以下、本発明の実施形態を図面を用いて� ��明する。図面や以下の記述中で示す内容は� ��例示であって、本発明の範囲は、図面や以� ��の記述中で示すものに限定されない。以下� ��透明電極3a及びバス電極3bが前面側基板構体 に設けられる場合を例にとって説明を進める 。

1.PDP用前面側基板構体の製造方法
1-1.第1実施形態
 図1(a)~(c)、図2(d)~(f)、図3(a)~(g)、図4、図5(a)~( b)、図6、図7(a)~(b)及び図8を用いて本発明の第 1実施形態のPDP用前面側基板構体の製造方法� �ついて説明する。図1(a)~(c)及び図2(d)~(f)は、� ��実施形態のPDP用前面側基板構体の製造工程� ��示す平面図である。図3(a)~(g)は、本実施形� �のPDP用前面側基板構体の製造工程を示す断� �図である。図3(a)~(c)は、それぞれ、図1(a)~(c)� ��のI-I断面図であり、図3(d)~(f)は、それぞれ� �図2(d)~(f)中のI-I断面図である。図4は、本実� �形態で使用されるフォトマスク17の構成を示 す平面図である。図5(a)は、本実施形態での� �所露光の方法を示す斜視図であり、図5(b)は� ��この局所露光で露光される領域を示す平面� ��である。図6は、局所露光の別の方法を示す 平面図である。図7(a)は、本実施形態での局� �露光の後の基板の状態を示す平面図であり� �図7(b)は、基準マークの位置を示す平面図で� ��る。図8は、位置調整の方法を説明するため の説明図である。

 本実施形態のPDP用前面側基板構体の製造� ��法は、透明電極3aと、該透明電極3a上に少な くとも一部が重なるバス電極3bとからなる電� ��3を基板1a上に備えてなるPDP用基板構体の製� ��方法であって、透明電極3a及び第1アライメ� ��トマーク11が形成された基板1a上に感光性材 料膜13を形成し、バス電極形成用パターン15� �有するフォトマスク17と基板1aの位置合わせ� ��行い、フォトマスク17のバス電極形成用パ� �ーン15を感光性材料膜13に露光により転写す� ��工程を備え、フォトマスク17は、第2アライ� ��ントマーク形成用パターン19を有し、前記� �置合わせは、第2アライメントマーク形成用� ��ターン19を感光性材料膜13に局所露光により 転写して感光性材料膜13に第2アライメントマ ーク21を形成し、第1アライメントマーク11と� ��2アライメントマーク21の相対的な位置関係� ��基づいてフォトマスク17と基板1aの位置調整 を行う工程を備える方法によって行われるこ とを特徴とする。

 また、感光性材料膜13は、バス電極膜23を 介して形成され、バス電極形成用パターン15� ��感光性材料膜13に転写した後に感光性材料� �13を現像することによって感光性材料膜13を� ��ターニングして感光性材料マスク13aを形成� ��、感光性材料マスク13aを用いてバス電極膜2 3をパターニングしてバス電極3bを形成する工 程をさらに備える。

 基板1a上に透明電極3a及びバス電極3bからな� ��表示電極3を形成した後、表示電極3を覆う� �うに誘電体層4を形成し、誘電体層4上に保護 層5を形成し、PDP用前面側基板構体の製造が� �了する。
 以下、各工程を詳細に説明する。

1-1-1.透明電極及び第1アライメントマーク形� �工程
 まず、基板1a上に透明電極膜を形成し、こ� �透明電極膜をパターニングすることによっ� �透明電極3a及び第1アライメントマーク11を形 成し、図1(a)及び図3(a)に示す構成を得る。

 基板1aの種類は、特に限定されず、基板1a は、例えば、ガラス基板等の透明基板からな る。透明電極膜は、特に限定されず、例えば 、ITO,ネサなどの透明電極材料からなる。透� �電極膜のパターニングは、フォトリソグラ� �ィー及びエッチング技術を用いて行うこと� �できる。第1アライメントマーク11は、透明� �極3aを形成する領域外に形成される。第1ア� �イメントマーク11は、透明電極3aと一定の相� ��的な位置関係を有しており、後工程で基板1 aとフォトマスク17の位置合わせの基準に利用 される。第1アライメントマーク11は、基板1a� ��対角位置を含む少なくとも2箇所に設けられ 、好ましくは、基板1aの4隅を含む少なくとも 4箇所に設けられる。この場合、より正確な� �置合わせが可能になるからである。第1アラ� ��メントマーク11の形状は、一例では、十字� �あるが、直線等の別の形状であってもよい� �また、透明電極3aの形状も図示ではストライ プ状であるがセル単位で突出部(T字状又は短� ��状)を有する形状やラダー形状であっても構 わない。

