wird gemäß einer weiters bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens vorgeschlagen, dass die Dicke des die Ausnehmung zur Aufnahme des zu integrierenden Bauteils aufweisenden Leiterplattenelements zu- mindest entsprechend der Dicke des zu integrierenden Bauteils gewählt wird.

Zur Lösung der eingangs genannten Aufgaben ist darüber hinaus eine Leiterplatte oder ein Leiterplatten-Zwischenprodukt im Wesentlichen dadurch gekennzeichnet, dass ein zu integrierender Bauteil in einer Ausnehmung eines Leiterplattenelements auf- genommen ist, wobei das die Ausnehmung zur Aufnahme des zu integrierenden Bauteils aufweisende Leiterplattenelement von wenigstens einer nicht-leitenden Schicht der herzustellenden Leiterplatte oder des herzustellenden Leiterplatten- Zwischenprodukts gebildet ist. Wie bereits oben ausgeführt, lässt sich somit eine Leiterplatte bzw. ein Leiterplatten-Zwischenprodukt zur Verfügung zu stellen, welche(s) nicht nur einfach herstellbar ist, wobei eine zuverlässige Aufnahme und Positionierung des zu integrierenden Bauteils in der herzustellenden Leiterplatte möglich wird, sondern es lässt sich auch eine Leiterplatte oder ein Leiterplatten-Zwischenprodukt mit einer entsprechend verringerten Gesamthöhe bereitstellen. Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform wird vorgeschlagen, dass zumindest an einer Oberfläche des Leiterplattenelements und des zu integrierenden Bauteils eine weitere Schicht bzw. Lage der Leiterplatte oder des Leiterplatten-Zwischenprodukts vorgesehen ist, so dass sich neben einer einfachen und zuverlässigen Integration des zu integrierenden Bauteils auch eine zuverlässige Verbindung zwischen dem Bauteil und dem umgebenden Leiterplattenelement erzielen lässt.

Für eine Kopplung bzw. Kontaktierung einer gegebenenfalls großen Anzahl von Kontakten des zu integrierenden Bauteils wird darüber hinaus vorgeschlagen, dass Kontakte oder eine leitende Schicht des zu integrierenden Bauteils mit weiteren Schichten der Leiterplatte oder des Leiterplatten-Zwischenprodukts verbunden bzw. gekoppelt ist bzw. sind, wie dies einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der erfindungsgemäßen Leiterplatte oder des erfindungsgemäßen Leiterplatten-Zwischenprodukts entspricht.

Wie bereits erwähnt, ist eine große Vielzahl von unterschiedlichen Bauteilen in eine derartige erfindungsgemäße Leiterplatte integrierbar, wobei gemäß einer weiters bevorzugten Ausführungsform vorgeschlagen wird, dass der zu integrierende Bauteil von einem aktiven Bauteil, wie beispielsweise einem elektronischen Bauteil, einem opto-elektronischen Bauteil, einem Chip, einem Sensor, einem in ein Core-Element integrierten Bauteil, oder einem passiven Bauteil, wie beispielsweise einem Kühl- element, einem einen Durchtrittskanal definierenden Hohlkörper, insbesondere bestehend aus Glas oder Keramik, oder dgl. gebildet ist.

Die Erfindung wird nachfolgend anhand von in der beiliegenden Zeichnung schematisch dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert. In dieser zeigen:

Fig. 1 a bis 1 h unterschiedliche Verfahrensschritte eines erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung einer erfindungsgemäßen Leiterplatte oder eines erfindungsgemäßen Leiterplatten-Zwischenprodukts;

Fig. 2a bis 2b ähnlich den Schritten, welche in Fig. 1 a und 1 b dargestellt sind, eine abgewandelte Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung einer erfindungsgemäßen Leiterplatte;

Fig. 3 und 4 unterschiedliche Ausführungsformen von gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren herzustellenden Leiterplatten bzw. Leiterplatten-Zwischenprodukten;

