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Title:
METHOD FOR MANUFACTURING A THIN-FILM LITHIATED MATERIAL
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2022/069842
Kind Code:
A1
Abstract:
The invention relates to a manufacturing method for manufacturing a positive electrode layer based on a lithiated material suitable for three-dimensional batteries or 3D batteries so as to obtain a lithiated material on a substrate, the lithiated material comprising several thin layers, i.e. layers which have thicknesses between 1 nm and 1 μm and are made up of electrochemically active complex materials, and which are, inter alia, homogeneous and suitable for conforming to the more or less complex raised portions of the surface of the substrate on which the lithiated material is deposited.

Inventors:
LETHIEN CHRISTOPHE (FR)
HALLOT MAXIME (FR)
ROUSSEL PASCAL (FR)
BROUSSE THIERRY (FR)
Application Number:
PCT/FR2021/051697
Publication Date:
April 07, 2022
Filing Date:
September 30, 2021
Export Citation:
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Assignee:
CENTRE NAT RECH SCIENT (FR)
UNIV LILLE (FR)
CENTRALE LILLE INST (FR)
UNIV POLYTECHNIQUE HAUTS DE FRANCE (FR)
UNIV DARTOIS (FR)
UNIV NANTES (FR)
International Classes:
H01M4/04; C23C16/40; C23C16/455; C23C16/56; H01M4/1391; H01M4/505; H01M4/525
Domestic Patent References:
WO2009084966A12009-07-09
WO2011002920A22011-01-06
WO2016011412A12016-01-21
WO2015052412A12015-04-16
Foreign References:
DE102017203910A12018-09-13
Attorney, Agent or Firm:
NOVAGRAAF TECHNOLOGIES (FR)
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Claims:
REVENDICATIONS

1 . Procédé de fabrication d’un matériau lithié sur un substrat, ledit matériau lithié comprenant plusieurs couches minces et ledit procédé comprenant les étapes suivantes: a) placement dans une chambre de réaction d’un substrat constitué d’un matériau destiné à être utilisé dans une batterie, c1 ) au moins un dépôt par couche atomique d’un précurseur d’un premier métal, choisi parmi le nickel, le manganèse, le cobalt, le chrome, le lanthane, le niobium, le vanadium, le fer, le titane et l’aluminium, à travers ladite chambre de réaction, sur au moins une partie d’une surface dudit substrat, c2) au moins une purge de ladite chambre de réaction, c3) au moins une diffusion d’une première espèce oxydante à travers ladite chambre de réaction pour obtenir une couche mince d’un oxyde du premier métal, c4) au moins une purge de ladite chambre de réaction f1 ) au moins un dépôt par couche atomique d’un précurseur de lithium à travers ladite chambre de réaction au-dessus de ladite couche mince d’un oxyde d’un premier métal pour former une couche mince lithiée, f2) au moins une purge de ladite chambre de réaction, ledit procédé étant caractérisé en qu’il comprend en outre, après l’étape f2), une étape g) de recuit de cristallisation à une température comprise entre 600 °C et 800 °C pendant une durée comprise entre 1 et 4 h pour obtenir un matériau lithié.

2. Procédé selon la revendication 1 , comprenant en outre, entre les étapes a) et c1 ), au moins une étape b1 ) de fonctionnalisation du substrat, ladite étape b1 ) de fonctionnalisation consistant en une diffusion d’eau à travers ladite chambre de réaction et étant suivie d’une étape b2) de purge de ladite chambre de réaction d’eau.

3. Procédé selon la revendication 2, comprenant en outre une étape b3) d’une première itération des étapes b1 ) et b2) pendant fois, ladite étape b3) étant réalisée entre l’étape b2) et c1 ).

4. Procédé selon l’une des revendications 1 à 3, comprenant en outre une étape c5) d’une deuxième itération des étapes c1 ) à c4) pendant n2 fois.

5. Procédé selon l’une des revendications 1 à 4, comprenant en outre, entre les étapes c2) et f1 ) :

- au moins une étape d1 ) de dépôt par couche atomique d’un précurseur du deuxième de métal, choisi parmi le nickel, le manganèse, le cobalt, le chrome, le lanthane, le titane et l’aluminium, ou d’un précurseur de phosphate, à travers ladite chambre de réaction sur au moins une partie de ladite couche d’un oxyde du premier métal,

- au moins une étape d2) de purge de ladite chambre de réaction,

- au moins une étape d3) de diffusion d’une deuxième espèce oxydante à travers ladite chambre de réaction pour obtenir une couche mince d’un oxyde du deuxième métal ou de phosphate, et

- au moins étape d4) de purge de ladite chambre de réaction.