1-1-2.バス電極膜及び感光性材料膜形成工程
 次に、透明電極3aと第1アライメントマーク1 1が形成された基板上にバス電極膜23及び感光 性材料膜13を形成し、図1(b)及び図3(b)に示す� �成を得る。

 バス電極膜23の構成は、特に限定されず� �一層構造でも積層構造でもよい。バス電極� �23は、一例では、Cr層-Cu層-Cr層の積層構造で� ��る。感光性材料膜13は、露光により硬化す� �か又は可溶化する材料からなり、例えば、� �ジ型又はネガ型のフォトレジストからなる� �以下、感光性材料膜13がネガ型のフォトレジ ストからなる場合を例にとって説明を進める 。

 バス電極膜23及び感光性材料膜13は、一様 な厚さで形成することが好ましい。バス電極 膜23及び感光性材料膜13は、通常は、第1アラ� ��メントマーク11を覆うように形成される。� �の場合でも、第1アライメントマーク11の厚� �により第1アライメントマーク11の輪郭形状� �視認可能である。

1-1-3.フォトマスクと基板の位置合わせ工程
 次に、以下の工程によりフォトマスク17と� �板1aの位置合わせを行う。

1-1-3-1.基板及びフォトマスク配置工程
 まず、図4に示すバス電極形成用パターン15� ��第2アライメントマーク形成用パターン19を� ��するフォトマスク17と、バス電極膜23と感光 性材料膜13が形成された基板1aを露光装置内� �重ねて配置する。この際、フォトマスク17と 基板1aとが正確に位置合わせされて重ならず� ��通常、図1(c)及び図3(c)に示すように若干ず� �て重なる。

 この状態で次の局所露光工程を行っても� ��いが、その前に第1アライメントマーク11と� ��2アライメントマーク形成用パターン19の相� ��的な位置関係に基づいてフォトマスク17と� �板1aの仮位置合わせを行ってもよい。この仮 位置合わせを行うことによって、フォトマス ク17と基板1aの間の位置ずれが小さくなり、� �ォトマスク17と基板1aの位置合わせが容易に� ��る。仮位置合わせは、図8を用いて後で説明 する位置調整と実質的に同じ方法で行うこと ができる。仮位置合わせは、基板1aにある第1 アライメントマーク11とフォトマスク17にあ� �第2アライメントマーク形成用パターン19を� �いた位置合わせであるので、第1アライメン� ��マーク11と第2アライメントマーク21を用い� �位置合わせほど精度が高くなく、フォトマ� �ク17と基板1aの間の位置ずれは、完全には除� ��されない。

1-1-3-2.第2アライメントマーク形成用パターン の局所露光工程
 次に、フォトマスク17の第2アライメントマ� ��ク形成用パターン19を感光性材料膜13に局所 露光により転写して感光性材料膜13に第2アラ イメントマーク21を形成する。局所露光は、� ��5(a)に示すように光源25の近くに遮光板27を� �置させ、バス電極形成用パターン15に露光光 が照射されないようにしつつ第2アライメン� �マーク形成用パターン19に露光光を照射する ことによって行う。このような方法により、 図5(b)に示すように2点鎖線よりも上側及び下� ��の領域にのみ露光光を照射することができ� ��。また、局所露光は、図6に示すように、光 源としてレーザー照射装置29を4箇所に配置し 、各レーザー照射装置29が対応する第2アライ メントマーク形成用パターン19の部位のみに� ��光光を照射することによって行うこともで� ��る。