Fig. 5a bis 5e unterschiedliche Verfahrensschritte eines weiteren abgewandelten erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung einer erfindungsgemäßen Leiterplatte oder eines erfindungsgemäßen Leiterplatten-Zwischenprodukts;

Fig. 6 ähnlich den Darstellungen von Fig. 3 und 4 eine weitere abgewandelte Ausführungsform einer gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren herzustellenden Leiterplatte;

Fig. 7 schematische Ansichten von unterschiedlichen Bauteilen, welche in eine erfindungsgemäße Leiterplatte integrierbar sind, zur Definition von in einer herzustellenden Leiterplatte vorzusehenden Hohlräumen;

Fig. 8a bis 8f unterschiedliche Verfahrensschritte eines weiteren abgewandelten erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung einer erfindungsgemäßen Leiterplatte oder eines erfindungsgemäßen Leiterplatten-Zwischenprodukts; Fig. 9 einen schematischen Teilschnitt durch eine weitere abgewandelte Ausführungsform eines erfindungsgemäßen, gemäß einem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten Leiterplatten-Zwischenprodukts; und

Fig. 10 in einer zu Fig. 9 ähnlichen Ansicht einen weiteren Teilschnitt durch eine weitere abgewandelte Ausführungsform eines erfindungsgemäßen, gemäß einem erfindungsgemäßen Verfahren herzustellenden Leiterplatten-Zwischenprodukts.

In dem in Fig. 1 a dargestellten Verfahrensschritt wird auf einer abstützenden Schicht 1 eine Klebeschicht bzw. Klebefolie 2 aufgebracht. Darüber hinaus ist eine leitende Schicht, beispielsweise aus Kupfer 3 vorgesehen, welche eine Ausnehmung entsprechend dem aufzunehmenden bzw. zu integrierenden Bauteil 4 aufweist. Der zu integrierende Bauteil 4 wird beispielsweise von einem IMS-Substrat gebildet, welches beispielsweise für hohe Durchschlagsfestigkeiten und eine Wärmeabfuhr zur Kühlung von entsprechenden Elementen verwendet wird. Der zu integrierende Bauteil 4 weist entsprechend der Höhe bzw. Dicke der Kupferschicht 3 ebenfalls eine Kupferschicht 5 auf, welche, wie dies nachfolgend erörtert werden wird, für eine Kontaktierung mit weiteren leitenden Schichten der herzustellenden Leiterplatte verwendet wird.

Darüber hinaus ist auf dem zu integrierenden Bauteil 4 an der von der abstützenden bzw. Trägerschicht abgewandten Seite eine Schicht 6 aus einem ein Anhaften verhindernden Material vorgesehen.

Ein zuverlässiges Positionieren des einzubettenden Bauteils 4 in der nachfolgend herzustellenden Leiterplatte bzw. dem herzustellenden Leiterplatten-Zwischenprodukt erfolgt durch eine passgenaue Anordnung in der Ausnehmung 7 der auf der abstützenden Schicht vorgesehenen Schicht 3. Alternativ oder zusätzlich können Markierungen vorgesehen sein, wie diese durch 8 auf der Schicht 3 angedeutet sind.

In dem in Fig. 1 b dargestellten Verfahrensschritt ist ersichtlich, dass nach einer Anordnung bzw. Festlegung des zu integrierenden Bauteils 4 auf der Klebeschicht 2 ein Leiterplattenelement 9 auf der Schicht 3 angeordnet wird, wobei das Leiterplattenelement 9 aus einer Mehrzahl von nicht-leitenden Schichten besteht. Dieses Leiterplattenelement 9 weist entsprechend den Abmessungen des zu integrierenden Bauteils 4 eine Ausnehmung 10 auf, so dass der zu integrierende Bauteil 4 zuverlässig auch relativ zu dem Leiterplattenelement 9 positioniert werden kann. Neben der Mehrzahl von nicht-leitenden Schichten des Leiterplattenelements 9 ist zusätzlich eine weitere leitende Schicht 1 1 , beispielsweise wiederum aus Kupfer angedeutet. In dem in Fig. 1 c dargestellten Laminier- bzw. Verpressschritt erfolgt neben einer Verbindung der einzelnen Schichten des Leiterplattenelements 9 und einem Ausfüllen von Freiräumen, wie sie in Fig. 1 b ersichtlich sind, durch das nicht-leitende Material des Leiterplattenelements 9 auch eine Strukturierung der leitenden Schicht 1 1 entsprechend den Abmessungen des zu integrierenden Bauteils 4. Darüber hinaus ist in dem in Fig. 1 c dargestellten Verfahrensschritt ersichtlich, dass die lediglich für eine provisorische Abstützung vorgesehene Abstützschicht 1 ebenso wie die Klebeschicht 2 nach Fertigstellung des Laminier- bzw. Verpressschritts entfernt wurde.