6. Procédé selon la revendication 5, comprenant en outre une étape d5) d’une troisième itération des étapes d1) à d4) pendant ns fois, ladite étape d5) étant réalisée entre l’étape d4) et f1 ).

7. Procédé selon l’une des revendications 5 ou 6, comprenant en outre une étape e) d’une quatrième itération des étapes c1) à d4) pendant n4 fois.

8. Procédé selon l’une des revendications 1 à 7, comprenant en outre, entre les étapes f2) et g), au moins une étape f3) d’oxydation forcée de ladite couche mince lithiée, ladite étape f3) d’oxydation forcée consistant en la diffusion d’eau dans ladite chambre de réaction et étant suivie d’une étape f4) de purge de ladite chambre de réaction.

9. Procédé selon la revendication 8, comprenant en outre une étape f5) d’une cinquième itération des étapes f1) à f4) pendant n5 fois, ladite étape f5) étant réalisée entre l’étape f4) et g).

Description:
DESCRIPTION

Procédé de fabrication d’un matériau lithié en couches minces

[0001] La présente invention se rapporte à un procédé de fabrication d’un matériau lithié. Plus particulièrement, l’invention se rapporte à un procédé de fabrication d’un matériau contenant du lithium déposé en couches minces à la surface d’un substrat.

[0002] Dans l’état actuel de la technique, on connaît des procédés de formation de couches minces de matériaux sur des substrats de divers types, en particulier des procédés de production de couches de matériaux lithiés, c’est-à-dire contenant du lithium. Ces matériaux lithiés sont notamment utilisés dans des batteries, par exemple pour la formation d'électrodes ou de barrières électrolytiques, ou de tout autre dispositif électrique de stockage. Ces couches peuvent être déposées par une technique de dépôt de couches atomiques (technique nommée Atomic Layer Deposition en anglais et communément désignée par l’acronyme ALD) à partir de précurseurs, par une technique de dépôt chimique de couches atomiques en phase vapeur (technique nommée Chemical Vapor Deposition en anglais et communément désignée par l’acronyme ALCVD), ou encore par une technique de dépôt par épitaxie de couches atomiques (technique nommée Atomic Layer Epitaxy en anglais et communément désignée par l’acronyme ALE). En particulier, la technique ALD est une technique de dépôt de couches minces qui repose sur des réactions gaz-surface afin d’exposer la surface sur laquelle on souhaite déposer une couche d’un matériau à différents précurseurs chimiques successifs.

[0003] Cependant, dans l’état actuel de la technique, il n’existe pas de procédé permettant de fabriquer un matériau lithié contenant des couches minces, c’est-à-dire des couches présentant des épaisseurs comprises entre 1 nm et 1 pm, constituées de matériaux complexes, électrochimiquement actifs, et qui soient, entre autres, homogènes et adaptées à se conformer aux reliefs plus ou moins complexes de la surface du substrat sur laquelle est déposé le matériau lithié.

[0004] Par relief complexe, au sens de la présente invention, on entend un substrat présentant des cavités, des tubes ou des piliers usinés dans ce substrat pour former un squelette en trois dimensions développant un rapport surface sur volume supérieur à 10.

[0005] Par ailleurs, il n’existe pas non plus, dans l’état de la technique, de procédé de fabrication permettant de fabriquer une couche d’électrode positive à base de matériau lithié adaptée à des batteries tridimensionnelles ou batterie 3D.

[0006] Par batterie tridimensionnelle ou batterie 3D, au sens de la présente invention, on entend une batterie présentant un motif définit par une épaisseur supérieure à 5 pm. Par exemple, comme batterie tridimensionnelle ou batterie 3D, on peut avoir une micro-batterie composée d’au moins six couches de matériaux déposées de façon conforme sur un substrat qui a été préalablement structuré pour former un tapis tridimensionnel développant une surface spécifique prédéfinie. Ces six couches sont les suivantes : une couche isolante, deux couches de collecteurs de courant, une couche d’électrode négative, une couche d’électrode positive. Ces deux couches d’électrodes sont séparées par un électrolyte solide. Ces six couches peuvent être éventuellement protégées avec une couche d’encapsulation supplémentaire qui préviendrait du vieillissement de la batterie 3D.

[0007] La présente invention a notamment pour objet de pallier tout ou partie des inconvénients susmentionnés.