 露光光の種類は、特に限定されないが、� ��えば紫外光である。この局所露光によって� ��光性材料膜13のうち露光光が照射された部� �が硬化すると共に例えば黒っぽく変色し、� �光された部分と露光されていない部分とが� �認可能になる。第2アライメントマーク21は� �露光により感光性材料膜13が変色して形成さ れる。

 図7(a)は、局所露光後の感光性材料膜13の� ��態を示す。第1アライメントマーク11は、段� ��によって輪郭を視認することができ、第2ア ライメントマーク21は、感光性材料膜13の変� �によって視認することができる。第2アライ� ��ントマーク21は、フォトマスク17と基板1aと� ��正確に位置合わせされていれば図7(b)の基準 マーク30に重なるはずであるが、実際は、フ� ��トマスク17と基板1aとの間の位置ずれのため に、第2アライメントマーク21は、図7(a)に示� �ように、基準マーク30から位置ずれして形成 される。

 第2アライメントマーク21は、第1アライメ ントマーク11に重なる位置又はこの近傍の位� ��に形成することが好ましい。この場合、位� ��合わせの精度が高くなるからである。しか� ��、第2アライメントマーク21は、第1アライメ ントマーク11から離れた位置に形成してもよ� ��。第2アライメントマーク11の形状は、一例� ��は、十字であるが、直線等の別の形状であ� ��てもよい。

1-1-3-3.フォトマスクと基板の位置調整工程
 次に、第1アライメントマーク11と第2アライ メントマーク21の相対的な位置関係に基づい� ��フォトマスク17と基板1aの位置調整を行う。 この位置調整によってフォトマスク17と基板1 aの間の位置ずれが解消され、図2(d)及び図3(d) に示す構成が得られる。本明細書において、 「位置調整」とは、平行ずれ(平行移動によ� �て修正可能なずれ)と角度ずれ(回転移動によ って修正可能なずれ)の少なくとも一方を小� �くすることを意味し、「位置ずれ」とは、� �行ずれと角度ずれの少なくとも一方からな� �ずれを意味する。

 以下、図8を用いて位置調整の方法の一例 について説明する。以下で示す方法は、例示 であって、別の方法で位置調整を行ってもよ い。以下の方法では、X方向及びY方向の平行� ��動及び回転移動によって位置調整を行って� ��るが、例えば、X方向又はY方向の平行移動� �び回転移動によって位置調整を行ってもよ� �、回転移動のみによって位置調整を行って� �よい。

 まず、第1アライメントマーク11の位置を� ��測し、その結果に基づいて基準マーク30の� �置を算出する。

 次に、各基準マーク30と各第2アライメン� ��マーク21のX方向及びY方向の位置ずれをそれ ぞれ計測して、X方向のずれ量(δX1~δX4)及びY� �向のずれ量(δY1~δY4)を得る。

 次に、以下の式に基づいてX方向及びY方向� �平行移動量を算出し、次に、平行移動後のX� ��向のずれ量(δX1~δX4)及びY方向のずれ量(δY1~� �Y4)を計算する。
 X方向平行移動量=(δX1+δX2+δX3+δX4)/4
 Y方向平行移動量=(δY1+δY2+δY3+δY4)/4

 次に、以下の式に基づいて回転移動量を算� ��する。
 回転移動量=δθXA+δθXB+δθYA+δθYB
(但し、δθXA=tan ^-1 (δY1-δY2)/L
    δθXB=tan ^-1 (δY3-δY4)/L
    δθYA=tan ^-1 (δX1-δX3)/W
    δθYB=tan ^-1 (δX2-δX4)/W
である。L及びWは、それぞれ、基板1aのX方向� ��びY方向の長さである。)

 次に、上記方法で求めたX方向平行移動量 及びY方向平行移動量に従ってフォトマスク17 と基板1aの少なくとも一方を平行移動させ、� ��の後、上記方法で求めた回転移動量に従っ� ��フォトマスク17と基板1aの少なくとも一方を 回転移動させ、位置調整を完了する。この位 置調整によってフォトマスク17と基板1aの間� �位置ずれが解消される。

