以下、図面を参照しながら本発明の実施� ��形態の例について詳細に説明する。

 図1には、本発明の実施形態に係る電子部 品パッケージ製造装置1(以下製造装置1)の全� �構成が示されている。この製造装置1は、集� ��基板搭載テーブル2、ろう材配置アーム3、� �ング配置アーム4、スポット溶接装置5、加熱 炉6(図示省略)、隔離カバー7を備える。集合� �板搭載テーブル2には、集合基板50が位置決� �配置される。

 ろう材配置アーム3及びリング配置アーム 4、それぞれ、被搬送物を把持するチャック� �3A、4Aと、このチャック部3A、4Aを上下動させ るZ軸部3B、4Bと、チャック部3A、4Aを平面方向 に移動させるX-Y軸部3C、4Cと、集合基板50の凹 部50A又はメタライズ領域5Bの位置を検出する� ��置検出部3D、4Dを備える。なお、本実施形態 では、位置検出部3D、4DとしてCCD等の撮像装� �が用いられており、映像によって対象物の� �置を検出するようになっている。

 ろう材配置アーム3は、環状のろう材52が� ��容されたカセット30から、ろう材52を把持し て上方向(Z軸上方向)に取り出し、このろう材 52を平面方向(X-Y平面方向)に搬送して、集合� �板50の凹部50Aの周囲のメタライズ領域50B上に 高精度に位置決めし、下降させて配置する。 リング配置アーム4は、環状のシームリング54 が収容されたカセット32から、シームリング5 4を把持して上方向(Z軸上方向)に取り出し、� �のシームリング54を平面方向(X-Y平面方向)に� ��送して、集合基板50上のろう材52の上に重ね るように位置決め・配置する。

 スポット溶接装置5は、本発明のスポット 加熱手段に相当し、シーム溶接ローラユニッ ト5Aと、シーム溶接ローラユニット5Aに溶接� �流を供給する電源ユニット5Bと、シーム溶接 ローラユニット5Aを上下方向に移動させる垂� ��スライダ5Cと、シーム溶接ローラユニット5A を平面方向に移動させる水平スライダ5Dを備� ��る。シーム溶接ローラユニット5Aは、回転� �在の溶接ローラ5Eを有している。なお、垂直 スライダ5Cは、特に図示しないバネ等の付勢� ��段を備えており、集合基板50に対して溶接� �ーラ5Eを所定加重で押し付ける。また、集合 基板50が変形していたり、電子部品パッケー� ��の固定状態に誤差が生じたりする場合に、� ��溶接ローラ5Eが個別に上下動してその誤差� �吸収する。

 従って、集合基板50上に搭載されたシー� �リング54に溶接ローラ5Eを当接させて、溶接� ��流を流すことで、シームリング54と溶接ロ� �ラ5Eの接点が加熱され、この接点近傍のろう 材52が部分的に溶融する。この結果、シーム� ��ング54が集合基板50のメタライズ領域5Bに部� ��的にろう付けされる。

 加熱炉6は、本発明のリング固定用加熱手 段に相当し、シームリング54が仮固定された� ��合基板50を収容して、全体を加熱する。こ� �結果、ろう材52が全体的に溶融し、このろう 材52によってシームリング54の全周がメタラ� �ズ領域5Bに完全にろう付けされる。

 隔離カバー7は、集合基板搭載テーブル2� �ろう材配置アーム3、リング配置アーム4、ス ポット溶接装置5等の周囲を覆う。この隔離� �バー7の内部に窒素を導入することで、集合� ��板搭載テーブル2の近傍を窒素雰囲気状態に する。これにより、スポット加熱時において メタライズ領域50Bやシームリング54が酸化す� ��ことを抑制する。

 次に、図2および図3を参照して、電子部� �パッケージ62について説明する。

 電子部品パッケージ60は、セラミックパ� �ケージ本体62、ろう材52、シームリング54を� �える。セラミックパッケージ本体62は、中間 プレート材である集合基板50が立方体形状に� ��割されて構成され、6面中の1面に凹部50Aが� �成される。凹部50Aの開口の周囲には、長方� �に環状となるメタライズ領域50Bが形成され� �。このメタライズ領域50Bは、タングステン� �モリブデン等の金属材料で構成されており� �その上にニッケルメッキが施されている。� �お、セラミックパッケージ本体62のサイズは 、例えば長手方向が2.5mm、幅方向が2.0mm程度� �或いはそれ以下となる場合が好ましい。