[0008] À cet effet, selon un premier aspect, l’invention concerne un procédé de fabrication d’un matériau lithié sur un substrat, ledit matériau lithié comprenant plusieurs couches minces et ledit procédé comprenant les étapes suivantes: a) placement dans une chambre de réaction d’un substrat constitué d’un matériau destiné à être utilisé dans une batterie, c1) au moins un dépôt par couche atomique d’un précurseur d’un premier métal, choisi parmi le nickel, le manganèse, le cobalt, le chrome, le lanthane, le niobium, le vanadium, le fer, le titane et l’aluminium, à travers ladite chambre de réaction, sur au moins une partie d’une surface dudit substrat, c2) au moins une purge de ladite chambre de réaction, c3) au moins une diffusion d’une première espèce oxydante à travers ladite chambre de réaction pour obtenir une couche mince d’un oxyde du premier métal, c4) au moins une purge de ladite chambre de réaction f1) au moins un dépôt par couche atomique d’un précurseur de lithium à travers ladite chambre de réaction au-dessus de ladite couche mince d’un oxyde du premier métal pour former une couche mince lithiée, f2) au moins une purge de ladite chambre de réaction, ledit procédé étant caractérisé en qu’il comprend en outre, après l’étape f2), une étape g) de recuit de cristallisation à une température comprise entre 600 et 800 °C pendant une durée comprise entre 1 et 4 h pour obtenir un matériau lithié.

[0009] Par matériau destiné à être utilisé dans une batterie, au sens de la présente invention, on entend tout type de matériaux qui présente une tenue mécanique suffisante pour ne pas être mécaniquement altéré par les traitements thermiques usuellement mis en oeuvre dans les procédés de fabrication de batterie, qui soit inerte chimiquement et qui soit électrochimiquement stable sous l’effet de la température. [0010] Selon ce premier aspect de l’invention, il est donc possible de fabriquer un matériau électrochimiquement actif qui comprend au moins une couche mince d’un oxyde d’un premier métal tel qu’indiqué précédemment et un couche mince lithiée sur un substrat. On peut ainsi déposer sur un substrat des matériaux complexes électrochimiquement actifs qui sont susceptibles de donner des performances électrochimiques adaptées aux batteries tridimensionnelles. Par exemple, il est possible, via ce procédé de fabrication, de fabriquer un matériau lithié contenant des couches minces qui soient, entre autres, homogènes sur une surface supérieure à 7.5 cm de côté.

[0011] Il est à noter que ce matériau lithié peut être utilisé, par exemple, dans des dispositifs de stockage électrochimiques. En particulier, un tel matériau lithié peut être utilisé pour la fabrication de batteries bidimensionnelles ou tridimensionnelles, en particulier de microbatteries tridimensionnelles, par exemple Li-ion, pour diverses applications. Dans les batteries bidimensionnelles ou tridimensionnelles, le substrat peut alors prendre la forme d’un objet en deux dimensions ou en trois dimensions.

[0012] Au sens de la présente invention, par objet en deux dimensions, on entend un objet plan, par exemple en silicium, ou tout objet permettant d’agir comme socle mécanique réceptacle de couches de matériaux pour la fabrication d’une batterie bidimensionnelle.

[0013] Au sens de la présente invention, par objet en trois dimensions, on entend un objet recouvert par un empilement de matériaux déposés, par exemple, sous la forme de couches minces par ALD. Par exemple, l’objet en trois dimensions peut présenter sur au moins l’une de ses surfaces, une structuration pouvant être réalisée par des techniques de gravure de la microélectronique ou des techniques de croissances de micro/nano objets.

[0014] Aussi, avec un tel procédé selon l’invention, lorsque le substrat est microstructuré, c’est-à-dire lorsque le substrat présente sur au moins une de ses surfaces une certaine rugosité de surface, le matériau lithié déposé se conforme à cette miscrostructure de sorte qu’il est donc possible de former aisément un matériau lithié qui épouse parfaitement la microstructure du substrat de sorte à obtenir un matériau homogène et présentant une épaisseur équivalente sur toute la surface sur laquelle est formé le matériau.

[0015] En particulier, un substrat microstructuré présente une surface spécifique plus importante qu'un substrat plan (c'est-à-dire non microstructuré). La surface d'un substrat peut par exemple être augmentée par la disposition de microstructures présentant un rapport d'aspect élevé à la surface dudit substrat. Le rapport d'aspect d'une microstructure correspond par exemple au rapport de sa dimension longitudinale par sa plus petite dimension transversale (par exemple la plus petite distance transversale entre deux microstructures disposées consécutivement sur le substrat). [0016] Par exemple, comme substrat microstructuré, on peut avoir des substrats comprenant des microstructures du type tranchées, piliers et canaux, ou aussi des microstructures telles qu’enseignées dans la publication WO2015052412. Il est également à noter que le substrat peut être usinable par des techniques de microfabrication et doit être résistant aux traitements thermiques appliqués lors de la mise en oeuvre de son procédé de fabrication, par exemple lors des étapes de dépôt et de recuit.