 平行移動及び回転移動は、フォトマスク1 7と基板1aの一方のみを移動させることによっ て行ってもよく、両方を逆方向に移動させる ことによって行ってもよい。

1-1-4.バス電極形成用パターン転写及び現像工 程
 次に、図2(d)及び図3(d)の状態で、フォトマ� �ク17のバス電極形成用パターン15を感光性材� ��膜13に露光により転写し、感光性材料膜13を 現像することによって感光性材料膜13をパタ� ��ニングして感光性材料マスク13aを形成し、� ��2(e)及び図3(e)に示す構成を得る。

 本実施形態では、上記位置調整によりフ� ��トマスク17と基板1aの間の位置ずれが解消さ れた状態でバス電極形成用パターン15の転写� ��行うので、高い位置精度で感光性材料マス� ��13aを形成することができる。

1-1-5.バス電極形成工程
 次に、感光性材料マスク13aを用いてバス電� ��膜23をパターニングして透明電極3a上のセン ターラインにバス電極3bを形成する。パター� ��ングは、エッチング等によって行うことが� ��きる。パターニングの後、感光性材料マス� ��13aは、除去する。

 感光性材料マスク13aが高い位置精度で形� ��されているので、バス電極3bも高い位置精� �で形成され、透明電極3aとバス電極3bの間の� ��置ずれを抑制することができ、これによっ� ��輝度ムラ等の問題を抑制することができる� ��

 ここまでの工程によって透明電極3a上に� �ス電極3bが積層されてなる表示電極3が形成� �れる。表示電極3は、2本ずつがペアになって 表示ラインを構成するが、電極配列形態とし て電極ペア間に非放電領域(逆スリットとも� �う)を設けた配列、図示のように電極を等間� ��に配列して隣接する電極間が全て放電領域� ��なるALIS形式の配列のいずれかによって配置 される。ALIS形式の場合、バス電極3bが透明電 極3aの幅方向の中央に配置されるが、前記逆� ��リットを設けた配列の場合は、バス電極3b� �透明電極3aの外側縁部に配置される。

1-1-6.誘電体層及び保護層形成工程
 次に、図3(g)に示すように、透明電極3a及び� ��ス電極3bからなる表示電極3を覆うように誘� ��体層4を形成し、誘電体層4上に保護層5を形� ��し、PDP用前面側基板構体の製造が完了する� ��

 誘電体層4は、例えば、低融点ガラスフリ ットにバインダと溶剤を加えた低融点ガラス ペーストを、表示電極3形成後の基板上にス� �リーン印刷法で塗布し、焼成することによ� �て形成することができる。誘電体層4は、表� ��電極3形成後の基板上にCVD法などで酸化シリ コンを堆積することによって形成してもよい 。

 保護層5は、例えば、MgO、酸化カルシウム 、酸化ストロンチウム又は酸化バリウム等の 金属(より具体的には2価の金属)酸化物からな り、好ましくは、MgOからなる。保護層5は、� �着法、スパッタ法又は塗布法等で形成され� �。

1-2.第2実施形態
 図9(a)~(c)、図10(d)~(f)及び図11(a)~(g)を用いて� �発明の第2実施形態のPDP用前面側基板構体の� ��造方法について説明する。図9(a)~(c)及び図10 (d)~(f)は、本実施形態のPDP用前面側基板構体� �製造工程を示す平面図である。図11(a)~(g)は� �本実施形態のPDP用前面側基板構体の製造工� �を示す断面図である。図11(a)~(c)は、それぞ� �、図9(a)~(c)中のI-I断面図であり、図11(d)~(f)は 、それぞれ、図10(d)~(f)中のI-I断面図である。

 本実施形態の方法は、第1実施形態に類似し ている。第1実施形態との主な相違点は、本� �施形態では、感光性を有する電極材料から� �る感光性材料膜31を形成し、この感光性材料 膜31をパターニングし、その後、焼成するこ� ��によってバス電極3bを形成している点であ� �。このような方法でバス電極3bを形成する方 法は、例えば、特開2003-16949号公報等に記載� �れている。なお、第1実施形態で述べた内容� ��、本実施形態にも基本的に当てはまる。
 以下、各工程を詳細に説明する。

1-2-1.透明電極及び第1アライメントマーク形� �工程
 まず、第1実施形態と同様の方法で、基板1a� ��に透明電極3a及び第1アライメントマーク11� �形成し、図9(a)及び図11(a)に示す構成を得る� �

1-2-2.感光性材料膜形成工程
 次に、得られた基板上に感光性を有する電� ��材料からなる感光性材料膜31を形成し、図9( b)及び図11(b)に示す構成を得る。感光性を有� �る電極材料は、一例では、感光性樹脂を含� �金属(例:Ag)ペーストである。感光性樹脂は、 露光により硬化するか又は可溶化する材料か らなり、例えば、ポジ型又はネガ型のフォト レジストからなる。以下、感光性を有する電 極材料がネガ型のフォトレジストを含むAgペ� ��ストからなる場合を例にとって説明を進め� ��。

 感光性材料膜31は、一様な厚さで形成す� �ことが好ましい。感光性材料膜31は、通常は 、第1アライメントマーク11を覆うように形成 される。この場合でも、第1アライメントマ� �ク11の厚さにより第1アライメントマーク11の 輪郭形状が視認可能である。

1-2-3.フォトマスクと基板の位置合わせ工程
 次に、以下の工程によりフォトマスク17と� �板1aの位置合わせを行う。

1-2-3-1.基板及びフォトマスク配置工程
 まず、第1実施形態と同様の方法で、基板1a� ��フォトマスク17を露光装置内に重ねて配置� �、図9(c)及び図11(c)に示す構成を得る。

1-2-3-2.第2アライメントマーク形成用パターン の局所露光工程
 次に、第1実施形態と同様の方法で、第2ア� �イメントマーク形成用パターン19の局所露光 を行って感光性材料膜13に第2アライメントマ ーク21を形成する。

1-2-3-3.フォトマスクと基板の位置調整工程
 次に、第1実施形態と同様の方法で、フォト マスク17と基板1aの位置調整を行い、図10(d)及 び図11(d)に示す構成を得る。

1-2-4.バス電極形成用パターン転写工程
 次に、図10(d)及び図11(d)の状態で、フォトマ スク17のバス電極形成用パターン15を感光性� �料膜31に露光により転写し、現像することに よって感光性材料膜31をパターニングして未� ��成バス電極31aを形成し、図10(e)及び図11(e)に 示す構成を得る。

1-2-5.バス電極形成工程
 次に、未焼成バス電極31aを焼成することに� ��ってバス電極3bを形成し、図10(f)及び図11(f)� ��示すような透明電極3a上にバス電極3bが積層 された表示電極3の構成を得る。

1-2-6.誘電体層及び保護層形成工程
 次に、第1実施形態と同様の方法により、図 11(g)に示すように、透明電極3a及びバス電極3b からなる表示電極3を覆うように誘電体層4を� ��成し、誘電体層4上に保護層5を形成し、PDP� �前面側基板構体の製造が完了する。

1-3.第3実施形態
 図12(a)~(c)、図13(d)~(f)、図14(a)~(g)、図15~図17� �用いて本発明の第3実施形態のPDP用前面側基� ��構体の製造方法について説明する。図12(a)~( c)及び図13(d)~(f)は、本実施形態のPDP用前面側� ��板構体の製造工程を示す平面図である。図1 4(a)~(g)は、本実施形態のPDP用前面側基板構体� ��製造工程を示す断面図である。図14(a)~(c)は� ��それぞれ、図12(a)~(c)中のI-I断面図であり、� ��14(d)~(f)は、それぞれ、図13(d)~(f)中のI-I断面� ��である。図15は、本実施形態で使用される� �ォトマスク17の構成を示す平面図である。図 16は、本実施形態での局所露光の後の基板の� ��態を示す平面図である。図17は、位置調整� �方法を説明するための説明図である。

 本実施形態の方法は、第1実施形態に類似し ている。第1実施形態との主な相違点は、本� �施形態では、第1アライメントマーク11の幅� �び長手方向が透明電極3aと同じであり、第2� �ライメントマーク21の幅及び長手方向がバス 電極3bとが同じであり且つ第1アライメントマ ーク11と第2アライメントマーク21の相対的な� ��置関係が透明電極3aとバス電極3bの相対的な 位置関係と同じである点と、局所露光の前に 基板1aにある第3アライメントマーク33とフォ� ��マスク17にある第4アライメントマーク35の� �対的な位置関係に基づいてフォトマスク17と 基板1aの仮位置合わせを行う工程を備える点� ��ある。第1実施形態で述べた内容は、本実施 形態にも基本的に当てはまる。
 以下、各工程を詳細に説明する。