Nach einer derartigen Freilegung der leitenden bzw. Kupferschicht 3 entsprechend dem in Fig. 1c dargestellten Verfahrensschritt erfolgt gemäß dem in Fig. 1 d dargestellten Verfahrensschritt eine Anordnung einer zusätzlichen Kupferschicht 12, welche unmittelbar mit der bereits bestehenden Kupferschicht 3 sowie der Kupferschicht 5 des zu integrierenden Bauteils 4 verbunden wird. In weiterer Folge erfolgt nach einer derartigen Verbindung bzw. Kopplung des zu integrierenden Bauteils 4 und insbesondere der Kupferschicht 5 mit der zusätzlichen leitenden bzw. Kupferschicht 12 eine Strukturierung dieser aus den Schichten 3 und 12 bestehenden und gemeinsam mit 13 bezeichneten leitenden Schicht, wobei ein derartiges Strukturelement in Fig. 1f mit 14 angedeutet ist.

In dem in Fig. 1g dargestellten Verfahrensschritt ist ersichtlich, dass durch ein teilweises Entfernen der leitenden bzw. Kupferschicht 1 1 der zu integrierende Bauteil 4 an der von der Schicht 13 abgewandten Seite bzw. Oberfläche freigelegt wird, wobei entsprechend den Konturen des zu integrierenden Bauteils 4 beispielsweise durch ein Laserschneiden entsprechend den Vertiefungen 15 der Bauteil 4 an seiner Oberseite freigelegt wird.

Durch ein Vorsehen der ein Anhaften verhindernden Schicht 6 auf dem zu integrierenden Bauteil 4 lässt sich auch ein verbleibendes abdeckendes Element, welches in Fig. 1g schematisch mit 17 angedeutet ist, in einfacher Weise entfernen, wie dies in dem Verfahrensschritt gemäß Fig. 1 h deutlich ersichtlich ist, so dass nunmehr eine Leiterplatte 18 bzw. ein Leiterplatten-Zwischenprodukt vorliegt, wobei ein zu integrierender Bauteil 4, welcher beispielsweise von einem als Kühlelement bzw. Wärmeableitelement dienenden IMS-Substrat gebildet wird, in ein Leiterplattenelement 9 positionsgenau integriert ist, wobei zusätzlich wenigstens teilweise strukturierte leitende Schichten 1 1 und 13 angedeutet sind.

Gegebenenfalls kann eine derartige Leiterplatte 18, wie sie in Fig. 1 h dargestellt ist, durch Anordnen bzw. Vorsehen von weiteren Schichten bzw. Lagen einer Leiterplatte vervollständigt werden.

Bei der in Fig. 2 dargestellten, abgewandelten Ausführungsform wird ähnlich wie bei der Ausbildung bzw. Verfahrensführung gemäß Fig. 1 bei dem in Fig. 2a dargestellten Verfahrensschritt auf einem Träger bzw. einer abstützenden Schicht 21 unter Vermittlung einer Klebeschicht bzw. Klebefolie 22 eine leitende Schicht 23 vorgesehen, welche zur Positionierung bzw. Aufnahme eines wiederum beispielsweise von einem IMS-Substrat gebildeten, zu integrierenden Bauteils 24 dient. Der zu integrierende Bauteil 24 weist ähnlich wie bei der vorangehenden Ausführungsform wiederum eine Schicht 25 aus einem leitenden Material, insbesondere Kupfer auf, wobei die Abmessungen der in der leitenden Schicht 23 gebildeten Ausnehmung 26 auf die Abmessungen des zu integrierenden Bauteils 24 abgestimmt sind.