[0017] Par exemple, comme substrat, on peut avoir un substrat choisi parmi les substrats en silicium, en SiC>2, en AI2O3, en Ti, en verre, en Kapton ®. Par ailleurs, le substrat peut être flexible ou rigide.

[0018] Il est à noter que le précurseur du premier métal peut se présenter sous forme de liquide ou de poudre. Par exemple, le précurseur du premier métal peut être choisi parmi les précurseurs suivants : FeCh, FeCp2, Fe(thd)s, La(thd)3, C0CP2, MnCp2, Mn(thd)s, NiCp2, TiCk, NbOEt 5 , Cr(OCI)2, sans pour autant se limiter à ces derniers.

[0019] Il est à noter que l’étape c3) de diffusion d’une première espèce oxydante permet de rompre les liaisons chimiques des éléments se trouvant en surface après la mise en oeuvre de l’étape c1 ). Cette première espèce oxydante est choisie en fonction de la force des liaisons chimiques des éléments impliquées. Par exemple, l’ozone est de préférence utilisé pour favoriser l’oxydation du manganèse et ainsi assurer la formation de MnC>2.

[0020] De préférence, la couche mince d’un oxyde du premier métal présente une épaisseur comprise entre 5 et 15 nm. Cette première couche peut également de préférence être déposée à une vitesse comprise entre 0.5 et 1 A par cycle ALD.

[0021] Il est également à noter que le précurseur de lithium peut se présenter sous forme de poudre. Par exemple, le précurseur de lithium peut être du LiOtBu, sans pour autant se limiter à ce dernier.

[0022] De préférence, la couche mince lithiée présente une épaisseur comprise entre 5 et 1000 nm. Cette première couche peut également de préférence être déposée à une vitesse comprise entre 0.5 et 1 A par cycle ALD.

[0023] Dans un mode particulier de réalisation, il est avantageux de fonctionnaliser le substrat pour faciliter les étapes ultérieures de dépôt, en particulier pour favoriser l’accroche sur le substrat des premières monocouches atomiques du précurseur du premier métal. Une telle fonctionnalisation permet également d’obtenir un substrat présentant des surfaces ne comprenant pas, ou très peu, d’éléments de pollution afin d’obtenir un état de surface propice aux réactions chimiques voulues lors des étapes suivantes de dépôt. Par conséquent, dans ce mode de réalisation, le procédé comprend en outre, entre les étapes a) et c1 ), au moins une étape b1 ) de fonctionnalisation du substrat, ladite étape b1 ) de fonctionnalisation consistant en une diffusion d’eau à travers ladite chambre de réaction et étant suivie d’une étape b2) de purge de ladite chambre de réaction d’eau.

[0024] De préférence, l’étape b1 ) de fonctionnalisation est mise en oeuvre à une température comprise entre 180 °C et 220 °C.

[0025] De préférence, le procédé comprend en outre, de préférence, une étape b3) d’une première itération des étapes b1) et b2) pendant fois, ladite étape b3) étant réalisée entre l’étape b2) et c1 ). Cette étape permet de fortement diminuer, voire d’éliminer totalement, toute pollution qui pourrait être présente sur les surfaces du substrat avant la mise en oeuvre des étapes ultérieures de dépôts.

[0026] Dans un mode particulier de réalisation, il est avantageux de fabriquer un matériau lithié comprenant au moins une couche mince d’un oxyde d’un premier métal et une couche mince d’un oxyde d’un deuxième métal plutôt qu’une unique couche mince d’un oxyde d’un premier métal. En effet, la présence, dans le matériau lithié, d’au moins deux couches minces d’un oxyde de deux métaux (de transition) différents permet d’obtenir un matériau lithié, électrochimiquement actif à plus haut potentiel par rapport à ceux actuellement utilisés. En particulier, il est ainsi possible d’utiliser un tel matériau lithié pour fabriquer une électrode positive d’une batterie tridimensionnelle opérant à haut potentiel, c’est-à-dire opérant à un potentiel supérieur à 4 V vs Li/Li + . Par conséquent, dans ce mode de réalisation, le procédé comprend en outre, entre les étapes c2) et f1 ) :