1-3-1.透明電極並びに第1及び第3アライメント� ��ーク形成工程
 まず、基板1a上に透明電極膜を形成し、こ� �透明電極膜をパターニングすることによっ� �透明電極3a、第1アライメントマーク11及び第 3アライメントマーク33を形成し、図12(a)及び� ��14(a)に示す構成を得る。

 図12(a)に示すように、本実施形態では、� �1アライメントマーク11は、直線状であり、� �明電極3aと幅及び長手方向が同じである。第 1アライメントマーク11は、アライメントマー クであると同時に透明電極3aのダミーパター� ��であるとも言える。

 第3アライメントマーク33は、後工程にお� ��てフォトマスク17と基板1aの仮位置合わせに おいて利用される。

1-3-2.バス電極膜及び感光性材料膜形成工程
 次に、第1実施形態と同様の方法により、得 られた基板上にバス電極膜23及び感光性材料� ��13を形成し、図12(b)及び図14(b)に示す構成を� ��る。第1及び第3アライメントマーク11,33は、 バス電極膜23及び感光性材料膜13に覆われた� �合でも、自身の厚さにより輪郭形状が視認� �能である。

1-3-3.フォトマスクと基板の位置合わせ工程
 次に、以下の工程によりフォトマスク17と� �板1aの位置合わせを行う。

1-3-3-1.基板及びフォトマスク配置工程
 まず、図15に示すバス電極形成用パターン15 、第2アライメントマーク形成用パターン19及 び第4アライメントマーク35を有するフォトマ スク17と、バス電極膜23と感光性材料膜13が形 成された基板1aとフォトマスク17を露光装置� �に重ねて配置する。この際、フォトマスク17 と基板1aとが正確に位置合わせされて重なら� ��、通常、図12(c)及び図14(c)に示すように若干 ずれて重なる。

 次に、局所露光の前に第3アライメントマ ーク33と第4アライメントマーク35の相対的な� ��置関係に基づいてフォトマスク17と基板1aの 仮位置合わせを行う。この仮位置合わせを行 うことによって、マスク17と基板1aの間の位� �ずれが小さくなり、フォトマスク17と基板1a� ��位置合わせが容易になる。仮位置合わせは� ��図8を用いて説明した位置調整の方法と実質 的に同じ方法で行うことができる。なお、仮 位置合わせ工程は、省略してもよく、この場 合、第3アライメントマーク33と第4アライメ� �トマーク35も省略することができる。

1-3-3-2.第2アライメントマーク形成用パターン の局所露光工程
 次に、第1実施形態と同様の方法で、第2ア� �イメントマーク形成用パターン19の局所露光 を行って感光性材料膜13に第2アライメントマ ーク21を形成する。第4アライメントマーク35� ��感光性材料膜13に転写されることを防ぐ場� �には、第4アライメントマーク35が影になる� �うに遮光板を別途配置した状態で図5に示す� ��うに局所露光を行うか又は図6に示すような レーザー照射装置29を用いて第2アライメント マーク形成用パターン19にのみ露光光を照射� ��ればよい。

 本実施形態では、第2アライメントマーク 21は、直線状であり、バス電極3bと幅及び長� �方向が同じである。従って、第2アライメン� ��マーク21は、アライメントマークであると� �時にバス電極3bのダミーパターンであるとも 言える。また、第1アライメントマーク11と第 2アライメントマーク21の相対的な位置関係が 透明電極3aとバス電極3bの相対的な位置関係� �同じである。従って、第1アライメントマー� ��11と第2アライメントマーク21の相対的な位� �関係が適切になるようにフォトマスク17と基 板1aの位置合わせを行えば、透明電極3aとバ� �電極3bの相対的な位置関係も適切になると考 えられる。

 図16は、局所露光後の感光性材料膜13の状 態を示す。フォトマスク17と基板1aの間の位� �ずれが無ければ、第2アライメントマーク21� �、第1アライメントマーク11の幅方向の中央� �第1アライメントマーク11に平行に配置され� �はずである、図16ではフォトマスク17と基板1 aの間の位置ずれのために、第2アライメント� ��ーク21は、第1アライメントマーク11に対し� �位置ずれして配置されている。