Zur Einbettung des zu integrierenden Bauteils 24 wird wiederum ein aus einer Mehrzahl von nicht-leitenden Schichten bzw. Lagen gebildetes Leiterplattenelement 27 vorgesehen, wobei eine ein Anhaften verhindernde Schicht 28 mit den die Abmessungen des zu integrierenden Bauteils 24 übersteigenden Abmessungen vorgesehen wird. Ähnlich wie bei der vorangehenden Ausführungsform wird wiederum eine Schicht 29 aus einem leitenden Material, insbesondere Kupfer, vorgesehen.

Ähnlich wie bei der vorangehenden Ausführungsform erfolgt nachfolgend wiederum ein Verpressen bzw. Laminieren, wobei auch die weiteren Verfahrensschritte gemäß der Ausführungsform entsprechend Fig. 1 auch bei der Verfahrensführung gemäß Fig. 2 vorgesehen werden können.

Es wird wie bei der Ausführungsform gemäß Fig. 1 wiederum eine Leiterplatte bzw. ein Leiterplatten-Zwischenprodukt zur Verfügung gestellt, in welcher(m) passgenau ein zu integrierender Bauteil 24 enthalten ist. In Fig. 3 und 4 sind jeweils Leiterplatten bzw. Leiterplatten-Zwischenprodukte dargestellt, in welche ein Bauteil integriert wurde, wobei Möglichkeiten einer Kontaktierung eines derartig integrierten Bauteils angedeutet sind.

Bei der in Fig. 3 dargestellten Leiterplatte 31 ist ein von einem Kühlelement 32 gebildeter, zu integrierender Bauteil in einem Leiterplattenelement 33, beispielsweise ähnlich den Verfahrensführungen gemäß Fig. 1 und 2, integriert, wobei für eine gute Wärmeleitung der Bauteil 32 eine zusätzliche Schicht bzw. Lage 34 aus einem thermisch gut leitenden Material enthält. Der Bauteil 32 dient für eine Wärmeabfuhr von von einem Chip, beispielsweise einem SMD-Bauteil 35 erzeugter Wärme, wobei ergänzend Anschlussstellen bzw. Kontakte des Chips 35 mit 36 angedeutet sind.

Da der in der Leiterplatte 31 für eine Wärmeabfuhr bzw. Kühlung zu integrierende Bauteil 32 an der von dem Chip 35 abgewandten Seite vorragt, wie dies durch den vorragenden Bereich 37 angedeutet ist, lässt sich eine entsprechende Verbesserung der Wärmeabfuhr erzielen.

In ähnlicher Weise ist bei der Ausführungsform gemäß Fig. 4 eine Leiterplatte 41 dargestellt, wobei ein wiederum von einem Kühlelement 42 gebildeter zu integrierenden Bauteil in einem Leiterplattenelement 43 integriert bzw. aufgenommen ist. Der Bauteil 42 weist ähnlich wie bei der vorangehenden Ausführungsform eine zusätzliche Schicht bzw. Lage 44 auf, welche elektrisch isolierend ist und eine gute Wärmeleitung zur Verfügung stellt. Der Bauteil 42 dient für eine Wärmeabfuhr von von einem bei- spielsweise ungehäusten Chip, beispielsweise einer LED 45 erzeugter Wärme, wobei elektrisch leitende Bereiche 46 für eine Kontaktierung von nicht näher dargestellten Kontakten sowie ein Bonddraht 47 zusätzlich angedeutet sind.