- au moins une étape d1 ) de dépôt par couche atomique d’un précurseur du deuxième de métal, choisi parmi le nickel, le manganèse, le cobalt, le chrome, le lanthane, le titane et l’aluminium, ou d’un précurseur de phosphate, à travers ladite chambre de réaction sur au moins une partie de ladite couche mince d’un oxyde du premier métal,

- au moins une étape d2) de purge de ladite chambre de réaction,

- au moins une étape d3) de diffusion d’une deuxième espèce oxydante à travers ladite chambre de réaction pour obtenir une couche mince d’un oxyde du deuxième métal ou de phosphate, et

- au moins une étape d4) de purge de ladite chambre de réaction.

[0027] Tout comme à l’étape c3) de diffusion d’une première espèce oxydante, l’étape d3) de diffusion d’une deuxième espèce oxydante permet de rompre les liaisons chimiques des éléments se trouvant en surface après la mise en oeuvre de l’étape d1). Cette deuxième espèce oxydante est choisie en fonction de la force des liaisons chimiques des éléments impliquées.

[0028] Il est à noter que la première espèce oxydante peut être identique à la deuxième espèce oxydante, mais pas nécessairement. [0029] Par exemple, comme première et/ou deuxième espèces oxydantes, on peut donc citer l’ozone, l’eau, ou tout autre oxygène comprenant un composé gazeux tel que le CO2. Des combinaisons de précurseurs d'oxygène peuvent également être utilisées, soit dans des étapes de diffusion d’espèce oxydante séparées ou simultanément dans la même étape de diffusion d’une première ou deuxième espèces oxydantes.

[0030] Il est également possible de mettre en oeuvre davantage d’étapes similaires aux étapes précitées d1 ) à d4) de sorte à obtenir des couches minces d’un oxyde de métaux supplémentaires. Par exemple, il est donc possible de cette manière d’obtenir les matériaux suivants : LixM1yM2 z M3sOtavec M1 , M2 et M3 des métaux de transition parmi Ni, Mn, Co, Cr, Al tels que LiNii/3Mni/3Coi/3O2, Li x Ni y Co z AltO2 (avec y+z+t = 1 ).

[0031] De préférence, la couche mince d’un oxyde du deuxième métal ou de phosphate peut présenter une épaisseur comprise entre 5 et 15 nm. Cette couche peut également de préférence être déposée à une vitesse comprise entre 0.5 et 1 A par cycle ALD.

[0032] Il est à noter que le précurseur du deuxième métal ou de phosphate est soit identique à celui déposé à l’étape c1 ) soit différent. Aussi, en formant des couches minces issues de précurseurs de métaux de transition différents, il est possible de former des matériaux lithiés ternaires, quaternaires ou quinaires par exemple.

[0033] Il est à noter que le précurseur du deuxième métal ou de phosphate peut se présenter sous forme de liquide ou de poudre. Par exemple, le précurseur du deuxième métal ou de phosphate peut être choisi parmi les précurseurs suivants : La(thd)s, C0CP2, MnCp2, Mn(thd)s, NiCp2, TiCk, Cr(OCI)2, sans pour autant se limiter à ces derniers.

[0034] De préférence, le procédé comprend en outre une étape c5) d’une deuxième itération des étapes c1 ) à c4) pendant n2 fois. Il est à noter que cette étape c5) est de préférence réalisée entre l’étape c4) et d1 ). Ainsi, il est possible d’obtenir une croissance homogène de l’oxyde du premier métal décrit par ces étapes c1 ) à c4) mais aussi de contrôler la stœchiométrie finale du matériau lithié que l’on souhaite fabriquer.

[0035] De préférence, le procédé comprend outre une étape d5) d’une troisième itération des étapes d1 ) à d4) pendant ns fois, ladite étape d5) étant réalisée entre l’étape d4) et f1 ). Ainsi, il est possible d’obtenir une croissance homogène de l’oxyde du deuxième métal décrit par ces étapes d1 ) à d4) mais aussi de contrôler la stœchiométrie finale du matériau lithié que l’on souhaite fabriquer.

[0036] De préférence, le procédé comprend en outre une étape e) d’une quatrième itération des étapes c1 ) à d4) pendant n4 fois. Il est à noter que cette étape e) est de préférence réalisée entre l’étape d5) et f1 ). Ainsi, il est possible d’augmenter les épaisseurs de chacune des couches minces d’un oxyde du premier et deuxième métaux, donc de matériaux actifs, afin d’améliorer les performances d’une batterie tridimensionnelle qui comprendrait un tel matériau lithié.