1-3-3-3.フォトマスクと基板の位置調整工程
 次に、第1アライメントマーク11と第2アライ メントマーク21の相対的な位置関係に基づい� ��フォトマスク17と基板1aの位置調整を行う。 この位置調整によってフォトマスク17と基板1 aの間の位置ずれが解消され、図13(d)及び図14( d)に示す構成が得られる。

 以下、図17を用いて位置調整の方法の一� �について説明する。以下で示す方法は、例� �であって、別の方法で位置調整を行っても� �い。以下の方法では、回転移動のみによっ� �位置調整を行っているが、平行移動及び回� �移動によって位置調整を行ってもよい。

 まず、第1アライメントマーク11と第2アライ メントマーク21の各ペアについて、第1アライ メントマーク11の各縁から第2アライメントマ ーク21の縁までの距離(δaY1,δaY2,δbY1,δbY2,δcY1, δcY2,δdY1,δdY2)を計測し、以下の式に基づいて 、各ペアについてずれ量(δAY,δBY,δCY,δAY)を算 出する。
 δAY=(δaY1-δaY2)/2
 δBY=(δbY1-δbY2)/2
 δCY=(δcY1-δcY2)/2
 δDY=(δcY1-δcY2)/2

 次に、以下の式に基づいて回転移動量を算� ��する。
 回転移動量=(δθXAB+δθXCD)/2
(但し、δθXAB=tan ^-1 (δAY-δBY)/L
    δθXCD=tan ^-1 (δCY-δDY)/L
である。Lは、基板1aのX方向の長さである。)

 次に、上記方法で求めた回転移動量に従� ��てフォトマスク17と基板1aの少なくとも一方 を回転移動させ、位置調整を完了する。この 位置調整によってフォトマスク17と基板1aの� �の位置ずれが解消される。回転移動は、フ� �トマスク17と基板1aの一方のみを移動させる� ��とによっておこなってもよく、両方を逆方� ��に移動させることによって行ってもよい。

1-3-4.バス電極形成用パターン転写及び現像工 程
 次に、図13(d)及び図14(d)の状態で、フォトマ スク17のバス電極形成用パターン15を感光性� �料膜13に露光により転写し、感光性材料膜13� ��現像することによって感光性材料膜13をパ� �ーニングして感光性材料マスク13aを形成し� �図13(e)及び図14(e)に示す構成を得る。

 本実施形態では、上記位置調整によりフ� ��トマスク17と基板1aの間の位置ずれが解消さ れた状態でバス電極形成用パターン15の転写� ��行うので、高い位置精度で感光性材料マス� ��13aを形成することができる。

1-3-5.バス電極形成工程
次に、第1実施形態と同様の方法により、感� �性材料マスク13aを用いてバス電極膜23をパタ ーニングしてバス電極3bを形成し、図13(f)及� �図14(f)に示すような透明電極3a上にバス電極3 bが積層された表示電極3の構成を得る。

1-3-6.誘電体層及び保護層形成工程
 次に、図14(g)に示すように、透明電極3a及び バス電極3bからなる表示電極3を覆うように誘 電体層4を形成し、誘電体層4上に保護層5を形 成し、PDP用前面側基板構体の製造が完了する 。

2.PDPの製造方法
 上記方法で製造した前面側基板構体1と、基 板2a上にアドレス電極6と、誘電体層9と、隔� �7と、蛍光体層8とを備える背面側基板構体2� �対向させた状態で周縁部を封着材で貼り合� �せることによって内部に気密な放電空間を� �するパネルが得られ、このパネルの放電空� �内を排気後、放電空間内に放電ガス(例えば� ��ネオンに数%程度のキセノンを混合させたも の)を封入することによってPDPを製造するこ� �ができる。

 以上の実施形態で示した種々の特徴は、� ��いに組み合わせることができる。1つの実施 形態中に複数の特徴が含まれている場合、そ のうちの1又は複数個の特徴を適宜抜き出し� �、単独で又は組み合わせて、本発明に採用� �ることができる。