Bei der Verfahrensführung gemäß Fig. 5 wird ähnlich wie bei den Ausführungsformen gemäß Fig. 1 und 2 eine abstützende bzw. Trägerschicht 51 zur Verfügung gestellt, wobei diese Trägerschicht 51 beispielsweise von einem metallischen, insbesondere Kupferträger gebildet wird, auf welchem eine metallische Folie 52, welche beispielsweise ebenso aus Kupfer besteht, vorgesehen ist. Für ein Festlegen eines in einer herzustellenden Leiterplatte zu integrierenden Bauteils ist eine Klebeschicht 53 insbe- sondere entsprechend den Abmessungen des zu integrierenden Bauteils vorgesehen. Bei dem Verfahrensschritt gemäß Fig. 5b ist ersichtlich, dass ein beispielsweise von einem Sensor 54 gebildeter zu integrierender Bauteil auf der Trägerschicht bzw. abstützenden Schicht 51 unter Vermittlung der leitenden Schicht 52 durch den Kleber 53 festgelegt wird.

Neben schematisch angedeuteten Kontakten 55 des zu integrierenden Bauteils 54 ist darüber hinaus eine aktive Sensorfläche 56 angedeutet.

Für eine Einbettung des zu integrierenden Bauteils 54 erfolgt in weiterer Folge eine Anordnung bzw. Festlegung eines Leiterplattenelements 57, welches aus einem nichtleitenden Material besteht, wobei dieses beispielsweise von einem Prepreg gebildete Leiterplattenelement mit einer Ausnehmung bzw. Freistellung 58 entsprechend den Abmessungen des zu integrierenden Bauteils bzw. Sensors versehen ist. Wiederum ähnlich wie bei den vorangehenden Ausführungsformen wird auf der die Kontakte 55 und die aktive Sensorschicht 56 aufweisenden Oberfläche des zu integrierenden Bauteils 54 eine ein Anhaften verhindernde Schicht 59 vor einem Anordnen einer weiteren Schicht 60 der herzustellenden Leiterplatte aufgebracht, wie dies im in Fig. 5d dargestellten Verfahrensschritt angedeutet ist.

Nach einer entsprechenden Verbindung des den zu integrierenden Bauteil umgebenden Leiterplattenelements 57 sowie der zusätzlichen Schicht 60, welche in dem in Fig. 5e dargestellten Verfahrensschritt einheitlich als Schicht bzw. Lage 61 bezeichnet ist, erfolgt insbesondere durch Vorsehen der ein Anhaften verhindernden Schicht 59 ein Freilegen der aktiven Sensorfläche 56 des integrierten und von einem Sensor gebildeten Bauteils 54. Darüber hinaus sind Kontaktierungen 62 in dem in Fig. 5e dargestellten Verfahrensschritt angedeutet.

In Abwandlung von den in Fig. 1 und 2 dargestellten Verfahrensführungen kann bei der Verfahrensführung gemäß Fig. 5 die abstützende Schicht 51 insbesondere zur Ausbildung weiterer leitender Schichten der herzustellenden Leiterplatte bzw. des herzustellenden Leiterplatten-Zwischenprodukts eingesetzt werden.

In der schematischen Darstellung gemäß Fig. 6 ist eine weitere abgewandelte Ausfüh- rungsform einer herzustellenden Leiterplatte 71 gezeigt, wobei auf einer abstützenden Schicht 72 ein zu integrierender Bauteil 73 in einer Ausnehmung 74 eines den Bauteil 73 umgebenden Leiterplattenelements 75 angeordnet ist.

Insbesondere bei der in Fig. 6 dargestellten Ausführungsform können bei einer wei- teren Herstellung der Leiterplatte einen Hohlraum definierende Bauteile zum Einsatz gelangen, wie dies schematisch in Fig. 7 angedeutet ist. Die in Fig. 7 angedeuteten Bauteile 73', 73" sowie 73"' weisen eine entsprechend einem gewünschten Hohlraum, welcher in dem Bereich des aufzunehmenden Bauteils 73 zu definieren ist, spezielle Formgebung auf. Hierbei können die einen Hohlraum definierenden, zu integrierenden Bauteile 73 bzw. 73', 73" sowie 73"' beispielsweise aus Glas oder Keramik hergestellt sein.