 ろう材52は、融点に応じて様々な材料を� �択できるが、例えば、約850度で溶融するCu-Ag 材を用いることができる。その外にも、例え ば、Sn-Ag材、Pd-Sn材、Au-Sn材、Cu-Ag-In材等も選� ��できる。このろう材52は、メタライズ領域50 Bの形状に合わせて、長方形に環状となるプ� �ート材である。

 シームリング54は、コバール(Koval)材とな� ��直径0.2~0.3mm程度の金属リングであり、ニッ� ��ルメッキを施して得られる。このシームリ� ��グ54の大きさは、メタライズ領域50Bと一致� �る。

 図3に示されるように、セラミックパッケ ージ本体62の中間シート材となる集合基板50� �、一枚のセラミックシートに多数の凹部50A� �マトリクス状に形成されて構成される。ま� �、この凹部50Aの周囲には、既述のとおり、� �タライズ領域50Bが形成されている(図3では図 示省略)。このメタライズ領域50Bは、金属素� �を高さ7~14μmの厚みで印刷し、それを約1300度 に加熱することで形成されている。更に、こ の凹部50Aの配列に間には、分割用の溝50Cが網 目状に形成されており、外力を付与すると、 この溝50Cに沿って割れるようになっている。 なお、後述するように、シームリング54はこ� ��集合基板50に予め固定する。従って、この� �50Cに沿って集合基板50を分割すれば、シーム リング54が予め固定された電子部品パッケー� ��60を得ることができる。

 次に、製造装置1を用いた電子部品パッケ ージ60の製造方法について説明する。

 まず、図4(A)の状態に示される準備ステッ プにおいて、凹部50Aが上方に開口する集合基 板50を、集合基板搭載テーブル2の上に位置決 め固定する。なお、集合基板搭載テーブル2� �周囲は窒素雰囲気状態にしておく。その後� �図4(B)の状態に示されるろう材配置ステップ� ��おいて、ろう材配置アーム3を利用して、メ タライズ領域50Bにろう材52を位置決め配置す� ��。ろう材52の位置決めは、例えば、フラッ� �ュ光をメタライズ領域50Bに照射し、その反� �光を位置検出部3Dによって撮像することで、 メタライズ領域50Bの位置および角度を高精度 に検出することで行う。

 次いで、図5(A)の状態に示されるリング配 置ステップにおいて、リング配置アーム4を� �用して、ろう材52の上にシームリング54を位� ��決め配置する。この位置決めも同様に、位� ��決め検出部4Dによってメタライズ領域50B及� �ろう材52の位置を高精度に検出することで行 う。

 その後、図5(B)の状態に示されるリング仮 固定ステップにおいて、スポット溶接装置5� �溶接ローラ5Eを下降させ、溶接ローラ5Eをシ� ��ムリング54の対向する各辺に当接させる。� �の際、溶接ローラ5Eは移動させないようにし 、溶接電流として100~150A程度のパルス電流を� ��3~6ミリ秒流す。この結果、シームリング54� �溶接ローラ5Eの接点がスポット的に加熱され 、その近辺のろう材52が溶融する。その後、� ��接電流を停止して、シームリング54を上昇� �せれば、溶融したろう材52が固化し、メタラ イズ領域50とシームリング54が部分的にろう� �けされる。これにより、高精度に位置決め� �れた状態で、メタライズ領域50にシームリン グ54が仮固定されると共に、ろう材52の一部� �いわゆる「ぬれ状態」にすることができる� �上記ろう材配置ステップ、リング配置ステ� �プ、リング仮固定ステップを、集合基板50の 各凹部50Aのメタライズ領域50Bに対応して繰り 返し実行し、全てのメタライズ領域50Bにシー ムリング54を仮固定する。

 その後、リング固定ステップにおいて、� ��ームリング54が仮固定された集合基板50を加 熱炉6に搬入して全体を加熱する。所定の温� �まで上昇すると、ろう材5は、仮固定時にぬ� ��状態となった部分を起点(トリガー)にして� �融していき、このぬれ状態が全体的に広が� �ていく。特に、シームリング54とメタライズ 領域50Bの間には表面張力が作用するので、高 精度な位置決めが自ずと実現される。その後 、加熱炉6の温度を次第に下げていくことで� �ろう材52内部に含まれる気泡を脱気しつつ、 冷却固化させる。この結果、シームリング54� ��全周がメタライズ領域50Bにろう付けされる� ��その後、集合基板50を分割することで、シ� �ムリング54が固定された電子部品パッケージ 60を得る。