[0037] Dans un mode particulier de réalisation, il est avantageux de fortement diminuer, voire éliminer, des espèces carbonées qui auraient été formées suite à la mise en oeuvre de l’étape f1) de dépôt par couche atomique du précurseur de lithium. Par conséquent, dans ce mode de réalisation, le procédé comprend en outre, entre les étapes f2) et g), au moins une étape f3) d’oxydation forcée de ladite couche mince lithiée, ladite étape f3) d’oxydation forcée consistant en la diffusion d’eau dans ladite chambre de réaction et étant suivie d’une étape f4) de purge de ladite chambre de réaction.

[0038] De préférence, l’étape f3) d’oxydation forcée est mise en oeuvre à une température comprise entre 180 °C et 220 °C.

[0039] Dans les étapes b1 ) et f3), l’eau est de préférence déionisée.

[0040] De préférence, le procédé comprend en outre une étape f5) d’une cinquième itération des étapes f1) à f4) pendant n 5 fois, ladite étape f5) étant réalisée entre l’étape f4) et g). Ainsi, il est possible d’augmenter l’épaisseur de la couche atomique du précurseur de lithium.

[0041] De préférence, n 5 se définit comme suit n 5 = 0.05 * (n2 + ns) * n4. Par exemple, de cette façon, on peut optimiser le ratio des cycles ALD manganèse et nickel de manière à permettre la formation du matériau lithié tout en limitant la présence d’oxyde de lithium (NiO) et de Li2MnC>3.

[0042] Aussi, en ajustant les valeurs de à n 5 , il est possible d’obtenir différentes stœchiométries de matériaux comprenant du lithium, du nickel, du manganèse et de l’oxygène (ci-après désigné par matériau LNMO).

[0043] Par ailleurs, il est à noter que les étapes de purge consister à puiser un gaz inerte à travers la chambre de réaction après notamment chaque impulsion de précurseur, ou même en même temps que l’impulsion du précurseur. En variante, plusieurs impulsions de purge peuvent être effectuées entre chaque impulsion de précurseur. Les étapes de purge sont destinées à éliminer tous les réactifs n'ayant pas réagi, assurant ainsi que la fabrication du matériau lithié se déroule selon des réactions gaz-surface auto-limitantes. Aussi, la purge de la chambre de réaction peut être effectuée en faisant circuler un gaz de purge à travers la chambre ou, en variante, en évacuant la chambre en réduisant la pression. Les gaz de purge appropriés comprennent des gaz inertes tels que l'azote, l'argon, etc. bien que tout gaz ou mélange gazeux appropriés et ne réagissant pas avec la couche mince déposée de matériau contenant les précurseurs peuvent être pulsés. [0044] Selon un deuxième aspect, l’invention concerne le matériau lithié susceptible d’être obtenu par un procédé tel que défini précédemment.

[0045] L’invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui suit, faite uniquement à titre d’exemple, et en référence aux figures en annexe dans lesquelles :

[0046] [Fig 1] la figure 1 représente schématiquement un exemple de mise en oeuvre d’un procédé de fabrication selon l’invention ;

[0047] [Fig 2] la figure 2 représente une image TEM d’une vue en coupe du matériau de l’exemple 1 avant recuit obtenu selon un mode de réalisation de l’invention, sur ce matériau étant en outre déposée une couche d’alumine (AI2O3) de protection; et

[0048] [Fig 3] la figure 3 représente une image TEM d’une vue en coupe du matériau de l’exemple 1 après recuit obtenu selon un mode de réalisation de l’invention, sur ce matériau étant en outre déposée une couche d’alumine (AI2O3) de protection.

DISPOSITIFS I PRODUITS

[0049] Dispositifs :

- la chambre de réaction : ALD reactor PICOSUN R200.

[0050] Produits :

- Substrat : BT Electronics, Siltronix (Si (100), 5 à 10 ohm. cm, 2" à 4", 1 face polie)

- Précurseurs ALD :

> de platine : Trimethyl)methylcyclopentadienylplatinum (IV), 99%, Merck, STREM Chemical

> de phosphate : Trimethylphosphate, min. 97%, Merck, STREM Chemical

> de lithium : Lithium t-butoxide, 98+%, Merck, STREM Chemical

> d’alumine : Trimethylaluminum, min. 98%, Merck, STREM Chemical

> de nickel : Bis(cyclopentadienyl)nickel, 99% (Nickelocene), Merck, STREM Chemical

> de manganèse : Tris(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato)manganese (III), 99% Mn(TMHD)3), Merck, STREM Chemical.