In den in Fig. 8 dargestellten unterschiedlichen Verfahrensschritten eines weiteren abgewandelten Verfahrens zur Herstellung einer Leiterplatte oder eines Leiterplatten- Zwischenprodukts wird gemäß dem in Fig. 8a dargestellten Verfahrensschritt eine insbesondere zweilagige abstützende Schicht 81 zur Verfügung gestellt, wobei diese zweilagige abstützende Schicht bzw. Trägerschicht beispielsweise aus einer eine vergleichsweise große Dicke aufweisenden ersten Schicht bzw. Lage 81' und einer zweiten, eine vergleichsweise geringere Dicke aufweisenden Schicht bzw. Lage 81" besteht. Insbesondere besteht unter Berücksichtigung des herzustellenden Leiterplatten-Zwischenprodukts bzw. der herzustellenden Leiterplatte bei der in Fig. 8 dargestellten Ausführungsform die zweilagige abstützende Schicht 81 jeweils aus metallischen Schichten, insbesondere aus Kupfer. Auf dieser zweilagigen abstützenden Schicht 81 wird gemäß dem in Fig. 8b dargestellten Verfahrensschritt insbesondere unter Berücksichtigung der Größe bzw. Abmessungen des nachfolgend festzulegenden Bauteils eine Klebeschicht 82 vorgesehen. In dem in Fig. 8c dargestellten Verfahrensschritt ist ersichtlich, dass ein Bauteil 83 unter Vermittlung der Klebeschicht 82 auf der abzustützenden Schicht bzw. Trägerschicht 81 festgelegt wird.

In dem in Fig. 8d dargestellten Verfahrensschritt ist darüber hinaus ersichtlich, dass zusätzlich auf der abstützenden Schicht 81 neben dem Bauteil 83 ein Leiterplattenelement 84 angeordnet bzw. festgelegt wird, welches aus einer nicht-leitenden Schicht besteht, wobei entsprechend den Abmessungen des Bauteils 83 eine Ausnehmung bzw. Freistellung 85 vorgesehen ist.

Neben einer Anordnung des Leiterplattenelements 84, welches aus einer nicht- leitenden Schicht besteht, erfolgt, wie dies in dem in Fig. 8e dargestellten Verfahrensschritt gezeigt ist, zusätzlich eine Anordnung eines insbesondere strukturierten Core- Elements 86, welches ebenso wie das Leiterplattenelement 84 mit einer Ausnehmung bzw. Freistellung 87 entsprechend den Abmessungen des zu integrierenden Bauteils 83 ausgebildet wird.

Eine Strukturierung des Core-Elements 86 ist hierbei durch strukturierte Bereiche 88 sowie Vias 89 angedeutet.

Ähnlich den vorangehenden Ausführungsformen erfolgt nachfolgend, wie dies in dem in Fig. 8f dargestellten Verfahrensschritt ersichtlich ist, eine Anordnung weiterer Schichten bzw. Lagen des herzustellenden Leiterplatten-Zwischenprodukts bzw. der herzustellenden Leiterplatte, wobei bei der in Fig. 8 gezeigten Ausführungsform auf dem strukturierten Core-Element 86 eine Schicht 90 aus einem nicht-leitenden Element, insbesondere eine Prepreg-Schicht angeordnet wird, auf welcher eine leitende Schicht, beispielsweise eine Cu-Folie 91 vorgesehen ist.

Ähnlich wie bei den vorangehenden Ausführungsformen, und wie dies insbesondere beispielsweise bei der Verfahrensführung gemäß Fig. 1 dargestellt ist, erfolgt auch bei der Ausführungsform gemäß Fig. 8 anschließend ein Verpressen der einzelnen Schichten bzw. Lagen, worauf nachfolgend erforderlichenfalls weitere Be- bzw. Verarbeitungsschritte, beispielsweise zur Strukturierung von leitenden Schichten bzw. Lagen vorgesehen sein können.