 本実施形態によれば、シームリング54を� �精度に位置決めして仮固定し、その後、加� �炉6によって全周を固定するので、メタライ� ��領域50Bに対してシームリング54を高精度に� �定することが可能となる。また、リング仮� �定ステップによって、ろう材52の一部を予め 「ぬれ状態」にしてから、加熱炉6で全体を� �熱するので、このぬれ状態を起点にして全� �にぬれ状態を広げることが可能となり、ろ� �付け品質を高めることができる。結果、製� �時の歩留まりを向上させることができる。� �子部品パッケージが小型化された場合でも� �高精度に電子部品パッケージ60を製造するこ とができる。

 なお、本実施形態では、図6(A)に示される ように、シームリング54の対抗する2辺の中間 領域Xをスポット加熱して、メタライズ領域50 Bに固定する場合を示したが、本発明はそれ� �限定されず、図6(B)に示されるように、方形� ��リームリング54の隅部Yを加熱して、仮固定� ��ることも好ましい。パッケージ本体側のメ� ��ライズ領域50Bは、表面にメッキ処理が施さ� ��ていることから、表面張力等によって隅部� ��盛り上がり易い。そこで、メタライズ領域5 0Bの肉厚部分(隅部)に対してシームリング54を ろう付けすれば、シームリング54の仮固定状� ��を安定させることができる。

 また、本実施形態では、対向する一対の� ��接ローラ5Eが、内側が小径で外側が大径と� �るように配置される場合を示したが、図7に� ��されるように、内側を大径として外側を小� ��にすることも好ましい。このようにするこ� ��で、溶接ローラ5Eの大径側を、凹部50A内に� �入させることが可能となり、集合基板50との 接触を確実に回避できる。

 更に本実施形態では、集合基板50を用い� �電子部品パッケージ60を製造する場合に限っ て示したが、本発明はそれに限定されず、予 め分割されたパッケージ本体62に対して、シ� ��ムリング54をろう付けしていくことも可能� �ある。この場合は、図8に示されるように、� ��数のパッケージ本体62を搭載可能なトレー70 を利用することが好ましい。トレー70の位置� ��め用凹部70Aに、パッケージ本体62を設置す� �ことで、集合基板50の場合と同様に、各パッ ケージ本体62にシームリング54を固定してい� �ことが可能である。

 また更に、本実施形態では、パッケージ� ��体62に凹部50Aが形成される場合に限って示� �たが、本発明はそれに限定されない。近年� �部品の小型薄型化に伴って、図9に示される� ��うに、パッケージ本体62(又は集合基板50)が� ��ラットなプレート材で構成されており、こ� ��パッケージ本体62の環状のメタライズ領域50 Bに、ろう材52を介してシームリング54が固定� ��れるようにしても良い。このシームリング5 4の厚みにより、実質的な凹部を形成するこ� �ができる。

 また、本実施形態では、シームリング54� �メタライズ領域50Bに仮固定する装置として� �シーム溶接タイプのスポット溶接装置5を用� ��たが、本発明はそれに限定されず、レーザ� ��等の照射によってスポット加熱してろう付� ��してもよい。即ち、本発明では、シームリ� ��グ54を部分的に加熱してろう材52をぬれ状態 にすることが可能なものであれば、各種装置 を選択することができる。更に、本実施形態 では、シームリング54を最終固定する際に、� ��熱炉を用いたが、本発明はそれに限定され� ��、他の加熱手段によって加熱することも可� ��である。

 更に、本実施形態では、メタライズ領域5 0Bにろう材52を配置してから、その上に、シ� �ムリング54を載置する場合を例示したが、本 発明はそれに限定されない。例えば、図10(A)� ��示されるように、シームリング54に対して� �う材52がコーティングされている場合は、図 10(B)のように、このシームリング54をメタラ� �ズ領域50Bに直接的に載置すればよい。シー� �リング54をスポット加熱すれば、ろう材52が� ��融して、シームリング54をメタライズ領域50 Bにろう付けすることができる。

 尚、本発明の電子部品パッケージ製造方� ��等は、上記した実施の形態に限定されるも� ��ではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲� ��において種々変更を加え得ることは勿論で� ��る。