EXEMPLES

[0051] Exemple 1 : Fabrication d’un premier matériau lithié selon l’invention

[0052] Le matériau lithié fabriqué dans cet exemple est LiNio.5Mn1.5O4 (LNMO) appliqué sur un substrat bidimensionnelle et est obtenu comme indiqué ci-après en utilisant la technique de dépôt par couches atomiques ALD.

[0053] Le procédé suivi dans cet exemple comprend quatre principales étapes :

- formation d’un film mince de MnÛ2 ; - formation d’un film mince de NiO ;

- formation d’un film mince lithié en surface ;

- recuit de cristallisation permettant la formation du matériau LNMO.

[0054] Plus particulièrement, les étapes successives mises en oeuvre dans cet exemple sont les suivantes (illustrées dans la figure 1 ): a) placement dans une chambre de réaction d’un substrat en silicium bidimensionnel ; b1 ) fonctionnalisation du substrat consistant en une diffusion d’eau déionisée à travers ladite chambre de réaction élevée à une température égale à 195°C ; b2) purge de ladite chambre de réaction ; b3) première itération des étapes b1 ) et b2) pendant 10 fois ; c1 ) dépôt par couche atomique d’un précurseur de manganèse (Mn) en puisant du Mn(thd)s au travers de la chambre de réaction élevée à une température égale à 195°C pour former une couche mince comprenant du Mn à la surface du substrat ; c2) purge de la chambre de réaction ; c3) diffusion d’ozone en puisant de l’ozone au travers de la chambre de réaction élevée à une température égale à 195°C pour favoriser la réaction de l’ozone avec la couche mince comprenant du Mn préalablement formée à la surface du substrat à l’issue de l’étape c1 ) et ainsi former une couche mince de MnC>2 ; c4) purge de la chambre de réaction ; c5) deuxième itération des étapes c1 ) à c4) pendant 27 fois ; d1 ) dépôt par couche atomique d’un précurseur de Nickel (Ni) en puisant du Ni(Cp)2 au travers de la chambre de réaction élevée à une température égale à 195°C pour former une couche mince comprenant du Ni à la surface de la couche mince de MnC>2 ; d2) purge de la chambre de réaction ; d3) diffusion d’ozone en puisant de l’ozone au travers de la chambre de réaction élevée à une température égale à 195 °C pour favoriser la réaction d’ozone avec la couche mince comprenant du Ni préalablement formée à la surface de la couche mince de MnC>2 formée à l’issue de l’étape d1 ) et ainsi former une couche mince de NiO ; d4) purge de la chambre de réaction ; d5) troisième itération des étapes d1 ) à d4) pendant 10 fois ; e) quatrième itération des étapes c1) à d4) pendant 52 fois : obtention d’une couche de MnC>2-NiO ; f1 ) dépôt par couche atomique d’un précurseur de Li en puisant du LiOtBu au travers de la chambre de réaction élevée à une température environ égale à 225°C pour former une couche mince comprenant du Li à la surface de la couche de MnC>2-NiO ; f2) purge de la chambre de réaction ; f3) oxyder la couche mince lithiée en diffusant de l’eau déionisée au travers de la chambre de réaction élevée à une température environ égale à 225°C pour favoriser la réaction de l’eau avec la couche comprenant du Li préalablement formée à la surface de la couche de MnC>2-NiO formée à l’issue de l’étape f1 ) pour ainsi former une couche mince d’oxyde de lithium ; f4) purge de la chambre de réaction ; f5) cinquième itération des étapes f1) à f4) pendant 96 fois ; g) recuit de cristallisation à une température environ égale à 700°C durant 2h sous air.

[0055] En procédant ainsi, on obtient un matériau lithié de LiNio.5Mn1.5O4 déposée sur un substrat de silicium et présentant une épaisseur de 100 nm.

[0056] Il est à noter que les étapes précédemment citées peuvent également être appliqué sur un substrat microstructuré tel que celui décrit dans le document WO2015052412.

TESTS

[0057] Des analyses par microscopie électronique en transmission (communément désigné par l’acronyme TEM) (voir figures 2 et 3) du matériau lithié obtenu selon l’exemple 1 avant (voir figure 2) et après (voir figure 3) mise en oeuvre de l’étape g) de recuit, ont été réalisées. Le matériau lithié est déposé sur une couche de platine appliquée à partir d’un précurseur de platine et pouvant jouer le rôle d’une couche de collecteur d’une batterie. L’ensemble couche de platine et matériau lithié a été protégé de la découpe par sonde ionique focalisée (communément désigné par l’acronyme anglais FIB) par une couche déposée par ALD de 85 nm d’alumine AI2O3 déposé à 300°C sur la couche d’oxyde de lithium du matériau avant recuit et appliquée à partir d’un précurseur d’alumine.