In der Darstellung gemäß Fig. 9 ist ein Leiterplatten-Zwischenprodukt 92 gezeigt, wobei insbesondere entsprechend den Verfahrensschritten gemäß einem der obigen unterschiedlichen Verfahren ein Verpressen bzw. Verbinden unterschiedlicher Schichten bzw. Lagen bereits vorgenommen wurde.

Bei dem in Fig. 9 dargestellten Leiterplatten-Zwischenprodukt 92 ist ersichtlich, dass ein beispielsweise von einem opto-elektronischen Bauteil 93 gebildeter Bauteil in einem Leiterplattenelement oder einer Schicht bzw. Lage 94 aus einem nicht-leitenden Material eingebettet ist, wobei bei der in Fig. 9 dargestellten Ausführungsform eine Abstütz- bzw. Trägerschicht 95 aus einem leitenden Material, beispielsweise Kupfer gebildet ist. Der opto-elektronische Bauteil 93 ist mit der abstützenden und leitenden Schicht 95 über Kontakte 96 kontaktiert.

Zusätzlich ist bei dem in Fig. 9 dargestellten Leiterplatten-Zwischenprodukt ein optisches Fenster 97 angedeutet, wobei eine zusätzliche, insbesondere strukturierte Schicht 98 aus einem leitenden Material ebenfalls gezeigt ist.

Es ist somit bei der in Fig. 9 dargestellten Ausführungsform möglich, einen optoelektronischen Bauteil 93 in eine Leiterplatte bzw. ein Leiterplatten-Zwischenprodukt 92 zu integrieren, wobei hierzu eine den opto-elektronischen Bauteil 93 umgebende Schicht 94 aus einem nicht-leitenden Material bei der Anordnung auf der abstützenden Schicht 95 mit einer an die Abmessungen des zu integrierenden Bauteils 93 ange- passten Ausnehmung bzw. Freistellung ausgebildet ist.

In Fig. 10 ist eine weitere abgewandelte Ausführungsform eines herzüstellenden Leiterplatten-Zwischenprodukts 100 dargestellt. Bei dieser Ausführungsform wird als abstützende bzw. Trägerschicht eine Schicht 101 aus leitendem Material, beispielsweise Kupfer, sowie eine zusätzliche Schicht bzw. Lage 102 aus nicht-leitendem Material, beispielsweise einem Prepreg-Material vorgesehen. Auf diesen abstützenden Schichten 101 und 102 wird, beispielweise wiederum unter Vermittlung eines Klebers bzw. einer Klebeschicht wie bei den vorangehenden Ausführungsformen, ein eine vergleichsweise große Dicke aufweisender zu integrierender Bauteil 103 angeordnet, welcher beispielsweise von einem Shunt gebildet ist. Wie bei den vorangehenden Ausführungsformen wird neben dem zu integrierenden Bauteil 103 auf den abstützenden Schichten ein Leiterplattenelement oder eine Schicht bzw. Lage aus einem nicht-leitenden Material vorgesehen, wobei bei gemäß Fig. 10 diese Schicht bzw. Lage aus nicht-leitendem Material entsprechend dem herzustellenden Leiterplatten-Zwischenprodukt 100 an unterschiedlichen Seitenbereichen des zu integrierenden Bauteils 103 eine unterschiedliche Dicke aufweist. Derart ist bei der Darstellung gemäß Fig. 10 auf der linken Seite ein Teilbereich 104' des Leiterplattenelements ersichtlich, welcher im wesentlich eine Dicke entsprechend der Dicke bzw. Höhe des zu integrierenden Bauteils 103 aufweist, während auf der rechten Seite gemäß der Darstellung von Fig. 10 die nicht-leitende Schicht bzw. das Leiterplattenelement 104" eine vergleichsweise geringe Dicke aufweist, welche jedenfalls geringer als die Dicke bzw. Höhe des zu integrierenden Bauteils 103 ist.

Ebenso wie bei den vorangehenden Ausführungsformen weist die den zu integrierenden Bauteil 103 umgebende Schicht bzw. Lage 104' und 104" aus nicht-leitendem Material eine Ausnehmung bzw. Freistellung 105 entsprechend den Abmessungen des zu integrierenden Bauteils 103 auf.

Bei der in Fig. 10 dargestellten Ausführungsform wird neben dem eine vergleichsweise große Dicke bzw. Höhe aufweisenden Bauteil 103 ein zusätzlicher Bauteil 106 in das herzustellende Leiterplatten-Zwischenprodukt 100 aufgenommen, wobei der zu integrierende Bauteil 106 insbesondere einen in einem schematisch mit 107 angedeuteten Core-Element integrierten Bauteil 108 enthält, welcher beispielsweise von einem MOSFET gebildet ist. Weitere Schichten bzw. Lagen des den Bauteil 108 enthaltenden Bauteils 106 sind mit 109 und 1 10 angedeutet.

Ähnlich wie bei den vorangehenden Ausführungsformen wird zusätzlich wenigstens eine weitere Schicht bzw. Lage 1 1 1 vorgesehen. Darüber hinaus ist in Fig. 10 insbesondere auf der rechten Seite angedeutet, dass insbesondere entsprechend der Höhe des zu integrierenden Bauteils 106 eine weitere Schicht bzw. Lage oder ein Leiter- plattenelement 1 12 aus ebenfalls nicht-leitendem Material angeordnet wird, welches unter Berücksichtigung der Abmessungen des zu integrierenden Bauteils 106 mit einer Ausnehmung bzw. Freistellung 1 13 versehen ist.

Bei der in Fig. 10 dargestellten Ausführungsform ist ersichtlich, dass derart insbeson- dere Bauteile 103 und 106 bzw. 108 unterschiedlicher Dicke bzw. allgemein unterschiedlicher Abmessungen in eine herzustellende Leiterplatte bzw. ein herzustellendes Leiterplatten-Zwischenprodukt 100 integriert werden können. Zu diesem Zweck finden insbesondere unterschiedliche Abmessungen bzw. Dicken aufweisende Leiterplattenelemente oder Schichten bzw. Lagen 104', 104" sowie 1 12 aus nicht-leitendem Material Verwendung, welche jeweils mit Ausnehmungen bzw. Freistellungen 105 bzw. 1 13 entsprechend den zu integrierenden bzw. aufzunehmenden Bauteilen 103 sowie 106 bzw. 108 ausgebildet sind.

Neben den in den vorangehenden Ausführungsformen im Detail beschriebenen, zu integrierenden Bauteilen, wie beispielsweise einem Kühlelement, einem Sensor, einem opto-elektronischen Bauteil, einem in ein Core-Element integrierten Bauteil, oder einem einen Hohlraum definierenden Bauteil können auch andere, in einer Leiterplatte zu integrierende Bauteile, wie beispielsweise Chips, andere elektronische, insbesondere aktive Bauteile und dgl. eingebettet bzw. integriert werden.

Falls nicht eine wenigstens teilweise Freilegung bzw. Freistellung des zu integrierenden Bauteils nach Anordnen bzw. Vorsehen einer wenigstens teilweise übergreifenden zusätzlichen Schicht erforderlich ist, wird auf die Verwendung einer ein Anhaften verhindernden Schicht entsprechend verzichtet.

Ein Aufbringen einer Klebeschicht kann in an sich bekannter Weise beispielsweise durch ein Druckverfahren, insbesondere ein Tinten-, Flex-, Tiefen-, Sieb- oder Offsetdruckverfahren aufgebracht werden. Darüber hinaus kann für eine zumindest provisorische Festlegung bzw. Positionierung des zu integrierenden Bauteils mit vergleichsweise dünnen Klebeschichten das Auslangen gefunden werden, deren Dicke beispielsweise maximal 15 μηι, insbesondere etwa 0,1 bis 10 μΐτι beträgt.