[0058] L’analyse du matériau avant recuit est reportée sur la figure 2. Les cellules A, B, C et D illustrent les différentes couches superposées précitées (A et B selon une première échelle, et C et D selon une deuxième échelle comme indiqué sur les figures). Sur les cellules A et B de la figure 2, de bas en haut, on observe une première couche d’alumine, une première couche de platine, une couche de manganèse-nickel, une deuxième couche d'alumine et une deuxième couche de platine. Sur les cellules C et D de la figure 2, de bas en haut, on observe la première couche de platine, la couche de manganèse-nickel, la deuxième couche d'alumine.

[0059] Par ailleurs, on remarque qu’il n’y a pas d’espace entre les différentes couches précitées avant recuit. Cette absence d’espace est caractéristique d’une adhérence suffisante entre les couches. Par ailleurs, sur les cellules E à L, on ne voit pas d’interdiffusion de l’alumine, ni de la platine avec le matériau lithié (ici la couche manganèse-nickel car la couche de lithium n’est pas visible sur les photographies, le lithium n’étant pas visible par microscopie électronique de transmission). La couche de platine sur laquelle est appliqué le matériau lithié, dans le cas d’une batterie cette couche pouvant être une couche de collecteur, apparaît rugueuse en surface et l’orientation de ses grains influence l’orientation du matériau lithié déposé au-dessus, le matériau lithié jouant ainsi le rôle de la couche d’électrode positive. On observe également que le manganèse et le nickel sont intimement mélangés formant ainsi une couche homogène et indiquant une bonne répartition des éléments durant le dépôt ALD. Ainsi, la couche mince de Ni, formée après le dépôt de la couche mince de Mn et au-dessus de celle-ci, a diffusé à l’intérieur de la couche de Mn formant la couche manganèse-nickel.

[0060] L’analyse du matériau après recuit est quant à elle reportée sur la figure 3. Dans cette figure 3, Sur les cellules A et B, de bas en haut, on observe une première couche d’alumine, une couche de platine, une couche de manganèse-nickel, une deuxième couche d'alumine. Sur les cellules C et D de la figure 2, de bas en haut, on observe la couche de platine, la couche de manganèse-nickel, la deuxième couche d'alumine. Par ailleurs, il est ici possible de distinguer davantage l’influence de l’orientation des grains de la couche de collecteur, de platine, sur l’orientation préférentielle des grains du matériau LNMO. D’une manière générale, on observe une démixtion entre le manganèse et le nickel. En effet, on observe que des zones appauvries en nickel sont enrichies en manganèse et inversement mais dans des proportions différentes. Il est à noter par ailleurs qu’on observe du NiO après le recuit et la formation du matériau LNMO.

[0061] Chacune des cellules des figures 2 et 3 correspond à une cartographie chimique des couches empilées sur le substrat de silicium. Les éléments chimiques sont indiqués dans la légende de chaque cellule E à L. Une couleur (ou un niveau de gris) est attribuée à chaque élément chimique. La technique d’analyse utilisée permet également de superposer les couleurs, ou niveau de gris, des différents éléments (voir les cellules B et C de la figure 2, et les cellules B et D de la figure 3). [0062] Dans chacune de ces deux figures (2 et 3), on retrouve deux échelles différentes (une échelle pour les cellules A et B et une autre échelle pour les cellules C et D). Sur les images de cellules, sont représentées l’analyse TEM puis la cartographie chimique avec tous les éléments superposés. Sur les cellules E à L de la figure 2 et E à L de la figure 3, chaque élément chimique (Al, Pt, Ni, Mn) est représenté seul. Cela permet d’avoir accès plus précisément à des informations telles que l’inter-diffusion ou non des éléments entre les couches successives ou bien encore la répartition de ces différents éléments. Sur les cellules G et H, et K et L de la figure 3, une démixtion des éléments manganèse-nickel est observé pour les ratios manganèse-nickel pris en compte sur la figure 1 . On peut voir également aucune inter-diffusion entre les couches de platine et d’alumine ou bien encore entre les couches de platine et de manganèse-nickel sur les cellules F à H ou I, K et L de la figure 3.